免。 然而， 当在实际电路中实现这样的条件时， 如根据表达式 (2) 明显的是， 过驱动 电压在失真补偿器 2 和低噪声放大器 1 之间显著不同。由此， 数值 M 的下限受工艺离散 (process dispersion)、 温度特性、 或频率特性的限制。作为结果， 可能无法避免噪声因子 特性的劣化。 为了解决上述问题而做出本发明， 因而可以希望提供一种接收器， 其中， 失真补偿 能够精确执行， 而噪声因子特性的劣化被抑制， 由此接收器的动态范围能够提高。
为了实现上述的希望， 根据本发明实施例， 提供一种接收器， 包括 ： 放大器， 用于放 大所接收信号 ； 失真补偿器， 具有从来自放大器的输出信号中根据基于偏置信号控制的失 真补偿量来补偿在来自放大器的输出信号中生成的失真的功能 ； 以及失真补偿量控制部 分， 用于生成偏置信号并向失真补偿器输出该偏置信号， 从而以与所接收信号的强度相对 应的补偿量来执行失真补偿。
如上所述， 根据本发明， 失真补偿能够精确执行， 而噪声因子特性的劣化被抑制， 因此接收器的动态范围能够提高。
附图说明
图 1 是示出实现构成低噪声放大器的差分放大器、 及失真补偿功能二者的电路的 配置的例子的示意电路图 ；
图 2 是部分地以模块示出根据本发明实施例的接收器的配置的电路图 ；
图 3 是示出增益控制信号的电压和所接收信号的电功率之间的关系的图形表示 ；
图 4 是示出构成根据本发明实施例的接收器的接收部分的低噪声放大器、 失真补 偿器、 及失真补偿量控制部分的具体配置的电路图 ；
图 5 是示出被使得流经失真补偿器的电流对于所接收信号的电功率的依赖性的 曲线图 ；
图 6 是示出噪声因子对于所接收信号的电功率的依赖性的曲线图 ；
图 7 是示出当使希望波的电功率对于干扰波的电功率的比率恒定时信号相对于 拍子 (beat) 的比率的曲线图 ； 以及
图 8A 至 8C 分别是解释当本发明应用于在图 2 所示的接收器接收电视广播波的情 况时的效果的示意图。 具体实施方式
下面参照附图详细描述本发明的优选实施例。
注意， 描述将按照下列顺序在下面给出。
1. 接收器的整体配置
2. 失真补偿系统的具体配置
1. 接收器的整体配置
图 2 是部分地以模块示出根据本发明实施例的接收器的配置的电路图。
本实施例的接收器 100 包括 RF 信号输入到的接收部分 110、 和解调部分 120。
接收部分 110 包括 ： 低噪声放大器 111、 失真补偿器 112、 本地振荡器 113、 用作频率转换部分的混频器 114、 IF 滤波器 115、 IF 可变增益放大器 116、 及失真补偿量控制部分 117。
低噪声放大器 111 以预定增益放大具有例如 46 至 886MHz 的频率并且在天线 ( 未 示出 ) 处接收的 RF 信号， 并将如此放大的 RF 信号输出至混频器 114。
低噪声放大器 111 的增益根据从解调部分 120 供给的增益控制信号 SGC 而被调整 到最佳值。
低噪声放大器 111 布置在接收部分 110 的第一级中。由此， 具体地， 具有优异 S/N 比的放大器， 即具有低噪声因子 (NF) 的低噪声放大器被用作低噪声放大器 111， 以用于即 使当输入信号电平低时仍然确保声音质量、 图像质量等等。
失真补偿器 112 具有如下功能 ： 通过从来自低噪声放大器 111 的输出电流中， 减去 根据从失真补偿量控制部分 117 供给的偏置信号 S117 控制的补偿电流 ( 失真补偿量 )， 来 补偿在来自低噪声放大器 111 的输出电流中生成的三阶失真。
