静电电容输入装置以及具有输入装置的电光设备 技术领域 本发明涉及用于根据连接到输入位置检测电极的静电电容的变化来检测输入位 置的静电电容输入装置， 以及配备有静电电容输入装置的输入装置的电光设备。
背景技术 诸如移动电话、 汽车导航仪、 个人计算机、 售票机和银行终端的一些电子设备例如 在液晶装置表面上结合有称作触摸面板的输入装置， 从而当使用者观看显示在液晶装置的 图像显示区域上的图像时可以输入信息。静电电容输入装置属于这种类型的输入装置， 并 可以监测连接到多个输入位置检测电极的每个的静电电容。因此， 当手指接近多个输入位 置检测电极中的一个时， 连接到该被讨论的电极的静电电容以形成在电极和手指间的静电 电容的量增加， 从而使得可以识别该被讨论的电极。
因为这样的静电电容输入装置检测耦接到输入位置检测电极的电容的变化， 所以 它容易受到电磁噪声的影响。出于这样的原因， 已经提出了在与静电电容输入装置的输入
操作侧相反的侧的整个表面上提供屏蔽电极 ( 见 JP-T-2003-511799， 在下文称为专利文件 1)。 发明内容
然而， 专利文件 1 中描述的屏蔽结构的问题在于， 它不能遮蔽试图从输入操作侧 进入静电电容输入装置的电磁噪声。
鉴于以上情况， 所希望的是提供不易受到试图从输入操作侧进入静电电容输入装 置的电磁噪声影响的静电电容输入装置以及配备有该静电电容输入装置的输入装置的电 光设备。
为了解决上述问题， 根据本发明实施例的静电电容输入装置的特征在于其包括输 入区域、 多条配线和屏蔽电极。多个输入位置检测电极提供在基板的输入区域中。多条配 线电连接到多个输入位置检测电极并在基板的输入区域之外延伸。 屏蔽电极在输入操作侧 与配线重叠。
本发明打破了屏蔽电极不能提供在静电电容输入装置的输入操作侧的现有观念。 因此， 配线的屏蔽电极提供在输入操作侧， 该配线提供在输入区域之外。 这遮蔽了试图从输 入操作侧进入配线的电磁噪声， 因此确保了不受试图从输入操作侧进入的电磁波的影响。 因此， 根据本发明实施例的静电电容输入装置不可能因电磁噪声而失灵。屏蔽电极不提供 在输入操作侧的输入区域中， 因此基于静电电容的输入位置检测不会受到干扰。
在本发明中， 屏蔽电极优选提供为沿着基板的整个外周边缘。该构造更加可靠地 遮蔽了来自输入操作侧的电磁波。
在本发明中， 第一导电膜、 层间绝缘膜和第二导电膜优选从基板侧开始依次形成 在基板上。在第一导电膜和第二导电膜中， 该两个导电膜中的至少一个优选用于形成输入 位置检测电极。在第一导电膜和第二导电膜中， 在输入操作侧的相反侧的导电膜优选用于形成配线。 在第一导电膜和第二导电膜中， 输入操作侧的导电膜优选用于形成屏蔽电极。 该 构造允许用形成在基板上的导电膜来形成屏蔽电极， 因此不需要在外部提供屏蔽电极。
在本发明中， 在第一导电膜和第二导电膜中， 在输入操作侧的相反侧的导电膜在 基板上优选用于在配线的外周侧形成屏蔽辅助电极。 屏蔽辅助电极和屏蔽电极优选在没有 形成层间绝缘膜的区域中重叠且电连接在一起。该构造提供了屏蔽电极的实质降低的电 阻。此外， 该构造抑制了试图从周围环境进入配线的电磁噪声。
在本发明中， 屏蔽辅助电极优选形成为沿着基板的所有边， 并且屏蔽辅助电极和 屏蔽电极优选沿着屏蔽辅助电极的整个纵向方向重叠且电连接在一起。 该构造提供了屏蔽 电极的实质降低的电阻。此外， 该构造更加可靠地抑制了试图从周围环境进入配线的电磁 噪声。
在本发明中， 在第一导电膜和第二导电膜中， 该两个导电膜中的至少一个优选用 于在基板的输入区域之外提供第一安装端子和第二安装端子。 第一安装端子优选连接到配 线， 第二安装端子连接到屏蔽电极。该构造允许例如通过以第一安装端子连接到基板的柔 性配线板来从外部给屏蔽电极施加电势， 因此使得容易施加电势给屏蔽电极。 此外， 该构造 允许公用的柔性配线板连接到第一安装端子和第二安装端子。
在本发明中， 在第一导电膜和第二导电膜中， 该两个导电膜中的至少一个优选用 于在基板上提供多个第一输入位置检测电极和多个第二输入位置检测电极以作为输入位 置检测电极。第一输入位置检测电极在基板的平面内沿第一方向延伸。第二输入位置检测 电极在基板的平面内沿与第一方向交叉的第二方向延伸。连接部分、 中断部分和中继电极 优选提供在第一输入位置检测电极和第二输入位置检测电极间的每个交叉部分处。 连接部 分使第一输入位置检测电极和第二输入位置检测电极中的一方连续并包括第一导电膜和 第二导电膜中的一个。 中断部分是使第一输入位置检测电极和第二输入位置检测电极中的 另一方中断的部分。中继电极隔着层间绝缘膜与连接部分重叠， 以电连接第一输入位置检 测电极和第二输入位置检测电极中的另一方的中断部分。 中继电极包括第一导电膜和第二 导电膜中的另一个。
在本发明中， 第一导电膜、 层间绝缘膜和第二导电膜可以形成在基板的输入操作 侧的基板表面上。配线可以用第一导电膜形成， 并且屏蔽电极可以用第二导电膜形成。
在本发明中， 第一导电膜、 层间绝缘膜和第二导电膜可以形成在输入操作侧的相 反侧的基板表面上。配线可以用第二导电膜形成， 并且屏蔽电极可以用第一导电膜形成。
在本发明中， 与施加给输入位置检测电极的位置检测信号具有相同波形和相位的信 号优选施加给屏蔽电极。该构造保证了在屏蔽电极和输入位置检测电极之间没有寄生电容。
应用本发明的静电电容输入装置被用于构成配备有输入装置的电光设备。 在配备 有输入装置的电光设备中， 用于产生图像的电光面板形成在相对于基板的输入操作侧的相 反侧。
配备有应用本发明的输入装置的电光设备例如用于移动电话、 汽车导航仪、 个人 计算机、 售票机和银行终端。 附图说明
图 1A 至 1C 是应用本发明实施例的静电电容输入装置的示意图 ；图 2A 和 2B 是示意性地图解配备有应用本发明实施例的输入装置的电光设备的截 面构造的示意图 ；
图 3A 至 3D 是示意性地图解根据本发明实施例 1 的静电电容输入装置的二维构造 的示意图 ；
图 4 是以放大的方式图解在根据本发明实施例 1 的静电电容输入装置的基板上形 成的电极和其它部件的二维构造的示意图 ；
图 5A 至 5C 是图解根据本发明实施例 1 的静电电容输入装置的基板的截面构造的 示意图 ；
图 6A 至 6C 是图解在根据本发明实施例 1 的静电电容输入装置的基板上形成的配 线的构造的示意图 ；
图 7A 至 7D 是示意性地图解根据本发明实施例 2 的静电电容输入装置的二维构造 的示意图 ；
图 8 是以放大的方式图解在根据本发明实施例 2 的静电电容输入装置的基板上形 成的电极和其它部件的二维构造的示意图 ；
图 9A 至 9C 是示意性地图解根据本发明实施例 2 的静电电容输入装置的基板的截 面构造的示意图 ； 图 10A 至 10D 是示意性地图解根据本发明实施例 3 的静电电容输入装置的二维构 造的示意图 ；
图 11 是以放大的方式图解在根据本发明实施例 3 的静电电容输入装置的基板上 形成的电极和其它部件的二维构造的示意图 ；
图 12A 至 12C 是示意性地图解根据本发明实施例 3 的静电电容输入装置的基板的 截面构造的示意图 ；
图 13A 至 13D 是示意性地图解根据本发明实施例 4 的静电电容输入装置的二维构 造的示意图 ；
图 14 是以放大的方式图解在根据本发明实施例 4 的静电电容输入装置的基板上 形成的电极和其它部件的二维构造的示意图 ；
