液晶显示元件.pdf

本发明提供一种液晶显示元件，其具有相对配置的第一透明绝缘基板和第二透明绝缘基板且在第一基板与第二基板之间夹持含有液晶组合物的液晶层，并且具有：在第一基板上由透明导电性材料构成的第一共用电极、在第二基板上由透明导电性材料构成的第二共用电极、以及由透明导电性材料构成的像素电极，为了在像素电极与共用电极的电极间形成边缘电场，像素电极与共用电极之间的电极间距离：R小于前述第一基板与第二基板的距离：G，共用电极配置于在第一基板的几乎整面上比像素电极更靠近第一基板的位置，液晶组合物具有负的介电常数各向异性，且含有选自通式(i)、通式(ii)和通式(iii)所表示的化合物组的1种或2种以上的化合物。

1.一种液晶显示元件，其具有相对配置的第一透明绝缘基板和第二透明绝缘基板且在
所述第一基板与第二基板之间夹持含有液晶组合物的液晶层，
并且在每个像素中具有：
在所述第一基板上由透明导电性材料构成的第一共用电极、
以矩阵状配置的多个栅极总线和数据总线、
在第二基板上由透明导电性材料构成的第二共用电极、
设于所述栅极总线与数据总线的交叉部的薄膜晶体管、以及
由该晶体管驱动且由透明导电性材料构成的像素电极，
并且在所述液晶层与所述第一基板和第二基板之间分别具有诱发均质取向的取向膜
层，各取向膜的取向方向平行，
为了在所述像素电极与共用电极的电极间形成边缘电场，所述像素电极与共用电极之
间的电极间距离：R小于所述第一基板与第二基板的距离：G，
所述共用电极配置于在所述第一基板的几乎整面上比所述像素电极更靠近第一基板
的位置，
所述液晶组合物具有负的介电常数各向异性，且含有1种或2种以上的选自下述通式
(i)、通式(ii)和通式(iii)所表示的化合物组的化合物，
[化1]

式中，Rⁱ¹、Rⁱ²、Rⁱⁱ¹、Rⁱⁱ²、Rⁱⁱⁱ¹和Rⁱⁱⁱ²分别独立地表示碳原子数1～10的烷基，该烷基中的
1个或不邻接的2个以上的-CH₂-可以分别独立地被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-
OCO-取代，
Aⁱ¹、Aⁱ²、Aⁱⁱ¹、Aⁱⁱ²、Aⁱⁱⁱ¹和Aⁱⁱⁱ²分别独立地表示选自由以下基团组成的组中的基团，
(a)1,4-亚环己基，该基团中存在的1个-CH₂-或不邻接的2个以上的-CH₂-可以被-O-取
代；
(b)1,4-亚苯基，该基团中存在的1个-CH＝或不邻接的2个以上的-CH＝可以被-N＝取
代；以及
(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢化萘-2,6-二基或十氢化萘-2,6-二基，萘-2,6-二基或
1,2,3,4-四氢化萘-2,6-二基中存在的1个-CH＝或不邻接的2个以上的-CH＝可以被-N＝取
代，
上述的基团(a)、基团(b)和基团(c)可以分别独立地被氰基、氟原子或氯原子取代，
Zⁱ¹、Zⁱ²、Zⁱⁱ¹、Zⁱⁱ²、Zⁱⁱⁱ¹和Zⁱⁱⁱ²分别独立地表示单键、-OCH₂-、-CH₂O-、-OCF₂-、-CF₂O-、-
CH₂CH₂-或-CF₂CF₂-，Zⁱⁱⁱ³表示-CH₂-或氧原子，Xⁱⁱ¹表示氢原子或氟原子，mⁱ¹、mⁱ²、mⁱⁱ¹、mⁱⁱ²、
mⁱⁱⁱ¹和mⁱⁱⁱ²分别独立地表示0～3的整数，mⁱ¹+mⁱ²、mⁱⁱ¹+mⁱⁱ²和mⁱⁱⁱ¹+mⁱⁱⁱ²为0、1、2或3，Aⁱ¹～
Aⁱⁱⁱ²、Zⁱ¹～Zⁱⁱⁱ²存在多个时，它们可以相同也可以不同。
2.根据权利要求2所述的液晶显示元件，进一步含有1种或2种以上的通式(IV)所表示
的化合物，
[化2]

式中，R⁴⁴和R⁴⁵分别独立地表示碳原子数1～8的烷基，该基团中的1个或2个以上的-CH₂-
可以以氧原子不直接邻接的方式被-O-、-CH＝CH-、-CO-、-OCO-、-COO-、-C≡C-、-CF₂O-或-
OCF₂-取代，该基团中的1个或2个以上的氢原子可以分别独立地被氟原子或氯原子取代，A⁴¹
～A⁴³分别独立地表示选自由以下基团组成的组中的基团，
(a)1,4-亚环己基，该基团中存在的1个-CH₂-或不邻接的2个以上的-CH₂-可以被-O-或-
S-取代；
(b)1,4-亚苯基，该基团中存在的1个-CH＝或不邻接的2个以上的-CH＝可以被-N＝取
代，该基团中存在的氢原子可以被氟原子或氯原子取代，但邻接的-CH＝的至少任一方表示
氢原子；以及
(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢化萘-2,6-二基或十氢化萘-2,6-二基，萘-2,6-二基或
1,2,3,4-四氢化萘-2,6-二基中存在的1个-CH＝或不邻接的2个以上的-CH＝可以被-N＝取
代，该基团中存在的氢原子可以被氟原子或氯原子取代，但邻接的-CH＝的至少任一方表示
氢原子，
Z⁴¹和Z⁴²分别独立地表示单键、-CH＝CH-、-C≡C-、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-
OCF₂-或-CF₂O-，m⁴¹表示0～2的整数，A⁴¹和Z⁴¹存在多个时，它们可以相同也可以不同。
3.根据权利要求2所述的液晶显示元件，含有1种或2种以上的通式(IV-1)所表示的化
合物作为通式(IV)所表示的化合物，
[化3]

式中，R⁴¹¹和R⁴¹²分别独立地表示碳原子数1～8的烷基、碳原子数2～8的烯基、碳原子数
1～8的烷氧基或碳原子数2～8的烯氧基，A⁴¹¹表示1,4-亚苯基或反式-1,4-亚环己基，k表示
1或2，k为2时，2个A可以相同也可以不同。
4.根据权利要求3所述的液晶显示元件，含有1种或2种以上的下述通式(IV-1a)所表示
的化合物作为通式(IV-1)所表示的化合物，
[化4]

式中，R⁴¹¹和R⁴¹²分别独立地表示与通式(IV-1)中的R⁴¹¹和R⁴¹²相同的含义。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的液晶显示元件，作为通式(i)，含有1种或2种以上
的通式(i-a)所表示的化合物，
[化5]

式中，A^ia1分别独立地表示选自由以下基团组成的组中的基团，
(a)1,4-亚环己基，该基团中存在的1个-CH₂-或不邻接的2个以上的-CH₂-可以被-O-取
代；
(b)1,4-亚苯基，该基团中存在的1个-CH＝或不邻接的2个以上的-CH＝可以被-N＝取
代；以及
(c)(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢化萘-2,6-二基或十氢化萘-2,6-二基，萘-2,6-二
基或1,2,3,4-四氢化萘-2,6-二基中存在的1个-CH＝或不邻接的2个以上的-CH＝可以被-N
＝取代，
上述的基团(a)、基团(b)和基团(c)可以分别独立地被氰基、氟原子或氯原子取代，
m^ia1和m^ia2分别独立地表示0或1，Rⁱ¹、Rⁱ²、Aⁱ¹、Aⁱ²、Zⁱ¹和Zⁱ²分别独立地表示与通式(i)中
的Rⁱ¹、Rⁱ²、Aⁱ¹、Aⁱ²、Zⁱ¹和Zⁱ²相同的含义。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的液晶显示元件，含有1种或2种以上的通式(i)中
Zⁱ¹和Zⁱ²表示单键的化合物。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的液晶显示元件，所述像素电极为梳形或具有狭
缝。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的液晶显示元件，电极间距离R为0。

液晶显示元件

技术领域

本申请发明涉及使用介电常数各向异性为负的向列晶组合物，具有高透射率、高
开口率的特征的FFS模式的液晶显示装置。

背景技术

由于显示品质优异，有源矩阵方式液晶显示元件出现在便携式终端、液晶电视、放
映机、计算机等的市场中。有源矩阵方式在每个像素中使用TFT(薄膜晶体管)或MIM(金属-
绝缘体-金属)等，该方式中使用的液晶化合物或液晶组合物重视的是高电压保持率。另外，
为了获得更广的视角特性，提出了与VA(Vertical Alignment：垂直取向)模式、IPS(In
Plane Switching)模式、OCB(Optically Compensated Bend，Optically Compensated
Birefringence)模式组合的液晶显示元件；为了获得更明亮的显示，提出了ECB
(Electrically Controlled Birefringence)模式的反射型液晶显示元件。为了应对这样
的液晶显示元件，目前也提出了新的液晶化合物或液晶组合物。

作为目前手机用的液晶显示器，广泛使用高品位且视觉特性优异的作为IPS模式
的液晶显示元件的一种的边缘场切换模式液晶显示装置(Fringe Field Switching mode
Liquid Crystal Display；FFS模式液晶显示装置)(参照专利文献1、专利文献2)。FFS模式
是为了改善IPS模式的低开口率和透射率而导入的方式，作为所使用的液晶组合物，容易进
行低电压化，因此广泛使用利用了介电常数各向异性为正的p型液晶组合物的材料。另外，
FFS模式的用途的大部分是便携式终端，因此更加省电化的要求强，液晶元件制造商正持续
积极地开发使用了IGZO的阵列的采用等。

另一方面，目前通过将使用了p型材料的液晶材料设为介电常数各向异性为负的n
型材料，也能够改善透射率(参照专利文献3)。这是因为：FFS模式与IPS模式不同，并不会产
生完全平行的电场，在使用p型材料的情况下，靠近像素电极的液晶分子沿着边缘电场，液
晶分子的长轴倾斜，因此透射率恶化。相对于此，在使用n型液晶组合物的情况下，n型组合
物的极化方向为分子短轴方向，因此边缘电场的影响仅使液晶分子沿着长轴旋转，分子长
轴可维持平行排列，因此不发生透射率下降。

但是，n型液晶组合物一般作为VA用液晶组合物，而在VA模式和FFS模式中，无论取
向的方向、电场的方向、需要的光学特性中的哪一点均不同。进一步，FFS模式的液晶显示元
件如后所述在电极的结构方面具有特征，在VA模式中在两个基板双方具有电极，而在FFS模
式中仅在阵列基板上具有电极。因此，对于烧屏、滴痕这样的从以往技术难以预测效果的课
题，是完全没有认识的状态。因此，即使单纯地转用用于VA用途的液晶组合物，也难以构成
如今要求的高性能的液晶显示元件，要求提供最适合于FFS模式的n型液晶组合物。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平11-202356号公报

专利文献2：日本特开2003-233083号公报

专利文献3：日本特开2002-31812号公报

发明内容

发明要解决的课题

本发明的课题在于提供一种使用了n型液晶组合物的液晶显示元件，该n型液晶组
合物的介电常数各向异性(Δε)、粘度(η)、向列相-各向同性液体的转变温度(T_NI)、低温下
的向列相稳定性、旋转粘度(γ₁)等作为液晶显示元件的各种特性优异，并且通过用于FFS
模式的液晶显示元件而能够实现优异的显示特性。

用于解决课题的方法

本申请发明人等为了解决上述课题而积极研究，研究了最适于FFS模式的液晶显
示元件的各种液晶组合物的构成，结果发现含有特定液晶化合物的液晶组合物的有用性，
从而完成了本申请发明。

本申请发明提供一种液晶显示元件，其具有相对配置的第一透明绝缘基板和第二
透明绝缘基板并在前述第一基板与第二基板之间夹持含有液晶组合物的液晶层，

并且在每个像素中具有：

在前述第一基板上由透明导电性材料构成的第一共用电极、

以矩阵状配置的多个栅极总线和数据总线、

在第二基板上由透明导电性材料构成的第二共用电极、

设于前述栅极总线与数据总线的交叉部的薄膜晶体管、以及

由该晶体管驱动且由透明导电性材料构成的像素电极，

并且在前述液晶层与前述第一基板和第二基板之间分别具有诱发均质取向的取
向膜层，各取向膜的取向方向平行，

为了在前述像素电极与共用电极的电极间形成边缘电场，前述像素电极与共用电
极之间的电极间距离：R小于前述第一基板与第二基板的距离：G，

前述共用电极配置于在前述第一基板的几乎整面上比前述像素电极更靠近第一
基板的位置，

前述液晶组合物具有负的介电常数各向异性，并且含有1种或2种以上的选自下述
通式(i)、通式(ii)和通式(iii)所表示的化合物组的化合物。

[化1]

(式中，Rⁱ¹、Rⁱ²、Rⁱⁱ¹、Rⁱⁱ²、Rⁱⁱⁱ¹和Rⁱⁱⁱ²分别独立地表示碳原子数1～10的烷基，该烷
基中的1个或不邻接的2个以上的-CH₂-可以分别独立地被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-
COO-或-OCO-取代，

Aⁱ¹、Aⁱ²、Aⁱⁱ¹、Aⁱⁱ²、Aⁱⁱⁱ¹和Aⁱⁱⁱ²分别独立地表示选自由以下基团组成的组中的基团，

(a)1,4-亚环己基(该基团中存在的1个-CH₂-或不邻接的2个以上的-CH₂-可以被-
O-取代。)

(b)1,4-亚苯基(该基团中存在的1个-CH＝或不邻接的2个以上的-CH＝可以被-N
＝取代。)和

(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢化萘-2,6-二基或十氢化萘-2,6-二基(萘-2,6-二
基或1,2,3,4-四氢化萘-2,6-二基中存在的1个-CH＝或不邻接的2个以上的-CH＝可以被-N
＝取代。)

上述的基团(a)、基团(b)和基团(c)可以分别独立地被氰基、氟原子或氯原子取
代，

Zⁱ¹、Zⁱ²、Zⁱⁱ¹、Zⁱⁱ²、Zⁱⁱⁱ¹和Zⁱⁱⁱ²分别独立地表示单键、-OCH₂-、-CH₂O-、-OCF₂-、-
CF₂O-、-CH₂CH₂-或-CF₂CF₂-，Zⁱⁱⁱ³表示-CH₂-或氧原子，Xⁱⁱ¹表示氢原子或氟原子，mⁱ¹、mⁱ²、mⁱⁱ¹、
mⁱⁱ²、mⁱⁱⁱ¹和mⁱⁱⁱ²分别独立地表示0～3的整数，mⁱ¹+mⁱ²、mⁱⁱ¹+mⁱⁱ²和mⁱⁱⁱ¹+mⁱⁱⁱ²为1、2或3，Aⁱ¹～
Aⁱⁱⁱ²、Zⁱ¹～Zⁱⁱⁱ²存在多个时，它们可以相同也可以不同。)

