CN200710103261.6
2007.05.10
CN101303993A
2008.11.12
撤回
无权
发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):H01L 21/673公开日:20081112|||实质审查的生效|||公开
H01L21/673; B65D85/00; B65D85/30; B65D85/90
H01L21/673
南亚科技股份有限公司
宋大勇; 陈国欣; 蒋其财
中国台湾桃园县
北京市柳沈律师事务所
陶凤波
本发明公开了一种晶片承载装置,其包含底座以及多条垂直固定于底座上的支撑杆。各支撑杆分别包含支架以承载晶片。支架具有朝向底座倾斜预定角度的上顶面,使得晶片的外缘(rim)承靠在上顶面上。
1. 一种晶片承载装置,包含:底座;以及多条支撑杆,垂直固定于该底座上,且各该支撑杆分别包含至少一支架以承载晶片,其中该支架具有倾斜的上顶面,该上顶面朝向该底座倾斜一预定角度,使得该晶片最侧边的下缘承靠在该上顶面上。2. 如权利要求1所述的晶片承载装置,其中另包含多条辅助支撑杆,其不具有任何该等支架,且该辅助支撑杆经由该底座与该支撑杆连结。3. 如权利要求1所述的晶片承载装置,其中该支撑杆包含热稳定无机材料。4. 如权利要求3所述的晶片承载装置,其中该热稳定无机材料为硅。5. 如权利要求3所述的晶片承载装置,其中该热稳定无机材料为二氧化硅。6. 如权利要求3所述的晶片承载装置,其中该热稳定无机材料为碳化硅。7. 如权利要求1所述的晶片承载装置,其中该预定角度介于1-25度之间。8. 如权利要求1所述的晶片承载装置,其中该预定角度约为3度。9. 如权利要求1所述的晶片承载装置,其中该支架的间距为2.5mm-15mm。
晶片承载装置 技术领域 本发明涉及一种承载装置,特别涉及一种晶片承载装置。 背景技术 在半导体晶片的工艺中,半导体晶片通常放置在晶舟上,方便进行多种处理程序,例如热氧化、沉积或是退火。图1例示传统的梯式晶舟1。晶片以适当的间距S安放于梯式晶舟1的支架14上。晶舟1于是可以使用自动机械装置加以搬运。 传统的梯式晶舟1包含底座11、顶盖12、若干个支撑杆13与支架14。支撑杆13分别与底座11以及顶盖12相连,其上并具有支架14。自支撑杆13伸出的支架14系与支撑杆13垂直。晶片15通常经由支架14的支撑放置在梯式晶舟1上。 由于支架14是以“面接触”的方式与晶片15接触,支架14上的缺陷16、热膨胀或震动于是容易造成晶片15的微小刮伤,并可以在晶片15的接触部位上发现微粒的聚集,如图2所示。 由于所造成的微小刮伤与微粒的存在,都会分别对于半导体晶片后续的各种处理程序造成影响并降低成品率。此外,若是使用四个以上的支撑杆13时,晶片通常还会处于一种不稳定的面接触平衡,这亦会影响晶片产出的品质。 于是需要一种新颖的晶片承载装置,以解决以上的问题并提升晶片的品质与成品率。 发明内容 本发明即在提供一种“点接触”式的晶片承载装置,使得晶片与支架间的接触部分减到最小。 本发明提供一种“点接触”式的晶片承载装置,使得晶片产生微小刮伤的机会减到最小。 本发明提供一种“点接触”式的晶片承载装置,使得微粒聚集在晶片的量减到最小。 本发明提供一种“点接触”式的晶片承载装置,使得晶片置放于晶片承载装置中时,不会处于不稳定的面接触平衡状态。 本发明提供一种“点接触”式的晶片承载装置,其中支撑杆上的支架是以下倾的斜面对晶片的外缘作点支撑。 本发明提供一种“点接触”式的晶片承载装置,适合晶片向上或向下置放。 本发明的晶片承载装置,包含底座以及多条垂直固定于底座上的支撑杆。各支撑杆分别包含支架以承载晶片。支架具有朝向底座倾斜预定角度的上顶面,使得晶片的外缘(rim)承靠在上顶面上。 