一种窄边框触控显示面板及显示装置及其制作方法技术领域
本发明涉及显示面板领域，尤其涉及一种窄边框触控显示面板及显示装置及其制
作方法。
背景技术
目前主流的显示技术包括TFT-LCD、IPS-LCD、QD-LCD、OLED、电子墨水eINK、Micro
LED等。
LCD(Liquid Crystal Display)液晶显示器应用广泛，是目前主流的显示面板技
术。LCD的构造是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶盒，下基板玻璃上设置TFT(薄膜晶体
管)，上基板玻璃上设置彩色滤光片，通过TFT上的信号与电压改变来控制液晶分子的转动
方向，从而达到控制每个像素点偏振光出射与否而达到显示目的。
而IPS显示面板最大的特点就是它的两极都在同一个面上，而不像其它液晶模式
的电极是在上下两面，立体排列。
QD(Quantum Dot)LCD是通过量子点光源作为背光的LCD技术。量子点(Quantum
Dot)是肉眼看不到的，极其微小的无机纳米晶体。每当受到光的刺激，量子点便会发出非常
纯净的有色光线。使用量子点材料的背光源是目前色彩最纯净的背光源。量子点电视使用
色彩最纯净的量子点光源作为背光源，革命性的实现全色域显示，最真实还原图像色彩。
eINK电子墨水显示面板有许多优点，包括易读性，柔性，易廉价制造和低功耗。与
其它显示技术相比，电子墨水的反射率和对比度较佳。
MicroLED技术是指在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED整列，如同LED显示
屏，每一个像素可定址、单独驱动点亮，可以看成是户外LED显示屏的缩小版，将像素点距离
从毫米级降低至微米级，相比于现有的微显示技术如DLP、LCoS、微机电系统扫描等，由于
MicroLED自发光，光学系统简单，可以减少整体系统的体积、重量、成本，同时兼顾低功耗、
快速反应等特性。
OLED有机发光二极管(0rganic Light Emitting Diode，OLED)显示面板用非常薄
的有机材料涂层和玻璃基板，当电流通过时，有机材料就会发光，而且有机发光二极管显示
屏幕可视角度大，并且能够显著节省电能，响应速度快，无需背光灯，色域广，对比度高，整
体结构轻薄，因此现在有机发光二极管的应用越来越广泛。有机发光二极管显示面板又分
为AMOLED和PMOLED两种。
传统的显示技术，边框需要布设：栅极驱动GOA电路或栅极驱动芯片、像素测试单
元电路(Cell Test Unit)、ELVSS电源和ELVDD地线多条、DEMUX数据线到像素电路(RGB红绿
蓝三色、RGBG红绿蓝绿四色等不同像素排列机制)的多路分配器、INCELL触摸感应电路的接
收电路(RX)和发射电路的线路、ESD电路(信号线ESD、邦定角ESD等)，然后在显示面板的周
边用封框胶进行密封(Glass Frit Encapsulation)；而一般在DEMUX电路侧，还要通过COG
或COF方式，用ACF各方异性胶邦定显示驱动芯片，以及邦定显示面板的软排线FPC。这些做
法，都加大了显示面板周边的宽度，尤其是显示驱动芯片和FPC邦定侧的边框宽度。
传统的两边或者三边窄显示面板生产技术，通过将GOA电路尽量做小，或者将GOA
电路分布到基本像素电路中，将两边或者三边的边框变窄；这种分布式栅极驱动电路的做
法，有几个问题，一是栅极驱动电路分布到基本像素电路中，影响了像素电路的开口率和亮
度，二是驱动能力有限，对高分辨率和大尺寸面板的驱动效果不佳，三是要求修改显示驱动
芯片和电路，支持分布式的栅极驱动，造成电路结构复杂。同时，因为放置DEMUX电路和显示
驱动IC的一边的边框，因为要做显示驱动IC的邦定和FPC的邦定，其边框无法做到极窄，使
显示装置无法设计成为四边或周边极窄边框的效果。
随着技术的发展，消费者追求显示装置的屏占比，希望能够在尽量小的尺寸内，有
尽量大的有效显示面积(Active Area，AA)，但是传统的宽边框显示面板，无法解决追求大
尺寸的显示区域与小尺寸便携性之间的矛盾。