图 15A 至 15C 是图解根据本发明实施例 4 的静电电容输入装置的截面构造的示意 图；
图 16A 至 16D 是示意性地图解根据本发明实施例 5 的静电电容输入装置的二维构 造的示意图 ；
图 17 是以放大的方式图解在根据本发明实施例 5 的静电电容输入装置的基板上 形成的电极和其它部件的二维构造的示意图 ；
图 18A 至 18C 是示意性地图解根据本发明实施例 5 的静电电容输入装置的基板的 截面构造的示意图 ； 以及
图 19A 至 19C 是具有应用本发明实施例的静电电容输入装置的电子设备的示意 图。
具体实施方式
下面， 将参考附图描述本发明的优选实施例。 应当注意的是， 在下面给出的描述所参考的附图中， 层和构件以不同的比例绘制， 以使它们以可识别的尺寸示出。 首选将描述所 有实施例相同的基本构造。然后， 进行每个实施例的详细描述。
[ 基本构造 ]
( 配备有输入装置的电光设备的总体构造 )
图 1A 至 1C 是应用本发明的静电电容输入装置的示意图。 图 1A 是示意性地图解配 备有根据本发明实施例的静电电容输入装置的输入装置的电光设备的总体构造的示意图。 图 1B 是示意性地图解静电电容输入装置的电学构造的示意图。图 1C 是供应到静电电容输 入装置的电势的示意图。图 2A 和 2B 是示意性地图解配备有应用本发明的输入装置的电光 设备的截面构造的示意图。图 2A 是在基板的输入操作侧的第一表面上提供输入位置检测 电极的构造示例的示意图。图 2B 是在与基板输入操作侧相反的侧的第二表面上提供输入 位置检测电极的构造示例的示意图。
在图 1A 中， 根据本实施例的配备有输入装置的电光设备 100 通常包括图像产生装 置 5 和静电电容输入装置 1。图像产生装置 5 例如由液晶装置制成。静电电容输入装置 1 堆叠在图像产生装置 5 的显示光发射侧的表面上。 静电电容输入装置 1 包括输入面板 2( 触 摸面板 )。图像产生装置 5 包括用作电光面板 5a( 显示面板 ) 的液晶面板。在本实施例中， 输入面板 2 和电光面板 5a 二者在平面图中都是矩形。静电电容输入装置 1 和配备有输入 装置的电光设备 100 在平面图中看时中央区域为输入区域 2a。另一方面， 装置 5 和 100 在 平面图中看时与输入区域 2a 重叠的区域为图像形成区域。柔性配线板 35 在边缘部分 20e 侧连接到输入面板 2。柔性配线板 73 在边缘部分 20e 侧连接到电光面板 5a。 如图 1B 所示， 用于检测输入面板 2 上的输入操作的控制 IC 10 经由柔性配线板 35 电连接到静电电容输入装置 1。稍后参考图 1C 描述的电势从 IC10 被供应到输入面板 2。
在图 1A、 2A 和 2B 中， 图像产生装置 5 是透射式或半透射式的主动矩阵液晶显示装 置。背光装置 ( 未示出 ) 提供在与提供有输入面板 2 的侧相反的一侧 ( 背光装置 ( 未示 出 ) 提供在与显示光发射侧相反的一侧 )。背光装置包括透光光导板和光源。透光光导板 提供在电光面板 5a 的与提供有静电电容输入装置 1 的侧相反的一侧。光源包括 LED， 用于 朝着光导板的侧边缘部分发射白光。从光源发射的光从光导板的侧边缘部分进入光导板， 并在传播通过光导板的同时朝着电光面板 5a 发射。片形式的光学构件如散光片或棱镜片 可以设置在光导板和电光面板 5a 之间。
在图像产生装置 5 中， 第一偏光片 81 堆叠在电光面板 5a 的显示光发射侧， 并且第 二偏光片 82 堆叠在电光面板 5a 的与显示光发射侧相反的侧。因此， 静电电容输入装置 1 被诸如丙烯酸树脂基粘合剂的透光粘合剂 ( 未示出 ) 粘附到第一偏光片 81。电光面板 5a 包括透光元件基板 50 和透光对向基板 60。透光元件基板 50 提供在显示光发射侧。对向基 板 60 提供为与元件基板 50 相对。元件基板 50 和对向基板 60 用矩形框形式的密封材料 71 接合在一起。液晶层 55 容纳在对向基板 60 和元件基板 50 之间由密封材料 71 围绕的区域 中。多个像素电极 58 形成在元件基板 50 的与对向基板 60 相对的表面上。像素电极 58 用 诸如 ITO( 氧化铟锡 ) 膜的透光导电膜形成。公共电极 68 形成在对向基板 60 的与元件基 板 50 相对的表面上。公共电极 68 用诸如 ITO( 氧化铟锡 ) 膜的透光导电膜形成。应当注 意的是， 如果图像产生装置 5 是 IPS( 平面内切换 ) 或 FFS( 边缘场切换 ) 装置， 则公共电极 68 提供在元件基板 50 上。另一方面， 元件基板 50 可以提供在显示光发射侧。在元件基板
50 中， 驱动 IC 75COG- 安装于在对向基板 60 的边缘上伸出的伸出部分 59。此外， 柔性配线 板 73 连接到伸出部分 59。应当注意的是， 驱动电路可以与元件基板 50 上的开关元件同时 形成在元件基板 50 上。
在配备有如上所述构造的输入装置的电光设备 100 中， 例如由 ITO 膜制成的透光 导电层 99( 在图 1A 至 1C 中未示出， 参见图 2A 和 2B) 提供在电光面板 5a 和输入面板 2 之 间。导电层 99 防止从电光面板 5a 发射的电磁噪声进入输入面板 2。
( 输入装置 1 的详细构造 )
在图 2A 和 2B 所示的静电电容输入装置 1 中， 输入面板 2 包括例如由玻璃或塑料 板制成的透光基板 20。在本实施例中， 玻璃基板用作基板 20。应当注意的是， 当基板 20 包 括塑料材料时， 由 PET( 聚对苯二甲酸乙二醇酯 )、 PC( 聚碳酸酯 )、 PES( 聚醚砜 )、 PI( 聚酰 亚胺 ) 或诸如聚降冰片烯的环烯树脂制成的耐热透光片可以用作塑料材料。下面的描述假 设基板 20 在输入操作侧的表面是第一表面 20a， 在与输入操作侧相反的一侧的表面是第二 表面 20b。
在图 2A 和 2B 所示两个示例中的图 2A 所示的静电电容输入装置 1 的构造示例中， 第一导电膜 4a、 层间绝缘膜 214 和第二导电膜 4b 从基板 20 开始依次形成在基板 20 的第一 表面 20a 上。输入位置检测电极 21 用第一导电膜 4a 和第二导电膜 4b 中的至少一个形成。 柔性配线板 35 在基板 20 的边缘部分 20e 连接到第一表面 20a。透光绝缘盖 90 例如用粘合 剂 90e 粘合到基板 20 的第一表面 20a。绝缘遮光层 90a 印刷在盖 90 的与基板 20 的第一表 面 20a 上的外围区域 2b 重叠的区域中。输入区域 2a 由遮光层 90a 围绕。遮光层 90a 与电 光面板 5a 的外围区域重叠， 从而遮蔽从图像产生部分 5 的光源以及光导的边缘部分泄漏的 光。 另一方面， 透光导电层 99 大致形成在基板 20 的整个第二表面 20b 上， 以防止从电 光面板 5a 发射的电磁噪声进入输入面板 2。柔性配线板 35 的配线 35a 连接到导电层 99， 因此使得稍后描述的屏蔽电势经由柔性配线板 35 施加给导电层 99。
在图 2B 所示的构造示例中， 第一导电膜 4a、 层间绝缘膜 214 和第二导电膜 4b 从 基板 20 开始依次形成在基板 20 的第二表面 20a 上， 如稍后所详细描述的。在第一导电膜 4a 和第二导电膜 4b 中， 两个膜的至少一个用于形成输入位置检测电极 21。在这样的构造 中， 柔性配线板 35 在基板 20 的边缘部分 20e 连接到第二表面 20b。在本实施例中， 透光绝 缘盖 90 例如也用粘合剂 90e 粘合到基板 20 的第一表面 20a。绝缘遮光层 90a 印刷在盖 90 的与基板 20 的第一表面 20a 上的外围区域 2b 重叠的区域中。