由于具有朝向底座倾斜预定角度的上顶面,使得晶片的外缘承靠在上顶面上,所以支架是以下倾的斜面对晶片的外缘作点支撑。如此一来,不但使得晶片与支架间的接触部分减到最小,晶片产生微小刮伤的机会减到最小、微粒聚集在晶片的量减到最小,而且晶片不会处于不稳定的面接触平衡状态。此外,本发明的晶片承载装置,晶片不但可以增加薄膜均匀度与背面均匀度,还可以向上或可以向下置放,确实有许多优点。 附图说明 图1例示传统的梯式晶舟。 图2例示传统的梯式晶舟中,晶片的接触部位上发现微粒的聚集。 图3例示本发明的晶片承载装置。 附图标记说明 1梯式晶舟 11底座 12顶盖 13支撑杆 14支架 15晶片 16缺陷 30晶片承载装置 31底座 32顶盖 33支撑杆 34支架 341上顶面 35晶片 351下缘 36支架 361上顶面 37晶片 371下缘 38辅助支撑杆 381梁 具体实施方式 本发明提供一种“点接触”式的晶片承载装置,其中的支架具有朝向底座倾斜预定角度的上顶面,使得晶片的外缘以点接触的方式承靠在上顶面上。如此一来,不但使得晶片与支架间的接触部分可以减到最小,晶片产生微小刮伤的机会减到最小、微粒聚集在晶片的量减到最小,而且晶片不会处于不稳定的面接触平衡状态。还有,晶片既可以向上也可以向下置放于晶片承载装置中。 图3例示本发明的晶片承载装置30,其包含底座31以及垂直固定于底座31上的多条支撑杆33。各支撑杆33分别包含支架34以承载晶片35。支架34具有一倾斜的上顶面341,其朝向底座31倾斜预定角度,使得晶片35最侧边的下缘351承靠在上顶面341上。 若有需要,晶片承载装置30中各支撑杆33可以分别进一步包含支架36以承载晶片37。优选地,支架36类似支架34,具有倾斜的上顶面361,其朝向底座31倾斜预定角度,使得晶片37最侧边的下缘371可以承靠在上顶面361上。 支架34与支架36的尺寸或数量视情况而定。例如,支架34或支架36的长度可以独立地介于2.5mm-15mm间,优选为8mm。若支架34与支架36均存在时,支架34与支架36的总数可以是126-170支,优选为126支。支架34与支架36的间距P由本领域技术人员视需要而定。例如,间距P可以介于3.4mm至3.6mm之间,优选地为3.5mm。 上顶面341或上顶面361的倾斜角度视情况而定,并与间距P相关。例如,上顶面341或上顶面361的倾斜角度可以独立地介于1-25度之间,优选为3度。 若有需要,晶片承载装置30可以另包含至少一条与支撑杆33经由梁381或底座31连结的辅助支撑杆38。支撑杆38并不具有任何支架,作为辅助支撑杆33承载晶片的用。此外,晶片承载装置30也可以包含有上盖32。 由于本发明晶片承载装置30常需要伴随晶片进行各种处理程序,所以各支撑杆33/38优选独立包含有热稳定无机材料,例如硅、二氧化硅或碳化硅。 本发明晶片是以点接触的方式透过下缘351/371承载于上顶面341或上顶面361上,所以晶片无论以哪一个方向置放在晶片承载装置30上,都不会伤害到晶片的主动面。 以上所述仅为本发明的优选实施例,凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰,皆应属本发明的涵盖范围。
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本发明公开了一种晶片承载装置,其包含底座以及多条垂直固定于底座上的支撑杆。各支撑杆分别包含支架以承载晶片。支架具有朝向底座倾斜预定角度的上顶面,使得晶片的外缘(rim)承靠在上顶面上。 。
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