苹果公司的专利CN201380069259.5：电子设备的窄边框显示器：用过孔将驱动电
路芯片(Driver IC)以COF方式接到基板背面的柔性电路板上，仅仅解决了正面驱动电路布
设问题，并没有系统有效解决其他影响全屏显示的显示面板的周边边框宽度问题。而本专
利除了采用过孔将正面占用边框面积的所有电路都搬到基板背面，包括驱动电路，也可以
在基板背面直接制作，或者将驱动电路IC芯片，以COG方式，直接固定在基板背面。
华星光电的专利申请号：201510239874.7：窄边框柔性显示装置及其制作方法，与
苹果专利CN201380069259.5类似，用过孔在基板背面的FPC上面布置驱动IC。
苹果公司的美国专利号US20140042406A1：FlexibleDisplays(Apple)：柔性基板
显示器，通过延长矩形显示面板的基板，将驱动IC等弯折到模组背面，不占用正面的显示区
域。但是并未进一步阐述如何减少矩形面板的其他三边的边框宽度。也未进一步阐述圆角
矩形显示屏的圆角过渡区域的边框处理方法
发明内容
基于此，有必要提供一种显示面板，应用本发明方案，在保持同样的电气性能和显
示效果的前提下，能够使显示面板的四周周边边框更窄，而不仅仅是两边或三边为窄边框。
1.一种窄边框触控显示面板，其特征在于：包括基板、基板过孔、TFT电路层、
INCELL电容触摸感应电路的接收电路和发射电路、OLED器件层、背面电路层以及极化片和
盖板玻璃；所述背面电路层位于所述基板的底面，所述背面电路层通过基板过孔与基板顶
面的TFT电路层相连；所述OLED器件层设于所述TFT电路层之上；所述INCELL电容触摸感应
电路的发射电路位于TFT电路层内，所述INCELL电容触摸感应电路的接收电路位于TFT电路
层内或者背面电路层内。
2.根据权利要求1所述的窄边框触控显示面板，其特征在于：所述基板材质是玻璃
基板或PI基板。
3.根据权利要求2所述的窄边框触控显示面板，其特征在于：所述基板过孔采用
CO2激光打孔机打出，孔径小于等于25微米，空内壁镀上导电涂层。
4.根据权利要求3所述的窄边框触控显示面板，其特征在于：所述导电涂层为黄
金。
5.根据权利要求4所述的窄边框触控显示面板，其特征在于：所述背面电路层包括
GOA电路、电源电路ELVDD、地线电路ELVSS、测试电路、ESD电路、DEMUX电路、VCOM电路、触摸
驱动芯片或等效触摸控制驱动电路、显示驱动芯片或等效显示驱动电路，或者触控显示一
体化驱动芯片TDDI、电源芯片元器件、FPC绑定位和FPC，所述基板包括相对的顶面和底面，
基板上具有过孔，所述TFT电路层位于所述基板的顶面，所述GOA电路通过基板过孔与基板
顶面的TFT电路层中对应的栅极相连，减少了基板正面的GOA区域宽度，从而减少边框宽度。
6.根据权利要求5所述的窄边框触控显示面板，其特征在于：背面电路层的DEMUX
电路、测试电路、ESD电路、电源电路ELVDD和地线电路ELVSS、VCOM电路通过基板过孔分别与
基板顶面的电路的对应源极、对应测试点、对应电路点、基板顶面的地线点ELVSS、TFT电路
层的VCOM相连。
7.根据权利要求1所述的窄边框触控显示面板，其特征在于：还具有电源芯片，其
通过COF方式绑定于基板底面或者底板底面FPC上，且该电源芯片通过基板过孔与背面电路
层的电源电路ELVDD和地线电路ELVSS相连，提供相应的驱动和源级电压。
8.根据权利要求1所述的窄边框触控显示面板，其特征在于：当所述所述触摸驱动
芯片或等效触摸控制驱动电路绑定于背面电路层或者绑定在背面电路层的FPC上，通过基
板过孔与基板顶面的INCELL电容触摸感应电路的发射电路、接收电路相连或者直接与位于
背面电路层中的INCELL电容触摸感应电路的发射电路、接收电路相连。
9.根据权利要求1所述的窄边框触控显示面板，其特征在于：所述显示驱动芯片或
等效显示驱动电路，或者触控显示一体化驱动芯片TDDI连接基板底面的DEMUX电路，并通过
基板过孔与基板顶面的基本像素数据电路相连。
10.根据权利要求5所述的窄边框触控显示面板，其特征在于：背面电路层上各器
件通过各方异性胶ACF进行绑定。
