一种抗刮抗指纹触摸屏及其制备方法技术领域
本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种抗刮抗指纹触摸屏及其制备方
法。
背景技术
目前在市面上凡是投射式电容触摸屏面板都为GLASS结构，投射式电容触摸屏结
构，由顶部GLASS面板+光学胶+底部SENSOR(SENSOR材质可为ITO FILM或ITO GLASS)构成。
由于现有的触摸屏面板的结构一般为基板(如玻璃、PMMA等)再镀上一层抗指纹镀
层，使触摸屏具有抗指纹功能，抗指纹镀层让触摸屏更顺滑更容易滑动且不易留下指纹。但
是抗指纹膜没有抗刮的功能，所以抗指纹镀层一旦被刮掉以后触屏在使用过程中容易被刮
伤，特别是手机和触摸屏电脑，很多使用者都自行买了贴膜来防止屏幕被刮伤，但是贴膜也
容易刮花，要不断更换。
发明内容
本发明为解决手机触摸屏易留下指纹的技术问题，提供一种具有抗刮性结构的抗
刮抗指纹触摸屏。
一种抗刮抗指纹触摸屏，包括顶部面板、光学胶及底部SENSOR 构成，所述顶部面
板为触摸屏的面盖，用于使用者点触的接触面，所述光学胶黏接面顶部面板和底部SENSOR
，所述底部SENSOR用于布线路；所述顶部面板上覆有真空溅镀的二氧化硅膜，所述真空溅镀
的二氧化硅膜上覆有真空溅镀的类钻石膜；所述真空溅镀的类钻石膜上覆有真空蒸镀的二
氧化硅膜；所述真空蒸镀的二氧化硅膜上覆有真空蒸镀的抗指纹膜。
所述顶部面板为PET面板。
所述底部SENSOR 为PET或者GLASS基材的导线线路板。
所述真空溅镀的二氧化硅膜厚度为1-5 nm。
所述真空溅镀的类钻石膜膜层厚度为1-15 nm。
所述真空蒸镀的抗指纹膜厚度小为1-5 nm。
一种抗刮抗指纹触摸屏的制备方法，包括以下步骤：
一、清洗顶部面板；
二、沉积二氧化硅膜：将顶部面板放置在真空溅射腔体内，该腔体装有平行于顶部面板
的硅靶材，关闭镀膜腔体，抽真空到真空度为10-3Pa以下，停止抽真空；用离子束轰击顶部面
板材料5～30分钟，然后打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氧气和氩气，并保持真空
腔体内氧气分压为0.5Pa～5Pa，氩气的分压为0.1Pa～5Pa，待气压稳定后，在温度为25℃～
200℃下加热顶部面板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；
镀完二氧化硅膜后，转移顶部面板进入下一个镀膜腔体；
三、沉积类钻石膜：将经过步骤二处理的顶部面板进入装有类钻石靶材的真空腔体，顶
部面板与靶材平行放置，向真空腔体内通入氩气，并保持真空腔体内，氩气的分压为0.1Pa
～5Pa，待气压规显示气压稳定之后，再在温度为25℃～150℃下加热顶部面板，待温度稳定
之后，开始通电镀膜，氩气离子形成等离子，等离子中的正电子在电场力的作用下轰击DLC
靶材，使碳原子脱离，脱离后的碳原子会附着在顶部面板材料上，形成DLC薄膜，保持薄膜沉
积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完类钻石膜后，通入空气，接着取出顶部面板；
四、真空蒸镀法沉积的二氧化硅膜：将经过步骤三处理的顶部面板放置到真空蒸镀机
内，该腔体有6个坩埚，分别往其中的两个坩埚加入二氧化硅膜料和抗指纹膜料，打开装有
二氧化硅的坩埚，关闭其余坩埚；接着打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氧气和氩
气，并保持真空腔体内氧气分压为0Pa～0.01Pa，氩气的分压为0.1Pa～5Pa，待气压稳定之
后，再在温度为25℃～100℃下加热顶部面板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速
率为0.1nm/s～5nm/s；镀完二氧化硅膜后，关闭装有二氧化硅的坩埚；
五、真空蒸镀法沉积抗指纹膜：打开装有抗指纹膜料的坩埚，接着打开氧气和氩气阀