另一方面， 透光导电层 99 大致形成在元件基板 50 的在输入面板 2 侧的整个表面 上， 以防止从电光面板 5a 发射的电磁噪声进入输入面板 2。柔性配线板 35 的配线 35a 连接 到导电层 99， 因此使得稍后描述的屏蔽电势经由柔性配线板 35 施加给导电层 99。
下面将描述如实施例 1、 2 和 3 的示例， 其中本发明应用于在基板 20 的第一表面 20a 上形成第一导电膜 4a、 层间绝缘膜 214 和第二导电膜 4b 的实施例 ( 图 2A 所示的实施 例 )。另一方面， 下面将描述如实施例 4 和 5 的示例， 其中本发明应用于在基板 20 的第二表 面 20b 上形成第一导电膜 4a、 层间绝缘膜 214 和第二导电膜 4b 的实施例 ( 图 2B 所示的实 施例 )。
[ 实施例 1]
下面将参考图 2A 以及图 3A 至 6C 描述静电电容输入装置 1 的类型。图 3A 至 3D 是 示意性地图解根据本发明实施例 1 的静电电容输入装置 1 的二维构造的示意图。图 3A 是 图解在静电电容输入装置 1 的基板 20 上形成的电极和其它部件之间的二维位置关系的示 意图。图 3B 是图解在基板 20 上形成的第一导电膜 4a 的二维构造的示意图。图 3C 是图解 在基板 20 上形成的层间绝缘膜 214 的二维构造的示意图。图 3D 是图解在基板 20 上形成 的第二导电膜 4b 的二维构造的示意图。图 3A 以重叠方式图解了图 3B、 3C 和 3D 示出的元 件。
图 4 是以放大方式图解在根据本发明实施例 1 的静电电容输入装置 1 的基板 20 上 形成的电极和其它部件的二维构造的示意图。图 5A 至 5C 是图解根据本发明实施例 1 的静 电电容输入装置 1 的基板 20 的截面构造的示意图。图 5A、 5B 和 5C 是分别沿着图 4 所示的 线 A1-A1’ 、 线 B1-B1’ 和线 C1-C1’ 剖取的基板 20 的截面图。图 6A 至 6C 是图解在根据本发 明实施例 1 的静电电容输入装置 1 的基板 20 上形成的配线的构造的示意图。图 6A、 6B 和 6C 分别为配线的平面图和沿着线 E-E’ 和线 F-F’ 剖取的配线的截面图。
应当注意的是， 在图 3A、 3B、 3D 和 4 中， 第一导电膜 4a 用向右上方倾斜的斜线来阴 影表示， 并且第二导电膜 4b 用向右下方倾斜的斜线来阴影表示。在图 3C 中， 层间绝缘膜 214 用多个点来阴影表示。在图 3B、 3C、 3D 和 4 中， 输入区域 2a 的拐角用字母 L 形式的标记 示出。应当注意的是， 这些对于稍后描述实施例 2 至 5 所参考的附图也适用。
如图 3A 至 5C 所示， 第一导电膜 4a、 层间绝缘膜 214 和第二导电膜 4b 从基板 20 开 始依次形成在基板 20 的第一表面 20a 上。在本实施例中， 第一导电膜 4a 和第二导电膜 4b 由厚度为 10 至 40nm 的诸如 ITO 或 IZO( 氧化铟锌 ) 膜的透光导电膜制成。层间绝缘膜 214 由厚度为 40 至 60nm 的诸如氧化硅膜的透光绝缘膜制成。在本实施例中， 例如由氧化硅膜 制成的透光下保护膜 217 形成在基板 20 的整个第一表面 20a 上。第一导电膜 4a、 层间绝缘 膜 214 和第二导电膜 4b 依次形成在透光下保护膜 217 上。另一方面， 如参考图 2A 所描述 的， 透光导电层 99 大致形成在基板 20 的整个第二表面 20b 上， 以防止从电光面板 5a 发射 的电磁噪声进入输入面板 2( 参见图 5A 至 5C)。
如图 3B 所示， 首先第一导电膜 4a 在输入区域 2a 中形成为多个矩形区域。这些矩 形区域构成输入位置检测电极 21( 第一输入位置检测电极 211 和第二输入位置检测电极 212 的焊垫部分 211a 和 212a( 大面积部分 ))。焊垫部分 211a 和 212a 交替地设置在 X 方向 和 Y 方向上。在多个焊垫部分 211a 中， 彼此对角相邻的焊垫部分 211a 通过连接部分 211c 部分地连接在一起。在多个焊垫部分 212a 中， 彼此对角相邻的焊垫部分 212a 也由连接部 分 211c 部分地连接在一起。此外， 随着配线 27 从输入位置检测电极 21 延伸， 第一导电膜 4a 形成在输入区域 2a 的外侧区域 2b 中。第一导电膜 4a 也形成在靠近边缘部分 20e 的与 第一安装端子 24a 和第二安装端子 24b 重叠的区域中。
如图 3C 所示， 层间绝缘膜 214 形成在整个输入区域 2a 上。此外， 膜 214 形成在基 板 20 的除外周边缘之外的大区域上。此外， 接触孔 214a 形成在层间绝缘膜 214 中， 其中每 组包含四个接触孔 214a。这里， 层间绝缘膜 214 的外周边缘与基板 20 的边缘部分 20e 之间 的间隙宽于层间绝缘膜 214 的外周边缘与其它边缘部分 20f、 20g 和 21h 之间的间隙， 因此 保证了形成第一安装端子 24a 和第二安装端子 24b 的空间。
如图 3D 所示， 第二导电膜 4b 在输入区域 2a 的与图 3C 所示的接触孔 214a 重叠的区域中形成为中继电极 (relay electrode)215。此外， 膜 4b 以完全围绕输入区域 2a 的矩 形框形式在输入区域 2a 的外侧区域 2b 中形成为屏蔽电极 28。此外， 膜 4b 形成在靠近边缘 部分 20e 的与第一安装端子 24a 和第二安装端子 24b 重叠的区域中。
当如上构造的第一导电膜 4a、 层间绝缘膜 214 和第二导电膜 4b 依次堆叠时， 基板 20 构造为如图 3A、 4 和 5A 至 5C 所示。在平面上看时， 基板 20 具有形成在输入区域 2a 中的 多个输入位置检测电极 21。 在本实施例中， 输入位置检测电极 21 包括多列第一输入位置检 测电极 211 和第二输入位置检测电极 212。第一输入位置检测电极 211( 图 3A 中由粗实线 示出 ) 延伸在第一方向 ( 箭头 Y 所示的方向 ) 上。第二输入位置检测电极 212( 图 3A 中由 粗点线示出 ) 延伸在第二方向 ( 由箭头 X 示出的方向 ) 上。
在第一导电膜 4a 和第二导电膜 4b 中， 第一导电膜 4a 用于形成输入位置检测电极 21( 第一输入位置检测电极 211 和第二输入位置检测电极 212)。结果， 输入位置检测电极 21 由相同的层制成。因此， 在基板 20 的第一表面 20a 上， 多个交叉部分 218 存在于第一输 入位置检测电极 211 和第二输入位置检测电极 212 之间。在本实施例中， 在第一输入位置 检测电极 211 和第二输入位置检测电极 212 中， 第一输入位置检测电极 211 通过交叉部分 218 处由第一导电膜 4a 制成的连接部分 211c 而在 Y 方向上连接在一起， 从而在 Y 方向上延 伸。相反， 对于第二输入位置检测电极 212， 在交叉部分 218 处形成中断部分 218a。此外， 例如由氧化硅膜制成的层间绝缘膜 214 形成在第一输入位置检测电极 211 和第二输入位置 检测电极 212 的上层中。透光中继电极 215 用在层间绝缘膜 214 的上层中的第二导电膜 4b 形成。电极 215 经由层间绝缘膜 214 的四个接触孔 214a 与在交叉部分 218 中断的第二输 入位置检测电极 212 电连接在一起。结果， 第二输入位置检测电极 212 在 X 方向上电连接 在一起。应当注意的是， 因为中继电极 215 隔着层间绝缘膜 214 与连接部分 211c 重叠， 所 以该电极 215 不可能短路。
