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1、10申请公布号CN101935822A43申请公布日20110105CN101935822ACN101935822A21申请号201010168812922申请日20100511C23C14/3520060171申请人赫得纳米科技昆山有限公司地址215300江苏省昆山市城北都市路21号72发明人黄国兴74专利代理机构南京纵横知识产权代理有限公司32224代理人董建林54发明名称具有交替电磁场的矩形平面磁控靶57摘要本发明公开了一种具有交替电磁场的矩形平面磁控靶，涉及溅射镀膜设备技术领域，包括靶材本体，其特征在于还包括磁体，所述磁体设置在靶材本体的上部，所述磁体包含两组电磁铁，两组电磁铁相互交叉。
2、设置。本发明解决了现有技术矩形平面磁控靶中永磁体磁场分布及水平场强的局限性，造成靶材利用率较低，靶材利用率在30左右，同时永磁体磁性稳定性较差的问题，本发明提供了一种结构简单，使用方便，能够增加靶材利用率的具有交替电磁场的矩形平面磁控靶。靶材利用率可提升到65左右，降低了靶材成本，延长换靶周期降低停机时间。同时本发明采用电磁铁在使用过程中不会产生消磁现象，能够稳定产品的品质，节约了成本。51INTCL19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书2页附图2页CN101935822A1/1页21一种具有交替电磁场的矩形平面磁控靶，包括靶材本体，其特征在于还包括磁体，所述磁体。
3、设置在靶材本体的上部，所述磁体包含两组电磁铁，两组电磁铁相互交叉设置。权利要求书CN101935822A1/2页3具有交替电磁场的矩形平面磁控靶技术领域0001本发明涉及溅射镀膜设备技术领域，特别是涉及一种具有交替电磁场的矩形平面磁控靶结构。背景技术0002现代薄膜技术经过半个世纪的发展，其应用已遍及国民经济各个领域。高速低温的溅射镀膜设备已在各个行业中广泛应用，它可以在任何基材上沉积任何镀材的薄膜。目前市场使用的矩形平面靶，如图1所示，这种靶的磁体采用永磁体锶铁氧体或铝镍钴等，矩形平面靶结构简单，通用性强。但实际使用过程中因为磁场分布及水平场强的局限性，如图2和3所示，靶材利用率极低只有30。
4、左右，极大的浪费了成本，并在更换维护过程中消耗大量劳动力成本与设备成本。同时永磁体在使用过程中会产生一种渐变的消磁过程，在生产过程中产品的品质受到此磁场变化的影响，稳定性差。发明内容0003为了解决现有技术中矩形平面磁控靶中永磁体磁场分布及水平场强的局限性，造成靶材利用率较低，同时永磁体磁性稳定性较差的问题，本发明提供了一种结构简单，使用方便，能够增加靶材利用率的具有交替电磁场的矩形平面磁控靶。0004为了达到上述目的，本发明所采用的技术方案是0005一种具有交替电磁场的矩形平面磁控靶，包括靶材本体，其特征在于还包括磁体，所述磁体设置在靶材本体的上部，所述磁体包含两组电磁铁，两组电磁铁相互交叉。
5、设置。0006本发明的有益效果是本发明设有两组交替的电磁铁，通过电流方向与通电的有无来启动其中一个或二个电磁铁，使靶材能够交错平均消耗，靶材利用率可提升到65左右，降低了靶材成本，延长换靶周期降低停机时间。并可根据产品的不同改变电流的大小来改变磁场的强弱，以达到产能最优化的性价比。电磁铁在使用过程中不会产生消磁现象，能够稳定产品的品质，节约了成本。附图说明0007图1是现有技术矩形平面磁控靶中永磁体的结构示意图；0008图2是现有技术矩形平面磁控靶靶材本体结构示意图；0009图3是现有技术矩形平面磁控靶消耗后靶材本体结构示意图；0010图4是本发明矩形平面磁控靶交替电磁场的分布结构示意图；00。
6、11图5是本发明具有交替电磁场的矩形平面磁控靶结构示意图；0012图6是本发明矩形平面磁控靶消耗后靶材本体结构示意图。说明书CN101935822A2/2页4具体实施方式0013如图所示，图1是现有技术矩形平面磁控靶中永磁体的结构示意图；图2是现有技术矩形平面磁控靶靶材本体结构示意图；图3是现有技术矩形平面磁控靶消耗后靶材本体结构示意图；图4是本发明矩形平面磁控靶交替电磁场的分布结构示意图；图5是本发明具有交替电磁场的矩形平面磁控靶结构示意图；图6是本发明矩形平面磁控靶消耗后靶材本体结构示意图。0014下面结合附图对本发明做进一步的描述。0015如图1所示，一种具有交替电磁场的矩形平面磁控靶，。
7、包括靶材本体1和磁2体，所述磁体2设置在靶材本体1的上部，所述磁体2包含电磁铁3和电磁铁4，电磁铁3和电磁铁4相互交叉设置，可形成两组交错的磁场，其磁场分布均匀稳定，通过电流方向与通电的有无来启动其中一个或二个电磁铁，并可根据产品的不同来改变电流的大小来改变磁场的强弱，靶材可达到较高的使用效率，产品的品质也较为稳定。0016显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。说明书CN101935822A1/2页5图1图2图3图4说明书附图CN101935822A2/2页6图5图6说明书附图。