本实施例的接收器 100 具有根据所接收信号的强度来改变对其进行失真补偿的 低噪声放大器 111 的失真补偿量的功能， 由此使得可以确保接收器 100 的更宽的动态范围。
另外， 本实施例的无线通信设备 ( 接收器 )100 具有使得与所接收信号的强度相对 应的补偿量可变的功能， 由此使得可以优化与接收环境相对应的动态范围。 注意， 稍后将详细描述用于实现上述功能的低噪声放大器 111、 失真补偿器 112、 及失真补偿量控制部分 117 的具体配置及功能。
本地振荡器 113 生成与具有预定频率且从 PLL 电路 ( 未示出 ) 发送的振荡信号相 对应的本地振荡信号 SLO， 将由此生成的本地振荡信号 SLO 供给至混频器 114。
混频器 114 导出在从低噪声放大器 111 供给的所接收的 RF 信号和从本地振荡器 113 供给的本地振荡信号 SLO 之间的频率差， 将如此导出的频率差通过频率转换而转换为 基带， 生成中频 (IF) 信号， 并将如此生成的 IF 信号输出至 IF 滤波器 115。
IF 滤波器 115 从 IF 信号中衰减具有除 IF 信号的频带之外的频带的任何信号， 减 小 IF 信号中包含的任何噪声， 并把所获得的模拟基带信号输出至 IF 可变增益放大器 116。
IF 可变增益放大器 116 以与在解调部分 120 中生成的增益控制信号 SGC 相对应 的增益来放大输入到其中的模拟基带信号， 并将如此放大的模拟基带信号输出至解调部分 120。
解调部分 120 对于基带信号执行数字信号处理， 由此把从接收部分 110 输出的模 拟基带信号 S110 转换为数字信号， 把所得的数字信号作为视频 / 音频信号输出至在解调部 分 120 的下一级中的信号处理系统。
解调部分 120 具有以下功能 ： 基于根据从接收部分 110 输出的模拟基带信号 S110 而被转换为数字信号的基带信号， 检测所接收信号的电功率的电平 (level)。
解调部分 120 根据所接收信号的电功率的电平的检测结果， 以模拟信号的形式把 据以控制 IF 可变增益放大器 116 的可变增益的增益控制信号 SGC 输出至接收部分 110。
输入至接收部分 110 的增益控制信号 SGC 然后输入至低噪声放大器 111、 IF 可变 增益放大器 116、 及失真补偿量控制部分 117 的每个。
2. 失真补偿系统的具体配置
如已经描述的， 对于本实施例的无线通信系统 ( 接收器 )100， 对其执行失真补偿
的低噪声放大器 111 的失真补偿量根据所接收信号的强度而改变， 从而使得可以提高接收 器 100 的动态范围。
用于主要实现上述功能的低噪声放大器 111、 失真补偿器 112、 及失真补偿量控制 部分 117 的具体配置和功能将在下文详细描述。
对于接收器 100， 当所接收信号的电功率的电平被检测为低时， 对于接收部分 110 要求低噪声因子。另一方面， 当所接收信号的电功率的电平被检测为高时， 对于接收部分 110 要求高线性。
另外， 图 2 所示的接收部分 110 的增益根据从解调部分 120 输出的增益控制信号 ( 电压信号 )SGC 而被控制， 以便变为根据所接收信号的强度的合适的值。
因此， 能够根据增益控制信号 SGC 的电压来区分所接收信号的强度。
图 3 是示出增益控制信号的电压和所接收信号的电功率之间的关系的图形表示。
在图 3 中， 横轴代表增益控制信号 SGC 的电压， 纵轴代表所接收信号的电功率。