发明效果

本发明的FFS模式的液晶显示元件具有高速响应性优异、显示不良的产生少的特
征，另外，能够抑制取向不均，具有优异的显示特性。本发明的液晶显示元件在液晶TV、监视
器等显示元件中有用。

附图说明

图1是示意性表示本发明的液晶显示元件的构成的一例的图。

图2是将图1中形成于基板2上的电极层3的由II线包围的区域放大所得的平面图。

图3是在图2中的III-III线方向上切断图1所示的液晶显示元件所得的截面图。

图4是示意性表示由取向膜4诱发的液晶的取向方向的图。

图5是将图1中形成于基板2上的电极层3的由II线包围的区域的其他例放大所得
的平面图。

图6是在图2中的III-III线方向上切断图1所示的液晶显示元件所得的其他例的
截面图。

图7是将液晶显示元件的电极构成放大所得的平面图。

具体实施方式

如前所述，本申请发明发现了最适于FFS模式的液晶显示元件的n型液晶组合物。
以下，首先对本发明中的液晶组合物的实施方式进行说明。

(液晶层)

本发明中的液晶组合物含有1种或2种以上的通式(i)、通式(ii)和通式(iii)所表
示的化合物。

[化2]

通式(i)、(ii)和(iii)所表示的化合物优选为Δε为负且其绝对值大于3的化合
物。

通式(i)、(ii)和(iii)中，Rⁱ¹、Rⁱ²、Rⁱⁱ¹、Rⁱⁱ²、Rⁱⁱⁱ¹和Rⁱⁱⁱ²分别独立地优选碳原子数1
～8的烷基、碳原子数1～8的烷氧基、碳原子数2～8的烯基或碳原子数2～8的烯氧基，优选
碳原子数1～5的烷基、碳原子数1～5的烷氧基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的烯
氧基，进一步优选碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，进一步优选碳原子数2～5
的烷基或碳原子数2～3的烯基，特别优选碳原子数3的烯基(丙烯基)。

另外，Rⁱ¹、Rⁱ²、Rⁱⁱ¹、Rⁱⁱ²、Rⁱⁱⁱ¹和Rⁱⁱⁱ²所结合的环结构为苯基(芳香族)的情况下，优
选直链状的碳原子数1～5的烷基、直链状的碳原子数1～4的烷氧基和碳原子数4～5的烯
基，Rⁱ¹、Rⁱ²、Rⁱⁱ¹、Rⁱⁱ²、Rⁱⁱⁱ¹和Rⁱⁱⁱ²所结合的环结构为环己烷、吡喃和二烷等饱和环结构的
情况下，优选直链状的碳原子数1～5的烷基、直链状的碳原子数1～4的烷氧基和直链状的
碳原子数2～5的烯基。为了使向列相稳定化，存在碳原子和的情况下，氧原子的合计优选为
5以下，优选为直链状。

作为烯基，优选选自式(R1)至式(R5)中的任一个所表示的基团。(各式中的黑点表
示环结构中的碳原子。)

[化3]

为了提高液晶显示元件的透射率，特别是在mⁱ¹+mⁱ²为2或3的情况下，优选Rⁱ¹或Rⁱ²
的至少一个以上的基团为式(R2)以外的基团，更优选为烷基或烷氧基。同样地，mⁱⁱ¹+mⁱⁱ²为2
或3的情况下，优选Rⁱⁱ¹或Rⁱⁱ²的至少一个以上的基团为式(R2)以外的基团，更优选为烷基或
烷氧基。另外，mⁱⁱⁱ¹+mⁱⁱⁱ²为2或3的情况下，优选Rⁱⁱⁱ¹或Rⁱⁱⁱ²的至少一个以上的基团为式(R2)
以外的基团，更优选为烷基或烷氧基。

在需要增大Δn的情况下，Aⁱ¹、Aⁱ²、Aⁱⁱ¹、Aⁱⁱ²、Aⁱⁱⁱ¹和Aⁱⁱⁱ²分别独立地优选为芳香族，
为了改善响应速度，优选为脂肪族，优选表示反式-1,4-亚环己基、1,4-亚苯基、2-氟-1,4-
亚苯基、3-氟-1,4-亚苯基、3,5-二氟-1,4-亚苯基、2,3-二氟-1,4-亚苯基、1,4-亚环己烯
基、1,4-双环[2.2.2]亚辛基、哌啶-1,4-二基、萘-2,6-二基、十氢化萘-2,6-二基或1,2,3,
4-四氢化萘-2,6-二基，更优选表示下述结构，

[化4]

更优选表示反式-1,4-亚环己基或1,4-亚苯基。

Zⁱ¹、Zⁱⁱ²、Zⁱⁱ¹、Zⁱⁱ²、Zⁱⁱⁱ¹和Zⁱⁱⁱ²分别独立地优选表示-CH₂O-、-CF₂O-、-CH₂CH₂-、-
CF₂CF₂-或单键，进一步优选-CH₂O-、-CH₂CH₂-或单键，特别优选-CH₂O-或单键。

Xⁱⁱ²优选氟原子。

Zⁱⁱⁱ³优选氧原子。

mⁱ¹+mⁱ²、mⁱⁱ¹+mⁱⁱ²和mⁱⁱⁱ¹+mⁱⁱⁱ²优选1或2，优选mⁱ¹为1且mⁱ²为0的组合、mⁱ¹为2且mⁱ²为0
的组合、mⁱ¹为1且mⁱ²为1的组合、mⁱ¹为2且mⁱ²为1的组合、mⁱⁱ¹为1且mⁱⁱ²为0的组合、mⁱⁱ¹为2且
mⁱⁱ²为0的组合、mⁱⁱⁱ¹为1且mⁱⁱⁱ²为0的组合、mⁱⁱⁱ¹为2且mⁱⁱⁱ²为0的组合。

相对于本发明的组合物的总量，式(i)所表示的化合物的优选含量的下限值为
1％、10％、20％、30％、40％、50％、55％、60％、65％、70％、75％、80％。优选含量的上限值为
95％、85％、75％、65％、55％、45％、35％、25％、20％。

相对于本发明的组合物的总量，式(ii)所表示的化合物的优选含量的下限值为
1％、10％、20％、30％、40％、50％、55％、60％、65％、70％、75％、80％。优选含量的上限值为
95％、85％、75％、65％、55％、45％、35％、25％、20％。

相对于本发明的组合物的总量，式(iii)所表示的化合物的优选含量的下限值为
1％、10％、20％、30％、40％、50％、55％、60％、65％、70％、75％、80％。优选含量的上限值为
95％、85％、75％、65％、55％、45％、35％、25％、20％。

在需要将本发明的组合物的粘度保持较低，需要响应速度快的组合物的情况下，
优选上述下限值低且上限值低。进一步，在需要将本发明的组合物的Tni保持较高，需要温
度稳定性好的组合物的情况下，优选上述下限值低且上限值低。另外，为了将驱动电压保持
较低而想要增大介电常数各向异性时，优选上述下限值高且上限值高。

作为通式(i)所表示的化合物，Zⁱ¹和Zⁱ²表示单键的化合物优选为通式(II)所表示
的化合物。

[化5]

(式中，R³和R⁴表示碳原子数1～8的烷基、碳原子数2～8的烯基、碳原子数1～8的烷
氧基或碳原子数2～8的烯氧基，该烷基、烯基、烷氧基或烯氧基中的1个以上的氢原子可以
被氟原子取代，该烷基、烯基、烷氧基或烯氧基中的亚甲基只要氧原子不连续结合就可以被
氧原子取代，B表示1,4-亚苯基、反式-1,4-亚环己基或四氢吡喃-2,5-二基，B表示1,4-亚苯
基的情况下，该1,4-亚苯基中的1个以上的氢原子可以被氟原子取代，m表示0、1或2，m为2
时，2个B可以相同也可以不同。)

作为通式(II)所表示的化合物所表示的化合物在液晶组合物中的含量，作为下限
值，优选0质量％，优选0.5质量％，优选1％以上，优选3质量％以上，优选5质量％以上，优选
10质量％，更优选20质量％，进一步优选25质量％，特别优选28质量％，最优选30质量％，作
为上限值，优选85质量％，更优选75质量％，进一步优选70质量％，特别优选67质量％，最优
选65质量％。

另外，作为通式(i)所表示的化合物，Zⁱ¹和Zⁱ²表示单键的化合物优选为通式(III)
所表示的化合物。其中，通式(III)所表示的化合物不包括通式(II)所表示的化合物。

[化6]

(式中R⁷和R⁸分别独立地表示碳原子数1～8的烷基、碳原子数2～8的烯基、碳原子
数1～8的烷氧基或碳原子数2～8的烯氧基，该烷基、烯基、烷氧基或烯氧基中的1个以上的
氢原子可以被氟原子取代，该烷基、烯基、烷氧基或烯氧基中的亚甲基只要氧原子不连续结
合就可以被氧原子取代，A¹和A²分别独立地表示1,4-亚环己基、1,4-亚苯基或四氢吡喃-2,
5-二基，A¹和/或A²表示1,4-亚苯基的情况下，该1,4-亚苯基中的1个以上的氢原子可以被氟
原子取代，n¹和n²分别独立地表示0、1、2或3，n¹+n²为1～3，A¹、A²、Z¹和Z²存在多个的情况下，
它们可以相同也可以不同，但不包括n¹为1或2、n2为0、且与R⁷直接结合的A¹为1,4-亚环己基
的化合物。)

作为通式(III)所表示的化合物在液晶组合物中的含量，作为下限值，优选0质
量％，优选0.5质量％，优选1％以上，优选2质量％，更优选3质量％，进一步优选4质量％，特
别优选5质量％，作为上限值，优选45质量％，更优选35质量％，进一步优选30质量％，特别
优选27质量％，最优选25质量％。

作为通式(i)所表示的化合物，Zⁱ¹和Zⁱ²表示单键的化合物具体而言优选为选自通
式(i-1)～(i-7)所表示的化合物组的化合物。

通式(i-1)所表示的化合物为下述化合物。

[化7]

(式中，Rⁱ¹¹和Rⁱ¹²分别独立地表示与通式(i)中的Rⁱ¹和Rⁱ²相同的含义。)

Rⁱ¹¹优选碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选丙基或戊基。Rⁱ¹²优选
碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选乙氧基或丁氧
基。

通式(i-1)所表示的化合物可以单独使用，也可以将两种以上化合物组合使用。可
组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率
等所要求的性能适宜组合使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施
方式，为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善时，优选将含量设定得略高，在重视低温下的溶解性时，若将含
量设定得略多则效果高，在重视TNI时，若将含量设定得略少则效果高。进一步，在改良滴
痕、烧屏特性的情况下，优选将含量范围设定于中间。

相对于本发明的组合物的总量，式(i-1)所表示的化合物的优选含量的下限值为
5％、10％、13％、15％、17％、20％、23％、25％、27％、30％、33％、35％。优选含量的上限值相
对于本发明的组合物的总量为50％、40％、38％、35％、33％、30％、28％、25％、23％、20％、
18％、15％、13％、10％、8％、7％、6％、5％、3％。

进一步，通式(i-1)所表示的化合物优选为选自式(i-1.1)至式(i-1.14)所表示的
化合物组的化合物，优选为式(i-1.1)～(i-1.4)所表示的化合物，优选式(i-1.1)和式(i-
1.3)所表示的化合物。

[化8]

式(i-1.1)～(i-1.4)所表示的化合物可以单独使用，也可以组合使用，相对于本
发明的组合物的总量，单独或这些化合物的优选含量的下限值为5％、10％、13％、15％、
17％、20％、23％、25％、27％、30％、33％、35％。优选含量的上限值相对于本发明的组合物
的总量为50％、40％、38％、35％、33％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％、
10％、8％、7％、6％、5％、3％。

通式(i-2)所表示的化合物为下述化合物。

[化9]

(式中，Rⁱ²¹和Rⁱ²²分别独立地表示与通式(i)中的Rⁱ¹和Rⁱ²相同的含义。)

Rⁱ²¹优选碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选乙基、丙基、丁基或戊
基。Rⁱ²²优选碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选甲
基、丙基、甲氧基、乙氧基或丙氧基。为了提高液晶显示元件的透射率，优选Rⁱ²¹或Rⁱ²²的至少
一个以上的基团为烷基或烷氧基。

通式(i-2)所表示的化合物可以单独使用，也可以将两种以上化合物组合使用。可
组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率
等所要求的性能适宜组合使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施
方式，为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善时，优选将含量设定得略高，在重视低温下的溶解性时，若将含
量设定得略少则效果高，在重视TNI时，若将含量设定得略多则效果高。进一步，在改良滴
痕、烧屏特性的情况下，优选将含量范围设定于中间。

相对于本发明的组合物的总量，式(i-2)所表示的化合物的优选含量的下限值为
5％、7％、10％、13％、15％、17％、20％、23％、25％、27％、30％、33％、35％、37％、40％、
42％。优选含量的上限值相对于本发明的组合物的总量为50％、48％、45％、43％、40％、
38％、35％、33％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％、10％、8％、7％、6％、5％。

进一步，通式(i-2)所表示的化合物优选为选自式(i-2.1)至式(i-2.13)所表示的
化合物组的化合物，优选为式(i-2.3)至式(i-2.7)、式(i-2.10)、式(i-2.11)和式(i-2.13)
所表示的化合物，在重视Δε的改良时，优选式(i-2.3)至式(i-2.7)所表示的化合物，在重
视TNI的改良时，优选为式(i-2.10)、式(i-2.11)和式(i-2.13)所表示的化合物。

[化10]

式(i-2.1)至式(i-2.13)所表示的化合物可以单独使用，也可以组合使用，相对于
本发明的组合物的总量，单独或这些化合物的优选含量的下限值为5％、10％、13％、15％、
17％、20％、23％、25％、27％、30％、33％、35％。优选含量的上限值相对于本发明的组合物
的总量为50％、40％、38％、35％、33％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％、
10％、8％、7％、6％、5％、3％。

通式(i-3)所表示的化合物为下述化合物。

[化11]

(式中，Rⁱ³¹和Rⁱ³²分别独立地表示与通式(i)中的Rⁱ¹和Rⁱ²相同的含义。)

Rⁱ³¹优选碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选乙基、丙基或丁基。Rⁱ³²
优选碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选乙氧基、丙
氧基或丁氧基。为了提高液晶显示元件的透射率，优选Rⁱ³¹或Rⁱ³²的至少一个以上的基团为
烷基或烷氧基。

通式(i-3)所表示的化合物可以单独使用，也可以将两种以上化合物组合使用。可
组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率
等所要求的性能适宜组合使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施
方式，为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善时，优选将含量设定得略高，在重视低温下的溶解性时，若将含
量设定得略多则效果高，在重视TNI时，若将含量设定得略多则效果高。进一步，在改良滴
痕、烧屏特性的情况下，优选将含量范围设定于中间。

相对于本发明的组合物的总量，式(i-3)所表示的化合物的优选含量的下限值为
5％、10％、13％、15％、17％、20％。优选含量的上限值相对于本发明的组合物的总量为
35％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