11.根据权利要求1所述的窄边框触控显示面板，其特征在于：所述的TFT、OLED器
件和背面电路层薄膜封装或者通过围堰填充胶进行封装。
12.根据权利要求1所述的窄边框触控显示面板，其特征在于：所述显示面板可以
为薄膜晶体管TFT-LCD、IPS-LCD非晶硅a-Si-LCD、量子点QD-LCD、电子墨水eINK、微型LED、
OLED、纳米管Nanotube显示屏。
13.根据权利要求6所述的窄边框触控显示面板，其特征在于：所述显示面板形状
可以为方形、矩形、圆形、扇形、圆角矩形。
14.根据权利要求13所述的窄边框触控显示面板，其特征在于：当显示面板为圆角
矩形时，源极过孔沿圆角外沿排布。
15.根据权利要求14所述的窄边框触控显示面板，其特征在于：所述显示面板为刚
性或柔性显示面板。
16.一种显示装置，其特征在于：具有如权利要求1-15任一项所述的窄边框触控显
示面板。
17.一种窄边框触控显示面板的制作方法，其特征在于：包含显示面板基板背面制
作工艺流程、顶面制作工艺流程、前板段工艺流程和模组段工艺流程；
所述的基板背面制作工艺流程包括如下步骤：
1)基板双面清洗去污；
2)使用激光打孔设备，在基板的对应位置打过孔；
3)基板背面镀膜，通过镀膜设备用物理或化学的方式将所需材质沉积到基板背面
上，同时将过孔的内壁涂覆导电材料，形成导电过孔；
4)采用高精密度光学对准设备，将制作相应电路的光刻胶位置与基板上的相应过
孔对准连接，然后在背面涂覆光刻胶；
5)采用光学照射的方式，将光罩上的图案通过光阻转印到镀膜后的基板上；
6)进行显影工艺；
7)蚀刻工艺：采用化学或者物理的方式，将基板上未被光阻覆盖的图形下方的膜
蚀刻掉；
8)剥离工艺：将覆盖膜上的光阻洗掉，留下具有所需图形的膜层；
上述步骤3)-8)反复进行多次，制作背面所有的背面电路层电路，最后，在不破坏
各电路绑定位凸块触点的前提下，对背面进行薄膜封装；
基板背面制作工艺流程完成之后，翻转基板，进入到基板顶面工艺流程，具体包括
如下步骤：
9)基板顶面镀膜工艺：使用镀膜设备，用物理或化学的方式将所需材质沉积到基
板顶面上；
10)采用高精密度光学对准设备，将制作相应电路的光刻胶位置与基板上的相应
过孔对准连接，然后在顶面涂覆光刻胶；
11)采用光学照射的方式，将光罩上的图案通过光阻转印到镀膜后的基板上；
12)进行显影工艺；
13)蚀刻工艺：采用化学或者物理的方式，将基板上未被光阻覆盖的图形下方的膜
蚀刻掉；
14)剥离工艺：将覆盖膜上的光阻洗掉，留下具有所需图形的膜层；
上述步骤9)-14)反复进行多次，制作顶面所有的TFT电路层电路；
随后进入前板段工艺流程，具体包括如下步骤：
15)TFT基板清洗，去除基板背面、顶面制作工艺流程中残留的污物杂质；
16)金属掩模张网：高精度金属掩膜板采用具有极低热变形系数的材料制作，制作
完成后由张网机将其定位在金属框架上并送至蒸镀；
17)蒸镀：蒸镀机在超高真空下，将有机材料透过高精度金属掩膜板蒸镀到LTPS基
板限定区域上；
18)薄膜封装保护：通过薄膜封装，保护基板顶面的TFT电路层和有机像素层；
19)盖板清洗涂胶：盖板清洗之后，将玻璃胶涂覆在相应位置；
20)基板与盖板封装：在真空环境下，用玻璃胶将其与保护板进行贴合封装；
封装完成后，进入到模组段工艺流程，具体包括如下步骤：
21)切割工艺：封装好的基板切割为面板；
22)面板测试：进行面板点亮检查和老化实验；
23)将面板贴附上偏光板；
24)翻转面板，进行面板背面电路绑定；
25)面板背面FPC绑定：用ACF将预先制作的柔性印刷电路板FPC绑定到基板背面相
应触点区域；
26)模组测试：进行模组的老化测试与点亮检查，包装出货。
本发明的有益效果在于：可以有效减少显示面板和显示装置的四面边框宽度，尤
其是减少了传统方式制作的面板需要布设DEMUX电路和显示驱动芯片的顶框或底框的宽
度；在基板背面制作源极驱动电路，减少了正面GOA方式大约0.5-1MM左右的GOA区域宽度，
进而减少了边框宽度。同时，因基板背面面积充裕，有充足的空间布设源极驱动电路，提升
了驱动能力，提高了显示效果。实现真正的周边极窄边框显示。
