一种P型硅化物热电材料的制备方法.pdf

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摘要
申请专利号:

CN201010272428.3

申请日:

2010.09.06

公开号:

CN101935042A

公开日:

2011.01.05

当前法律状态:

撤回

有效性:

无权

法律详情:

发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):C01B 33/06申请公布日:20110105|||实质审查的生效IPC(主分类):C01B 33/06申请日:20100906|||公开

IPC分类号:

C01B33/06

主分类号:

C01B33/06

申请人:

电子科技大学

发明人:

周爱军; 李晶泽

地址:

611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

优先权:

专利代理机构:

代理人:

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内容摘要

本发明涉及一种P型Mn-Si基硅化物热电材料的制备方法。所述的P型热电材料是以Mn、Si的块材为基本组成,Re、Ge、Sn、Pb元素为取代元素,通过感应悬浮熔炼、球磨和真空热压的方法制备而成。所述的P型热电材料具有较高的热电优值ZT,最高值达到0.6,可作为热电器件的P型端,也可作为溅射法制备硅化物薄膜材料的靶材。本发明所涉及的生产设备成本低、制备工艺简单、可重复性高,有利于规模化工业生产。

权利要求书

1: 一种 P 型硅化物热电材料的制备方法, 其特征在于, 采用感应熔炼、 球磨和热压烧结 相结合的方法进行制备, 制备步骤如下 : (1) 选择 A、 B 两组物质为原料, 其中 A 主要是 Mn 单质的块体材料, 同时含有摩尔分数 为 0% -4%的 Re 单质, 物质 B 主要是 Si 单质的块体材料, 同时含有摩尔分数为 0% -4%的 Ge、 Sn、 Pb 中的一种或多种单质, 使用感应熔炼设备将其熔化形成一种合金块材 ; (2) 将步骤 (1) 中得到的合金块材进行机械破碎至 0.1mm-1mm 大小的颗粒 ; (3) 将步骤 (2) 中得到的颗粒进行机械球磨至 40μm 以下的黑色合金粉末, 球磨时使用 一种液体作为分散剂 ; (4) 将步骤 (3) 中得到的黑色合金粉末进行烘干, 将干燥的粉末进行热压烧结, 得到 P 型硅化物热电材料。
2: 根据权利要求 1 所述的一种 P 型硅化物热电材料的制备方法, 其特征在于 : 所述的 步骤 (1) 中的 A、 B 两组物质的摩尔比例为 A ∶ B = 1.7-1.85。
3: 根据权利要求 1 所述的一种 P 型硅化物热电材料的制备方法, 其特征在于 : 所述的 步骤 (1) 中的感应熔炼为感应悬浮熔炼, 并在氩气气氛下进行, 其特点是熔化后的合金液 体与坩埚不直接接触, 避免坩埚对合金的污染。
4: 根据权利要求 1 所述的一种 P 型硅化物热电材料的制备方法, 其特征在于 : 所述的 步骤 (2) 中的机械破碎采用人工敲打击碎或利用粉碎设备, 其目的是保持步骤 (3) 的产物 的均匀性。
5: 根据权利要求 1 所述的一种 P 型硅化物热电材料的制备方法, 其特征在于 : 所述的 步骤 (3) 的球磨过程使用的球磨罐和小球的材质为不锈钢、 氧化铝、 碳化钨中的任意一种, 球磨参数为 : 球重比 10-20、 球磨转速 150rpm-450rpm、 球磨时间 1h-4h。
6: 根据权利要求 1 所述的一种 P 型硅化物热电材料的制备方法, 其特征在于 : 所述的 步骤 (3) 的液体分散剂为乙醇、 丙酮、 己烷中的任意一种。
7: 根据权利要求 1 所述的一种 P 型硅化物热电材料的制备方法, 其特征在于 : 所述的 步骤 (4) 的热压过程为 : 将粉末装入圆柱形石墨模具中压紧, 在真空度小于 10Pa 的条件下 进行热压烧结, 烧结的温度为 750℃ -950℃, 压力为 50MPa-120MPa, 烧结时间为 30min-4h。
8: 根据权利要求 1 所述的一种 P 型硅化物热电材料的制备方法, 其特征在于 : 所述的 步骤 (4) 所得的圆片材料的直径为 8mm-60mm, 厚度为 1mm-20mm, 可以作热电材料的 P 型端。
9: 根据权利要求 1 所述的一种 P 型硅化物热电材料的制备方法, 其特征在于 : 所述的 P 型硅化物热电材料同时可作为一种靶材, 用于溅射法制备硅化物薄膜材料。
10: 根据权利要求 1 所述的一种 P 型硅化物热电材料的制备方法, 其特征在于 : 所述的 P 型硅化物热电材料具有 10μm-100μm 的晶粒大小, 且具有较高的 ZT 值, 最高值达到 0.6。