门，向真空腔体内通入氩气，并保持真空腔体内氩气的分压为0.1Pa～5Pa，待气压稳定之
后，再在温度为25℃～100℃下加热顶部面板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速
率为0.1nm/s～5nm/s；镀完抗指纹膜后，通入空气，打开镀膜腔，取出顶部面板；
六、所述顶部面板为触摸屏的面盖，用于使用者点触的接触面，光学胶黏接顶部面板和
底部SENSOR ，所述底部SENSOR用于布线路。
本发明克服了现有触摸屏技术不具抗刮性的不足，提供了一种具有抗刮性的结构
及其制备方法。该结构具有良好的透过性，不影响手机触摸屏的光学性能且具有良好的抗
刮性能。本发明主要采用类钻石靶材(diamond-likecarbon)，此材料在沉积成薄膜时其碳
原子的SP3杂化程度大于70％，故具有很高的硬度具有抗刮性能。在此制程中，当DLC大于
5nm时，触摸屏的抗刮行性能是现在触摸屏技术的3倍及以上，随着DLC厚度的增加其抗刮性
能增加。
本发明抗刮抗指纹触摸屏的制备方法制备过程简单，可制成抗刮性能良好的触摸
屏，尤其，采用真空磁控溅射法制得的DLC多晶薄膜材料具有很高的透过性和良好的抗刮性
能，该膜层对基板光学改变穿透率改变量小于1％，对L值改变量小于1％，a*值的改变量小
于0.05，b*值的该变量小于0.1。在相同条件下本专利中的强化玻璃基板镀上本专利膜层结
构以后的触摸屏可耐刮3000次及以上，耐磨3000次后水滴角大于108°。现有产品只镀抗指
纹膜的强化玻璃耐刮次数约1000左右，耐磨3000次后水滴角大于100°，此方法极大改善了
触屏的抗刮性能，相比手机保护贴膜此抗刮膜的成本更低且无须更换。且该抗刮抗指纹膜
层制程简单，可用于工业生产。
由于采用了上述技术方案，一种抗刮抗指纹触摸屏及其制备方法，依次包括触摸
屏的基板，所述基板材料上覆有真空溅镀的二氧化硅膜；所述真空溅镀的二氧化硅膜上覆
有真空溅镀的类钻石膜；所述真空溅镀的类钻石膜上覆有真空蒸镀的二氧化硅膜；所述真
空蒸镀的二氧化硅膜上覆有真空蒸镀的抗指纹膜，制备过程简单，可制成抗刮性能良好的
触摸屏，尤其，采用真空磁控溅射法制得的DLC多晶薄膜材料具有很高的透过性和良好的抗
刮性能。
具体实施方式
本发明技术方案不局限于以下所列举具体实施方式，还包括各具体实施方式间的
任意组合。
具体实施方式一：本实施方式一种抗刮抗指纹触摸屏包括顶部面板、光学胶及底
部SENSOR 构成，所述顶部面板为触摸屏的面盖，用于使用者点触的接触面，所述光学胶黏
接面顶部面板和底部SENSOR ，所述底部SENSOR用于布线路；所述顶部面板上覆有真空溅镀
的二氧化硅膜，所述真空溅镀的二氧化硅膜上覆有真空溅镀的类钻石膜；所述真空溅镀的
类钻石膜上覆有真空蒸镀的二氧化硅膜；所述真空蒸镀的二氧化硅膜上覆有真空蒸镀的抗
指纹膜。
具体实施方式二：本实施方式与具体实施方式一不同的是所述顶部面板为PET面
板。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式三：本实施方式与具体实施方式一或二之一不同的是所述底部
SENSOR 为PET或者GLASS基材的导线线路板。其它与具体实施方式一或二之一相同。
具体实施方式四：本实施方式与具体实施方式一至三之一不同的是所述真空溅镀
的二氧化硅膜厚度为1-5 nm。其它与具体实施方式一至三之一相同。
具体实施方式五：本实施方式与具体实施方式一至四之一不同的是所述真空溅镀
的类钻石膜膜层厚度为1-15 nm。其它与具体实施方式一至四之一相同。
具体实施方式六：本实施方式与具体实施方式一至五之一不同的是所述真空蒸镀
的抗指纹膜厚度小为1-5 nm。其它与具体实施方式一至五之一相同。
具体实施方式七：具体实施方式一所述一种抗刮抗指纹触摸屏的制备方法，包括
以下步骤：
一、清洗顶部面板；
二、沉积二氧化硅膜：将顶部面板放置在真空溅射腔体内，该腔体装有平行于顶部面板