在本实施例的接收器 100 中， 根据图 3 所示的增益控制信号 SGC 的电压和所接收 信号的电功率之间的关系， 通过把增益控制信号 SGC 的电压用作所接收信号的强度的判断 基准， 来控制失真补偿量。 下面将参照图 4 详细描述低噪声放大器 111、 失真补偿器 112、 及失真补偿量控制 部分 117 的具体配置及功能。
图 4 是示出构成根据本实施例的接收器的接收部分的低噪声放大器、 失真补偿 器、 及失真补偿量控制部分的具体配置的电路图。
图 4 所示的低噪声放大器 111 包括构成第一差分对晶体管 DT111 的 NMOS 晶体管 MN1 和 MN2、 及电流源 I111。
NMOS 晶体管 MN1 对应于第一晶体管， NMOS 晶体管 MN2 对应于第二晶体管。
注意， 在图 4 中， 参考标号 TI1 和 TI2 分别表示输入端子， 参考标号 TO1 和 TO2 分 别表示输出端子。
NMOS 晶体管 MN1 的源极端子和 NMOS 晶体管 MN2 的源极端子彼此连接， 从而构成第 一差分对晶体管 DT111。
NMOS 晶体管 MN1 和 MN2 的源极端子之间的连接点连接至电流源 I111 的一个端子， 电流源 I111 的另一端子连接至基准电势， 例如地 GND。
NMOS 晶体管 MN1 的栅极端子连接至输入端子 TI2， NMOS 晶体管 MN2 的栅极端子连 接至输入端子 TI1。
低噪声放大器 111 的第一输入端子由 NMOS 晶体管 MN1 的栅极端子形成， 低噪声放 大器 111 的第二输入端子由 NMOS 晶体管 MN2 的栅极端子形成。
NMOS 晶体管 MN1 的漏极端子连接至输出端子 TO1， NMOS 晶体管 MN2 的漏极端子连 接至输出端子 TO2。
低噪声放大器 111 的第一输出端子由 NMOS 晶体管 MN1 的漏极端子形成， 低噪声放 大器 111 的第二输出端子由 NMOS 晶体管 MN2 的漏极端子形成。
失真补偿器 112 包括构成第二差分对晶体管 DT112 的 NMOS 晶体管 MN3 和 MN4、 以 及构成电流源 I112 的 NMOS 晶体管 MN5。
NMOS 晶体管 MN3 对应于第三晶体管， NMOS 晶体管 MN4 对应于第四晶体管， NMOS 晶
体管 MN5 对应于第五晶体管。而且， NMOS 晶体管 MN5 的栅极端子对应于控制端子。
NMOS 晶体管 MN3 的源极端子和 NMOS 晶体管 MN4 的源极端子彼此连接， 从而构成第 二差分对晶体管 DT112。
NMOS 晶体管 MN3 和 MN4 的源极端子之间的连接点连接至构成电流源 I112 的 NMOS 晶体管 MN5 的漏极端子。而且， NMOS 晶体管 MN5 的源极端子连接至基准电势， 例如地 GND。
NMOS 晶体管 MN3 的栅极端子连接至输入端子 TI1， NMOS 晶体管 MN4 的栅极端子连 接至输入端子 TI2。
失真补偿器 112 的第一输入端子由 NMOS 晶体管 MN3 的栅极端子形成， 失真补偿器 112 的第二输入端子由 NMOS 晶体管 MN4 的栅极端子形成。
NMOS 晶体管 MN3 的漏极端子连接至输出端子 TO1， NMOS 晶体管 MN4 的漏极端子连 接至输出端子 TO2。
失真补偿器 112 的第一输出端子由 NMOS 晶体管 MN3 的漏极端子形成， 失真补偿器 112 的第二输出端子由 NMOS 晶体管 MN4 的漏极端子形成。