说明书


一种 P 型硅化物热电材料的制备方法

    【技术领域】
     本发明涉及一种 P 型硅化物热电材料的制备方法, 特别涉及一种 Mn-Si 基合金热 电材料的制备方法。背景技术
     随着世界能源问题的日益严重, 人们正在研究更多的洁净能源生产方法, 同时也 在试图提高能源的利用效率。由热电材料做成的温差发电器件可以将工业、 民用产生的废 热转换成电能, 能够有效地提高能源综合利用效率。此类器件同时也可以作为半导体制冷 设备, 用于小型冰箱、 电子元器件的制冷等领域。热电器件具有体积小、 质量轻、 无运动部 件、 无噪声、 无污染等优点, 具有广泛的应用前景。
     热电材料的性能用热电优值 ZT 表征, ZT = α2σT/κ, 其中 α 是材料的 Seebeck 系数, σ 是电导率, T 为绝对温度, κ 为热导率。理想的热电材料应该具有高的 α 和 σ, 以 及较低的 κ。目前市场上应用较多的热电材料为 Bi-Te 基合金, 另外研究较多的有 Co-Sb 基、 Pb-Te 基和 Si-Ge 基合金。它们虽然具有相对较高的 ZT 值 ( 在 1 附近 ), 但这些材料的 主体元素大多是有毒的, 并且在地壳中的含量较少, 价格昂贵, 不适合大规模的工业生产和 应用。
     Mn-Si 基 热 电 材 料 是 P 型 硅 化 物 中 性 能 最 好 的 材 料 之 一, 它的化学组成为 MnSi1.7-1.75, 具有价格便宜、 耐高温、 抗氧化等优点。通过单辊急冷法和放电等离子体烧结技 术 ( 专利号 : CN101692479A) 可以降低晶粒尺寸, 有效降低晶格热导率, 从而提高 ZT 值。然 而, 采用该方法时在高温环境下纳米晶粒会逐渐长大, 从而影响 ZT 值的稳定性 ; 同时, 单辊 急冷设备和放电等离子体烧结设备的成本较大, 工艺步骤相对复杂 ; 特别的是, 单辊急冷法 一次性制备的样品量较少, 所获得的带状物产率较低, 不利于规模化生产。 除了细化晶粒的 方法外, 通过元素掺杂或取代形成固溶体也能够有效降低晶格热导和提高 ZT 值。通过感应 悬浮熔炼的方法可以将多种成份熔化形成合金, 并且熔化的合金液体和坩埚壁不发生直接 接触, 从而避免污染。 球磨和真空热压烧结技术能够将熔炼的合金进行粉碎, 并重新烧结成 所需大小的块材, 是一种简单、 低成本的热电材料生产方法。用这种方法也可以制备 Mn-Si 基合金的靶材, 用于 Mn-Si 薄膜材料的溅射法制备。 发明内容 本发明的目的是提供一种 P 型硅化物热电材料的制备方法
     本发明采用感应熔炼、 球磨和真空热压等工艺制备 P 型硅化物热电材料及薄膜靶 材, 实验流程图如图 1 所示, 工艺步骤顺序如下 :
     1、 选择 A、 B 两组物质为原料, 其中 A 主要是 Mn 单质的块体材料, 同时含有摩尔分 数为 0% -4%的 Re 单质, 物质 B 主要是 Si 单质的块体材料, 同时含有摩尔分数为 0% -4% 的 Ge、 Sn、 Pb 中的一种或多种单质, 使用感应熔炼设备将其熔化形成一种合金块材 ;
     2、 将步骤 1 中得到的合金块材进行机械破碎至 0.1mm-1mm 大小的颗粒 ;
     3、 将步骤 2 中得到的颗粒进行机械球磨至 40μm 以下的黑色合金粉末, 球磨时使 用一种液体作为分散剂 ;
     4、 将步骤 3 中得到的黑色合金粉末进行烘干, 将干燥的粉末进行热压烧结, 得到 P 型硅化物热电材料。
     所 述 的 步 骤 1 中 使 用 的 单 质 块 材 的 纯 度 为 Mn : 99.99 %、 Re : 99.99 %、 Si : 99.999%、 Ge : 99.999%、 Sn : 99.9%、 Pb : 99.99% ;
     所述的步骤 1 中的 A、 B 两组物质的摩尔比例为 A ∶ B = 1.7-1.85 ;
     所述的步骤 1 中的感应熔炼为感应悬浮熔炼, 并在氩气气氛下进行, 其特点是熔 化后的合金液体与坩埚不直接接触, 避免坩埚对合金的污染 ;
     所述的步骤 3 的球磨过程使用的球磨罐和小球的材质为不锈钢、 氧化铝、 碳化钨 中的任意一种, 球磨参数为 : 球重比 10-20、 球磨转速 150rpm-450rpm、 球磨时间 1h-4h ;
     所述的步骤 3 的液体为乙醇、 丙酮、 己烷中的任意一种 ;
     所述的步骤 4 的热压过程为 : 将粉末装入圆柱形石墨模具中压紧, 在真空度小于 10Pa 的条件下进行热压烧结。烧结的温度为 750℃ -950℃, 压力为 50MPa-120MPa, 烧结时 间为 30min-4h ; 所述的步骤 4 所得的圆片材料的直径为 8mm-60mm, 厚度为 1mm-20mm, 可以作热电 材料的 P 型端以及溅射法制备硅化物薄膜材料的靶材 ;
     所述的 P 型硅化物热电材料具有较高的 ZT 值, 最高值达到 0.6。