的硅靶材，关闭镀膜腔体，抽真空到真空度为10-3Pa以下，停止抽真空；用离子束轰击顶部面
板材料5～30分钟，然后打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氧气和氩气，并保持真空
腔体内氧气分压为0.5Pa～5Pa，氩气的分压为0.1Pa～5Pa，待气压稳定后，在温度为25℃～
200℃下加热顶部面板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；
镀完二氧化硅膜后，转移顶部面板进入下一个镀膜腔体；
三、沉积类钻石膜：将经过步骤二处理的顶部面板进入装有类钻石靶材的真空腔体，顶
部面板与靶材平行放置，向真空腔体内通入氩气，并保持真空腔体内，氩气的分压为0.1Pa
～5Pa，待气压规显示气压稳定之后，再在温度为25℃～150℃下加热顶部面板，待温度稳定
之后，开始通电镀膜，氩气离子形成等离子，等离子中的正电子在电场力的作用下轰击DLC
靶材，使碳原子脱离，脱离后的碳原子会附着在顶部面板材料上，形成DLC薄膜，保持薄膜沉
积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完类钻石膜后，通入空气，接着取出顶部面板；
四、真空蒸镀法沉积的二氧化硅膜：将经过步骤三处理的顶部面板放置到真空蒸镀机
内，该腔体有6个坩埚，分别往其中的两个坩埚加入二氧化硅膜料和抗指纹膜料，打开装有
二氧化硅的坩埚，关闭其余坩埚；接着打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氧气和氩
气，并保持真空腔体内氧气分压为0Pa～0.01Pa，氩气的分压为0.1Pa～5Pa，待气压稳定之
后，再在温度为25℃～100℃下加热顶部面板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速
率为0.1nm/s～5nm/s；镀完二氧化硅膜后，关闭装有二氧化硅的坩埚；
五、真空蒸镀法沉积抗指纹膜：打开装有抗指纹膜料的坩埚，接着打开氧气和氩气阀
门，向真空腔体内通入氩气，并保持真空腔体内氩气的分压为0.1Pa～5Pa，待气压稳定之
后，再在温度为25℃～100℃下加热顶部面板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速
率为0.1nm/s～5nm/s；镀完抗指纹膜后，通入空气，打开镀膜腔，取出顶部面板；
六、所述顶部面板为触摸屏的面盖，用于使用者点触的接触面，光学胶黏接顶部面板和
底部SENSOR ，所述底部SENSOR用于布线路。
具体实施方式八：本实施方式与具体实施方式七不同的是所述真空蒸镀的二氧化
硅膜料纯度为99.9％。其它与具体实施方式七相同。
采用下述实验验证本发明效果：
实验一： 一种抗刮抗指纹触摸屏的制备方法，包括以下步骤：
一、清洗顶部面板；
二、沉积二氧化硅膜：将顶部面板放置在真空溅射腔体内，该腔体装有平行于顶部面板
的硅靶材，关闭镀膜腔体，抽真空到真空度为10-3Pa以下，停止抽真空；用离子束轰击顶部面
板材料5分钟，然后打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氧气和氩气，并保持真空腔体
内氧气分压为0.5Pa，氩气的分压为0.1Pa，待气压稳定后，在温度为25℃下加热顶部面板，
待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s；镀完二氧化硅膜后，转移顶部面
板进入下一个镀膜腔体；
三、沉积类钻石膜：将经过步骤二处理的顶部面板进入装有类钻石靶材的真空腔体，顶
部面板与靶材平行放置，向真空腔体内通入氩气，并保持真空腔体内，氩气的分压为0.1Pa，
待气压规显示气压稳定之后，再在温度为25℃下加热顶部面板，待温度稳定之后，开始通电
镀膜，氩气离子形成等离子，等离子中的正电子在电场力的作用下轰击DLC靶材，使碳原子