而且， 构成电流源 I112 的 NMOS 晶体管 MN5 的栅极端子 ( 控制端子 ) 连接至电源 线， 通过该电源线， 偏置信号 S117 从失真补偿量控制部分 117 而被供给至失真补偿器 112。 如先前所述， 失真补偿器 112 通过从来自低噪声放大器 111 的输出电流中减去根 据从失真补偿量控制部分 117 供给的偏置信号 S117 来控制的补偿电流 ( 失真补偿量 )， 来 补偿在低噪声放大器 111 的输出电流中生成的三阶失真。
具体地， 在失真补偿器 112 中， 根据偏置信号 S117 控制用作电流源 I112 的 NMOS 晶体管 MN5 的栅极端子处的电平， 从而控制电流量。
失真补偿量控制部分 117 包括 ： 第一和第二基准电流源 I113 和 I114、 NMOS 晶体管 MN6 至 MN14， p 沟道 MOS(PMOS) 晶体管 MP1 和 MP2、 电阻器 R1 至 R5、 及运算放大器 OPA1。
而且， 补偿量控制电路 1171 由基准电流源 I113 和 I114、 NMOS 晶体管 MN6 至 MN10、 及 PMOS 晶体管 MP1 构成。
另外， 所接收信号强度判断部分 1172 由 NMOS 晶体管 MN11 至 MN14、 PMOS 晶体管 MP2、 电阻器 R1 至 R5、 及运算放大器 OPA1 构成。
参照图 4， 参考标号 TG1 表示用于栅极控制信号 SGC 的输入端子， 参考标号 TR1 表 示用于参考电压 Vref 的输入端子。而且， 参考标号 TC1 表示用于控制信号 A 的输入端子， 参考标号 TC2 表示用于控制信号 B 的输入端子， 参考标号 TC3 表示用于控制信号 C 的输入 端子， 参考标号 TC4 表示用于控制信号 D 的输入端子。
补偿量控制电路 1171 的构成元件被布置为以后文所述方式相连接。
基准电流源 I113 的一个端子和基准电流源 I114 的一个端子中的每一个连接至电 源 VDD。
NMOS 晶体管 MN6 的漏极端子和栅极端子的每个连接至基准电流源 I113 的另一端 子， NMOS 晶体管 MN6 的漏极端子和栅极端子之间的连接点连接至构成失真补偿器 112 的电 流源 I112 的 NMOS 晶体管 MN5 的栅极端子。NMOS 晶体管 MN5 的源极端子连接至作为基准电 势的地 GND。
而且， 电流镜电路 CUR1 由 NMOS 晶体管 MN6 和 NMOS 晶体管 MN5 构成。
NMOS 晶体管 MN7 的漏极端子连接至第一基准电流源 I113 的另一端子与 NMOS 晶体
管 MN6 的漏极端子和栅极端子之间的连接点。而且， NMOS 晶体管 MN7 的源极端子连接至地 GND。
NMOS 晶体管 MN7 的栅极端子连接至 NMOS 晶体管 MN8 的栅极端子和漏极端子的每 个。NMOS 晶体管 MN8 的栅极端子和漏极端子的每个连接至第二基准电流源 I114 的另一端 子。而且， NMOS 晶体管 MN8 的源极端子连接至地 GND。
电流镜电路 CUR2 由 NMOS 晶体管 MN7 和 NMOS 晶体管 MN8 构成。
NMOS 晶体管 MN9 的漏极端子连接至第二基准电流源 I114 的另一端子与 NMOS 晶体 管 MN8 的漏极端子和栅极端子之间的连接点。而且， NMOS 晶体管 MN9 的源极连接至地 GND。
NMOS 晶体管 MN9 的栅极端子连接至 NMOS 晶体管 MN10 的栅极端子和漏极端子的每 个。NMOS 晶体管 MN10 的栅极端子和漏极端子的每个连接至用作电流源的 PMOS 晶体管 MP1 的漏极端子。而且， NMOS 晶体管 MN10 的源极端子连接至地 GND。PMOS 晶体管 MP1 的漏极 端子连接至电源 VDD。
电流镜电路 CUR3 由 NMOS 晶体管 MN9 和 NMOS 晶体管 MN10 构成。