如上所述构造的第一输入位置检测电极 211 和第二输入位置检测电极 212 的每 个包括在夹设在交叉部分 218 之间的区域中具有大面积的矩形焊垫部分 211a 或 212a。在 第一输入位置检测电极 211 中， 位于交叉部分 218 处的连接部分 211c 比焊垫部分 211a 和 212a 窄。此外， 中继电极 215 也形成为比焊垫部分 211a 和 212a 窄。
( 配线 27 和屏蔽电极 28 的构造 )
在根据本实施例的静电电容输入装置 1 中， 多条配线 27 在基板 20 的第一表面 20a 上形成在输入区域 2a 的外侧区域 2b 中。该配线 27 的每一个从第一输入位置检测电极 211 和第二输入位置检测电极 212 中的一个延伸到基板 20 的边缘部分 20e。更具体地讲， 连接 到第一输入位置检测电极 211 的配线 27 在基板 20 的输入区域 2a 和边缘部分 20e 之间布 线。另一方面， 连接到第二输入位置检测电极 212 的配线 27 首先在基板 20 的输入区域 2a 和边缘部分 20f 或 20h 之间线性地延伸， 然后在基板 20 的输入区域 2a 和边缘部分 20e 之 间布线。在如上所述构造的配线 27 中， 靠近基板 20 边缘部分 20e 的部分包括第一安装端 子 24a。参考图 1A 至 1C 和图 2 描述的柔性配线板 35 连接到第一安装端子 24a。
另一方面， 屏蔽电极 28 在基板 20 的第一表面 20a 上形成在与输入区域 2a 的外侧 区域 2b 中的配线 27 重叠的区域中。在本实施例中， 在第一导电膜 4a 和第二导电膜 4b 中， 输入操作侧的第二导电膜 4b 用于形成屏蔽电极 28。层间绝缘膜 214 提供在配线 27 和屏蔽 电极 28 之间。在本实施例中， 配线 27 形成在对应于三边的区域中， 即基板 20 的输入区域 2a 和 边缘部分 20e 之间的一个区域、 基板 20 的输入区域 2a 和边缘部分 20f 之间的另一个区域 以及基板 20 的输入区域 2a 和边缘部分 20h 之间的又一个区域。相反， 屏蔽电极 28 以在周 边方向上连接的矩形框架形式形成在对应于四边的区域中， 即基板 20 的输入区域 2a 和边 缘部分 20e 之间的一个区域、 基板 20 的输入区域 2a 和边缘部分 20f 之间的另一个区域、 基 板 20 的输入区域 2a 和边缘部分 20g 之间的又一个区域以及基板 20 的输入区域 2a 和边缘 部分 20h 之间的再一个区域。此外， 屏蔽电极 28 比每条配线 27 宽。因此， 屏蔽电极 28 形 成在大的区域中， 该大的区域包括配线 27 在输入操作侧延伸的区域。此外， 屏蔽电极 28 在 层间绝缘膜 214 的外周边缘伸出。结果， 屏蔽电极 28 覆盖层间绝缘膜 214 的侧部 214e。
另一方面， 在基板 20 的第一表面 20a 上的外围区域 2b 中， 两个第二安装端子 24b 以在两侧夹设布置成列的第一安装端子 24a 的方式形成。第一安装端子 24a 电连接到配线 27， 并且第二安装端子 24b 在设置有第一安装端子 24a 的区域的两侧电连接到屏蔽电极 28。
( 基板 20 的制造方法 )
简要地描述如上所述构造的基板 20 的制造方法， 并同时例如描述第一安装端子 24a 和第二安装端子 24b 的构造。为了形成基板 20， 首先形成构成第一导电膜 4a 的透光 导电膜。然后， 如图 3B 所示， 通过蚀刻图案化该透光导电膜， 由此形成输入位置检测电极 21( 第一输入位置检测电极 211 和第二输入位置检测电极 212) 和配线 27。 接下来， 形成层间绝缘膜 214。然后， 如图 3C 所示， 通过蚀刻图案化该膜 214， 由此 形成接触孔 214a。此时， 从基板 20 的边缘部分去除层间绝缘膜 214。
接下来， 形成构成第二导电膜 4b 的透光导电膜。 然后， 如图 3D 所示， 通过蚀刻来图 案化该膜， 由此形成中继电极 215 和屏蔽电极 28。此时， 屏蔽电极 28 以从层间绝缘膜 214 的外周边缘伸出的方式形成。结果， 屏蔽电极 28 覆盖层间绝缘膜 214 的侧部 214e。应当注 意的是， 在本实施例中， 透光顶涂层 219 形成在第二导电膜 4b 的顶部上。顶涂层 219 例如 由树脂成分或氧化硅制成并且通过涂敷并硬化液体成分而形成。
在本实施例中， 第一安装端子 24a 和第二安装端子 24b 在上面的步骤中同时形成。 就是说， 当输入位置检测电极 21 和配线 27 由第一导电膜 4a 形成时， 该膜 4a 留在与第一安 装端子 24a 或第二安装端子 24b 重叠的区域中， 如图 5B 和 5C 所示。然而， 应当注意的是， 在这样的条件下， 当用第二导电膜 4b 形成中继电极 215 和屏蔽电极 28 时， 留在与第一安装 端子 24a 或第二安装端子 24b 重叠的区域中的第一导电膜 4a 会通过蚀刻而被去除。因此， 在本实施例中， 当用第二导电膜 4b 形成中继电极 215 和屏蔽电极 28 时， 在与第一安装端子 24a 或第二安装端子 24b 重叠的区域中保留第二导电膜 4b。 这保证了在与第一安装端子 24a 或第二安装端子 24b 重叠的区域中形成的第一导电膜 4a 被保留而没有通过蚀刻被去除。
应当注意的是， 当由第二导电膜 4b 形成中继电极 215 和屏蔽电极 28 时， 以第二安 装端子 24b 保留的第二导电膜 4b 连接到屏蔽电极 28。 相反， 中断部分提供在以第一安装端 子 24a 保留的膜 4b 和屏蔽电极 28 之间。然而， 应当注意的是， 以第一安装端子 24a 保留的 第二导电膜 4b 的边缘部分与层间绝缘膜 214 重叠。因此， 形成在与第一安装端子 24a 重叠 的区域中的第二导电膜 4b 完全与形成在与第一安装端子 24a 重叠的区域中的第一导电膜 4a 重叠。这无疑保证了第一导电膜 4a 在与第一安装端子 24a 重叠的区域中被保留而不去 除。
此外， 在本实施例中形成配线 27 时， 第一导电膜 4a 优选沿着形成配线 27 的区域 延伸， 并且例如由铬、 银、 铝或银铝合金制成的金属层 4c 优选提供在第一导电膜 4a 上以沿 着形成配线 27 的区域延伸， 如图 6A 至 6C 所示。该多层结构有助于降低配线 27 的电阻。
( 输入位置检测操作 )
在根据本实施例的静电电容输入装置 1 中， IC 10 经由柔性配线板 35 连接到输入 面板 2 的第一安装端子 24a 和第二安装端子 24b， 如图 1B 所示。这里， IC 10 包括端子 11a 和端子 11b。端子 11a 经由柔性配线板 35 依次输出位置检测信号 VD 至第一安装端子 24a。 端子 11b 经由柔性配线板 35 输出屏蔽电势 VS 至第二安装端子 24b。应当注意的是， IC 10 还包括接地端子， 用于输出地电势至输入面板 2。 然而， 本发明不直接涉及该端子。 因此， 省 略其描述和图解。