进一步，通式(i-3)所表示的化合物优选为选自式(i-3.1)至式(i-3.11)所表示的
化合物组的化合物，优选为式(i-3.1)～(i-3.7)所表示的化合物，优选式(i-3.1)、式(i-
3.2)、式(i-3.3)、式(i-3.4)和式(i-3.6)所表示的化合物。

[化12]

式(i-3.1)～式(i-3.4)和式(i-3.6)所表示的化合物可以单独使用，也可以组合
使用，优选式(i-3.1)和式(i-3.2)的组合、选自式(i-3.3)、式(i-3.4)和式(i-3.6)的2种或
3种的组合。相对于本发明的组合物的总量，单独或这些化合物的优选含量的下限值为5％、
10％、13％、15％、17％、20％。优选含量的上限值相对于本发明的组合物的总量为35％、
30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

通式(i-4)所表示的化合物为下述化合物。

[化13]

(式中，Rⁱ⁴¹和Rⁱ⁴²分别独立地表示与通式(i)中的Rⁱ¹和Rⁱ²相同的含义。)

Rⁱ⁴¹和Rⁱ⁴²分别独立地优选碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数
1～4的烷氧基，优选甲基、丙基、乙氧基或丁氧基。

通式(i-4)所表示的化合物可以单独使用，也可以将两种以上化合物组合使用。可
组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率
等所要求的性能适宜组合使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施
方式，为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善时，优选将含量设定得略高，在重视低温下的溶解性时，若将含
量设定得略多则效果高，在重视TNI时，若将含量设定得略少则效果高。进一步，在改良滴
痕、烧屏特性的情况下，优选将含量范围设定于中间。

相对于本发明的组合物的总量，式(i-4)所表示的化合物的优选含量的下限值为
3％、5％、7％、10％、13％、15％、17％、20％。优选含量的上限值相对于本发明的组合物的总
量为35％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％、11％、10％、8％。

进一步，通式(i-4)所表示的化合物优选为选自式(i-4.1)至式(i-4.14)所表示的
化合物组的化合物，优选为式(i-4.1)～(i-4.4)所表示的化合物，优选式(i-4.1)和式(i-
4.2)所表示的化合物。

[化14]

式(i-4.1)～(i-4.4)所表示的化合物可以单独使用，也可以组合使用，相对于本
发明的组合物的总量，单独或这些化合物的优选含量的下限值为3％、5％、7％、10％、13％、
15％、17％、20％。优选含量的上限值相对于本发明的组合物的总量为35％、30％、28％、
25％、23％、20％、18％、15％、13％、11％、10％、8％。

通式(i-5)所表示的化合物为下述化合物。

[化15]

(式中，Rⁱ⁵¹和Rⁱ⁵²分别独立地表示与通式(i)中的Rⁱ¹和Rⁱ²相同的含义。)

Rⁱ⁵¹和Rⁱ⁵²分别独立地优选碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数
1～4的烷氧基，优选乙基、丙基或丁基。为了提高液晶显示元件的透射率，优选Rⁱ⁵¹或Rⁱ⁵²的
至少一个以上的基团为烷基或烷氧基。

通式(N-1-5)所表示的化合物可以单独使用，也可以将两种以上化合物组合使用。
可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射
率等所要求的性能适宜组合使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实
施方式，为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善时，优选将含量设定得略高，在重视低温下的溶解性时，若将含
量设定得略少则效果高，在重视TNI时，若将含量设定得略多则效果高。进一步，在改良滴
痕、烧屏特性的情况下，优选将含量范围设定于中间。

相对于本发明的组合物的总量，式(i-5)所表示的化合物的优选含量的下限值为
5％、8％、10％、13％、15％、17％、20％。优选含量的上限值相对于本发明的组合物的总量为
35％、33％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

进一步，通式(i-5)所表示的化合物优选为选自式(i-5.1)至式(i-5.6)所表示的
化合物组的化合物，优选式(i-5.2)和式(i-5.4)所表示的化合物。

[化16]

式(i-5.1)～式(i-5.6)所表示的化合物可以单独使用，也可以组合使用，相对于
本发明的组合物的总量，单独或这些化合物的优选含量的下限值为5％、8％、10％、13％、
15％、17％、20％。优选含量的上限值相对于本发明的组合物的总量为35％、33％、30％、
28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

通式(i-6)所表示的化合物为下述化合物。

[化17]

(式中，Rⁱ⁶¹和Rⁱ⁶²分别独立地表示与通式(i)中的Rⁱ¹和Rⁱ²相同的含义。)

式中，Rⁱ⁷¹优选碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选乙基、丙基或丁
基。Rⁱ⁷²优选碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选乙
氧基、丙氧基或丁氧基。为了提高液晶显示元件的透射率，优选Rⁱ⁶¹或Rⁱ⁶²的至少一个以上的
基团为烷基或烷氧基。

通式(i-6)所表示的化合物可以单独使用，也可以将两种以上化合物组合使用。可
组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率
等所要求的性能适宜组合使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施
方式，为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善时，优选将含量设定得略高，在重视低温下的溶解性时，若将含
量设定得略多则效果高，在重视TNI时，若将含量设定得略少则效果高。进一步，在改良滴
痕、烧屏特性的情况下，优选将含量范围设定于中间。

相对于本发明的组合物的总量，式(i-6)所表示的化合物的优选含量的下限值为
3％、5％、7％、10％、13％、15％、17％、20％。优选含量的上限值相对于本发明的组合物的总
量为35％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％、11％、10％、8％。

进一步，通式(i-6)所表示的化合物优选为选自式(i-6.1)至式(i-6.4)所表示的
化合物组的化合物，优选式(i-6.2)所表示的化合物。

[化18]

式(i-6.1)～(i-6.4)所表示的化合物可以单独使用，也可以组合使用，相对于本
发明的组合物的总量，单独或这些化合物的优选含量的下限值为3％、5％、7％、10％、13％、
15％、17％、20％。优选含量的上限值相对于本发明的组合物的总量为35％、30％、28％、
25％、23％、20％、18％、15％、13％、11％、10％、8％。

通式(i-7)所表示的化合物为下述化合物。

[化19]

(式中，Rⁱ⁷¹和Rⁱ⁷²分别独立地表示与通式(i)中的Rⁱ¹和Rⁱ²相同的含义。)

式中，Rⁱ⁷¹优选碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选乙基、丙基或丁
基。Rⁱ⁷²优选碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选乙
氧基、丙氧基或丁氧基。为了提高液晶显示元件的透射率，优选Rⁱ⁷¹或Rⁱ⁷²的至少一个以上的
基团为烷基或烷氧基。

通式(i-7)所表示的化合物可以单独使用，也可以将两种以上化合物组合使用。可
组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率
等所要求的性能适宜组合使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施
方式，为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善时，优选将含量设定得略高，在重视低温下的溶解性时，若将含
量设定得略多则效果高，在重视TNI时，若将含量设定得略少则效果高。进一步，在改良滴
痕、烧屏特性的情况下，优选将含量范围设定于中间。

相对于本发明的组合物的总量，式(i-7)所表示的化合物的优选含量的下限值为
3％、5％、7％、10％、13％、15％、17％、20％。优选含量的上限值相对于本发明的组合物的总
量为35％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％、11％、10％、8％。

进一步，通式(i-7)所表示的化合物优选为选自式(i-7.1)至式(i-6.4)所表示的
化合物组的化合物，优选式(i-7.2)所表示的化合物。

[化20]

式(i-7.1)～(i-7.4)所表示的化合物可以单独使用，也可以组合使用，相对于本
发明的组合物的总量，单独或这些化合物的优选含量的下限值为3％、5％、7％、10％、13％、
15％、17％、20％。优选含量的上限值相对于本发明的组合物的总量为35％、30％、28％、
25％、23％、20％、18％、15％、13％、11％、10％、8％。

通式(i)所表示的化合物优选为选自通式(i-8)所表示的化合物组的化合物。

[化21]

(式中，Rⁱ⁸¹和Rⁱ⁸²分别独立地表示与通式(i)中的Rⁱ¹和Rⁱ²相同的含义。)

Rⁱ⁸¹和Rⁱ⁸²分别独立地优选碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基或碳原子
数1～10的烷氧基。

通式(i-8)所表示的化合物可以单独使用，也可以将两种以上化合物组合使用。可
组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率
等所要求的性能适宜组合使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施
方式，为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善时，优选将含量设定得略高，在重视低温下的溶解性时，若将含
量设定得略少则效果高，在重视TNI时，若将含量设定得略多则效果高。进一步，在改良滴
痕、烧屏特性的情况下，优选将含量范围设定于中间。

相对于本发明的组合物的总量，式(i-6)所表示的化合物的优选含量的下限值为
5％、8％、10％、13％、15％、17％、20％。优选含量的上限值相对于本发明的组合物的总量为
35％、33％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

进一步，通式(i-8)所表示的化合物优选为选自式(i-8.1)至式(i-8.14)所表示的
化合物组的化合物。

[化22]

另外，通式(i)所表示的化合物优选为通式(i-a)所表示的化合物。

[化23]

(式中，A^ia1分别独立地表示选自由以下基团组成的组中的基团，

(a)1,4-亚环己基(该基团中存在的1个-CH₂-或不邻接的2个以上的-CH₂-可以被-
O-取代。)和

(b)1,4-亚苯基(该基团中存在的1个-CH＝或不邻接的2个以上的-CH＝可以被-N
＝取代。)

(c)(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢化萘-2,6-二基或十氢化萘-2,6-二基(萘-2,
6-二基或1,2,3,4-四氢化萘-2,6-二基中存在的1个-CH＝或不邻接的2个以上的-CH＝可以
被-N＝取代。)

上述的基团(a)、基团(b)和基团(c)可以分别独立地被氰基、氟原子或氯原子取
代，

m^ia1和m^ia2分别独立地表示0或1，Rⁱ¹、Rⁱ²、Aⁱ¹、Aⁱ²、Zⁱ¹和Zⁱ²分别独立地表示与通式
(i)中的Rⁱ¹、Rⁱ²、Aⁱ¹、Aⁱ²、Zⁱ¹和Zⁱ²相同的含义。)

通式(i-a)所表示的化合物优选为选自通式(i-10)～(i-21)所表示的化合物组的
化合物。

通式(i-10)所表示的化合物为下述化合物。

[化24]

(式中，Rⁱ¹⁰¹和Rⁱ¹⁰²分别独立地表示与通式(i)中的Rⁱ¹和Rⁱ²相同的含义。)

Rⁱ¹⁰¹优选碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选乙基、丙基或丁基。
Rⁱ¹⁰²优选碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选乙氧
基、丙氧基或丁氧基。

通式(i-10)所表示的化合物可以单独使用，也可以将两种以上化合物组合使用。
可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射
率等所要求的性能适宜组合使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实
施方式，为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善时，优选将含量设定得略高，在重视低温下的溶解性时，若将含
量设定得略多则效果高，在重视TNI时，若将含量设定得略多则效果高。进一步，在改良滴
痕、烧屏特性的情况下，优选将含量范围设定于中间。

相对于本发明的组合物的总量，式(i-10)所表示的化合物的优选含量的下限值为
5％、10％、13％、15％、17％、20％。优选含量的上限值相对于本发明的组合物的总量为
35％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

进一步，通式(i-10)所表示的化合物优选为选自式(i-10.1)至式(i-10.11)所表
示的化合物组的化合物，优选为式(i-10.1)～(i-10.5)所表示的化合物，优选式(i-10.1)
和式(i-10.2)所表示的化合物。

[化25]

式(i-10.1)至式(i-10.11)所表示的化合物可以单独使用，也可以组合使用，相对
于本发明的组合物的总量，单独或这些化合物的优选含量的下限值为5％、10％、13％、
15％、17％、20％。优选含量的上限值相对于本发明的组合物的总量为35％、30％、28％、
25％、23％、20％、18％、15％、13％。

通式(i-11)所表示的化合物为下述化合物。

[化26]

(式中，Rⁱ¹¹和Rⁱ¹¹²分别独立地表示与通式(i)中的Rⁱ¹和Rⁱ²相同的含义。)

Rⁱ¹¹¹优选碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选乙基、丙基或丁基。
Rⁱ¹¹²优选碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选乙氧
基、丙氧基或丁氧基。为了提高液晶显示元件的透射率，优选Rⁱ¹¹¹或Rⁱ¹¹²的至少一个以上的
基团为烷基或烷氧基。

通式(i-11)所表示的化合物可以单独使用，也可以将两种以上化合物组合使用。
可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射
率等所要求的性能适宜组合使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实
施方式，为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善时，优选将含量设定得略高，在重视低温下的溶解性时，若将含
量设定得略多则效果高，在重视TNI时，若将含量设定得略多则效果高。进一步，在改良滴
痕、烧屏特性的情况下，优选将含量范围设定于中间。

相对于本发明的组合物的总量，式(i-11)所表示的化合物的优选含量的下限值为
5％、10％、13％、15％、17％、20％。优选含量的上限值相对于本发明的组合物的总量为
35％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

进一步，通式(i-11)所表示的化合物优选为选自式(i-11.1)至式(i-11.15)所表
示的化合物组的化合物，优选为式(i-11.1)～(i-11.15)所表示的化合物，优选式(i-11.2)
和式(i-11.4)所表示的化合物。

[化27]

式(i-11.2)至式(i-11.15)所表示的化合物可以单独使用，也可以组合使用，相对
于本发明的组合物的总量，单独或这些化合物的优选含量的下限值为5％、10％、13％、
15％、17％、20％。优选含量的上限值相对于本发明的组合物的总量为35％、30％、28％、
25％、23％、20％、18％、15％、13％。

通式(i-12)所表示的化合物为下述化合物。

[化28]

(式中，Rⁱ¹²¹和Rⁱ¹²²分别独立地表示与通式(i)中的Rⁱ¹和Rⁱ²相同的含义。)

Rⁱ¹²¹优选碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选乙基、丙基或丁基。
Rⁱ¹²²优选碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选乙氧
基、丙氧基或丁氧基。

通式(i-12)所表示的化合物可以单独使用，也可以将两种以上化合物组合使用。
可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射
率等所要求的性能适宜组合使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实
施方式，为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善时，优选将含量设定得略高，在重视低温下的溶解性时，若将含
量设定得略多则效果高，在重视TNI时，若将含量设定得略多则效果高。进一步，在改良滴
痕、烧屏特性的情况下，优选将含量范围设定于中间。

相对于本发明的组合物的总量，式(i-12)所表示的化合物的优选含量的下限值为
5％、10％、13％、15％、17％、20％。优选含量的上限值相对于本发明的组合物的总量为
35％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

通式(i-13)所表示的化合物为下述化合物。

[化29]

(式中，Rⁱ¹³¹和Rⁱ¹³²分别独立地表示与通式(i)中的Rⁱ¹和Rⁱ²相同的含义。)

Rⁱ¹³¹优选碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选乙基、丙基或丁基。
Rⁱ¹³²优选碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选乙氧
基、丙氧基或丁氧基。为了提高液晶显示元件的透射率，优选Rⁱ¹³¹或Rⁱ¹³²的至少一个以上的
基团为烷基或烷氧基。