在补偿量控制电路 1171 中， 使来自第一基准电流源 I113 的第一基准电流 IR1 分 散地 (divergingly) 流经在电流镜电路 CUR1 侧的路径 a 和在电流镜电路 CUR2 侧的路径 b。
而且， 当来自路径 b 侧上的电流镜电路 CUR2 的电流量降低时， 来自路径 a 侧上的 电流镜电路 CUR1 的电流量增大。
另一方面， 当来自路径 b 侧上的电流镜电路 CUR2 的电流量增大时， 来自路径 a 侧 上的电流镜电路 CUR1 的电流量降低。
使来自第二基准电流源 I114 的第二基准电流 IR2 分散地流经在电流镜电路 CUR2 侧的路径 c 和在电流镜电路 CUR3 侧的路径 d。
而且， 当来自路径 d 侧上的电流镜电路 CUR3 的电流量降低时， 来自路径 c 侧上的 电流镜电路 CUR2 的电流量增大。
另一方面， 当来自路径 d 侧上的电流镜电路 CUR3 的电流量增大时， 来自路径 c 侧 上的电流镜电路 CUR2 的电流量降低。
另外， 从构成电流源的 PMOS 晶体管 MP1 至电流镜电路 CUR3 的电流量根据来自运 算放大器 OPA1 的输出而增大或减小。
所接收信号强度判断部分 1172 的构成元件被布置为以后文所述方式相连接。
运算放大器 OPA1 的反相输入端子 (-) 连接至用于增益控制信号 SGC 的输入端子 TG1， 运算放大器 OPA1 的非反相输入端子 (+) 连接至电阻器 R1 的一个端子。而且， 节点 ND1 由运算放大器 OPA1 的非反相输入端子 (+) 和电阻器 R1 的一个端子之间的连接点形成。
电阻器 R1 的另一端子连接至参考电压 Vref 的输入端子 TR1。
运算放大器 OPA1 的输出端子连接至 PMOS 晶体管 MP1 和 MP2 的栅极的每个。
PMOS 晶体管 MP2 的源极端子连接至电源 VDD， PMOS 晶体管 MP2 的漏极端子连接至 节点 ND1。PMOS 晶体管 MP2 使得与来自运算放大器 OPA1 的输出信号的电平相对应的电流 IVR2( ＝ IVR1) 流经节点 ND1 侧。
电阻器 R2 的一个端子连接至节点 ND1， 电阻器 R2 的另一端子连接至用作开关的 NMOS 晶体管 MN14 的漏极端子。NMOS 晶体管 MN14 的源极端子连接至地 GND， NMOS 晶体管 MN14 的栅极端子连接至用于控制信号 A 的输入端子 TC1。电阻器 R3 的一个端子连接至节点 ND1， 电阻器 R3 的另一端子连接至用作开关的 NMOS 晶体管 MN13 的漏极端子。NMOS 晶体管 MN13 的源极端子连接至地 GND， NMOS 晶体管 MN13 的栅极端子连接至用于控制信号 B 的输入端子 TC2。
电阻器 R4 的一个端子连接至节点 ND1， 电阻器 R4 的另一端子连接至用作开关的 NMOS 晶体管 MN12 的漏极端子。NMOS 晶体管 MN12 的源极端子连接至地 GND， NMOS 晶体管 MN12 的栅极端子连接至用于控制信号 C 的输入端子 TC3。
电阻器 R5 的一个端子连接至节点 ND1， 电阻器 R5 的另一端子连接至用作开关的 NMOS 晶体管 MN11 的漏极端子。NMOS 晶体管 MN11 的源极端子连接至地 GND， NMOS 晶体管 MN11 的栅极端子连接至用于控制信号 D 的输入端子 TC4。
在本实施例的接收器 100 中， 电阻器 R2、 R3、 R4、 及 R5 的电阻值分别设置为不同的 值。