     本发明的有益效果有 :
     1. 本发明通过感应熔炼、 球磨和真空热压法获得 P 型硅化物热电材料, 所需的设 备成本低, 工艺简单, 并且本发明使用的原料为单质块材, 相对于同纯度的粉末而言价格 低, 因此本发明提供了一种低成本的 P 型硅化物热电材料的制备方法, 有利于规模化生产 ;
     2. 本发明有利于获得高性能的 P 型硅化物热电材料, 通过以 Mn、 Si 元素为基础, 同时加入一定量的 Re、 Ge、 Sn、 Pb 对 Mn、 Si 进行元素取代的方法, 能够降低晶格热导率, 从 而提高 ZT 值 ;
     3. 本发明可制备不同尺寸的 P 型硅化物热电材料, 其不仅可以切割成小块作为热 电器件的 P 型端材料, 也可以以较大的尺寸作为溅射法制备 Mn-Si 基硅化物薄膜材料的靶 材。
     附图说明
     图 1 为本发明的实验流程图
     图 2 为本发明实施方案 1 中所制备的 P 型热电材料的 XRD 图谱
     图 3 为本发明实施方案 1 中所制备的 P 型热电材料的 SEM 照片
     图 4 为本发明实施方案 1 中所制备的 P 型热电材料的电导率随温度的变化关系
     图 5 为本发明实施方案 1 中所制备的 P 型热电材料的 Seebeck 系数随温度的变化 关系
     图 6 为本发明实施方案 1 中所制备的 P 型热电材料的热导率随温度的变化关系
     图 7 为本发明实施方案 1 中所制备的 P 型热电材料的 ZT 值随温度的变化关系
     具体实施案例下面通过具体的实施案例对本发明进行进一步说明, 但本发明不仅仅局限于以下 的实施案例。
     实施案例 1
     一种 P 型 Mn(Si0.992Ge0.008)1.733 热电材料及薄膜靶材的制备方法, 它包括以下步骤 :
     (1) 将 Mn、 Si、 Ge 单质块材按照 Mn(Si0.992Ge0.008)1.733 的化学计量比称量, 三种物质 的总质量为 50g ;
     (2) 将称量好的原料放置在感应悬浮熔炼炉的水冷铜坩埚内, 抽真空后在氩气气 氛下进行感应悬浮熔炼, 然后自然水冷得到合金块材 ;
     (3) 将得到的合金块材敲击至 0.1mm-1mm 大小的颗粒 ;
     (4) 将得到的颗粒进行机械球磨, 使用己烷作为液体分散剂。 球磨过程使用碳化钨 球磨罐和小球, 球重比为 20, 球磨转速 300rpm, 球磨时间 1h, 得到 40μm 以下的合金粉末 ;
     (5) 将球磨得到的黑色合金粉末进行烘干, 将 1g 干燥的粉末装入直径为 12mm 的石 墨模具, 压紧后抽真空至 1Pa 以下, 在 900℃和 100MPa 的条件下热压烧结 30min ;
     (6) 热压后的圆片的直径为 12mm, 厚度为 2mm, 可切割后用作热电器件的 P 型端。
     图 1 是实施案例 1 中制备的 Mn(Si0.992Ge0.008)1.733 的 XRD 图。由图 1 可以看出, Mn(Si0.992Ge0.008)1.733 的 XRD 图谱和标准卡片 (ICDD-720032) 完全吻合, 没有发现其它杂 质, 说明所制备的 Mn(Si0.992Ge0.008)1.733 为较纯的 Mn15Si26 相。图 2 是实施案例 1 中制备的 Mn(Si0.992Ge0.008)1.733 的 SEM 照片。可以看出, Mn(Si0.992Ge0.008)1.733 的晶粒尺寸在几十个微米 左右, 并且烧结良好。图 3 是实施案例 1 中制备的 Mn(Si0.992Ge0.008)1.733 的电导率随温度的 变化关系。图 4 是实施案例 1 中制备的 Mn(Si0.992Ge0.008)1.733 的 Seebeck 系数随温度的变化 关系。图 5 是实施案例 1 中制备的 Mn(Si0.992Ge0.008)1.733 的热导率随温度的变化关系。图 6 是实施案例 1 中制备的 Mn(Si0.992Ge0.008)1.733 的 ZT 值随温度的变化关系。可以看出, 实施案 例 1 中制备的 Mn(Si0.992Ge0.008)1.733 在 570℃具有最高 ZT 值为 0.6, 说明该 P 型硅化物热电 材料具有较好的热电性能。
     实施案例 2
     一种 P 型 Mn0.99Re0.01Si1.75 热电材料及薄膜靶材的制备方法, 它包括以下步骤 :
     (1) 将 Mn、 Re、 Si 单质块材按照 Mn0.99Re0.01Si1.75 的化学计量比称量, 三种物质的总 质量为 50g ;
     (2) 将称量好的原料放置在感应悬浮熔炼炉的水冷铜坩埚内, 抽真空后在氩气气 氛下进行感应悬浮熔炼, 然后自然水冷得到合金块材 ;
     (3) 将得到的合金块材敲击至 0.1mm-1mm 大小的颗粒 ;