通式(i-13)所表示的化合物可以单独使用，也可以将两种以上化合物组合使用。
可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射
率等所要求的性能适宜组合使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实
施方式，为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善时，优选将含量设定得略高，在重视低温下的溶解性时，若将含
量设定得略多则效果高，在重视TNI时，若将含量设定得略多则效果高。进一步，在改良滴
痕、烧屏特性的情况下，优选将含量范围设定于中间。

相对于本发明的组合物的总量，式(i-13)所表示的化合物的优选含量的下限值为
5％、10％、13％、15％、17％、20％。优选含量的上限值相对于本发明的组合物的总量为
35％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

通式(i-14)所表示的化合物为下述化合物。

[化30]

(式中，Rⁱ¹⁴¹和Rⁱ¹⁴²分别独立地表示与通式(i)中的Rⁱ¹和Rⁱ²相同的含义。)

Rⁱ¹⁴¹优选碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选乙基、丙基或丁基。
Rⁱ¹⁴²优选碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选乙氧
基、丙氧基或丁氧基。

通式(i-14)所表示的化合物可以单独使用，也可以将两种以上化合物组合使用。
可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射
率等所要求的性能适宜组合使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实
施方式，为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善时，优选将含量设定得略高，在重视低温下的溶解性时，若将含
量设定得略多则效果高，在重视TNI时，若将含量设定得略多则效果高。进一步，在改良滴
痕、烧屏特性的情况下，优选将含量范围设定于中间。

相对于本发明的组合物的总量，式(i-14)所表示的化合物的优选含量的下限值为
5％、10％、13％、15％、17％、20％。优选含量的上限值相对于本发明的组合物的总量为
35％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

通式(i-15)所表示的化合物为下述化合物。

[化31]

(式中，Rⁱ¹⁵¹和Rⁱ¹⁵²分别独立地表示与通式(i)中的Rⁱ¹和Rⁱ²相同的含义。)

Rⁱ¹⁵¹优选碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选乙基、丙基或丁基。
Rⁱ¹⁵²优选碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选乙氧
基、丙氧基或丁氧基。为了提高液晶显示元件的透射率，优选Rⁱ¹⁵¹或Rⁱ¹⁵²的至少一个以上的
基团为烷基或烷氧基。

通式(i-15)所表示的化合物可以单独使用，也可以将两种以上化合物组合使用。
可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射
率等所要求的性能适宜组合使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实
施方式，为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善时，优选将含量设定得略高，在重视低温下的溶解性时，若将含
量设定得略多则效果高，在重视TNI时，若将含量设定得略多则效果高。进一步，在改良滴
痕、烧屏特性的情况下，优选将含量范围设定于中间。

相对于本发明的组合物的总量，式(i-15)所表示的化合物的优选含量的下限值为
5％、10％、13％、15％、17％、20％。优选含量的上限值相对于本发明的组合物的总量为
35％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

通式(i-16)所表示的化合物为下述化合物。

[化32]

(式中，Rⁱ¹⁶¹和Rⁱ¹⁶²分别独立地表示与通式(i)中的Rⁱ¹和Rⁱ²相同的含义。)

Rⁱ¹⁶¹优选碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选乙基、丙基或丁基。
Rⁱ¹⁶²优选碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选乙氧
基、丙氧基或丁氧基。为了提高液晶显示元件的透射率，优选Rⁱ¹⁶¹或Rⁱ¹⁶²的至少一个以上的
基团为烷基或烷氧基。

通式(i-16)所表示的化合物可以单独使用，也可以将两种以上化合物组合使用。
可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射
率等所要求的性能适宜组合使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实
施方式，为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善时，优选将含量设定得略高，在重视低温下的溶解性时，若将含
量设定得略多则效果高，在重视TNI时，若将含量设定得略多则效果高。进一步，在改良滴
痕、烧屏特性的情况下，优选将含量范围设定于中间。

相对于本发明的组合物的总量，式(i-16)所表示的化合物的优选含量的下限值为
5％、10％、13％、15％、17％、20％。优选含量的上限值相对于本发明的组合物的总量为
35％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

通式(i-17)所表示的化合物为下述化合物。

[化33]

(式中，Rⁱ¹⁷¹和Rⁱ¹⁷²分别独立地表示与通式(i)中的Rⁱ¹和Rⁱ²相同的含义。)

Rⁱ¹⁷¹优选碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选乙基、丙基或丁基。
Rⁱ¹⁷²优选碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选乙氧
基、丙氧基或丁氧基。为了提高液晶显示元件的透射率，优选Rⁱ¹⁷¹或Rⁱ¹⁷²的至少一个以上的
基团为烷基或烷氧基。

通式(i-17)所表示的化合物可以单独使用，也可以将两种以上化合物组合使用。
可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射
率等所要求的性能适宜组合使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实
施方式，为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善时，优选将含量设定得略高，在重视低温下的溶解性时，若将含
量设定得略多则效果高，在重视TNI时，若将含量设定得略多则效果高。进一步，在改良滴
痕、烧屏特性的情况下，优选将含量范围设定于中间。

相对于本发明的组合物的总量，式(i-17)所表示的化合物的优选含量的下限值为
5％、10％、13％、15％、17％、20％。优选含量的上限值相对于本发明的组合物的总量为
35％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

通式(i-18)所表示的化合物为下述化合物。

[化34]

(式中，Rⁱ¹⁸¹和Rⁱ¹⁸²分别独立地表示与通式(i)中的Rⁱ¹和Rⁱ²相同的含义。)

Rⁱ¹⁸¹优选碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选乙基、丙基或丁基。
Rⁱ¹⁸²优选碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选乙氧
基、丙氧基或丁氧基。为了提高液晶显示元件的透射率，优选Rⁱ¹⁸¹或Rⁱ¹⁸²的至少一个以上的
基团为烷基或烷氧基。

通式(i-18)所表示的化合物可以单独使用，也可以将两种以上化合物组合使用。
可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射
率等所要求的性能适宜组合使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实
施方式，为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善时，优选将含量设定得略高，在重视低温下的溶解性时，若将含
量设定得略多则效果高，在重视TNI时，若将含量设定得略多则效果高。进一步，在改良滴
痕、烧屏特性的情况下，优选将含量范围设定于中间。

相对于本发明的组合物的总量，式(i-18)所表示的化合物的优选含量的下限值为
5％、10％、13％、15％、17％、20％。优选含量的上限值相对于本发明的组合物的总量为
35％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

通式(i-20)所表示的化合物为下述化合物。

[化35]

(式中，Rⁱ²⁰¹和Rⁱ²⁰²分别独立地表示与通式(i)中的Rⁱ¹和Rⁱ²相同的含义。)

Rⁱ²⁰¹和Rⁱ²⁰²优选碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选乙基、丙基或丁
基、和碳原子数2～3的烯基。为了提高液晶显示元件的透射率，优选Rⁱ²⁰¹或Rⁱ²⁰²的至少一个
以上的基团为烷基或烷氧基。

通式(i-20)所表示的化合物可以单独使用，也可以将两种以上化合物组合使用。
可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射
率等所要求的性能适宜组合使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实
施方式，为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善时，优选将含量设定得略高，在重视低温下的溶解性时，若将含
量设定得略多则效果高，在重视TNI时，若将含量设定得略多则效果高。进一步，在改良滴
痕、烧屏特性的情况下，优选将含量范围设定于中间。

相对于本发明的组合物的总量，式(i-20)所表示的化合物的优选含量的下限值为
5％、10％、13％、15％、17％、20％。优选含量的上限值相对于本发明的组合物的总量为
35％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

通式(N-1-21)所表示的化合物为下述化合物。

[化36]

(式中，Rⁱ²¹¹和Rⁱ²¹²分别独立地表示与通式(i)中的Rⁱ¹和Rⁱ²相同的含义。)

Rⁱ²¹¹和Rⁱ²¹²优选碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选乙基、丙基或丁
基、和碳原子数2～3的烯基。为了提高液晶显示元件的透射率，优选Rⁱ²¹¹或Rⁱ²¹²的至少一个
以上的基团为烷基或烷氧基。

通式(i-21)所表示的化合物可以单独使用，也可以将两种以上化合物组合使用。
可组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射
率等所要求的性能适宜组合使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实
施方式，为1种、2种、3种、4种、5种以上。

在重视Δε的改善时，优选将含量设定得略高，在重视低温下的溶解性时，若将含
量设定得略多则效果高，在重视TNI时，若将含量设定得略多则效果高。进一步，在改良滴
痕、烧屏特性的情况下，优选将含量范围设定于中间。

相对于本发明的组合物的总量，式(i-21)所表示的化合物的优选含量的下限值为
5％、10％、13％、15％、17％、20％。优选含量的上限值相对于本发明的组合物的总量为
35％、30％、28％、25％、23％、20％、18％、15％、13％。

通式(ii)所表示的化合物优选为通式(ii-1A)、通式(ii-1B)或通式(ii-1C)所表
示的化合物。

[化37]

(式中，Rⁱⁱ¹、Rⁱⁱ²、Zⁱⁱ¹和Xⁱⁱ¹分别独立地表示与通式(ii)中的Rⁱⁱ¹、Rⁱⁱ²、Zⁱⁱ¹和Xⁱⁱ¹相
同的含义，A^ii1c和A^ii1d分别独立地表示1,4-亚环己基或1,4-亚苯基，1,4-亚环己基中存在的
1个-CH₂-或不邻接的2个以上的-CH₂-可以被-O-或-S-取代，1,4-亚苯基中存在的1个氢原子
可以分别独立地被氟原子或氯原子取代，Z^ii1c和Z^ii1d分别独立地表示单键、-OCH₂-、-
CH₂O-、-OCF₂-、-CF₂O-、-CH₂CH₂-或-CF₂CF₂-。)

通式(ii-1A)或通式(ii-1B)所表示的化合物中，Zⁱⁱ¹优选表示单键、-OCH₂-、-CH₂O-
或-CH₂CH₂。

通式(ii-1C)所表示的化合物优选下述通式(ii-1C-1)～通式(i-1C-6)所表示的
化合物。

[化38]

[化39]

(式中，Rⁱⁱ¹和Rⁱⁱ²分别独立地表示与通式(ii)中的Rⁱⁱ¹和Rⁱⁱ²相同的含义。)

通式(iii)所表示的化合物优选为通式(ii-1A)、通式(ii-1B)或通式(ii-1C)所表
示的化合物。

[化40]

(式中，Rⁱⁱⁱ¹、Rⁱⁱⁱ²和Zⁱⁱⁱ¹分别独立地表示与通式(iii)中的Rⁱⁱⁱ¹、Rⁱⁱⁱ²和Zⁱⁱⁱ¹相同的
含义，A^iii1c和A^iii1d分别独立地表示1,4-亚环己基或1,4-亚苯基，1,4-亚环己基中存在的1
个-CH₂-或不邻接的2个以上的-CH₂-可以被-O-或-S-取代，1,4-亚苯基中存在的1个氢原子
可以分别独立地被氟原子或氯原子取代，Z^iii1c和Z^iii1d分别独立地表示单键、-OCH₂-、-
CH₂O-、-OCF₂-、-CF₂O-、-CH₂CH₂-或-CF₂CF₂-。)

通式(iii-1A)或通式(iii-1B)所表示的化合物中，Zⁱⁱⁱ¹优选表示单键、-OCH₂-、-
CH₂O-或-CH₂CH₂。

通式(iii-1C)所表示的化合物优选下述通式(ii-1C-1)～通式(i-1C-3)所表示的
化合物。

[化41]

(式中，Rⁱⁱⁱ¹和Rⁱⁱⁱ²分别独立地表示与通式(iii)中的Rⁱⁱⁱ¹和Rⁱⁱⁱ²相同的含义。)

本发明的液晶组合物中含有2种以上通式(i)～(iii)所表示的化合物的情况下，
可以含有2种以上仅选自通式(i)～(iii)所表示的化合物中的任一式子的化合物，也可以
含有2种以上从选自通式(i)～(iii)所表示的化合物的2个以上式子中选择的化合物。

通式(i)、通式(ii)、和通式(iii)所表示的化合物的含量的总量优选为10至90质
量％，进一步优选20至80质量％，进一步优选20至70质量％，进一步优选20至60质量％，进
一步优选20至55质量％，进一步优选25至55质量％，特别优选30至55质量％。

更具体而言，关于通式(i)、通式(ii)、和通式(iii)所表示的化合物的含量的总
量，作为在组合物中的下限值，优选含有1质量％(以下组合物中的％表示质量％。)以上，优
选含有5％以上，优选含有10％以上，优选含有13％以上，优选含有15％以上，优选含有18％
以上，优选含有20％以上，优选含有23％以上，优选含有25％以上，优选含有28％以上，优选
含有30％以上，优选含有33％以上，优选含有35％以上，优选含有38％以上，优选含有40％
以上。另外，作为上限值，优选含有95％以下，优选含有90％以下，优选含有88％以下，优选
含有85％以下，优选含有83％以下，优选含有80％以下，优选含有78％以下，优选含有75％
以下，优选含有73％以下，优选含有70％以下，优选含有68％以下，优选含有65％以下，优选
含有63％以下，优选含有60％以下，优选含有55％以下，优选含有50％以下，优选含有40％
以下。

本发明中的液晶组合物含有1种或2种以上通式(IV)所表示的化合物。

[化42]

通式(IV)中，R⁴⁴和R⁴⁵分别独立地优选为碳原子数1～8的烷基、碳原子数2～8的烯
基、碳原子数1～8的烷氧基或碳原子数2～8的烯氧基，优选为直链。在重视显示元件的响应
速度的改善的情况下，优选烯基，在重视电压保持率等的可靠性的情况下，优选烷基。R⁴⁴和
R⁴⁵为烯基的情况下，优选选自式(R1)至式(R5)中的任一个所表示的基团。

[化43]

(各式中的黑点表示与环的连结点。)

为了提高液晶显示元件的透射率，特别是在m⁴¹为1或2的情况下，R⁴⁴或R⁴⁵的至少一
个以上的基团优选为式(R2)以外的基团，更优选为烷基或烷氧基。

R⁴⁴和R⁴⁵的组合没有特别限定，优选为两方表示烷基的组合、任一方表示烷基且另
一方表示烯基的组合、或任一方表示烷基且另一方表示烷氧基的组合、或任一方表示烷基
且另一方表示烯氧基的组合。在重视可靠性的情况下，优选R⁴⁴和R⁴⁵均为烷基，在重视降低
化合物的挥发性的情况下，优选为烷氧基，在重视粘性的降低的情况下，优选至少一方为烯
基。

在需要增大Δn的情况下，A⁴¹～A⁴³优选为芳香族，为了改善响应速度，优选为脂肪
族，优选分别独立地表示反式-1,4-亚环己基、1,4-亚苯基、2-氟-1,4-亚苯基、3-氟-1,4-亚
苯基、2,5-二氟-1,4-亚苯基、3,5-二氟-1,4-亚苯基、1,4-亚环己烯基、四氢吡喃-2,5-二
基、1,3-二烷-2,5-二基、1,4-双环[2.2.2]亚辛基、萘-2,6-二基、十氢化萘-2,6-二基或
1,2,3,4-四氢化萘-2,6-二基，优选下述任一结构，