另外， 控制信号 A、 B、 C、 及 D 的任意一个例如根据规格 (specification) 设置为高 电平 (H)。
而且， NMOS 晶体管 MN11 至 MN14 的任意一个根据设置为高电平的控制信号 A、 B、 C、 及 D 的任意一个而导通。参考电压 Vref 由具有连接至其中任何一个导通的 NMOS 晶体管 MN14、 MN13、 MN12、 及 MN11 的漏极端子的另一端子的电阻器 R2、 R3、 R4、 及 R5 的任意一个分 压， 通过该分压获得的作为结果的电压被输入至运算放大器 OPA1 的非反相输入端子 (+)。 下面， 包括以上述方式配置的低噪声放大器 111、 失真补偿器 112、 及失真补偿量 控制部分 117 的电路的操作将关注于失真补偿量控制部分 117 的操作。
注意， 图 5 是示出被使得流经失真补偿器的电流对于所接收信号的电功率的依赖 性的曲线图。
在图 5 中， 横轴表示所接收信号的电功率， 纵轴表示被使得流经失真补偿器 112 的 电流。
将输入至运算放大器 OPA1 的反相输入端子 (-) 的增益控制信号 SGC 与通过以由 电阻器 R1 和电阻器 R2 至 R5 的组构成的电阻分压器的分压比来对参考电压 Vref 进行分压 而获得并在节点 ND1 出现的电压相比较。
当增益控制信号 SGC 大于经分压的参考电压时， 使与增益控制信号 SGC 成比例的 电流 IVR1 流经 PMOS 晶体管 MP1 和 MP2 的每个。
NMOS 晶体管 MN10 和 MN9 二者从来自第二基准电流源 I114 的第二基准电流 IR2 中 减去电流 IVR1。
另外， NMOS 晶体管 MN7 和 MN8 二者从来自第一基准电流源 I113 的第一基准电流 IR1 中减去通过相减而获得的第二基准电流。
作为结果， 使图 5 的曲线图中所示的电流流经失真补偿器 112， 以便与所接收信号 的强度相对应。
例如， 当被使得流经 PMOS 晶体管 MP1 的电流根据在运算放大器 OPA1 中进行的比 较的结果而增大时， 被使得流经路径 d 的电流减小， 而被使得经由路径 c 流经电流镜电路 CUR2 的电流增大。
作为结果， 被使得流经路径 b 的电流减小， 而被使得经由路径 a 流经电流镜电路 CUR1 的电流增大。
另一方面， 当被使得流经 PMOS 晶体管 MP1 的电流根据在运算放大器 OPA1 中进行 的比较的结果而减小时， 被使得流经路径 d 的电流增大， 而被使得经由路径 c 流经电流镜电 路 CUR2 的电流减小。
作为结果， 被使得流经路径 b 的电流增大， 而被使得经由路径 a 流经电流镜电路 CUR1 的电流减小。
另外， 控制信号 A 至 D 是每个均设置在 CMOS 电平 (level) 的信号， 并且除上述操 作外， 还具有改变由电阻器 R1 和电阻器 R2 至 R5 构成的电阻分压器的分压比的作用。
作为结果， 例如， 可以使失真补偿量对于输入电功率的依赖性具有取决于在所希 望的 CN 方面彼此不同的调制格式的适当值。
图 6 是示出噪声因子对于所接收信号的电功率的依赖性的曲线图。
在图 6 中， 横轴表示所接收信号的电功率， 纵轴表示噪声因子。
另外， 在图 6 中， 分别由 X、 Y、 Z 表示的曲线与执行失真补偿的情况相对应， 并且示 出失真补偿量对于电场的依赖性受控制的情况下的特性。
当被使得流经失真补偿器 112 的电流减小时， 电路的增益增大， 如图 6 所示， 噪声 因子特性随着所接收信号的强度降低而提高。 另外， 从图 6 的曲线图可以理解， 通过改变失真补偿量对于输入信号电功率的依 赖性而改变噪声因子开始以上述机制提高时的输入信号的电平。