     (4) 将得到的颗粒进行机械球磨, 使用乙醇作为液体分散剂。 球磨过程使用氧化铝 球磨罐和小球, 球重比为 15, 球磨转速 400rpm, 球磨时间 1h, 得到 40μm 以下的合金粉末 ;
     (5) 将球磨得到的黑色合金粉末进行烘干, 将 1g 干燥的粉末装入直径为 12mm 的石 墨模具, 压紧后抽真空至 1Pa 以下, 在 800℃和 120MPa 的条件下热压烧结 30min ;
     (6) 热压后的圆片的直径为 12mm, 厚度为 2mm, 经 XRD 检测发现其为较纯 Mn15Si26 相。该圆片可切割后用作热电器件的 P 型端。
     实施案例 3
     一种 P 型 Mn0.99Re0.01(Si0.98Ge0.02)1.733 热电材料及薄膜靶材的制备方法, 它包括以下步骤 : (1) 将 Mn、 Re、 Si、 Ge 单质块材按照 Mn0.99Re0.01(Si0.98Ge0.02)1.733 的化学计量比称量, 三种物质的总质量为 50g ;
     (2) 将称量好的原料放置在感应悬浮熔炼炉的水冷铜坩埚内, 抽真空后在氩气气 氛下进行感应悬浮熔炼, 然后自然水冷得到合金块材 ;
     (3) 将得到的合金块材敲击至 0.1mm-1mm 大小的颗粒 ;
     (4) 将得到的颗粒进行机械球磨, 使用乙醇作为液体分散剂。 球磨过程使用不锈钢 球磨罐和小球, 球重比为 10, 球磨转速 450rpm, 球磨时间 1h, 得到 40μm 以下的合金粉末 ;
     (5) 将球磨得到的黑色合金粉末进行烘干, 将 30g 干燥的粉末装入直径为 60mm 的 石墨模具, 压紧后抽真空至 1Pa 以下, 在 950℃和 50MPa 的条件下热压烧结 1h ;
     (6) 热压后的圆片的直径为 60mm, 厚度为 2mm, 经 XRD 检测发现其为较纯 Mn15Si26 相。该圆片可直接作为溅射薄膜材料的靶材, 也可切割后用作热电器件的 P 型端。
     实施案例 4
     一种 P 型 Mn0.98Re0.02(Si0.96Ge0.02Sn0.02)1.733 热电材料及薄膜靶材的制备方法, 它包 括以下步骤 :
     (1) 将 Mn、 Re、 Si、 Ge、 Sn 单质块材按照 Mn0.98Re0.02(Si0.96Ge0.02Sn0.02)1.733 的化学计 量比称量, 三种物质的总质量为 50g ;
     (2) 将称量好的原料放置在感应悬浮熔炼炉的水冷铜坩埚内, 抽真空后在氩气气 氛下进行感应悬浮熔炼, 然后自然水冷得到合金块材 ;
     (3) 将得到的合金块材敲击至 0.1mm-1mm 大小的颗粒 ;
     (4) 将得到的颗粒进行机械球磨, 使用己烷作为液体分散剂。 球磨过程使用碳化物 球磨罐和小球, 球重比为 20, 球磨转速 300rpm, 球磨时间 30min, 得到 40μm 以下的合金粉 末;
     (5) 将球磨得到的黑色合金粉末进行烘干, 将 30g 干燥的粉末装入直径为 60mm 的 石墨模具, 压紧后抽真空至 1Pa 以下, 在 850℃和 120MPa 的条件下热压烧结 2 小时 ;
     (6) 热压后的圆片的直径为 60mm, 厚度为 2.5mm, 经 XRD 检测发现其为较纯 Mn15Si26 相。
     该圆片可直接作为溅射薄膜材料的靶材, 也可切割后用作热电器件的 P 型端。
     实施案例 5
     一种 P 型 Mn0.97Re0.03(Si0.96Ge0.02Pb0.02)1.733 热电材料及薄膜靶材的制备方法, 它包 括以下步骤 :
     (1) 将 Mn、 Re、 Si、 Ge、 Pb 单质块材按照 Mn0.97Re0.03(Si0.96Ge0.02Pb0.02)1.733 的化学计 量比称量, 三种物质的总质量为 50g ;
     (2) 将称量好的原料放置在感应悬浮熔炼炉的水冷铜坩埚内, 抽真空后在氩气气 氛下进行感应悬浮熔炼, 然后自然水冷得到合金块材 ;
     (3) 将得到的合金块材敲击至 0.1mm-1mm 大小的颗粒 ;
     (4) 将得到的颗粒进行机械球磨, 使用己烷作为液体分散剂。 球磨过程使用碳化物 球磨罐和小球, 球重比为 20, 球磨转速 300rpm, 球磨时间 30 分钟, 得到 40μm 以下的合金粉 末;
     (5) 将球磨得到的黑色合金粉末进行烘干, 将 30g 干燥的粉末装入直径为 60mm 的 石墨模具, 压紧后抽真空至 1Pa 以下, 在 750℃和 120MPa 的条件下热压烧结 4h ;
     (6) 热压后的圆片的直径为 60mm, 厚度为 3mm, 经 XRD 检测发现其为较纯 Mn15Si26 相。该圆片可直接作为溅射薄膜材料的靶材, 也可切割后用作热电器件的 P 型端。