[化44]

更优选以下结构。

[化45]

Z⁴¹和Z⁴²分别独立地表示单键、-CH＝CH-、-C≡C-、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-
CH₂O-、-OCF₂-或-CF₂O-，进一步优选单键、-CH₂CH₂-、-OCF₂-或-CF₂O-，特别优选单键。

m⁴¹优选表示1或2的整数。A⁴¹和Z⁴¹存在多个时，它们可以相同也可以不同。

通式(IV)所表示的化合物可以单独使用，也可以组合使用。可组合的化合物的种
类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所期望的性能适
宜组合使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为本发明的一个实施方式，为1种。或在本
发明的其他实施方式中，为2种、3种、4种、5种、6种、7种、8种、9种、10种以上。

本发明的组合物中，通式(IV)所表示的化合物的含量需要根据低温下的溶解性、
转变温度、电可靠性、双折射率、工艺适应性、滴痕、烧屏、介电常数各向异性等所要求的性
能适宜调整。

关于通式(IV)所表示的化合物的含量，通式(IV)所表示的化合物的含量优选为1
质量％至80质量％，优选为1质量％至70质量％，优选为1质量％至60质量％，优选为10质
量％至50质量％，优选为10质量％至40质量％，优选为15质量％至40质量％。

更具体而言，关于通式(IV)所表示的化合物的含量，作为在组合物中的下限值，优
选含有0.5质量％(以下组合物中的％表示质量％。)以上，优选含有1％以上，优选含有3％
以上，优选含有5％以上，优选含有8％以上，优选含有10％以上，优选含有13％以上，优选含
有15％以上，优选含有18％以上，优选含有20％以上。另外，作为上限值，优选含有80％以
下，优选含有70％以下，优选含有65％以下，优选含有60％以下，优选含有55％以下，优选含
有50％以下，优选含有45％以下，优选含有40％以下，优选含有38％以下，优选含有35％以
下，优选含有33％以下，优选含有30％以下，优选含有28％以下，优选含有25％以下。

作为通式(IV)所表示的化合物，优选含有1种或2种以上通式(IV-1)所表示的化合
物。

[化46]

(式中，R⁴¹¹和R⁴¹²分别独立地表示碳原子数1～8的烷基、碳原子数2～8的烯基、碳
原子数1～8的烷氧基或碳原子数2～8的烯氧基，A⁴¹¹表示1,4-亚苯基或反式-1,4-亚环己
基，k表示1或2，k为2时，2个A可以相同也可以不同。)

通式(IV-1)所表示的化合物的合计含量在组合物全体的含量内优选为1质量％至
80质量％，优选为1质量％至70质量％，优选为1质量％至60质量％，优选为10质量％至50质
量％，优选为10质量％至40质量％，优选为15质量％至40质量％。

更具体而言，关于通式(IV-1)所表示的化合物的含量，作为在组合物中的下限值，
优选含有0.5质量％(以下组合物中的％表示质量％。)以上，优选含有1％以上，优选含有
3％以上，优选含有5％以上，优选含有8％以上，优选含有10％以上，优选含有13％以上，优
选含有15％以上，优选含有18％以上，优选含有20％以上。另外，作为上限值，优选含有80％
以下，优选含有70％以下，优选含有65％以下，优选含有60％以下，优选含有55％以下，优选
含有50％以下，优选含有45％以下，优选含有40％以下，优选含有38％以下，优选含有35％
以下，优选含有33％以下，优选含有30％以下，优选含有28％以下，优选含有25％以下。

作为通式(IV-1)所表示的化合物，具体而言，可列举例如下述通式(IV-1a)至通式
(IV-1f)所表示的化合物组所表示的化合物。

[化47]

(式中，R⁴¹¹和R⁴¹²分别独立地表示与通式(IV-1)中的R⁴¹¹和R⁴¹²相同的含义。)

R⁴¹¹和R⁴¹²分别独立地优选表示碳原子数1～8的烷基、碳原子数2～8的烯基或碳原
子数2～8的烷氧基，更优选表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～
5的烷氧基。另外，R⁴¹¹和R⁴¹²可以相同也可以不同，但优选表示不同的取代基。

选自通式(IV-1a)～通式(IV-1f)所表示的化合物组的化合物优选含有1种～10
种，特别优选含有1种～8种，特别优选含有1种～5种，也优选含有2种以上的化合物。优选含
有通式(IV-1a)所表示的化合物。通式(IV-1a)所表示的化合物中，R⁴¹¹表示烯基的情况下，
例如，优选含有选自通式(IV-1a1)所表示的化合物组的至少一种化合物。

[化48]

(式中，R⁴¹³表示氢原子或甲基，R⁴¹⁴表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯
基、碳原子数1～4的烷氧基。)

通式(IV-1a1)所表示的化合物更具体而言优选以下记载的化合物。

[化49]

[化50]

含有通式(IV-1a1)所表示的化合物的情况下，作为通式(IV-1a1)所表示的化合物
在液晶组合物中的含有率，作为下限值，优选1质量％，优选5质量％，更优选15质量％，进一
步优选20质量％，特别优选23质量％，最优选25质量％，作为上限值，优选70质量％，更优选
60质量％，进一步优选55质量％，特别优选52质量％，最优选50质量％。更具体而言，在重视
响应速度的情况下，作为下限值，优选20质量％，更优选30质量％，进一步优选35质量％，特
别优选38质量％，最优选35质量％，作为上限值，优选70质量％，更优选60质量％，进一步优
选55质量％，特别优选52质量％，最优选50质量％，在更加重视驱动电压的情况下，作为下
限值，优选5质量％，更优选15质量％，进一步优选20质量％，特别优选23质量％，最优选25
质量％，作为上限值，优选60质量％，更优选50质量％，进一步优选45质量％，特别优选42质
量％，最优选40质量％。关于通式(III)所表示的化合物的比例，在液晶组合物中的通式(I)
所表示的化合物的合计含量内，通式(III)所表示的化合物的含量作为下限值优选60质
量％，更优选70质量％，进一步优选75质量％，特别优选78质量％，最优选80质量％，作为上
限值，优选90质量％，更优选95质量％，进一步优选97质量％，特别优选99质量％，优选100
质量％。

另外，作为通式(IV-1a1)所表示的化合物以外的通式(IV-1a)至通式(IV-1e)所表
示的化合物，更具体而言优选以下记载的化合物。

[化51]

[化52]

[化53]

[化54]

[化55]

[化56]

[化57]

[化58]

这些之中，优选式(IV-1a1-2)、式(IV-1a1-4)、式(IV-1a1-6)、式(I-1a2)～式(IV-
1a7)、式(IV-1b2)、式(IV-1b6)、式(IV-1d1)、式(IV-1d2)、式(IV-1d3)、式(IV-1e2)、式(IV-
1e3)和式(IV-1e4)所表示的化合物。

另外，通式(IV)所表示的化合物优选为下述通式(IV-2)至通式(IV-7)所表示的化
合物。

[化59]

(式中，R⁴¹⁵和R⁴¹⁶分别独立地表示碳原子数1～8的烷基、碳原子数2～8的烯基、碳
原子数1～8的烷氧基或碳原子数2～8的烯氧基。)

另外，作为通式(IV)所表示的化合物，还优选含有1种或2种以上通式(IV-8)、通式
(IV-9)或通式(VI-10)所表示的化合物。

[化60]

(式中，R⁴¹⁵和R⁴¹⁶分别独立地表示碳原子数1～8的烷基、碳原子数2～8的烯基、碳
原子数1～8的烷氧基或碳原子数2～8的烯氧基，X⁴¹和X⁴²分别独立地表示氟原子或氢原子，
X⁴¹和X⁴²中的任一个为氟原子，另一个为氢原子。)

另外，作为通式(IV)所表示的化合物，可以含有1种或2种以上通式(IV-11-1)至通
式(IV-11-3)所表示的化合物。

[化61]

另外，作为通式(III)所表示的化合物，可以含有1种或2种以上通式(N-001)所表
示的化合物。

[化62]

(式中，R^N1和R^N2分别独立地表示碳原子数1至8的烷基、碳原子数1至8的烷氧基、碳
原子数2至8的烯基或碳原子数2至8的烯氧基，L¹和L²分别独立地表示氢原子、氟原子、CH₃或
CF₃。其中，不包括L¹和L²两方表示氟原子的情况。)

R^N1和R^N2优选表示碳原子数1至5的烷基。

本申请中的1,4-亚环己基优选为反式-1,4-亚环己基。

本发明的液晶组合物中，选自通式(i)～通式(iii)所表示的化合物组的化合物和
通式(IV)所表示的化合物的合计含量优选为50至99质量％，进一步优选为55～99质量％，
进一步优选为60～99质量％，进一步优选为65～99质量％，进一步优选为70～99质量％，特
别优选为75～99质量％。

更具体而言，作为选自通式(i)～通式(iii)所表示的化合物组的化合物和通式
(IV)所表示的化合物的合计含量在组合物中的下限值，优选含有30质量％(以下组合物中
的％表示质量％。)以上，优选含有35％以上，优选含有40％以上，优选含有45％以上，优选
含有50％以上，优选含有55％以上，优选含有60％以上，优选含有65％以上，优选含有70％
以上，优选含有75％以上，优选含有78％以上，优选含有80％以上，优选含有83％以上，优选
含有85％以上，优选含有90％以上，优选含有91％以上。另外，作为上限值，优选含有100％
以下，优选含有99％以下，优选含有95％以下，优选含有90％以下，优选含有85％以下，优选
含有80％以下，优选含有75％以下，优选含有70％以下，优选含有65％以下，优选含有60％
以下，优选含有55％以下，优选含有50％以下。

本申请发明的液晶组合物优选不含有分子内具有过氧(-CO-OO-)结构等氧原子彼
此结合的结构的化合物。

在重视液晶组合物的可靠性和长期稳定性的情况下，优选将具有羰基的化合物的
含量相对于前述组合物的总质量设为5质量％以下，更优选设为3质量％以下，进一步优选
设为1质量％以下，最优选实质上不含有。

优选增多分子内的环结构全部为6元环的化合物的含量，优选将分子内的环结构
全部为6元环的化合物的含量相对于前述组合物的总质量设为80质量％以上，更优选设为
90质量％以上，进一步优选设为95质量％以上，最优选实质上仅由分子内的环结构全部为6
元环的化合物构成液晶组合物。

为了抑制由液晶组合物的氧化引起的劣化，优选减少具有亚环己烯基作为环结构
的化合物的含量，优选将具有亚环己烯基的化合物的含量相对于前述组合物的总质量设为
10质量％以下，更优选设为5质量％以下，进一步优选实质上不含有。

为了抑制由液晶组合物的氧化引起的劣化，优选减少具有-CH＝CH-作为连结基的
化合物的含量，优选将该化合物的含量相对于前述组合物的总质量设为10质量％以下，更
优选设为5质量％以下，进一步优选实质上不含有。

在重视粘度的改善和T_NI的改善的情况下，优选减少分子内具有氢原子可被卤素取
代的2-甲基苯-1,4-二基的化合物的含量，优选将前述分子内具有2-甲基苯-1,4-二基的化
合物的含量相对于前述组合物的总质量设为10质量％以下，更优选设为5质量％以下，进一
步优选实质上不含有。

本发明的组合物中含有的化合物具有烯基作为侧链的情况下，在前述烯基与环己
烷结合时该烯基的碳原子数优选为2～5，前述烯基与苯结合时该烯基的碳原子数优选为4
～5，优选前述烯基的不饱和键与苯不直接结合。另外，在重视液晶组合物的稳定性的情况
下，优选减少作为侧链具有烯基且具有2,3-二氟苯-1,4-二基的化合物的含量，优选将该化
合物的含量相对于前述组合物的总质量设为10质量％以下，更优选设为5质量％以下，进一
步优选实质上不含有。

本发明的液晶组合物除了上述化合物以外还可以含有通常的向列液晶、近晶液
晶、胆甾醇液晶、抗氧化剂、紫外线吸收剂、红外线吸收剂等添加剂。

作为本发明中可使用的添加剂，优选以下物质。

[化63]

[化64]

[化65]

[化66]

[化67]

[化68]

[化69]

[化70]

(式中，n表示0至20的整数。)

本发明中的液晶组合物的介电常数各向异性Δε的值具有负的介电常数各向异
性，介电常数各向异性的绝对值为2以上。介电常数各向异性Δε的值在25℃时优选为-2.0
至-6.0，更优选为-2.5至-5.0，特别优选为-2.5至-4.0，进一步详细描述，在重视响应速度
的情况下，优选为-2.5～-3.4，在重视驱动电压的情况下，优选为-3.4～-4.0。

本发明中的液晶组合物的折射率各向异性Δn的值在25℃时优选为0.08至0.13，
更优选为0.09至0.12。进一步详细描述，在应对薄单元间隙的情况下，优选为0.10至0.12，
在应对厚单元间隙的情况下，优选为0.08至0.10。

本发明中的液晶组合物的旋转粘度(γ₁)优选150以下，更优选130以下，特别优选
120以下。

就本发明中的液晶组合物而言，作为旋转粘度与折射率各向异性的函数的Z优选
表示特定的值。

[数1]

Z＝γ1/Δn²

(式中，γ₁表示旋转粘度，Δn表示折射率各向异性。)

Z优选13000以下，更优选12000以下，特别优选11000以下。

本发明中的液晶组合物的向列相-各向同性液体相转变温度(T_ni)为60℃以上，优
选为75℃以上，更优选为80℃以上，进一步优选为90℃以上。

本发明的液晶组合物必须具有10¹²(Ω·m)以上的电阻率，优选10¹³(Ω·m)，更优
选10¹⁴(Ω·m)以上。

本发明的液晶组合物除了上述化合物以外还可以根据用途含有通常的向列液晶、
近晶液晶、胆甾醇液晶、抗氧化剂、紫外线吸收剂等，在要求液晶组合物的化学稳定性的情
况下，优选在其分子内不具有氯原子，在要求液晶组合物对紫外线等光的稳定性的情况下，
优选在其分子内不具有以萘环等为代表的共轭长度长且在紫外区域存在吸收峰的缩合环
等。

(液晶显示元件)