附图说明
结合附图对本发明作进一步详细说明：
图1为一个实施实例中的INCELL AMOLED显示面板的俯视示意图；
图2为一个实施实例中的INCELL AMOLED显示面板的仰视示意图；
图3为一个实施实例中的INCELL AMOLED显示面板的侧面剖视图；
图4为一个实施实例中的INCELL AMOLED基板底面(背面)制作工艺流程图；
图5为一个实施实例中的INCELL AMOLED基板顶面(正面)制作工艺流程图；
图6为一个实施实例中的INCELL AMOLED前板工艺流程图；
图7为一个实施实例中的INCELL AMOLED模组工艺流程图；
图8为一个实施实例中的圆角矩形显示屏的示意图；
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案、工艺流程及优点更加清楚明白，以下结合附图及
实施实例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施实例仅用以解
释本发明专利，并不用于限定不能发明专利。本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容
轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实
施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神
下进行各种修饰或改变。
需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，
遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘
制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可
能更为复杂。
参阅图1，其为本发明窄边框INCELL触控AMOLED显示面板的俯视示意图；为简化显
示，TFT电路层的基本像素电路，仅显示3X3的像素电路矩阵(RGB)，不显示INCELL的发射电
路(TX)和接收电路(RX)；为简化显示，俯视示意图不显示盖板和偏光片。
如图1所示，本发明窄边框INCELL触控AMOLED显示面板的顶面(正面)100布局为：
基板正面100，封胶框/边框101，TFT电路层160，电源过孔ELVDD VIA(111，112，113)，地线过
孔ELVSS VIA(121，122，123)，VCOM过孔124，像素单元测试电路(Cell Test Unit)过孔VIA
(131，132，133)，栅极驱动电路过孔Gate VIA(141，142，143)，RGB像素数据电路过孔RGB
VIA(151，152，153)，INCELL电容触摸感应电路的发射电路(TX)和接收电路(RX)的过孔VIA
(161，162，163)。
INCELL电容触摸感应电路的接收、发射电路过孔VIA(161，162，163)。
如图2所示，本发明窄边框INCELL触控AMOLED显示面板的底面(背面)200布局为：
基板底面200，栅极驱动电路GOA 201和202(左右)，ESD电路204(信号线和邦定角的ESD)，数
据驱动到RGB像素电路的DEMUX电路204，像素单元测试电路(Cell Test Unit)205，软排线
FPC 210，软排线上的连接器211，软排线上的元器件212，触控驱动电路、显示驱动电路或者
触控显示一体化驱动电路芯片TDDI IC 220。电源芯片Power IC 221。
如图3所示，
软排线FPC 210通过各方异性胶290(见图3)，邦定到背面电路层的相应位置上；触
控驱动芯片、显示驱动芯片或者触控显示一体化驱动电路芯片TDDI IC 220通过各方异性
胶290(见图3)，邦定到背面电路层的相应位置上；电源芯片Power IC 221通过各方异性胶
290(见图3)，邦定到背面电路层的相应位置上；优选的，在某些实施实例中，由于技术的进
步，触控驱动芯片和电源芯片221，统一整合到单一触控显示驱动芯片TDDI IC 220中。背面