脱离，脱离后的碳原子会附着在顶部面板材料上，形成DLC薄膜，保持薄膜沉积速率为
0.1nm/s；镀完类钻石膜后，通入空气，接着取出顶部面板；
四、真空蒸镀法沉积的二氧化硅膜：将经过步骤三处理的顶部面板放置到真空蒸镀机
内，该腔体有6个坩埚，分别往其中的两个坩埚加入二氧化硅膜料和抗指纹膜料，打开装有
二氧化硅的坩埚，关闭其余坩埚；接着打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氧气和氩
气，并保持真空腔体内氧气分压为0Pa，氩气的分压为0.1Pa，待气压稳定之后，再在温度为
25℃下加热顶部面板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；
镀完二氧化硅膜后，关闭装有二氧化硅的坩埚；
五、真空蒸镀法沉积抗指纹膜：打开装有抗指纹膜料的坩埚，接着打开氧气和氩气阀
门，向真空腔体内通入氩气，并保持真空腔体内氩气的分压为0.1Pa，待气压稳定之后，再在
温度为25℃下加热顶部面板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s；镀
完抗指纹膜后，通入空气，打开镀膜腔，取出顶部面板；
六、所述顶部面板为触摸屏的面盖，用于使用者点触的接触面，光学胶黏接顶部面板和
底部SENSOR ，所述底部SENSOR用于布线路。
实验二： 一种抗刮抗指纹触摸屏的制备方法，包括以下步骤：
一、清洗顶部面板；
二、沉积二氧化硅膜：将顶部面板放置在真空溅射腔体内，该腔体装有平行于顶部面板
的硅靶材，关闭镀膜腔体，抽真空到真空度为10-3Pa以下，停止抽真空；用离子束轰击顶部面
板材料30分钟，然后打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氧气和氩气，并保持真空腔体
内氧气分压为5Pa，氩气的分压为5Pa，待气压稳定后，在温度为200℃下加热顶部面板，待温
度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为5nm/s；镀完二氧化硅膜后，转移顶部面板进入
下一个镀膜腔体；
三、沉积类钻石膜：将经过步骤二处理的顶部面板进入装有类钻石靶材的真空腔体，顶
部面板与靶材平行放置，向真空腔体内通入氩气，并保持真空腔体内，氩气的分压为5Pa，待
气压规显示气压稳定之后，再在温度为150℃下加热顶部面板，待温度稳定之后，开始通电
镀膜，氩气离子形成等离子，等离子中的正电子在电场力的作用下轰击DLC靶材，使碳原子
脱离，脱离后的碳原子会附着在顶部面板材料上，形成DLC薄膜，保持薄膜沉积速率为
0.1nm/s～5nm/s；镀完类钻石膜后，通入空气，接着取出顶部面板；
四、真空蒸镀法沉积的二氧化硅膜：将经过步骤三处理的顶部面板放置到真空蒸镀机
内，该腔体有6个坩埚，分别往其中的两个坩埚加入二氧化硅膜料和抗指纹膜料，打开装有
二氧化硅的坩埚，关闭其余坩埚；接着打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氧气和氩
气，并保持真空腔体内氧气分压为0.01Pa，氩气的分压为5Pa，待气压稳定之后，再在温度为
100℃下加热顶部面板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为5nm/s；镀完二氧
化硅膜后，关闭装有二氧化硅的坩埚；
五、真空蒸镀法沉积抗指纹膜：打开装有抗指纹膜料的坩埚，接着打开氧气和氩气阀
门，向真空腔体内通入氩气，并保持真空腔体内氩气的分压为5Pa，待气压稳定之后，再在温
度为100℃下加热顶部面板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为5nm/s；镀完
抗指纹膜后，通入空气，打开镀膜腔，取出顶部面板；
六、所述顶部面板为触摸屏的面盖，用于使用者点触的接触面，光学胶黏接顶部面板和
底部SENSOR ，所述底部SENSOR用于布线路。