上述那样的本发明的液晶组合物适用于FFS模式的液晶显示元件。以下，参照图1
～6，说明本发明涉及的FFS模式的液晶显示元件的例子。

图1是示意性表示液晶显示元件的构成的图。图1中，为了便于说明，将各构成要素
分开记载。本发明涉及的液晶显示元件10的构成如图1所记载，其是具有夹持于相对配置的
第一透明绝缘基板2与第二透明绝缘基板8之间的液晶组合物(或液晶层5)的FFS模式的液
晶显示元件，具有使用了前述本发明的液晶组合物作为该液晶组合物的特征。第一透明绝
缘基板2在液晶层5侧的面形成了第一电极层3，第二透明绝缘基板8在液晶层5侧的面形成
了第二电极层7。另外，在液晶层5与第一透明绝缘基板2和第二透明绝缘基板7之间分别具
有与构成液晶层5的液晶组合物直接抵接并诱发均质取向的一对取向膜4，该液晶组合物中
的液晶分子在无电压施加时以相对于前述基板2、7大致平行的方式取向。如图1和图3所示，
前述第一基板2和前述第二基板7可以被一对偏光板1、8夹持。进一步，图1中，在前述第二基
板7与取向膜4之间设有滤色器6。

即，本发明涉及的液晶显示元件10是依次层叠有第一偏光板1、第一基板2、包含薄
膜晶体管的第一电极层3、取向膜4、包含液晶组合物的液晶层5、取向膜4、滤色器6、第二电
极层7、第二基板8、和第二偏光板8的构成。第一基板2和第二基板7可以使用玻璃或如塑料
那样具有柔软性的透明材料，也可以一方是硅等不透明材料。两块基板2、7通过配置于周边
区域的环氧系热固化性组合物等密封材和封止材被贴合，为了保持基板间距离，可以在其
间配置有例如玻璃粒子、塑料粒子、氧化铝粒子等粒状间隔物或通过光刻法形成的由树脂
构成的间隔柱。

图2是将图1中形成于基板2上的电极层3的由II线包围的区域放大所得的平面图。
图3是在图2中的III-III线方向上切断图1所示的液晶显示元件所得的截面图。如图2所示，
形成于第一基板2的表面的包含薄膜晶体管的电极层3中，用于提供扫描信号的多根栅极总
线26和用于提供显示信号的多根数据总线25彼此交叉而以矩阵状配置。另外，图2中，仅显
示了一对栅极总线25和一对数据总线24。

由被多根栅极总线26和多根数据总线25包围的区域形成液晶显示装置的单位像
素，在该单位像素内形成有像素电极21和共用电极22。在栅极总线26和数据总线25彼此交
叉的交叉部附近，设有包含源电极27、漏电极24和栅电极28的薄膜晶体管。该薄膜晶体管作
为向像素电极21提供显示信号的开关元件而与像素电极21连结。另外，共用线29与栅极总
线26并排地设置。该共用线29为了向共用电极22提供共用信号而与共用电极22连结。

薄膜晶体管的结构的一个优选方式例如，如图3所示，具有：形成于基板2表面的栅
电极11、以覆盖该栅电极11且覆盖前述基板2的大致整面的方式设置的栅极绝缘层12、以与
前述栅电极11相对的方式形成于前述栅极绝缘层12的表面的半导体层13、以覆盖前述半导
体层17的表面的一部分的方式设置的保护膜14、以覆盖前述保护层14和前述半导体层13的
一方侧端部且与形成于前述基板2表面的前述栅极绝缘层12接触的方式设置的漏电极16、
以覆盖前述保护膜14和前述半导体层13的另一方侧端部且与形成于前述基板2表面的前述
栅极绝缘层12接触的方式设置的源电极17、以及以覆盖前述漏电极16和前述源电极17的方
式设置的绝缘保护层18。也可以在栅电极11的表面出于消除与栅电极的高低差等理由而形
成阳极氧化被膜(未图示)。

前述半导体层13可以使用非晶硅、多晶硅等，若使用ZnO、IGZO(In-Ga-Zn-O)、ITO
等的透明半导体膜，则从能够抑制起因于光吸收的光载波的弊害，增大元件的开口率的观
点考虑也优选。

进一步，为了降低肖特基障壁的宽度、高度，可以在半导体层13与漏电极16或源电
极17之间设置欧姆接触层15。欧姆接触层可以使用n型非晶硅、n型多晶硅等以高浓度添加
有磷等杂质的材料。

栅极总线26、数据总线25、共用线29优选为金属膜，更优选Al、Cu、Au、Ag、Cr、Ta、
Ti、Mo、W、Ni或其合金，特别优选使用Al或其合金的配线的情况。另外，绝缘保护层18是具有
绝缘功能的层，由氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅膜等形成。

图2和图3所示的实施方式中，共用电极22是在栅极绝缘层12上的几乎整面形成的
平板状电极，另一方面，像素电极21是在覆盖共用电极22的绝缘保护层18上形成的梳形电
极。即，共用电极22配置于比像素电极21更靠近第一基板2的位置，这些电极隔着绝缘保护
层18彼此重叠地配置。像素电极21和共用电极22例如由ITO(Indium Tin Oxide)、IZO
(Indium Zinc Oxide)、IZTO(Indium Zinc Tin Oxide)等透明导电性材料形成。像素电极
21和共用电极22由透明导电性材料形成，因此在单位像素面积内开口的面积变大，开口率
和透射率增加。

关于像素电极21和共用电极22，为了在这些电极间形成边缘电场，以像素电极21
与共用电极22之间的基板水平方向的电极间距离：R小于第一基板2与第二基板7的距离：G
的方式形成。这里，电极间距离：R表示各电极间的基板水平方向的距离。图3中，平板状的共
用电极22与梳形的像素电极21重合，因此示出的是电极间距离：R＝0的例子，由于电极间距
离：R小于第一基板2与第二基板7的距离(即，单元间隙)：G，因此形成边缘的电场E。因此，
FFS型的液晶显示元件可以利用在相对于形成像素电极21的梳形的线垂直的方向上形成的
水平方向的电场、和抛物线状的电场。像素电极21的梳状部分的电极宽：l、和像素电极21的
梳状部分的间隙宽：m优选形成为利用产生的电场能够将液晶层5内的液晶分子全部驱动的
程度的宽度。

从防止漏光的观点考虑，滤色器6优选在与薄膜晶体管和储能电容器23对应的部
分形成黑矩阵(未图示)。

第二电极层7是在第二基板8上的几乎整面形成的平板状电极。第二电极层7例如
由ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、IZTO(Indium Zinc Tin Oxide)等
透明导电性材料形成。

在第一电极层3和滤色器6上，设有与构成液晶层5的液晶组合物直接抵接并诱发
均质取向的一对取向膜4。取向膜4是例如经摩擦处理的聚酰亚胺膜，各取向膜的取向方向
平行。这里，使用图4，对本实施方式中的取向膜4的摩擦方向(液晶组合物的取向方向)进行
说明。图4是示意性表示由取向膜4诱发的液晶取向方向的图。本发明中，使用具有负的介电
常数各向异性的液晶组合物。因此，优选在将相对于形成像素电极21的梳形的线垂直的方
向(形成水平电场的方向)设为x轴时，以该x轴与液晶分子30的长轴方向所成的角θ成为大
概0～45°的方式取向。图3所示的例子中，显示的是x轴与液晶分子30的长轴方向所成的角θ
大概为0°的例子。这样诱发液晶的取向方向是为了提高液晶显示装置的最大透射率。

另外，偏光板1和偏光板8可以按照调整各偏光板的偏光轴使视野角、对比度变得
良好的方式进行调整，优选具有彼此正交的透射轴，以使它们的透射轴在常黑模式下工作。
特别是优选按照偏光板1和偏光板8中的任一个具有与液晶分子30的取向方向平行的透射
轴的方式配置。另外，优选以对比度变得最大的方式调整液晶的折射率各向异性Δn与单元
厚度d之积。进一步也可以使用用于扩大视野角的相位差膜。

上述那样构成的FFS型的液晶显示装置10通过薄膜TFT向像素电极21提供图像信
号(电压)，从而在像素电极21和共用电极22之间产生边缘电场，利用该电场驱动液晶。即，
在不施加电压的状态下，液晶分子30按照其长轴方向与取向膜4的取向方向平行的方式配
置。在施加电压时，在像素电极21和共用电极22之间形成抛物线形的电场的等电位线直至
像素电极21和共用电极22的上部，液晶层5内的液晶分子30沿着所形成的电场在液晶层5内
旋转。本发明中，使用具有负的介电常数各向异性的液晶分子30，因此以液晶分子30的长轴
方向与所产生的电场方向正交的方式旋转。虽然位于像素电极21附近的液晶分子30容易受
到边缘电场的影响，但由于具有负的介电常数各向异性的液晶分子30的极化方向处于分子
的短轴，因此液晶层5内的所有液晶分子30的长轴方向能够维持相对于取向膜4平行的方
向，而不在其长轴方向相对于取向膜4正交的方向上旋转。因此，与使用了具有正的介电常
数各向异性的液晶分子30的FFS型的液晶显示元件相比，能够获得优异的透射率特性。

另外，就液晶显示装置10而言，对第一电极层2和第二电极层7施加电压而在第一
电极层2与第二电极层之间产生电场，从而能够抑制由边缘电场驱动的液晶分子的驱动波
动。即，如上所述液晶分子30受到边缘电场的影响，因此沿着边缘电场驱动时，液晶分子30
会产生从相对于取向膜4平行的方向稍微偏离(跳跃)的部分，但若在第一电极层2与第二电
极层之间产生电场，则具有负的介电常数各向异性的液晶分子30的长轴方向按照与该电场
方向正交的方式变动，因此液晶分子30成为在相对于取向膜4平行的方向上更整齐的状态，
能够抑制取向不均。

使用图1～图4说明的FFS型的液晶显示元件是一个例子，只要不脱离本发明的技
术思想，则能够以其他各种各样的方式实施。例如，图5是将图1中形成于基板2上的电极层3
的由II线包围的区域放大所得的平面图的其他例。如图5所示，像素电极21可以是具有狭缝
的构成。另外，可以按照相对于栅极总线26或数据总线25具有倾斜角的方式形成狭缝的图
案。

另外，图6是在图2中的III-III线方向上切断图1所示的液晶显示元件所得的截面
图的其他例。图6所示的例子中，使用了梳形或具有狭缝的共用电极22，像素电极21和共用
电极22的基板水平方向的电极间距离为R＝α。进一步，图3中示出的是共用电极22形成于栅
极绝缘膜12上的例子，而如图6所示，也可以将共用电极22形成于第一基板2上，隔着栅极绝
缘膜12设置像素电极21。像素电极21的电极宽：l、共用电极22的电极宽：n、和电极间距离：R
优选适宜调整为利用产生的电场能够将液晶层5内的液晶分子全部驱动的程度的宽度。

另外，如图7所示，可以以像素电极41和共用电极42在同一面上分开并咬合的状态
设置。图7所示结构的FFS型显示元件中，按照基板水平方向的电极间距离R小于第一基板2
与第二基板7的距离：G的方式形成。

另外，使用图1～图6说明的FFS型的液晶显示元件的第二电极层7示出的是在第二
基板8上的几乎整面形成的平板状电极的例子，但也可以在第二基板8上形成梳形、具有狭
缝的电极。

本发明涉及的FFS模式的液晶显示元件使用了特定的液晶组合物，因此能够兼顾
高速响应和显示不良的抑制。

另外，FFS模式的液晶显示元件在第一基板2与第二基板7之间注入液晶层5时，例
如进行真空注入法或滴注(ODF：One Drop Fill)法等方法，而本申请发明中，能够抑制ODF
法中将液晶组合物滴下于基板时的滴痕的产生。另外，滴痕定义为在显示黑色时滴下液晶
组合物的痕迹显露白色的现象。

滴痕的产生受到注入的液晶材料的较大影响，但进一步，根据显示元件的构成，其
影响不可避免。FFS模式的液晶显示元件中，显示元件中形成的薄膜晶体管和梳形、具有狭
缝的像素电极21等仅有薄的取向膜4、或薄的取向膜4和薄的绝缘保护层18等隔开液晶组合
物的构件，因此不会完全遮断离子性物质的可能性高，无法避免由构成电极的金属材料与
液晶组合物的相互作用引起的滴痕的产生，但FFS型的液晶显示元件中，通过组合使用本申
请发明的液晶组合物，能够有效抑制滴痕的产生。

另外，利用ODF法的液晶显示元件的制造工序中，需要根据液晶显示元件的尺寸而
滴下最适的液晶注入量，但本申请发明的液晶组合物例如对液晶滴下时产生的滴下装置内
的急剧的压力变化、冲击的影响少，能够长时间稳定地持续滴下液晶，因此也能够保持较高
的液晶显示元件的成品率。特别是最近流行的手机中经常使用的小型液晶显示元件，由于
最适的液晶注入量少，因此将与最适值的偏差控制在一定范围内其本身较困难，但通过使
用本申请发明的液晶组合物，即使在小型液晶显示元件中也能够实现稳定的液晶材料的吐
出量。

实施例

以下列举实施例进一步详述本发明，但本发明不限于这些实施例。另外，以下的实
施例和比较例的组合物中的“％”是指“质量％”。

实施例中，测定的特性如下所述。

T_NI：向列相-各向同性液体相转变温度(℃)

Δn：25℃时的折射率各向异性

Δε：25℃时的介电常数各向异性

η：20℃时的粘度(mPa·s)

γ₁：25℃时的旋转粘度(mPa·s)

VHR：在频率60Hz、施加电压1V的条件下60℃时的电压保持率(％)

烧屏：

液晶显示元件的烧屏评价是，在将预定的固定图案在显示区域内显示1000小时后
在整个画面进行均匀显示时，通过目视对固定图案的残影水平进行以下的四个阶段评价。

◎没有残影

○残影极少，为可容许的水平

△有残影，为不可容许的水平

×有残影，非常恶劣

滴痕：

液晶显示装置的滴痕评价是，通过目视对整面显示黑色时显露白色的滴痕进行以
下的四个阶段评价。

◎没有残影

○残影极少，为可容许的水平

△有残影，为不可容许的水平

×有残影，非常恶劣

工艺适应性：

工艺适应性如下评价：在ODF工艺中，使用定容计量泵每一次滴下各50pL液晶，将
该操作进行100000次，对以下的“0～100次、101～200次、201～300次、····99901～
100000次”的各100次滴下的液晶量的变化进行以下的四个阶段评价。

◎变化极小(能够稳定地制造液晶显示元件)

○变化极小，为可容许的水平

△有变化，为不可容许的水平(由于产生斑，成品率恶化)

×有变化，非常恶劣(产生液晶泄漏、真空气泡)

低温下的溶解性：

低温下的溶解性评价如下进行：调制液晶组合物后，在2mL的样品瓶中称量1g液晶
组合物，对其在温度控制式试验槽中将以下作为一个循环持续施以温度变化：“-20℃(保持
1小时)→升温(0.1℃/每分钟)→0℃(保持1小时)→升温(0.1℃/每分钟)→20℃(保持1小
时)→降温(-0.1℃/每分钟)→0℃(保持1小时)→降温(-0.1℃/每分钟)→-20℃”，通过目
视观察从液晶组合物的析出物的产生，进行以下的四个阶段评价。

◎600小时以上未观察到析出物。

○300小时以上未观察到析出物。

△在150小时以内观察到析出物。

×在75小时以内观察到析出物。

另外，实施例中对化合物的记载使用以下的简称。

(侧链)

