一种 P 型硅化物热电材料的制备方法 【技术领域】
本发明涉及一种 P 型硅化物热电材料的制备方法, 特别涉及一种 Mn-Si 基合金热 电材料的制备方法。背景技术
随着世界能源问题的日益严重, 人们正在研究更多的洁净能源生产方法, 同时也 在试图提高能源的利用效率。由热电材料做成的温差发电器件可以将工业、 民用产生的废 热转换成电能, 能够有效地提高能源综合利用效率。此类器件同时也可以作为半导体制冷 设备, 用于小型冰箱、 电子元器件的制冷等领域。热电器件具有体积小、 质量轻、 无运动部 件、 无噪声、 无污染等优点, 具有广泛的应用前景。
热电材料的性能用热电优值 ZT 表征, ZT = α2σT/κ, 其中 α 是材料的 Seebeck 系数, σ 是电导率, T 为绝对温度, κ 为热导率。理想的热电材料应该具有高的 α 和 σ, 以 及较低的 κ。目前市场上应用较多的热电材料为 Bi-Te 基合金, 另外研究较多的有 Co-Sb 基、 Pb-Te 基和 Si-Ge 基合金。它们虽然具有相对较高的 ZT 值 ( 在 1 附近 ), 但这些材料的 主体元素大多是有毒的, 并且在地壳中的含量较少, 价格昂贵, 不适合大规模的工业生产和 应用。
Mn-Si 基 热 电 材 料 是 P 型 硅 化 物 中 性 能 最 好 的 材 料 之 一, 它的化学组成为 MnSi1.7-1.75, 具有价格便宜、 耐高温、 抗氧化等优点。通过单辊急冷法和放电等离子体烧结技 术 ( 专利号 : CN101692479A) 可以降低晶粒尺寸, 有效降低晶格热导率, 从而提高 ZT 值。然 而, 采用该方法时在高温环境下纳米晶粒会逐渐长大, 从而影响 ZT 值的稳定性 ; 同时, 单辊 急冷设备和放电等离子体烧结设备的成本较大, 工艺步骤相对复杂 ; 特别的是, 单辊急冷法 一次性制备的样品量较少, 所获得的带状物产率较低, 不利于规模化生产。 除了细化晶粒的 方法外, 通过元素掺杂或取代形成固溶体也能够有效降低晶格热导和提高 ZT 值。通过感应 悬浮熔炼的方法可以将多种成份熔化形成合金, 并且熔化的合金液体和坩埚壁不发生直接 接触, 从而避免污染。 球磨和真空热压烧结技术能够将熔炼的合金进行粉碎, 并重新烧结成 所需大小的块材, 是一种简单、 低成本的热电材料生产方法。用这种方法也可以制备 Mn-Si 基合金的靶材, 用于 Mn-Si 薄膜材料的溅射法制备。 发明内容 本发明的目的是提供一种 P 型硅化物热电材料的制备方法
本发明采用感应熔炼、 球磨和真空热压等工艺制备 P 型硅化物热电材料及薄膜靶 材, 实验流程图如图 1 所示, 工艺步骤顺序如下 :
1、 选择 A、 B 两组物质为原料, 其中 A 主要是 Mn 单质的块体材料, 同时含有摩尔分 数为 0% -4%的 Re 单质, 物质 B 主要是 Si 单质的块体材料, 同时含有摩尔分数为 0% -4% 的 Ge、 Sn、 Pb 中的一种或多种单质, 使用感应熔炼设备将其熔化形成一种合金块材 ;
2、 将步骤 1 中得到的合金块材进行机械破碎至 0.1mm-1mm 大小的颗粒 ;
3、 将步骤 2 中得到的颗粒进行机械球磨至 40μm 以下的黑色合金粉末, 球磨时使 用一种液体作为分散剂 ;
4、 将步骤 3 中得到的黑色合金粉末进行烘干, 将干燥的粉末进行热压烧结, 得到 P 型硅化物热电材料。
所 述 的 步 骤 1 中 使 用 的 单 质 块 材 的 纯 度 为 Mn : 99.99 %、 Re : 99.99 %、 Si : 99.999%、 Ge : 99.999%、 Sn : 99.9%、 Pb : 99.99% ;