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1、10申请公布号CN101935042A43申请公布日20110105CN101935042ACN101935042A21申请号201010272428322申请日20100906C01B33/0620060171申请人电子科技大学地址611731四川省成都市高新区西区西源大道2006号72发明人周爱军李晶泽54发明名称一种P型硅化物热电材料的制备方法57摘要本发明涉及一种P型MNSI基硅化物热电材料的制备方法。所述的P型热电材料是以MN、SI的块材为基本组成,RE、GE、SN、PB元素为取代元素,通过感应悬浮熔炼、球磨和真空热压的方法制备而成。所述的P型热电材料具有较高的热电优值ZT,最高值达。

2、到06,可作为热电器件的P型端,也可作为溅射法制备硅化物薄膜材料的靶材。本发明所涉及的生产设备成本低、制备工艺简单、可重复性高,有利于规模化工业生产。51INTCL19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书5页附图4页CN101935042A1/1页21一种P型硅化物热电材料的制备方法,其特征在于,采用感应熔炼、球磨和热压烧结相结合的方法进行制备,制备步骤如下1选择A、B两组物质为原料,其中A主要是MN单质的块体材料,同时含有摩尔分数为04的RE单质,物质B主要是SI单质的块体材料,同时含有摩尔分数为04的GE、SN、PB中的一种或多种单质,使用感应熔炼设备将其熔化形。

3、成一种合金块材;2将步骤1中得到的合金块材进行机械破碎至01MM1MM大小的颗粒;3将步骤2中得到的颗粒进行机械球磨至40M以下的黑色合金粉末,球磨时使用一种液体作为分散剂;4将步骤3中得到的黑色合金粉末进行烘干,将干燥的粉末进行热压烧结,得到P型硅化物热电材料。2根据权利要求1所述的一种P型硅化物热电材料的制备方法,其特征在于所述的步骤1中的A、B两组物质的摩尔比例为AB17185。3根据权利要求1所述的一种P型硅化物热电材料的制备方法,其特征在于所述的步骤1中的感应熔炼为感应悬浮熔炼,并在氩气气氛下进行,其特点是熔化后的合金液体与坩埚不直接接触,避免坩埚对合金的污染。4根据权利要求1所述的。

4、一种P型硅化物热电材料的制备方法,其特征在于所述的步骤2中的机械破碎采用人工敲打击碎或利用粉碎设备,其目的是保持步骤3的产物的均匀性。5根据权利要求1所述的一种P型硅化物热电材料的制备方法,其特征在于所述的步骤3的球磨过程使用的球磨罐和小球的材质为不锈钢、氧化铝、碳化钨中的任意一种,球磨参数为球重比1020、球磨转速150RPM450RPM、球磨时间1H4H。6根据权利要求1所述的一种P型硅化物热电材料的制备方法,其特征在于所述的步骤3的液体分散剂为乙醇、丙酮、己烷中的任意一种。7根据权利要求1所述的一种P型硅化物热电材料的制备方法,其特征在于所述的步骤4的热压过程为将粉末装入圆柱形石墨模具中。