的电源过孔ELVDD VIA(111，112，113)和地线过孔ELVSS VIA(121，122，123)通过背面电路
电连接到电源芯片221或者单一芯片220中，为基板正面的基本电路提供电源；背面的VCOM
电路，通过VCOM电路过孔VCOM VIA 124，与基板顶面TFT电路层的VCOM电路相连；像素单元
测试电路(Cell Test Unit)过孔VIA(131，132，133)通过背面电路电连接到背面电路层的
像素单元测试电路(Cell Test Unit)上；栅极驱动电路过孔Gate VIA(141，142，143)通过
背面电路电连接到背面电路层的栅极驱动电路201或202上。RGB像素数据电路过孔RGB VIA
(151，152，153)通过背面电路电连接到背面电路层的DEMUX电路204上。
为进一步降低成本，提高可靠性，优选的，触控驱动芯片可以由直接制作在基板底
面电路层中的等效触控驱动电路替代；
为进一步降低成本，提高可靠性，减少柔性基板弯折带来的芯片破裂问题，优选
的，传统采用裸片邦定到基板上的显示驱动芯片可以由直接制作在基板底面电路层中的等
效显示驱动电路替代；
触控驱动芯片或等效触控驱动电路、显示驱动芯片或者等效显示驱动电路、或者
触控显示一体化驱动电路芯片TDDI IC 220、电源芯片Power IC 221，以及其他需要输出到
显示装置的主电路板的其他电路连接，通过背面电路层的电路，连接到软排线FPC210上，进
而通过连接器211连到主电路板上。
优选的，GOA电路，ESD电路，Cell Test Unit、VCOM电路、ELVSS、ELVDD和DEMUX的全
部或者部分，可以根据工艺和制程要求，按照常规方式，布设在基板顶面的TFT电路层中。
优选的，本发明的AMOLED显示面板，支持Full Incell方式的电容式触控电路。为
减少制作难度，本发明的AMOLED显示面板，也支持Oncell方式的电容式触控电路
电容式触控电路的制作，支持目前和未来的技术和工艺，包括并不限于基于自电
容、互电容、VCOM分时电路操作、混合式INCELL、完全INCELL、金属网Metal Mesh等方式，触
控电路的具体实现方式，不在本发明的覆盖范围内。在某些触控电路实现方式上，接收(RX、
感应)电路或发射(TX、驱动)电路可以部分或全部设置于基板顶面，而无需设置于基板底
面。其具体实现方式，以支持本专利所实现超窄边框为目的，并不在本专利的阐述范围内。
优选的，本发明的AMOLED显示面板，支持触控驱动和显示驱动一体化的TDDI芯片。
如图3所示，本发明一个实施实例中的INCELL AMOLED显示面板的侧面剖视图，基
板顶面的TFT电路层的各功能电路，通过对应的过孔VIA：电源过孔ELVDD VIA(111，112，
113)，地线过孔ELVSS VIA(121，122，123)，VCOM电路过孔VCOM VIA124，像素单元测试电路
(Cell Test Unit)过孔VIA(131，132，133)，栅极驱动电路过孔Gate VIA(141，142，143)，
RGB像素数据电路过孔RGB VIA(151，152，153)，INCELL的发射电路(TX)和接收电路(RX)的
过孔VIA(161，162，163)，连接到基板底面的背面电路层200的各功能电路和元器件上。
优选的，软排线FPC210通过各方异性胶ACF 290邦定到背面电路层200的相应位置
上；
优选的，触控驱动芯片、显示驱动芯片或者触控显示一体化驱动电路芯片TDDI IC
220，通过各方异性胶ACF 290邦定到背面电路层200的相应位置上；
优选的，电源芯片Power IC 221，通过各方异性胶ACF 290邦定到背面电路层200
的相应位置上；
以下结合示意图，进一步阐述AMOLED面板和模组的制作工艺流程。
参考图4 INCELL AMOLED基板底面(背面)制作工艺流程：
1)基板双面清洗去污，在本实施实例中，所述基板可以包括玻璃基板、聚酰亚胺树
脂(polyimide简称PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(涤纶树脂