-n -C_nH_2n+1 碳原子数n的直链状烷基

-On -OC_nH_2n+1 碳原子数n的直链状烷氧基

-V -CH＝CH₂ 乙烯基

-Vn -CH＝C-C_nH_2n+1 碳原子数(n+1)的1-烯

(连结基)

-CF₂O- -CF₂-O-

-OCF₂- -O-CF₂-

-1O- -CH₂-O-

-O1- -O-CH₂-

-COO- -COO-

(环结构)

[化71]

(实施例1(液晶组合物1))

调制具有以下所示组成的液晶组合物(液晶组合物1)，测定其物性值。将该结果示
于下表。

使用液晶组合物1，以通常用作TV的单元厚3.0μm，制作在第一基板和第二基板上
具有电极层的FFS模式的液晶显示元件。液晶组合物的注入使用滴下法进行，进行烧屏、滴
痕、工艺适应性和低温下的溶解性的评价。

另外，含量左侧的记号是上述化合物的简称的记载。

[化72]

实施例1

[表1]

可知：液晶组合物1具有作为TV用液晶组合物实用的75.6℃的T_NI，具有大的Δε的
绝对值，具有低的η和最适的Δn。使用液晶组合物1，制作FFS模式的液晶显示元件，通过前
述方法评价烧屏、滴痕、工艺适应性和低温下的溶解性，结果显示了非常优异的评价结果。

另外，在偏光显微镜下设置所制作的液晶显示元件，在该状态下施加电压并观察，
结果确认到以液晶分子无取向不均而整齐的状态进行驱动。另外，在电气光学特性测定中，
确认到透射率和对比度的提高。

(实施例2(液晶组合物2))

调制以具有与液晶组合物1同等的T_NI、同等的Δn的值和同等的Δε的值的方式设
计的具有以下所示组成的液晶组合物(液晶组合物2)，测定其物性值。将该结果示于下表。

使用液晶组合物2，与实施例1同样地制作FFS模式的液晶显示元件，进行烧屏、滴
痕、工艺适应性和低温下的溶解性的评价，将结果示于同一表中。

[表2]

实施例2

可知：液晶组合物2具有作为TV用液晶组合物实用的液晶相温度范围，具有大的介
电常数各向异性的绝对值，具有低的粘性和最适的Δn。使用液晶组合物2，制作与实施例1
同样的FFS模式的液晶显示元件，通过前述方法评价烧屏、滴痕、工艺适应性和低温下的溶
解性，结果显示了优异的评价结果。另外，对于所制作的液晶显示元件，与实施例1同样地进
行偏光显微镜观察和电气光学特性测定，结果显示了优异的评价结果。

(实施例3(液晶组合物3))

调制以具有与液晶组合物1、2同等的T_NI、同等的Δn的值和同等的Δε的值的方式
设计的具有以下所示组成的液晶组合物(液晶组合物3)，测定其物性值。将该结果示于下
表。

使用液晶组合物3，与实施例1同样地制作FFS模式的液晶显示元件，进行烧屏、滴
痕、工艺适应性和低温下的溶解性的评价，将结果示于同一表中。

[表3]

实施例3

可知：液晶组合物3具有作为TV用液晶组合物实用的T_NI，具有大的Δε的绝对值，具
有低的η和最适的Δn。使用液晶组合物3，制作与实施例1同样的FFS模式的液晶显示元件，
通过前述方法评价烧屏、滴痕、工艺适应性和低温下的溶解性，结果显示了优异的评价结
果。另外，对于所制作的液晶显示元件，与实施例1同样地进行偏光显微镜观察和电气光学
特性测定，结果显示了优异的评价结果。

(比较例1～3)

使用液晶组合物1～3，制作通常用作TV的单元厚3.5μm的垂直取向液晶显示元件
(VA模式的液晶显示元件)。

对于实施例1～3中分别制作的FFS模式的液晶显示元件和比较例1～3中分别制作
的VA模式的液晶显示元件，进行透射率、对比度、响应速度的比较。以下显示其结果。另外，
实施例1～3和比较例1～3的液晶显示元件的透射率是将各个模式的液晶组合物注入前的
元件的透射率设为100％时的值。

[表4]

使用液晶组合物1～3制作的FFS模式的显示元件(实施例1～3)与使用分别相同的
液晶组合物制作的VA模式的液晶显示元件(比较例1～3)相比，显示了最高透射率、对比度
和响应速度均优异的特性。

液晶分子相对于基板平行地取向且产生边缘电场的FFS模式的液晶显示元件中，
要求与液晶分子相对于基板垂直地取向且垂直地产生电场的VA模式的液晶显示元件不同
的液晶的基本特性。液晶组合物1～3通过含有作为本申请必须成分的通式(I)和通式(II)
的化合物，从而在不损害作为液晶显示元件的基本特性的情况下实现了作为FFS模式的大
特征的透射率提高。另一方面，由于FFS模式的这些差异，使得对于烧屏、滴痕这样的效果，
难以从以往的知识中预测。本发明的液晶显示元件中，对于这些方面，也显示了良好的特
性。

(实施例4(液晶组合物4))

调制以具有与组合物1～3同等的T_NI、同等的Δn的值和同等的Δε的值的方式设计
的具有以下所示组成的液晶组合物(液晶组合物4)，测定其物性值。将该结果示于下表。

[表5]

实施例4

可知：液晶组合物4具有作为TV用液晶组合物实用的T_NI，具有大的Δε的绝对值，具
有低的η和最适的Δn。使用液晶组合物4制作FFS模式的液晶显示元件，结果显示了与实施
例1～3同等优异的显示特性。另外，对于所制作的液晶显示元件，与实施例1同样地进行偏
光显微镜观察和电气光学特性测定，结果显示了优异的评价结果。

(实施例5(液晶组合物5))

调制以具有与液晶组合物1～4同等的T_NI、同等的Δn的值和同等的Δε的值的方式
设计的具有以下所示组成的液晶组合物(液晶组合物5)，测定其物性值。将该结果示于下
表。

[表6]

实施例5

可知：液晶组合物5具有作为TV用液晶组合物实用的T_NI，具有大的Δε的绝对值，具
有低的η和最适的Δn。使用液晶组合物5制作FFS模式的液晶显示元件，结果显示了与实施
例1～3同等优异的显示特性。另外，对于所制作的液晶显示元件，与实施例1同样地进行偏
光显微镜观察和电气光学特性测定，结果显示了优异的评价结果。

(实施例6(液晶组合物6))

调制以具有与液晶组合物1～5同等的T_NI、同等的Δn的值和同等的Δε的值的方式
设计的具有以下所示组成的液晶组合物(液晶组合物6)，测定其物性值。将该结果示于下
表。

[表7]

实施例6

可知：液晶组合物6具有作为TV用液晶组合物实用的T_NI，具有大的Δε的绝对值，具
有低的η和最适的Δn。使用液晶组合物6制作FFS模式的液晶显示元件，结果显示了与实施
例1～3同等优异的显示特性。另外，对于所制作的液晶显示元件，与实施例1同样地进行偏
光显微镜观察和电气光学特性测定，结果显示了优异的评价结果。

(实施例7(液晶组合物7))

调制以具有与液晶组合物1～6同等的Δn的值且具有更高的T_NI和Δε的值的方式
设计的具有以下所示组成的液晶组合物(液晶组合物7)，测定其物性值。将该结果示于下
表。使用液晶组合物7，与实施例1同样地制作FFS模式的液晶显示元件，进行烧屏、滴痕、工
艺适应性和低温下的溶解性的评价，将结果示于同一表中。

[表8]

实施例7

可知：液晶组合物7具有作为TV用液晶组合物实用的T_NI，具有大的Δε的绝对值，具
有低的η和最适的Δn。使用液晶组合物7制作与实施例1同样的FFS模式的液晶显示元件，通
过前述方法评价烧屏、滴痕、工艺适应性和低温下的溶解性，结果显示了优异的评价结果。
另外，对于所制作的液晶显示元件，与实施例1同样地进行偏光显微镜观察和电气光学特性
测定，结果显示了优异的评价结果。

(实施例8(液晶组合物8))

调制以具有与液晶组合物7同等的T_NI、同等的Δn的值和同等的Δε的值的方式设
计的具有以下所示组成的液晶组合物(液晶组合物8)，测定其物性值。将该结果示于下表。
使用液晶组合物8，与实施例1同样地制作FFS模式的液晶显示元件，进行烧屏、滴痕、工艺适
应性和低温下的溶解性的评价，将结果示于同一表中。

[表9]

实施例8

可知：液晶组合物8具有作为TV用液晶组合物实用的T_NI，具有大的Δε的绝对值，具
有低的η和最适的Δn。使用液晶组合物8制作与实施例1同样的FFS模式的液晶显示元件，通
过前述方法评价烧屏、滴痕、工艺适应性和低温下的溶解性，结果显示了优异的评价结果。
另外，对于所制作的液晶显示元件，与实施例1同样地进行偏光显微镜观察和电气光学特性
测定，结果显示了优异的评价结果。

(实施例9(液晶组合物9))

调制以具有与液晶组合物7、8同等的T_NI、同等的Δn的值和同等的Δε的值的方式
设计的具有以下所示组成的液晶组合物(液晶组合物9)，测定其物性值。将该结果示于下
表。使用液晶组合物9，与实施例1同样地制作FFS模式的液晶显示元件，进行烧屏、滴痕、工
艺适应性和低温下的溶解性的评价，将结果示于同一表中。

[表10]

实施例9

可知：液晶组合物9具有作为TV用液晶组合物实用的T_NI，具有大的Δε的绝对值，具
有低的η和最适的Δn。使用液晶组合物9制作与实施例1同样的FFS模式的液晶显示元件，通
过前述方法评价烧屏、滴痕、工艺适应性和低温下的溶解性，结果显示了优异的评价结果。
另外，对于所制作的液晶显示元件，与实施例1同样地进行偏光显微镜观察和电气光学特性
测定，结果显示了优异的评价结果。

(比较例4～6)

使用液晶组合物7～9，制作与比较例1～3同样的VA模式的液晶显示元件。

对于实施例7～9中分别制作的FFS模式的液晶显示元件和比较例4～6中分别制作
的VA模式的液晶显示元件，进行透射率、对比度、响应速度的比较。以下显示其结果。

[表11]

使用液晶组合物7～9制作的FFS模式的显示元件(实施例7～9)与使用分别相同的
液晶组合物制作的VA模式的液晶显示元件(比较例4～6)相比，显示了最高透射率、对比度
和响应速度均优异的特性。

(实施例10(液晶组合物10))

调制以具有与液晶组合物7～9同等的T_NI、同等的Δn的值和同等的Δε的值的方式
设计的具有以下所示组成的液晶组合物(液晶组合物10)，测定其物性值。将该结果示于下
表。

[表12]

实施例10

可知：液晶组合物10具有作为TV用液晶组合物实用的T_NI，具有大的Δε的绝对值，
具有低的η和最适的Δn。使用液晶组合物10制作FFS模式的液晶显示元件，通过前述方法评
价烧屏、滴痕、工艺适应性和低温下的溶解性，结果显示了优异的评价结果。另外，对于所制
作的液晶显示元件，与实施例1同样地进行偏光显微镜观察和电气光学特性测定，结果显示
了优异的评价结果。

(实施例11(液晶组合物11))

调制以具有与液晶组合物7～10同等的T_NI、同等的Δn的值和同等的Δε的值的方
式设计的具有以下所示组成的液晶组合物，测定其物性值。将该结果示于下表。

[表13]

实施例11

可知：液晶组合物11具有作为TV用液晶组合物实用的T_NI，具有大的Δε的绝对值，
具有低的η和最适的Δn。使用液晶组合物11制作FFS模式的液晶显示元件，通过前述方法评
价烧屏、滴痕、工艺适应性和低温下的溶解性，结果显示了优异的评价结果。另外，对于所制
作的液晶显示元件，与实施例1同样地进行偏光显微镜观察和电气光学特性测定，结果显示
了优异的评价结果。

(实施例12(液晶组合物12))

调制以具有与液晶组合物7～11同等的T_NI、同等的Δn的值和同等的Δε的值的方
式设计的具有以下所示组成的液晶组合物(液晶组合物12)，测定其物性值。将该结果示于
下表。

[表14]

实施例12

可知：液晶组合物12具有作为TV用液晶组合物实用的T_NI，具有大的Δε的绝对值，
具有低的η和最适的Δn。使用液晶组合物12制作FFS模式的液晶显示元件，通过前述方法评
价烧屏、滴痕、工艺适应性和低温下的溶解性，结果显示了优异的评价结果。另外，对于所制
作的液晶显示元件，与实施例1同样地进行偏光显微镜观察和电气光学特性测定，结果显示
了优异的评价结果。

(实施例13(液晶组合物13))

调制以具有与液晶组合物7～12同等的T_NI、同等的Δn的值和同等的Δε的值的方
式设计的具有以下所示组成的液晶组合物(液晶组合物13)，测定其物性值。将该结果示于
下表。

[表15]

实施例13

可知：液晶组合物13具有作为TV用液晶组合物实用的T_NI，具有大的Δε的绝对值，
具有低的η和最适的Δn。使用液晶组合物13制作与实施例1同样的FFS模式的液晶显示元
件，通过前述方法评价烧屏、滴痕、工艺适应性和低温下的溶解性，结果显示了优异的评价
结果。另外，对于所制作的液晶显示元件，与实施例1同样地进行偏光显微镜观察和电气光
学特性测定，结果显示了优异的评价结果。

(实施例14(液晶组合物14))

调制以具有与液晶组合物7～13同等的T_NI、同等的Δn的值和同等的Δε的值的方
式设计的具有以下所示组成的液晶组合物(液晶组合物14)，测定其物性值。将该结果示于
下表。

[表16]

实施例14

可知：液晶组合物14具有作为TV用液晶组合物实用的T_NI，具有大的Δε的绝对值，
具有低的η和最适的Δn。使用液晶组合物14制作与实施例1同样的FFS模式的液晶显示元
件，通过前述方法评价烧屏、滴痕、工艺适应性和低温下的溶解性，结果显示了优异的评价
结果。

(实施例15(液晶组合物15))

调制具有以下所示组成的液晶组合物(液晶组合物15)，测定其物性值。将该结果
示于下表。使用液晶组合物15，与实施例1同样地制作FFS模式的液晶显示元件，进行烧屏、
滴痕、工艺适应性和低温下的溶解性的评价，将结果示于同一表中。

[化73]

[表17]

可知：液晶组合物15具有作为TV用液晶组合物实用的85.3℃的T_NI，具有大的Δε的
绝对值，具有低的η和最适的Δn。使用液晶组合物1，制作FFS模式的液晶显示元件，通过前
述方法评价烧屏、滴痕、工艺适应性和低温下的溶解性，结果显示了非常优异的评价结果。
另外，对于所制作的液晶显示元件，与实施例1同样地进行偏光显微镜观察和电气光学特性
测定，结果显示了优异的评价结果。

(实施例16(液晶组合物16))