5、压紧,在真空度小于10PA的条件下进行热压烧结,烧结的温度为750950,压力为50MPA120MPA,烧结时间为30MIN4H。8根据权利要求1所述的一种P型硅化物热电材料的制备方法,其特征在于所述的步骤4所得的圆片材料的直径为8MM60MM,厚度为1MM20MM,可以作热电材料的P型端。9根据权利要求1所述的一种P型硅化物热电材料的制备方法,其特征在于所述的P型硅化物热电材料同时可作为一种靶材,用于溅射法制备硅化物薄膜材料。10根据权利要求1所述的一种P型硅化物热电材料的制备方法,其特征在于所述的P型硅化物热电材料具有10M100M的晶粒大小,且具有较高的ZT值,最高值达到06。权利要求书。

6、CN101935042A1/5页3一种P型硅化物热电材料的制备方法技术领域0001本发明涉及一种P型硅化物热电材料的制备方法,特别涉及一种MNSI基合金热电材料的制备方法。背景技术0002随着世界能源问题的日益严重,人们正在研究更多的洁净能源生产方法,同时也在试图提高能源的利用效率。由热电材料做成的温差发电器件可以将工业、民用产生的废热转换成电能,能够有效地提高能源综合利用效率。此类器件同时也可以作为半导体制冷设备,用于小型冰箱、电子元器件的制冷等领域。热电器件具有体积小、质量轻、无运动部件、无噪声、无污染等优点,具有广泛的应用前景。0003热电材料的性能用热电优值ZT表征,ZT2T/,其中是。

7、材料的SEEBECK系数,是电导率,T为绝对温度,为热导率。理想的热电材料应该具有高的和,以及较低的。目前市场上应用较多的热电材料为BITE基合金,另外研究较多的有COSB基、PBTE基和SIGE基合金。它们虽然具有相对较高的ZT值在1附近,但这些材料的主体元素大多是有毒的,并且在地壳中的含量较少,价格昂贵,不适合大规模的工业生产和应用。0004MNSI基热电材料是P型硅化物中性能最好的材料之一,它的化学组成为MNSI17175,具有价格便宜、耐高温、抗氧化等优点。通过单辊急冷法和放电等离子体烧结技术专利号CN101692479A可以降低晶粒尺寸,有效降低晶格热导率,从而提高ZT值。然而,采用。

8、该方法时在高温环境下纳米晶粒会逐渐长大,从而影响ZT值的稳定性;同时,单辊急冷设备和放电等离子体烧结设备的成本较大,工艺步骤相对复杂;特别的是,单辊急冷法一次性制备的样品量较少,所获得的带状物产率较低,不利于规模化生产。除了细化晶粒的方法外,通过元素掺杂或取代形成固溶体也能够有效降低晶格热导和提高ZT值。通过感应悬浮熔炼的方法可以将多种成份熔化形成合金,并且熔化的合金液体和坩埚壁不发生直接接触,从而避免污染。球磨和真空热压烧结技术能够将熔炼的合金进行粉碎,并重新烧结成所需大小的块材,是一种简单、低成本的热电材料生产方法。用这种方法也可以制备MNSI基合金的靶材,用于MNSI薄膜材料的溅射法制备。

9、。发明内容0005本发明的目的是提供一种P型硅化物热电材料的制备方法0006本发明采用感应熔炼、球磨和真空热压等工艺制备P型硅化物热电材料及薄膜靶材,实验流程图如图1所示,工艺步骤顺序如下00071、选择A、B两组物质为原料,其中A主要是MN单质的块体材料,同时含有摩尔分数为04的RE单质,物质B主要是SI单质的块体材料,同时含有摩尔分数为04的GE、SN、PB中的一种或多种单质,使用感应熔炼设备将其熔化形成一种合金块材;00082、将步骤1中得到的合金块材进行机械破碎至01MM1MM大小的颗粒;说明书CN101935042A2/5页400093、将步骤2中得到的颗粒进行机械球磨至40M以下的。

10、黑色合金粉末,球磨时使用一种液体作为分散剂;00104、将步骤3中得到的黑色合金粉末进行烘干,将干燥的粉末进行热压烧结,得到P型硅化物热电材料。0011所述的步骤1中使用的单质块材的纯度为MN9999、RE9999、SI99999、GE99999、SN999、PB9999;0012所述的步骤1中的A、B两组物质的摩尔比例为AB17185;0013所述的步骤1中的感应熔炼为感应悬浮熔炼,并在氩气气氛下进行,其特点是熔化后的合金液体与坩埚不直接接触,避免坩埚对合金的污染;0014所述的步骤3的球磨过程使用的球磨罐和小球的材质为不锈钢、氧化铝、碳化钨中的任意一种,球磨参数为球重比1020、球磨转速1。