注意， 虽然失真补偿量随着所接收信号的强度的降低而减小， 但是因为所接收信 号的强度降低， 因此失真补偿本身同时减小。因此， 由于噪声因子提高的贡献， 信号质量未 受损。
图 7 是示出当使希望波的电功率对于干扰波的电功率的比率恒定时信号相对于 拍子的比率的曲线图。
在图 7 中， 横轴表示所接收信号的电功率， 纵轴表示信号相对于拍子的比率。
另外， 在图 7 中， 分别由 X、 Y、 Z 表示的曲线与执行失真补偿的情况相对应， 并且示 出失真补偿量对于电场的依赖性受控制的情况下的特性。
从图 7 的曲线图可以理解， 类似于噪声因子特性的情况， 通过改变失真补偿量对 于输入信号电功率的依赖性而改变信号相对于拍子的比率开始以上述机制提高时的输入 信号的电平。
图 8A 至 8C 分别是解释当本发明应用于在图 2 所示的接收器接收电视广播波的情 况时的效果的示意图。
而且， 图 8A 至 8C 示出当在接收器 100 接收电视广播波时的例子。
在图 8A 至 8C 中， 区域 ARA1 是因为接收器 100 位置接近电视广播塔 200 因此所接 收信号的强度高的区域。
另外， 区域 ARA2 是因为接收器 100 位置远离电视广播塔 200 因此所接收信号的强 度低的区域。
而且， 图 8A 示出当电视机 210 不具有失真补偿功能时电视机 210 中的图像的显示 状态。
图 8B 示出当电视机 210 具有失真补偿功能时电视机 210 中的图像的显示状态。
图 8C 示出当电视机 210 如在本实施例中那样具有失真补偿和信号强度判断功能
时电视机 210 中的图像的显示状态。
当电视机 210 不具有失真补偿功能时， 如图 8A 所示， 在作为电视机 210 位置接近 广播塔 200 因而所接收信号的强度高的区域的区域 ARA1 中的电视机 210 中不显示图像 ( 广 播状态不好 )。
在作为电视机 210 位置远离广播塔 200 因而所接收信号的强度低的区域的区域 ARA2 中的电视机 210 的屏幕上显示图像。
当电视机 210 具有失真补偿功能时， 如图 8B 所示， 在作为电视机 210 位置接近广 播塔 200 因而所接收信号的强度高的区域的区域 ARA1 中的电视机 210 的屏幕上显示图像。
另一方面， 在作为电视机 210 位置远离广播塔 200 因而所接收信号的强度低的区 域的区域 ARA2 中的电视机 210 中不显示图像。
当电视机 210 具有所述失真补偿和信号强度判断功能时， 如图 8C 所示， 在作为电 视机 210 位置接近广播塔 200 因而所接收信号的强度高的区域的区域 ARA1 中的电视机 210 的屏幕上显示图像。
另外， 在作为电视机 210 位置远离广播塔 200 因而所接收信号的强度低的区域的 区域 ARA2 中的电视机 210 的屏幕上也显示图像。 如上文所述， 根据本实施例， 失真补偿技术应用于接收器， 将失真补偿量与增益控 制电压相比较以便执行希望的控制。
增益控制电压与所接收信号的强度成比例。 由此， 当所接收信号的强度低时， 噪声 因子特性改进， 而当所接收信号的强度高时， 失真特性改进。
作为结果， 可以提高接收器的动态范围。
本申请包含与 2009 年 6 月 1 日在日本专利局提交的日本优先权专利申请 JP 2009-131849 号中公开的主题相关的主题， 其全部内容通过引用包含于此。
本领域技术人员应当理解， 可以根据设计要求和其它因素而进行各种修改、 组合、 子组合及替换， 只要它们在所附权利要求或其等同内容的范围内。