PET)、多种树脂叠层、介电金属薄膜、玻璃树脂叠层等的至少一种。
2)基板打过孔，使用激光打孔设备，在基板的对应位置打过孔VIA。在本实施实例
中，过孔可以在制作基板顶面TFT电路和底面的背面电路前进行制作(在基板厂进行激光打
孔)，也可以在制作基板顶面TFT电路和底面的背面电路后进行制作。采用何种方式，根据面
板生产厂具体的工艺调整要求而进行。
在本实施实例中，随着技术进步和显示面板的分辨率上升，基本像素单元电路的
上下和左右间隔会越来越小，造成打孔设备的打孔尺寸，超过了像素之间的间隔所允许的
范围，此时应通过双列或多列过孔，或者锯齿型排列过孔等方式，制作相应的过孔，以支持
高分辨率显示面板的过孔工艺。
3)基板底面镀膜工艺是使用镀膜设备，用物理或化学的方式将所需材质沉积到基
板底面上，同时将过孔的内壁涂覆导电材料，形成导电过孔。基板壁厚与过孔直径比例，应
大于一定比例，以确保过孔内壁能够连续涂覆导电材料，防止造成断线。(如果过孔制作是
在基板厂进行，则过孔内壁涂敷导电材料的工艺，也应该在基板厂进行)
4)底面光刻胶涂布，在底面涂覆光刻胶。此步骤中，采用高精密度光学对准设备，
将制作相应电路的光刻胶位置与基板上的相应过孔VIA对准连接。
5)底面曝光工艺是采用光学照射的方式，将光罩上的图案通过光阻转印到镀膜后
的基板上；
6)显影工艺；
7)蚀刻工艺：蚀刻工艺是使用化学或者物理的方式，将基板上未被光阻覆盖的图
形下方的膜蚀刻掉。
8)剥离工艺：最后将覆盖膜上的光阻洗掉，留下具有所需图形的膜层；
上述步骤3)-8)反复进行多次，(通常12次)，制作底面所有的背面电路层(包括
VCOM电路，EVLDD电源电路，ELVSS地线电路，GOA栅极驱动电路，单元测试电路Cell Test
Unit，ESD电路，DEMUX电路，等效触控驱动电路，等效显示驱动电路，INCELL触控接收和、或
发射电路，触控芯片邦定位，显示驱动芯片邦定位，TDDI IC邦定位，电源芯片Power IC邦定
位，软排线FPC邦定位等)，最后在保护好各邦定位凸块触点的前提下，在背面进行薄膜封装
(Thin Film Encapsulation)，保护背面电路层。要通过封装工艺，确保薄膜封装的平整度，
防止基板背面不平整，造成的显示面板的显示效果不良。
为了减少基板底面制程工艺复杂度，节省成本，可以仅在基板底面进行电联接线
路和触控电路的制作，不进行TFT电路制作(Gate Driver、DEMUX、ESD、Test unit等)，如此
仅需要一到两次P100工艺流程即可。Gate Driver、DEMUX、ESD、Test unit等电路，仍旧在基
板顶面工艺流程制作。
触控电路的制作，支持目前和未来的技术和工艺，包括并不限于基于自电容、互电
容、VCOM分时电路操作、混合式INCELL、完全INCELL、金属网Metal Mesh等方式，触控电路的
具体实现方式，不在本发明的覆盖范围内。在某些触控电路实现方式上，接收(RX、感应)电
路或发射(TX、驱动)电路可以部分或全部设置于基板顶面，而无需设置于基板底面。
背面电路层制作完成之后，翻转基板，进入到基板顶面工艺流程。
图5为一个实施实例中的INCELL AMOLED基板顶面(正面)制作工艺流程图；所述基
板顶面制作工艺流程包括以下步骤：
9)基板顶面镀膜工艺：使用镀膜设备，用物理或化学的方式将所需材质沉积到基
板顶面上；
10)采用高精密度光学对准设备，将制作相应电路的光刻胶位置与基板上的相应
过孔对准连接，然后在顶面涂覆光刻胶；
11)采用光学照射的方式，将光罩上的图案通过光阻转印到镀膜后的基板上；
12)进行显影工艺；
13)蚀刻工艺：采用化学或者物理的方式，将基板上未被光阻覆盖的图形下方的膜
蚀刻掉；
14)剥离工艺：将覆盖膜上的光阻洗掉，留下具有所需图形的膜层；
上述步骤9)-14)反复进行多次，制作顶面所有的TFT电路层电路；
根据面板厂的流程工艺要求，背板顶面工艺和背板背面工艺可以对调，即可以先
制作背板背面电路，再反转制作背面顶面电路。
制作完成后，进入到前板段工艺流程：，如图6所示，所述前板段流程包括以下步