在如上构造的静电电容输入装置 1 中， IC 10 例如以图 1C 所示的矩形脉冲的形式 输出位置检测信号 VD。结果， 当输入位置检测电极 21 没有寄生电容时， 从端子 11a 输出具 有如图 1C 中实线所示的波形的信号。相反， 如果输入位置检测电极 21 具有寄生电容， 则波 形因该电容而变形， 如图 1C 中的虚线所示。 这使得能够确定输入位置检测电极 21 是否具有 任何的寄生电容。因此， 在本实施例中， 位置检测信号 VD 依次输出到多个输入位置检测电 极 21 的每一个， 以监测其耦接的静电电容。结果， 当手指接近多个输入位置检测电极 21 中 的一个时， 手指接近的电极 21 的静电电容以在电极和手指之间形成的静电电容的量增加， 因此使得可以识别所讨论的电极。 ( 本实施例的作用与效果 )
根据本实施例的静电电容输入装置 1 由于检测耦接到输入位置检测电极 21 的电 容的变化而容易受到电磁噪声的影响。因此， 在本实施例中， 为形成在柔性配线板 35 上的 配线 35a 形成屏蔽层 35b。屏蔽电势 VS 经由屏蔽配线 35c 施加给屏蔽层 35b。在本实施例 中， 作为屏蔽电势 VS 施加给屏蔽层 35b 的电势与供应到输入位置检测电极 21 的位置检测 信号 VD 具有相同的波形 ( 和相位 )。这保证了在配线 35a 和屏蔽层 35b 之间没有寄生电 容。
此外， 在本实施例中， 与位置检测信号 VD 具有相同波形 ( 和相位 ) 的屏蔽电势 VS 经由柔性配线板 35 的屏蔽配线 35d 和第二安装端子 24b 从 IC 10 施加给屏蔽电极 28。这 里， 屏蔽电极 28 在输入操作侧与在基板 20 的输入区域 2a 的外侧区域 2b 中延伸的多条配 线 27 重叠。屏蔽电极 28 遮蔽了试图从输入操作侧进入配线 27 的电磁噪声， 因此使输入面 板 2 不受来自输入操作侧的电磁波的影响。因此， 根据本实施例的静电电容输入装置 1 不 会因电磁噪声而失灵。此外， 屏蔽电极 28 没有提供在输入操作侧的输入区域 2a 中， 因此对 基于静电电容的输入位置检测没有干扰。
此外， 屏蔽电势 VS 与供应到输入位置检测电极 21 的位置检测信号 VD 具有相同的 波形 ( 和相位 )。这保证了在配线 27 和屏蔽电极 28 之间没有寄生电容。结果， 即使提供屏 蔽电极 28， 基于静电电容的输入位置检测也不会受干扰。
此外， 在用于形成第一输入位置检测电极 211 和第二输入位置检测电极 212 以及 中继电极 215 的第一导电膜 4a 和第二导电膜 4b 中， 在输入操作侧的相反侧的第一导电膜 4a 用于形成配线 27。相反， 在第一导电膜 4a 和第二导电膜 4b 中， 输入操作侧的第二导电 膜 4b 用于形成屏蔽电极 28。这提供了不需要在外部提供屏蔽电极的优点。
此外， 屏蔽电极 28 提供为沿着基板 20 的整个外周边缘， 因此能更加确定地遮蔽试 图从输入操作侧进入的电磁噪声。此外， 屏蔽电极 28 覆盖层间绝缘膜 214 的靠近基板 20 外周边缘的侧部 214e。这遮蔽了试图从周围环境进入配线 27 的电磁噪声。
此外， 第一安装端子 24a 和第二安装端子 24b 采用第一导电膜 4a 和第二导电膜 4b 二者而提供在基板 20 的外围区域 2b 中。这使得能够将电势经由连接到基板 20 的柔性配 线板 35 从外部施加给屏蔽电极 28， 因此使得能够容易地施加屏蔽电势 VS 至屏蔽电极 28。 此外， 公用的柔性配线板 35 可以连接到第一安装端子 24a 和第二安装端子 24b。 而且， 在设 置有第一安装端子 24a 的区域的每侧， 第二安装端子 24b 电连接到屏蔽电极 28， 因此遮蔽了 试图从周围环境进入配线 27 的电磁噪声。
[ 实施例 2]
将参考图 7A 至 9C 描述基于实施例 1 的示例， 其中给基板 20 增加了屏蔽辅助电极 29。图 7A 至 7D 是示意性地图解根据本发明实施例 2 的静电电容输入装置 1 的二维构造的 示意图。图 7A 是图解在静电电容输入装置 1 的基板 20 上形成的电极和其它部件之间的二 维位置关系的示意图。图 7B 是图解在基板 20 上形成的第一导电膜 4a 的二维构造的示意 图。图 7C 是图解在基板 20 上形成的层间绝缘膜 214 的二维构造的示意图。图 7D 是图解 在基板 20 上形成的第二导电膜 4b 的二维构造的示意图。图 7A 以重叠方式图解了图 7B、 7C 和 7D 所示的元件。
图 8 是以放大的方式图解在根据本发明实施例 2 的静电电容输入装置 1 的基板 20 上形成的电极和其它部件的二维构造的示意图。图 9A 至 9C 是图解根据本发明实施例 2 的 静电电容输入装置 1 的基板 20 的截面构造的示意图。图 9A、 9B 和 9C 是分别沿着图 8 所示 的线 A2-A2’ 、 线 B2-B2’ 和线 C2-C2’ 剖取的基板 20 的截面图。应当注意的是， 本实施例在 基本构造上与实施例 1 相同。因此， 相同的部件由相同的附图标记表示， 并且省略其描述。
在根据本实施例的静电电容输入装置 1 中， 第一导电膜 4a、 层间绝缘膜 214 和第二 导电膜 4b 与实施例 1 一样从基板 20 开始依次形成在基板 20 的第一表面 20a 上， 如图 7A 至 9C 所示。
如图 7B 所示， 与实施例 1 一样第一导电膜 4a 形成为第一输入位置检测电极 211 和第二输入位置检测电极 212 的焊垫部分 211a 和 212a 及配线 27。第一导电膜 4a 也形成 在靠近边缘部分 20e 的与第一安装端子 24a 和第二安装端子 24b 重叠的区域中。
与实施例 1 不同的是， 在本实施例中第一导电膜 4a 在基板 20 的外围区域 2b 中形 成为在配线 27 外侧的屏蔽辅助电极 29。这里， 配线 27 形成在对应于基板 20 的三边的区域 中， 即基板 20 的输入区域 2a 和边缘部分 20e 之间的一个区域、 基板 20 的输入区域 2a 和边 缘部分 20f 之间的另一个区域以及基板 20 的输入区域 2a 和边缘部分 20h 之间的又一个区 域。相反， 屏蔽辅助电极 29 形成为沿着基板 20 的所有边， 即基板 20 的输入区域 2a 和边缘 部分 20e 之间的一个区域、 基板 20 的输入区域 2a 和边缘部分 20f 之间的另一个区域、 基板 20 的输入区域 2a 和边缘部分 20g 之间的又一个区域以及基板 20 的输入区域 2a 和边缘部 分 20h 之间的再一个区域。应当注意的是， 在夹设在基板 20 的输入区域 2a 和边缘部分 20e 之间的区域中， 屏蔽辅助电极 29 中途弯向的第二安装端子 24b。该电极 29 在配线 27 延伸 的区域中中断。
如图 7C 所示， 与实施例 1 一样层间绝缘膜 214 形成在基板 20 的除外周边缘之外的大区域上。接触孔 214a 形成在层间绝缘膜 214 中， 每组包括四个接触孔 214a。这里， 层 间绝缘膜 214 形成为比基板 20 的外周边缘稍微向里。结果， 层间绝缘膜 214 不形成为靠近 基板 20 的外周边缘。