11、50RPM450RPM、球磨时间1H4H;0015所述的步骤3的液体为乙醇、丙酮、己烷中的任意一种;0016所述的步骤4的热压过程为将粉末装入圆柱形石墨模具中压紧,在真空度小于10PA的条件下进行热压烧结。烧结的温度为750950,压力为50MPA120MPA,烧结时间为30MIN4H;0017所述的步骤4所得的圆片材料的直径为8MM60MM,厚度为1MM20MM,可以作热电材料的P型端以及溅射法制备硅化物薄膜材料的靶材;0018所述的P型硅化物热电材料具有较高的ZT值,最高值达到06。0019本发明的有益效果有00201本发明通过感应熔炼、球磨和真空热压法获得P型硅化物热电材料,所需的设备成。

12、本低,工艺简单,并且本发明使用的原料为单质块材,相对于同纯度的粉末而言价格低,因此本发明提供了一种低成本的P型硅化物热电材料的制备方法,有利于规模化生产;00212本发明有利于获得高性能的P型硅化物热电材料,通过以MN、SI元素为基础,同时加入一定量的RE、GE、SN、PB对MN、SI进行元素取代的方法,能够降低晶格热导率,从而提高ZT值;00223本发明可制备不同尺寸的P型硅化物热电材料,其不仅可以切割成小块作为热电器件的P型端材料,也可以以较大的尺寸作为溅射法制备MNSI基硅化物薄膜材料的靶材。附图说明0023图1为本发明的实验流程图0024图2为本发明实施方案1中所制备的P型热电材料的X。

13、RD图谱0025图3为本发明实施方案1中所制备的P型热电材料的SEM照片0026图4为本发明实施方案1中所制备的P型热电材料的电导率随温度的变化关系0027图5为本发明实施方案1中所制备的P型热电材料的SEEBECK系数随温度的变化关系0028图6为本发明实施方案1中所制备的P型热电材料的热导率随温度的变化关系0029图7为本发明实施方案1中所制备的P型热电材料的ZT值随温度的变化关系0030具体实施案例说明书CN101935042A3/5页50031下面通过具体的实施案例对本发明进行进一步说明,但本发明不仅仅局限于以下的实施案例。0032实施案例10033一种P型MNSI0992GE0008。

14、1733热电材料及薄膜靶材的制备方法,它包括以下步骤00341将MN、SI、GE单质块材按照MNSI0992GE00081733的化学计量比称量,三种物质的总质量为50G;00352将称量好的原料放置在感应悬浮熔炼炉的水冷铜坩埚内,抽真空后在氩气气氛下进行感应悬浮熔炼,然后自然水冷得到合金块材;00363将得到的合金块材敲击至01MM1MM大小的颗粒;00374将得到的颗粒进行机械球磨,使用己烷作为液体分散剂。球磨过程使用碳化钨球磨罐和小球,球重比为20,球磨转速300RPM,球磨时间1H,得到40M以下的合金粉末;00385将球磨得到的黑色合金粉末进行烘干,将1G干燥的粉末装入直径为12MM。

15、的石墨模具,压紧后抽真空至1PA以下,在900和100MPA的条件下热压烧结30MIN;00396热压后的圆片的直径为12MM,厚度为2MM,可切割后用作热电器件的P型端。0040图1是实施案例1中制备的MNSI0992GE00081733的XRD图。由图1可以看出,MNSI0992GE00081733的XRD图谱和标准卡片ICDD720032完全吻合,没有发现其它杂质,说明所制备的MNSI0992GE00081733为较纯的MN15SI26相。图2是实施案例1中制备的MNSI0992GE00081733的SEM照片。可以看出,MNSI0992GE00081733的晶粒尺寸在几十个微米左右,并。

16、且烧结良好。图3是实施案例1中制备的MNSI0992GE00081733的电导率随温度的变化关系。图4是实施案例1中制备的MNSI0992GE00081733的SEEBECK系数随温度的变化关系。图5是实施案例1中制备的MNSI0992GE00081733的热导率随温度的变化关系。图6是实施案例1中制备的MNSI0992GE00081733的ZT值随温度的变化关系。可以看出,实施案例1中制备的MNSI0992GE00081733在570具有最高ZT值为06,说明该P型硅化物热电材料具有较好的热电性能。0041实施案例20042一种P型MN099RE001SI175热电材料及薄膜靶材的制备方法,。