骤：
在本实施实例中，前板段工艺通过高精度金属掩膜板(FMM)将有机发光材料以及
阴极等材料蒸镀在背板上，与驱动电路结合形成发光器件，再在无氧环境中进行封装以起
到保护作用。蒸镀的对位精度与封装的气密性都是前板段工艺的挑战所在。其他工艺还包
括通过印刷、喷墨打印等方式形成有机发光像素
15)TFT基板清洗，去除基板背面、顶面制作工艺流程中残留的污物杂质；
16)金属掩模张网：高精度金属掩膜板采用具有极低热变形系数的材料制作，制作
完成后由张网机将其定位在金属框架上并送至蒸镀；
17)蒸镀：蒸镀机在超高真空下，将有机材料透过高精度金属掩膜板蒸镀到LTPS基
板限定区域上；
18)薄膜封装保护：通过薄膜封装，保护基板顶面的TFT电路层和有机像素层；
19)盖板清洗涂胶：盖板清洗之后，将玻璃胶涂覆在相应位置；
20)基板与盖板封装：在真空环境下，用玻璃胶将其与保护板进行贴合封装；
封装完成后，进入到模组段制作工艺流程。如图7所示，所述模组段制作工艺流程
包括以下步骤：
21)切割工艺：封装好的基板切割为面板；
22)面板测试：进行面板点亮检查和老化实验；
23)将面板贴附上偏光板；
24)翻转面板，进行面板背面电路绑定；
优选的，在本实施实例中，采用TDDI技术，将触控芯片TPIC与显示驱动芯片IC合二
为一；
优选的，为进一步降低成本，提高可靠性，触控驱动芯片可以由直接制作在基板底
面电路层中的等效触控驱动电路替代；
为进一步降低成本，提高可靠性，减少柔性基板弯折带来的芯片破裂问题，优选
的，传统采用裸片邦定到基板上的显示驱动芯片可以由直接制作在基板底面电路层中的等
效显示驱动电路替代；
优选的，在本实施实例中，因为基板背面区域空间宽裕，可以不采用细长超窄的显
示驱动TDDI IC型号，减少用ACF贴合芯片后，热收缩后造成的warpage效应，也减少因外力
造成的显示驱动芯片断裂故障，提高了显示面板的可靠性；
25)面板背面FPC绑定：用ACF将预先制作的柔性印刷电路板FPC绑定到基板背面相
应触点区域；
26)模组测试：进行模组的老化测试与点亮检查，包装出货。
如图8所示，为了达到美观显示效果，所述面板800的有效显示区域810形状是圆角
矩形，在圆角矩形的圆角过渡部分830，栅极电路通过过孔VIA连接到背面栅极驱动电路，减
少边框820的宽度，而源极电路通过正常布线排版，在基板上延长一段距离，在弯折区域840
进行弯折，驱动电路IC850通过COG方式以ACF邦定在延长的基板上，FPC通过ACF也邦定在延
长的基板上。通过不影响整体面板的超窄边框圆角矩形显示区域的前提下，切割成一边带
有矩形延长基板的圆角矩形显示屏，然后在延长的基板上采用COG方式贴合驱动电路芯片
和FPC，组合使用过孔方式连接到背面的栅极驱动电路等本发明所阐述的创新方法，达到圆
角矩形显示屏的超窄边框显示效果。
以上实施实例为本发明的窄边框INCELL触控方式的AMOLED显示面板的制作工艺
流程。其中的具体工艺流程，可以根据具体情况进行顺序调整，或者增加减去相应的工艺流
程。
相似的，Super AMOLED，非晶硅a-Si LCD，LTPS LCD，IPS LCD，量子点QD-LCD，微显
示MicroLED，电子墨水eINK显示面板和未来出现的其他新型显示面板技术，均可以采用本
发明所描述的技术方案和工艺流程，实现窄边框显示面板。
综上，通过以上措施，本发明的窄边框触控显示面板的积极进步效果在于：本发明
充分利用了基板背面的空间布局，在保证电气性能和显示效果的前提下，可以做到显示面
板周边(四边)极窄边框，有利于实现创新的周边(四边)窄边框显示装置，提升屏占比，满足
消费者对大屏显示设备的移动性要求。
以上具体实施方式仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照实例对本发
明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改
或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求
范围当中。