如图 7D 所示， 第二导电膜 4b 在输入区域 2a 的与图 7C 所示的接触孔 214a 重叠的 区域中形成为中继电极 215。此外， 该膜 4b 在输入区域 2a 的外侧区域 2b 中形成为屏蔽电 极 28。此外， 该膜 4b 形成在靠近边缘部分 20e 的与第一安装端子 24a 和第二安装端子 24b 重叠的区域中。与供应到输入位置检测电极 21 的位置检测信号具有相同波形 ( 和相位 ) 的电势施加给屏蔽电极 28。
此外， 两个第二安装端子 24b 形成在基板 20 的第一表面 20a 上的外围区域 2b 中， 其中在设置有第一安装端子 24a 的区域的每一侧设置一个。第一安装端子 24a 电连接到配 线 27， 并且第二安装端子 24b 在设置有第一安装端子 24a 的区域的两侧电连接到屏蔽电极 28。本实施例与实施例 1 的其它构造类似。因此， 省略其描述。
在如上所述构造的输入面板 2 中， 在第一导电膜 4a 和第二导电膜 4b 中， 在输入操 作侧的相反侧的第一导电膜 4a 与实施例 1 一样用于形成配线 27。在第一导电膜 4a 和第二 导电膜 4b 中， 输入操作侧的第二导电膜 4b 用于形成屏蔽电极 28。该电极 28 在输入操作侧 与配线 27 重叠。这提供了与实施例 1 相同的优点 ： 由于屏蔽电极 28 而遮蔽了试图从输入 操作侧进入配线 27 的电磁噪声。
屏蔽辅助电极 29 在对应于基板 20 四边的位置处形成到层间绝缘膜 214 的外周边 缘之外。该电极 29 的一部分从层间绝缘膜 214 暴露。另一方面， 屏蔽电极 28 在对应于基 板 20 四边的位置处形成到层间绝缘膜 214 的外周边缘之外。因此， 屏蔽电极 28 覆盖层间 绝缘膜 214 的外周侧的侧部 214e。在层间绝缘膜 214 的外周侧 ( 没有形成层间绝缘膜 214 的区域中 )， 电极 28 沿着电极 29 的整个纵向方向 ( 延伸方向 ) 连接到从层间绝缘膜 214 暴 露的屏蔽辅助电极 29。这提供了屏蔽电极 28 的实质降低的电阻。此外， 屏蔽电极 28 和屏 蔽辅助电极 29 抑制了试图从周围环境进入配线 27 的电磁噪声。
[ 实施例 3]
将对一示例进行描述， 在该示例中输入位置检测电极以参考图 2A 描述的静电电 容输入装置 1 的形式用第二导电膜 4b 形成。图 10A 至 10D 是示意性地图解根据本发明实 施例 3 的静电电容输入装置 1 的二维构造的示意图。图 10A 是图解在静电电容输入装置 1 的基板 20 上形成的电极和其它部件之间二维位置关系的示意图。图 10B 是图解在基板 20 上形成的第一导电膜 4a 的二维构造的示意图。图 10C 是图解在基板 20 上形成的层间绝缘 膜 214 的二维构造的示意图。图 10D 是图解在基板 20 上形成的第二导电膜 4b 的二维构造 的示意图。图 10A 以重叠的方式图解了图 10B、 10C 和 10D 所示的元件。
图 11 是以放大的方式图解在根据本发明实施例 3 的静电电容输入装置 1 的基板 20 上形成的电极和其它部件的二维构造的示意图。 图 12A 至 12C 是图解根据本发明实施例 3 的静电电容输入装置 1 的基板 20 的截面构造的示意图。图 12A、 12B 和 12C 是分别沿着图 11 所示的线 A3-A3’ 、 线 B3-B3’ 和线 C3-C3’ 剖取的基板 20 的截面图。应当注意的是， 本实 施例在基本构造上与实施例 1 相同。因此， 相同的部件由相同的附图标记表示， 并且省略其 描述。
在根据本实施例的静电电容输入装置 1 中， 与实施例 1 一样第一导电膜 4a、 层间绝缘膜 214 和第二导电膜 4b 从基板 20 开始依次形成在基板 20 的第一表面 20a 上， 如图 10A 至 12C 所示。
如图 10B 所示， 第一导电膜 4a 首先在输入区域 2a 中形成为多个中继电极 215。此 外， 该膜 4a 在外围区域 2b 中形成为多条配线 27。这里， 各配线 27 具有位于输入区域 2a 内 的边缘部分。这些边缘部分用作比配线 27 宽的连接部分 27a。此外， 在外围区域 2b 的对应 于基板 20 四边的区域中， 与实施例 2 一样第一导电膜 4a 形成为屏蔽辅助电极 29。
如图 10C 所示， 层间绝缘膜 214 在输入区域 2a 中仅形成在稍后描述的交叉部分 218 处。该膜 214 以矩形框架的形式形成在外围区域 2b 中以围绕输入区域 2a。这里， 层间 绝缘膜 214 形成为比基板 20 的外周边缘略向里。结果， 层间绝缘膜 214 没有形成为靠近基 板 20 的外周边缘。
如图 10D 所示， 第二导电膜 4b 在输入区域 2a 中形成为多个矩形区域。这些矩形 区域构成第一输入位置检测电极 211 和第二输入位置检测电极 212 的焊垫部分 211a 和 212a( 大面积部分 )。此外， 该膜 4b 在外围区域 2b 中以矩形框架的形式形成为屏蔽电极 28。此外， 该膜 4b 形成在靠近边缘部分 20e 的与第一安装端子 24a 和第二安装端子 24b 重 叠的区域中 当如上所述构造的第一导电膜 4a、 层间绝缘膜 214 和第二导电膜 4b 依次堆叠时， 基板 20 构造为如图 10A、 11 和 12A 至 12C 所示。在平面上看时， 基板 20 具有形成在输入 区域 2a 中的多个输入位置检测电极 21。在本实施例中， 输入位置检测电极 21 包括多列第 一输入位置检测电极 211 和第二输入位置检测电极 212。第一输入位置检测电极 211( 图 10A 中由粗实线所示 ) 延伸在第一方向 ( 箭头 Y 所示的方向 ) 上。第二输入位置检测电极 212( 图 10A 中由粗虚线示出 ) 延伸在第二方向 ( 由箭头 X 所示的方向 ) 上。这里， 在第一 导电膜 4a 和第二导电膜 4b 中， 第二导电膜 4b 用于形成输入位置检测电极 21( 第一输入位 置检测电极 211 和第二输入位置检测电极 212)。 结果， 输入位置检测电极 21 由相同的层制 成。因此， 在基板 20 的第一表面 20a 上， 多个交叉部分 218 存在于第一输入位置检测电极 211 和第二输入位置检测电极 212 之间。在本实施例中， 在第一输入位置检测电极 211 和 第二输入位置检测电极 212 中， 第一输入位置检测电极 211 通过交叉部分 218 处由第二导 电膜 4b 制成的连接部分 211c 而在 Y 方向上连接在一起， 从而在 Y 方向上延伸。相反， 对于 第二输入位置检测电极 212， 中断部分 218a 形成在交叉部分 218 处。此外， 在交叉部分 218 处由第一导电膜 4a 形成中继电极 215。应当注意的是， 第二输入位置检测电极 212 在 X 方 向上通过中继电极 215 电连接在一起。
另一方面， 尽管配线 27 用第一导电膜 4a 形成， 但是连接部分 27a 位于输入区域 2a 内。而且， 连接部分 27a 没有用层间绝缘膜 214 覆盖。因此， 在形成第二导电膜 4b 时， 输入 位置检测电极 21 与配线 27 的连接部分 27a 重叠。结果， 电极 21 电连接到连接部分 27a。
此外， 两个第二安装端子 24b 形成在基板 20 的第一表面 20a 上的外围区域 2b 中， 其中在设置有第一安装端子 24a 的区域的每一侧设置一个。第一安装端子 24a 电连接到配 线 27， 并且第二安装端子 24b 在设置有第一安装端子 24a 的区域的两侧电连接到屏蔽电极 28。本实施例与实施例 1 的其它构造类似。因此， 省略其描述。