调制以具有与液晶组合物15同等的T_NI、同等的Δn的值和同等的Δε的值的方式设
计的具有以下所示组成的液晶组合物(液晶组合物16)，测定其物性值。将该结果示于下表。
使用液晶组合物16，与实施例1同样地制作FFS模式的液晶显示元件，进行烧屏、滴痕、工艺
适应性和低温下的溶解性的评价，将结果示于同一表中。

[表18]

可知：液晶组合物16具有作为TV用液晶组合物实用的液晶相温度范围，具有大的
介电常数各向异性的绝对值，具有低的粘性和最适的Δn。使用液晶组合物16制作与实施例
1同样的FFS模式的液晶显示元件，通过前述方法评价烧屏、滴痕、工艺适应性和低温下的溶
解性，结果显示了优异的评价结果。另外，对于所制作的液晶显示元件，与实施例1同样地进
行偏光显微镜观察和电气光学特性测定，结果显示了优异的评价结果。

(实施例17(液晶组合物17))

调制以具有与液晶组合物15、16同等的T_NI、同等的Δn的值和同等的Δε的值的方
式设计的具有以下所示组成的液晶组合物(液晶组合物17)，测定其物性值。将该结果示于
下表。使用液晶组合物17，与实施例1同样地制作FFS模式的液晶显示元件，进行烧屏、滴痕、
工艺适应性和低温下的溶解性的评价，将结果示于同一表中。

[表19]

可知：液晶组合物17具有作为TV用液晶组合物实用的T_NI，具有大的Δε的绝对值，
具有低的η和最适的Δn。使用液晶组合物17制作与实施例1同样的FFS模式的液晶显示元
件，通过前述方法评价烧屏、滴痕、工艺适应性和低温下的溶解性，结果显示了优异的评价
结果。另外，对于所制作的液晶显示元件，与实施例1同样地进行偏光显微镜观察和电气光
学特性测定，结果显示了优异的评价结果。

(比较例7～9)

使用液晶组合物15～17，与比较例1～3同样地制作VA模式的液晶显示元件。

对于实施例15～17中分别制作的FFS模式的液晶显示元件和比较例7～9中分别制
作的VA模式的液晶显示元件，进行透射率、对比度、响应速度的比较。以下显示其结果。

[表20]

使用液晶组合物15～17制作的FFS模式的显示元件(实施例15～17)与使用分别相
同的液晶组合物制作的VA模式的液晶显示元件(比较例7～9)相比，显示了最高透射率、对
比度和响应速度均优异的特性。

液晶分子相对于基板平行地取向且产生边缘电场的FFS模式的液晶显示元件中，
要求与液晶分子相对于基板垂直地取向且垂直地产生电场的VA模式的液晶显示元件不同
的液晶的基本特性。液晶组合物15～17通过含有本申请必须成分，从而在不损害作为液晶
显示元件的基本特性的情况下实现了作为FFS模式的大特征的透射率提高。另一方面，由于
FFS模式的这些差异，使得对于烧屏、滴痕这样的效果，难以从以往的知识中预测。本发明的
液晶显示元件中，对于这些方面，也显示了良好的特性。

(实施例18(液晶组合物18))

调制以具有与组合物15～17同等的T_NI、同等的Δn的值和同等的Δε的值的方式设
计的具有以下所示组成的液晶组合物(液晶组合物18)，测定其物性值。将该结果示于下表。

[表21]

可知：液晶组合物18具有作为TV用液晶组合物实用的T_NI，具有大的Δε的绝对值，
具有低的η和最适的Δn。使用液晶组合物18制作FFS模式的液晶显示元件，结果显示了与实
施例15～17同等优异的显示特性。另外，对于所制作的液晶显示元件，与实施例1同样地进
行偏光显微镜观察和电气光学特性测定，结果显示了优异的评价结果。

(实施例19(液晶组合物19))

调制以具有与液晶组合物15～18同等的T_NI、同等的Δn的值和同等的Δε的值的方
式设计的具有以下所示组成的液晶组合物(液晶组合物19)，测定其物性值。将该结果示于
下表。

[表22]

可知：液晶组合物19具有作为TV用液晶组合物实用的T_NI，具有大的Δε的绝对值，
具有低的η和最适的Δn。使用液晶组合物19制作FFS模式的液晶显示元件，结果显示了与实
施例15～17同等优异的显示特性。另外，对于所制作的液晶显示元件，与实施例1同样地进
行偏光显微镜观察和电气光学特性测定，结果显示了优异的评价结果。

(实施例20(液晶组合物20))

调制以具有与液晶组合物15～19同等的T_NI、同等的Δn的值和同等的Δε的值的方
式设计的具有以下所示组成的液晶组合物(液晶组合物20)，测定其物性值。将该结果示于
下表。

[表23]

可知：液晶组合物20具有作为TV用液晶组合物实用的T_NI，具有大的Δε的绝对值，
具有低的η和最适的Δn。使用液晶组合物20制作FFS模式的液晶显示元件，结果显示了与实
施例15～17同等优异的显示特性。另外，对于所制作的液晶显示元件，与实施例1同样地进
行偏光显微镜观察和电气光学特性测定，结果显示了优异的评价结果。

(实施例21(液晶组合物21))

调制以具有与液晶组合物15～20同等的T_NI、同等的Δn的值和同等的Δε的值的方
式设计的具有以下所示组成的液晶组合物(液晶组合物21)，测定其物性值。将该结果示于
下表。使用液晶组合物21，与实施例1同样地制作FFS模式的液晶显示元件，进行烧屏、滴痕、
工艺适应性和低温下的溶解性的评价，将结果示于同一表中。

[表24]

可知：液晶组合物21具有作为TV用液晶组合物实用的T_NI，具有大的Δε的绝对值，
具有低的η和最适的Δn。使用液晶组合物21制作与实施例1同样的FFS模式的液晶显示元
件，通过前述方法评价烧屏、滴痕、工艺适应性和低温下的溶解性，结果显示了优异的评价
结果。另外，对于所制作的液晶显示元件，与实施例1同样地进行偏光显微镜观察和电气光
学特性测定，结果显示了优异的评价结果。

(实施例22(液晶组合物22))

调制以具有与液晶组合物15～21同等的T_NI、同等的Δn的值和同等的Δε的值的方
式设计的具有以下所示组成的液晶组合物(液晶组合物22)，测定其物性值。将该结果示于
下表。使用液晶组合物22，与实施例1同样地制作FFS模式的液晶显示元件，进行烧屏、滴痕、
工艺适应性和低温下的溶解性的评价，将结果示于同一表中。

[表25]

可知：液晶组合物22具有作为TV用液晶组合物实用的T_NI，具有大的Δε的绝对值，
具有低的η和最适的Δn。使用液晶组合物22制作与实施例1同样的FFS模式的液晶显示元
件，通过前述方法评价烧屏、滴痕、工艺适应性和低温下的溶解性，结果显示了优异的评价
结果。另外，对于所制作的液晶显示元件，与实施例1同样地进行偏光显微镜观察和电气光
学特性测定，结果显示了优异的评价结果。

(实施例23(液晶组成23))

调制以具有与液晶组合物15～22同等的T_NI、同等的Δn的值和同等的Δε的值的方
式设计的具有以下所示组成的液晶组合物(液晶组合物23)，测定其物性值。将该结果示于
下表。

[表26]

可知：液晶组合物23具有作为TV用液晶组合物实用的T_NI，具有大的Δε的绝对值，
具有低的η和最适的Δn。使用液晶组合物23制作与实施例1同样的FFS模式的液晶显示元
件，通过前述方法评价烧屏、滴痕、工艺适应性和低温下的溶解性，结果显示了优异的评价
结果。另外，对于所制作的液晶显示元件，与实施例1同样地进行偏光显微镜观察和电气光
学特性测定，结果显示了优异的评价结果。

(比较例10～12)

使用液晶组合物21～23，制作与比较例1～3同样的VA模式的液晶显示元件。

对于实施例21～23中分别制作的FFS模式的液晶显示元件和比较例10～12中分别
制作的VA模式的液晶显示元件，进行透射率、对比度、响应速度的比较。以下显示其结果。

[表27]

使用液晶组合物21～23制作的FFS模式的显示元件(实施例21～23)与使用分别相
同的液晶组合物制作的VA模式的液晶显示元件(比较例10～12)相比，显示了最高透射率、
对比度和响应速度均优异的特性。

(实施例24(液晶组合物24))

调制以具有与液晶组合物15～23同等的T_NI、同等的Δn的值和同等的Δε的值的方
式设计的具有以下所示组成的液晶组合物(液晶组合物24)，测定其物性值。将该结果示于
下表。

[表28]

可知：液晶组合物24具有作为TV用液晶组合物实用的T_NI，具有大的Δε的绝对值，
具有低的η和最适的Δn。使用液晶组合物24制作FFS模式的液晶显示元件，通过前述方法评
价烧屏、滴痕、工艺适应性和低温下的溶解性，结果显示了优异的评价结果。另外，对于所制
作的液晶显示元件，与实施例1同样地进行偏光显微镜观察和电气光学特性测定，结果显示
了优异的评价结果。

(实施例25(液晶组合物25))

调制以具有与液晶组合物15～24同等的T_NI、同等的Δn的值和同等的Δε的值的方
式设计的具有以下所示组成的液晶组合物，测定其物性值。将该结果示于下表。

[表29]

可知：液晶组合物25具有作为TV用液晶组合物实用的T_NI，具有大的Δε的绝对值，
具有低的η和最适的Δn。使用液晶组合物25制作FFS模式的液晶显示元件，通过前述方法评
价烧屏、滴痕、工艺适应性和低温下的溶解性，结果显示了优异的评价结果。另外，对于所制
作的液晶显示元件，与实施例1同样地进行偏光显微镜观察和电气光学特性测定，结果显示
了优异的评价结果。

(实施例26(液晶组合物26))

调制以具有与液晶组合物15～25同等的T_NI、同等的Δn的值和同等的Δε的值的方
式设计的具有以下所示组成的液晶组合物(液晶组合物26)，测定其物性值。将该结果示于
下表。

[表30]

可知：液晶组合物26具有作为TV用液晶组合物实用的T_NI，具有大的Δε的绝对值，
具有低的η和最适的Δn。使用液晶组合物26制作FFS模式的液晶显示元件，通过前述方法评
价烧屏、滴痕、工艺适应性和低温下的溶解性，结果显示了优异的评价结果。另外，对于所制
作的液晶显示元件，与实施例1同样地进行偏光显微镜观察和电气光学特性测定，结果显示
了优异的评价结果。

(实施例27～35(液晶组合物27～35))

调制具有以下所示组成的液晶组合物(液晶组合物27～35)，测定其物性值。将该
结果示于下表。使用液晶组合物27～35，与实施例1同样地制作FFS模式的液晶显示元件，进
行烧屏、滴痕、工艺适应性和低温下的溶解性的评价，将结果示于同一表中。

[化74]

可知：液晶组合物27～35具有作为TV用液晶组合物实用范围的T_NI，具有大的Δε的
绝对值，具有低的η和最适的Δn。使用液晶组合物27～35制作FFS模式的液晶显示元件，通
过前述方法，评价电压保持率、烧屏、滴痕、工艺适应性和低温下的溶解性，结果显示了非常
优异的评价结果。另外，对于所制作的液晶显示元件，与实施例1同样地进行偏光显微镜观
察和电气光学特性测定，结果显示了优异的评价结果。

(比较例13～21)

使用液晶组合物27～35，制作与比较例1～3同样的VA模式的液晶显示元件。

对于实施例27～35中分别制作的FFS模式的液晶显示元件和比较例13～21中分别
制作的VA模式的液晶显示元件，进行透射率、对比度、响应速度的比较。以下显示其结果。

[表31]

[表32]

(实施例36～41(液晶组合物36～41))

调制以具有与液晶组合物27～35同等的T_NI、同等的Δn的值和同等的Δε的值的方
式设计的具有以下所示组成的液晶组合物(液晶组合物36～41)，测定其物性值。将该结果
示于下表。使用液晶组合物36～41，与实施例1同样地制作FFS模式的液晶显示元件，进行烧
屏、滴痕、工艺适应性和低温下的溶解性的评价，将结果示于同一表中。

[表33]

可知：液晶组合物36～41具有作为TV用液晶组合物实用的T_NI，具有大的Δε的绝对
值，具有低的η和最适的Δn。使用液晶组合物36～41制作与实施例1同样的FFS模式的液晶
显示元件，通过前述方法评价电压保持率、烧屏、滴痕、工艺适应性和低温下的溶解性，结果
显示了作为TV用液晶组合物实用的评价结果。另外，对于所制作的液晶显示元件，与实施例
1同样地进行偏光显微镜观察和电气光学特性测定，结果显示了优异的评价结果。

(比较例22～27)

使用液晶组合物36～41，制作与比较例1同样的VA模式的液晶显示元件。

对于实施例36～41中分别制作的FFS模式的液晶显示元件和比较例22～27中制作
的VA模式的液晶显示元件，进行透射率、对比度、响应速度的比较。以下显示其结果。

[表34]

[表35]

使用液晶组合物36～41制作的FFS模式的显示元件(实施例36～41)与使用相同的
液晶组合物制作的VA模式的液晶显示元件(比较例22～27)相比，显示了最高透射率、对比
度和响应速度均优异的特性。

(实施例42～49(液晶组合物42～49))

调制具有以下所示组成的液晶组合物(液晶组合物42～49)，测定其物性值。将该
结果示于下表。使用液晶组合物42～49，与实施例1同样地制作FFS模式的液晶显示元件，进
行烧屏、滴痕、工艺适应性和低温下的溶解性的评价，将结果示于同一表中。

[表36]

可知：液晶组合物42～49具有作为TV用液晶组合物实用范围的T_NI，具有大的Δε的
绝对值，具有低的η和最适的Δn。使用液晶组合物42～49制作FFS模式的液晶显示元件，通
过前述方法评价电压保持率、烧屏、滴痕、工艺适应性和低温下的溶解性，结果显示了非常
优异的评价结果。另外，对于所制作的液晶显示元件，与实施例1同样地进行偏光显微镜观
察和电气光学特性测定，结果显示了优异的评价结果。

(比较例28～35)

使用液晶组合物42～49，制作与比较例1～3同样的VA模式的液晶显示元件。

对于实施例42～49中分别制作的FFS模式的液晶显示元件和比较例28～35中分别
制作的VA模式的液晶显示元件，进行透射率、对比度、响应速度的比较。以下显示其结果。

[表37]

[表38]

使用液晶组合物42～49制作的FFS模式的显示元件(实施例42～49)与使用相同的
液晶组合物制作的VA模式的液晶显示元件(比较例28～35)相比，显示了最高透射率、对比
度和响应速度均优异的特性。

符号说明

1、8 偏光板

2 第一基板

3 第一电极层

4 取向膜

5 液晶层

6 滤色器

7 第二电极层

8 第二基板

11 栅电极

12 栅极绝缘膜

13 半导体层

14 绝缘层

15 欧姆接触层

16 漏电极

17 源电极

18 绝缘保护层

21 像素电极

22 共用电极

23 储能电容器

25 数据总线

27 源极总线

29 共用线