17、它包括以下步骤00431将MN、RE、SI单质块材按照MN099RE001SI175的化学计量比称量,三种物质的总质量为50G;00442将称量好的原料放置在感应悬浮熔炼炉的水冷铜坩埚内,抽真空后在氩气气氛下进行感应悬浮熔炼,然后自然水冷得到合金块材;00453将得到的合金块材敲击至01MM1MM大小的颗粒;00464将得到的颗粒进行机械球磨,使用乙醇作为液体分散剂。球磨过程使用氧化铝球磨罐和小球,球重比为15,球磨转速400RPM,球磨时间1H,得到40M以下的合金粉末;00475将球磨得到的黑色合金粉末进行烘干,将1G干燥的粉末装入直径为12MM的石墨模具,压紧后抽真空至1PA以下,在80。

18、0和120MPA的条件下热压烧结30MIN;00486热压后的圆片的直径为12MM,厚度为2MM,经XRD检测发现其为较纯MN15SI26相。该圆片可切割后用作热电器件的P型端。0049实施案例30050一种P型MN099RE001SI098GE0021733热电材料及薄膜靶材的制备方法,它包括以下说明书CN101935042A4/5页6步骤00511将MN、RE、SI、GE单质块材按照MN099RE001SI098GE0021733的化学计量比称量,三种物质的总质量为50G;00522将称量好的原料放置在感应悬浮熔炼炉的水冷铜坩埚内,抽真空后在氩气气氛下进行感应悬浮熔炼,然后自然水冷得到合金。

19、块材;00533将得到的合金块材敲击至01MM1MM大小的颗粒;00544将得到的颗粒进行机械球磨,使用乙醇作为液体分散剂。球磨过程使用不锈钢球磨罐和小球,球重比为10,球磨转速450RPM,球磨时间1H,得到40M以下的合金粉末;00555将球磨得到的黑色合金粉末进行烘干,将30G干燥的粉末装入直径为60MM的石墨模具,压紧后抽真空至1PA以下,在950和50MPA的条件下热压烧结1H;00566热压后的圆片的直径为60MM,厚度为2MM,经XRD检测发现其为较纯MN15SI26相。该圆片可直接作为溅射薄膜材料的靶材,也可切割后用作热电器件的P型端。0057实施案例40058一种P型MN09。

20、8RE002SI096GE002SN0021733热电材料及薄膜靶材的制备方法,它包括以下步骤00591将MN、RE、SI、GE、SN单质块材按照MN098RE002SI096GE002SN0021733的化学计量比称量,三种物质的总质量为50G;00602将称量好的原料放置在感应悬浮熔炼炉的水冷铜坩埚内,抽真空后在氩气气氛下进行感应悬浮熔炼,然后自然水冷得到合金块材;00613将得到的合金块材敲击至01MM1MM大小的颗粒;00624将得到的颗粒进行机械球磨,使用己烷作为液体分散剂。球磨过程使用碳化物球磨罐和小球,球重比为20,球磨转速300RPM,球磨时间30MIN,得到40M以下的合金粉。

21、末;00635将球磨得到的黑色合金粉末进行烘干,将30G干燥的粉末装入直径为60MM的石墨模具,压紧后抽真空至1PA以下,在850和120MPA的条件下热压烧结2小时;00646热压后的圆片的直径为60MM,厚度为25MM,经XRD检测发现其为较纯MN15SI26相。0065该圆片可直接作为溅射薄膜材料的靶材,也可切割后用作热电器件的P型端。0066实施案例50067一种P型MN097RE003SI096GE002PB0021733热电材料及薄膜靶材的制备方法,它包括以下步骤00681将MN、RE、SI、GE、PB单质块材按照MN097RE003SI096GE002PB0021733的化学计量。

22、比称量,三种物质的总质量为50G;00692将称量好的原料放置在感应悬浮熔炼炉的水冷铜坩埚内,抽真空后在氩气气氛下进行感应悬浮熔炼,然后自然水冷得到合金块材;00703将得到的合金块材敲击至01MM1MM大小的颗粒;00714将得到的颗粒进行机械球磨,使用己烷作为液体分散剂。球磨过程使用碳化物球磨罐和小球,球重比为20,球磨转速300RPM,球磨时间30分钟,得到40M以下的合金粉末;说明书CN101935042A5/5页700725将球磨得到的黑色合金粉末进行烘干,将30G干燥的粉末装入直径为60MM的石墨模具,压紧后抽真空至1PA以下,在750和120MPA的条件下热压烧结4H;00736热压后的圆片的直径为60MM,厚度为3MM,经XRD检测发现其为较纯MN15SI26相。该圆片可直接作为溅射薄膜材料的靶材,也可切割后用作热电器件的P型端。说明书CN101935042A1/4页8图1图2说明书附图CN101935042A2/4页9图3图4说明书附图CN101935042A3/4页10图5图6说明书附图CN101935042A4/4页11图7说明书附图。

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