在如上所述构造的输入面板 2 中， 在第一导电膜 4a 和第二导电膜 4b 中， 与实施例 1 和 2 一样在输入操作侧的相反侧的第一导电膜 4a 用于形成配线 27。在第一导电膜 4a 和
第二导电膜 4b 中， 输入操作侧的第二导电膜 4b 用于形成屏蔽电极 28。该电极 28 在输入操 作侧与配线 27 重叠。这提供了与实施例相同的优点 ： 由于屏蔽电极 28 而遮蔽了试图从输 入操作侧进入配线 27 的电磁噪声。
此外， 与实施例 2 一样屏蔽电极 28 覆盖层间绝缘膜 214 的外周侧的侧部 214e。在 层间绝缘膜 214 的外周侧 ( 没有形成层间绝缘膜 214 的区域中 )， 电极 28 沿着电极 29 的整 个纵向方向 ( 延伸方向 ) 连接到从层间绝缘膜 214 暴露的屏蔽辅助电极 29。这提供了屏蔽 电极 28 的实质降低的电阻。此外， 屏蔽电极 28 和屏蔽辅助电极 29 抑制了试图从周围环境 进入配线 27 的电磁噪声。
此外， 在本实施例中， 在输入区域 2a 中层间绝缘膜 214 仅形成在交叉部分 218 处。 因此， 膜 214 几乎不形成在与输入位置检测电极 21( 第一输入位置检测电极 211 和第二输 入位置检测电极 212) 的焊垫部分 211a 和 212a 重叠的位置处。因此， 输入面板 2 提供了高 的透光性， 从而使得配备有根据本实施例的输入装置的电光设备 100 显示明亮的图像。
[ 实施例 4]
下面将参考图 13A 至 15C 描述参考图 2B 描述的静电电容输入装置 1 的构造示例。 图 13A 至 13D 是示意性地图解了根据本发明实施例 4 的静电电容输入装置 1 的二维构造的 示意图。图 13A 是图解在静电电容输入装置 1 的基板上形成的电极和其它部件之间的二维 位置关系的示意图。 图 13B 是图解在基板 20 上形成的第一导电膜 4a 的二维构造的示意图。 图 13C 是图解在基板 20 上形成的层间绝缘膜 214 的二维构造的示意图。图 13D 是图解在 基板 20 上形成的第二导电膜 4b 的二维构造的示意图。图 13A 以重叠的方式图解了图 13B、 13C 和 13D 所示的元件。 图 14 是以放大的方式图解在根据本发明实施例 4 的静电电容输入装置 1 的基板 20 上形成的电极和其它部件的二维构造的示意图。 图 15A 至 15C 是图解根据本发明实施例 4 的静电电容输入装置 1 的基板的截面构造的示意图。图 15A、 15B 和 15C 是分别沿着图 14 所示的线 A4-A4’ 、 线 B4-B4’ 和线 C4-C4’ 剖取的基板 20 的截面图。应当注意的是， 本实施 例在基本构造上与实施例 1 相同。因此， 相同的部件由相同的附图标记表示， 并且省略其描 述。
在根据本实施例的静电电容输入装置 1 中， 第一导电膜 4a、 层间绝缘膜 214 和第二 导电膜 4b 从基板 20 开始依次形成在基板 20 的第二表面 20b 上， 如图 13A 至 15C 所示。
如图 13B 所示， 第一导电膜 4a 首先在输入区域 2a 中形成为多个矩形区域。这些 矩形区域构成第一输入位置检测电极 211 和第二输入位置检测电极 212 的焊垫部分 211a 和 212a( 大面积部分 )。此外， 第一导电膜 4a 在外围区域 2b 中形成为屏蔽电极 28。与供 应到输入位置检测电极 21 的位置检测信号 VD 具有相同波形 ( 和相位 ) 的电势施加给屏蔽 电极 28。
如图 13C 所示， 与实施例 1 一样层间绝缘膜 214 形成在基板 20 的除外周边缘之外 的大区域上。接触孔 214a 形成在层间绝缘膜 214 中， 其中每组包含四个接触孔 214a。此 外， 接触孔 214b 形成在层间绝缘膜 214 的与图 13D 所示的配线 27 的连接部分 27a 重叠的 位置处。
如图 13D 所示， 与实施例 1 一样第二导电膜 4b 在输入区域 2a 中形成为与图 13C 所示的接触孔 214a 重叠的中继电极 215。此外， 膜 4b 形成在靠近边缘部分 20e 的与第一安
装端子 24a 和第二安装端子 24b 重叠的区域中。此外， 膜 4b 在外围区域 2b 中形成为多条 配线 27。各配线 27 具有位于输入区域 2a 内的边缘部分。这些边缘部分用作比配线 27 宽 的连接部分 27a。而且， 在外围区域 2b 的对应于基板 20 四边的区域中， 第二导电膜 4b 形成 为屏蔽辅助电极 29。这里， 第一安装端子 24a 连接到配线 27， 并且第二安装端子 24b 连接 到屏蔽辅助电极 29。
当如上所述构造的第一导电膜 4a、 层间绝缘膜 214 和第二导电膜 4b 依次堆叠时， 基板 20 构造为如图 13A、 14 和 15A 至 15C 所示。结果， 多个输入位置检测电极 21 形成在输 入区域 2a 中。另一方面， 输入位置检测电极 21( 第一输入位置检测电极 211 和第二输入位 置检测电极 212) 用第一导电膜 4a 形成， 并且配线 27 用第二导电膜 4b 形成。在此情况下， 接触孔 214b 形成在层间绝缘膜 214 中。因此， 输入位置检测电极 21 和配线 27 经由接触孔 214b 而电连接。
此外， 两个第二安装端子 24b 形成在基板 20 的第一表面 20a 上的外围区域 2b 中， 其中在设置有第一安装端子 24a 的区域的每一侧设置一个。第一安装端子 24a 电连接到配 线 27， 并且第二安装端子 24b 在设置有第一安装端子 24a 的区域的两侧电连接到屏蔽电极 28。本实施例与实施例 1 的其它构造类似。因此， 省略其描述。
在如上所述构造的输入面板 2 中， 在第一导电膜 4a 和第二导电膜 4b 中， 在输入操 作侧的相反侧的第二导电膜 4b 用于形成配线 27。在第一导电膜 4a 和第二导电膜 4b 中， 输 入操作侧的第一导电膜 4a 用于形成屏蔽电极 28。电极 28 在输入操作侧与配线 27 重叠。 这提供了与实施例 1 相同的优点 ： 由于屏蔽电极 28 而遮蔽了试图从输入操作侧进入配线 27 的电磁噪声。
另一方面， 与实施例 2 一样屏蔽辅助电极 29 在对应于基板 20 四边的位置处形成 到层间绝缘膜 214 的外周边缘之外。电极 29 的一部分从层间绝缘膜 214 暴露。另一方面， 屏蔽电极 28 在对应于基板 20 四边的位置处形成到层间绝缘膜 214 的外周边缘之外。 因此， 屏蔽辅助电极 29 覆盖层间绝缘膜 214 的外周侧的侧部 214e。在层间绝缘膜 214 的外周侧 ( 没有形成层间绝缘膜 214 的区域中 )， 屏蔽电极 28 沿着电极 29 的整个纵向方向连接到从 层间绝缘膜 214 暴露的屏蔽辅助电极 29。这提供了屏蔽电极 28 的实质降低的电阻。此外， 屏蔽电极 28 和屏蔽辅助电极 29 抑制了试图从周围环境进入配线 27 的电磁噪声。
[ 实施例 5]
将参考图 16A 至 18C 描述基于实施例 4 的构造示例， 其中输入位置检测电极 21 用 第二导电膜 4b 形成。图 16A 至 16D 是示意性地图解根据本发明实施例 5 的静电电容输入 装置 1 的二维构造的示意图。图 16A 是图解在静电电容输入装置 1 的基板 20 上形成的电 极和其它部件之间的二维位置关系的示意图。图 16B 是图解在基板 20 上形成的第一导电 膜 4a 的二维构造的示意图。图 16C 是图解在基板 20 上形成的层间绝缘膜 214 的二维构造 的示意图。图 16D 是图解在基板 20 上形成的第二导电膜 4b 的二维构造的示意图。图 16A 是以重叠的方式图解图 16B、 16C 和 16D 所示的元件。
图 17 是以放大的方式图解在根据本发明实施例 5 的静电电容输入装置 1 的基板 上形成的电极和其它部件的二维构造的示意图。图 18A 至 18C 是图解根据本发明实施例 5 的静电电容输入装置 1 的基板 20 的截面构造的示意图。图 18A、 18B 和 18C 是分别沿着图 17 所示的线 A5-A5’ 、 线 B5-B5’ 和线 C5-C5’ 剖取的基板 20 的截面图。应当注意的是， 本实施例在基本构造上与实施例 1 相同。因此， 相同的部件由相同的附图标记表示， 并且省略其 描述。
在根据本实施例的静电电容输入装置 1 中， 第一导电膜 4a、 层间绝缘膜 214 和第二 导电膜 4b 从基板 20 开始依次形成在基板 20 的第二表面 20b 上， 如图 16A 至 18C 所示。
如图 16B 所示， 第一导电膜 4a 在输入区域 2a 的与稍后描述的接触孔 214a 重叠的 位置处形成为为中继电极 215。此外， 第一导电膜 4a 也在外围区域 2b 中形成为屏蔽电极 28。
如图 16C 所示， 与实施例 1 一样层间绝缘膜 214 形成在基板 20 的除外周边缘之外 的大区域上。接触孔 214a 形成在层间绝缘膜 214 中， 其中每组包含四个接触孔 214a。
如图 16D 所示， 第二导电膜 4b 首先在输入区域 2a 中形成为多个矩形区域。这些 矩形区域构成第一输入位置检测电极 211 和第二输入位置检测电极 212 的焊垫部分 211a 和 212a( 大面积部分 )。此外， 该膜 4b 形成在靠近边缘部分 20e 的与第一安装端子 24a 和 第二安装端子 24b 重叠的区域中。此外， 该膜 4b 在外围区域 2b 中形成为多条配线 27。而 且， 第二导电膜 4b 在外围区域 2b 的对应于基板 20 四边的区域中形成为屏蔽辅助电极 29。 这里， 第一安装端子 24a 连接到配线 27， 并且第二安装端子 24b 连接到屏蔽辅助电极 29。
当如上所述构造的第一导电膜 4a、 层间绝缘膜 214 和第二导电膜 4b 依次堆叠时， 基板 20 构造为如图 16A、 17 和 18A 至 18C 所示。结果， 多个输入位置检测电极 21( 第一输 入位置检测电极 211 和第二输入位置检测电极 212) 形成在输入区域 2a 中。
此外， 两个第二安装端子 24b 形成在基板 20 的第一表面 20a 上的外围区域 2b 中， 其中在设置有第一安装端子 24a 的区域的每一侧设置一个。第一安装端子 24a 电连接到配 线 27， 并且第二安装端子 24b 在设置有第一安装端子 24a 的区域的两侧电连接到屏蔽电极 28。本实施例与实施例 1 的其它构造类似。因此， 省略其描述。
在如上所述构造的输入面板 2 中， 在第一导电膜 4a 和第二导电膜 4b 中， 在输入操 作侧的相反侧的第二导电膜 4b 用于形成配线 27。在第一导电膜 4a 和第二导电膜 4b 中， 输入操作侧的第一导电膜 4a 用于形成屏蔽电极 28。该电极 28 在输入操作侧与配线 27 重 叠。这提供了与实施例 1 相同的优点 ： 由于屏蔽电极 28 而遮蔽了试图从输入操作侧进入配 线 27 的电磁噪声。
此外， 与实施例 2 一样屏蔽辅助电极 29 在对应于基板 20 四边的位置处形成到层 间绝缘膜 214 的外周边缘之外。电极 29 的一部分从层间绝缘膜 214 暴露。另一方面， 屏蔽 电极 28 在对应于基板 20 四边的位置处形成到层间绝缘膜 214 的外周边缘之外。 因此， 屏蔽 辅助电极 29 覆盖层间绝缘膜 214 的外周侧的侧部 214e。在层间绝缘膜 214 的外周侧 ( 没 有形成层间绝缘膜 214 的区域中 )， 屏蔽电极 28 沿着电极 29 的整个纵向方向连接到从层间 绝缘膜 214 暴露的屏蔽辅助电极 29。这提供了屏蔽电极 28 的实质降低的电阻。此外， 屏蔽 电极 28 和屏蔽辅助电极 29 抑制了试图从周围环境进入配线 27 的电磁噪声。
[ 其它实施例 ]
在上述实施例中， 仅第一导电膜 4a 和第二导电膜 4b 中的任一个用于形成第一输 入位置检测电极 211 和第二输入位置检测电极 212。然而， 第一导电膜 4a 和第二导电膜 4b 二者可以用于形成电极 211 和 212。例如， 第一导电膜 4a 可以用于形成第一输入位置检测 电极 211， 并且第二导电膜 4b 用于形成第二输入位置检测电极 212。在如上所述的实施例中， 第一导电膜 4a 或者第二导电膜 4b 用于形成配线 27 的在 输入操作侧的屏蔽电极 28。然而， 备选地， 图 2A 和 2B 所示盖 90 的遮光层 90a 可以用诸如 铬的导电膜形成并用作屏蔽电极。
在上述的实施例中， 液晶装置用作图像产生装置 5。 然而， 备选地， 有机电致发光装 置可以用作图像产生装置 5。
[ 结合到电子设备的示例 ]
接下来， 将描述电子设备， 其应用了配备有根据上述任一实施例的输入装置的电 光设备 100。 图 19A 图解了膝上个人计算机的构造， 其具有配备了输入装置的电光设备 100。 个人计算机 2000 包括作为显示单元的配备有输入装置的电光设备 100 和主体部分 2010。 电源开关 2001 和键盘 2002 提供在主体部分 2010 上。图 19B 图解了移动电话的构造， 其具 有配备了输入装置的电光设备 100。移动电话 3000 包括多个操作按钮 3001 和滚动条按钮 3002 以及作为显示单元的配备有输入装置的电光设备 100。显示在配备有输入装置的电 光设备 100 上的屏幕可以通过操作滚动条按钮 3002 进行滚动。图 19C 图解了个人数字助 理 (PDA) 的构造， 其应用了配备有输入装置的电光设备 100。PDA 4000 包括多个操作按钮 4001、 电源开关 4002 和作为显示单元的配备有输入装置的电光设备 100。诸如地址簿和日 程表的各种信息通过操作操作按钮 4001 而显示在配备有输入装置的电光设备 100 上。
应当注意的是， 应用配备有输入装置的电光设备 100 的电子设备不仅仅只包括图 19A 至 19C 所示的电子设备， 而且还包括数字静态照相机、 液晶电视机、 取景器和直视型磁 带录像机、 汽车导航仪、 寻呼机、 电子记事本、 电子计算器、 文字处理器、 工作基站、 TV 电话、 POS 终端和银行终端。配备有输入装置的电光设备 100 可用作这些电子设备的显示部分。
本 申 请 包 含 2009 年 7 月 27 日 提 交 至 日 本 专 利 局 的 日 本 优 先 权 专 利 申 请 JP 2009-173984 中公开的相关主题事项， 其全部内容通过引用结合于此。
本领域的技术人员应当理解的是， 在所附权利要求或其等同方案的范围内， 根据 设计需要和其他因素， 可以进行各种修改、 结合、 部分结合和替换。