所述的步骤 1 中的 A、 B 两组物质的摩尔比例为 A ∶ B = 1.7-1.85 ;
所述的步骤 1 中的感应熔炼为感应悬浮熔炼, 并在氩气气氛下进行, 其特点是熔 化后的合金液体与坩埚不直接接触, 避免坩埚对合金的污染 ;
所述的步骤 3 的球磨过程使用的球磨罐和小球的材质为不锈钢、 氧化铝、 碳化钨 中的任意一种, 球磨参数为 : 球重比 10-20、 球磨转速 150rpm-450rpm、 球磨时间 1h-4h ;
所述的步骤 3 的液体为乙醇、 丙酮、 己烷中的任意一种 ;
所述的步骤 4 的热压过程为 : 将粉末装入圆柱形石墨模具中压紧, 在真空度小于 10Pa 的条件下进行热压烧结。烧结的温度为 750℃ -950℃, 压力为 50MPa-120MPa, 烧结时 间为 30min-4h ; 所述的步骤 4 所得的圆片材料的直径为 8mm-60mm, 厚度为 1mm-20mm, 可以作热电 材料的 P 型端以及溅射法制备硅化物薄膜材料的靶材 ;
所述的 P 型硅化物热电材料具有较高的 ZT 值, 最高值达到 0.6。
本发明的有益效果有 :
1. 本发明通过感应熔炼、 球磨和真空热压法获得 P 型硅化物热电材料, 所需的设 备成本低, 工艺简单, 并且本发明使用的原料为单质块材, 相对于同纯度的粉末而言价格 低, 因此本发明提供了一种低成本的 P 型硅化物热电材料的制备方法, 有利于规模化生产 ;
2. 本发明有利于获得高性能的 P 型硅化物热电材料, 通过以 Mn、 Si 元素为基础, 同时加入一定量的 Re、 Ge、 Sn、 Pb 对 Mn、 Si 进行元素取代的方法, 能够降低晶格热导率, 从 而提高 ZT 值 ;
3. 本发明可制备不同尺寸的 P 型硅化物热电材料, 其不仅可以切割成小块作为热 电器件的 P 型端材料, 也可以以较大的尺寸作为溅射法制备 Mn-Si 基硅化物薄膜材料的靶 材。
附图说明
图 1 为本发明的实验流程图
图 2 为本发明实施方案 1 中所制备的 P 型热电材料的 XRD 图谱
图 3 为本发明实施方案 1 中所制备的 P 型热电材料的 SEM 照片
图 4 为本发明实施方案 1 中所制备的 P 型热电材料的电导率随温度的变化关系
图 5 为本发明实施方案 1 中所制备的 P 型热电材料的 Seebeck 系数随温度的变化 关系
图 6 为本发明实施方案 1 中所制备的 P 型热电材料的热导率随温度的变化关系
图 7 为本发明实施方案 1 中所制备的 P 型热电材料的 ZT 值随温度的变化关系
具体实施案例下面通过具体的实施案例对本发明进行进一步说明, 但本发明不仅仅局限于以下 的实施案例。
实施案例 1
一种 P 型 Mn(Si0.992Ge0.008)1.733 热电材料及薄膜靶材的制备方法, 它包括以下步骤 :
(1) 将 Mn、 Si、 Ge 单质块材按照 Mn(Si0.992Ge0.008)1.733 的化学计量比称量, 三种物质 的总质量为 50g ;
(2) 将称量好的原料放置在感应悬浮熔炼炉的水冷铜坩埚内, 抽真空后在氩气气 氛下进行感应悬浮熔炼, 然后自然水冷得到合金块材 ;
(3) 将得到的合金块材敲击至 0.1mm-1mm 大小的颗粒 ;
(4) 将得到的颗粒进行机械球磨, 使用己烷作为液体分散剂。 球磨过程使用碳化钨 球磨罐和小球, 球重比为 20, 球磨转速 300rpm, 球磨时间 1h, 得到 40μm 以下的合金粉末 ;
(5) 将球磨得到的黑色合金粉末进行烘干, 将 1g 干燥的粉末装入直径为 12mm 的石 墨模具, 压紧后抽真空至 1Pa 以下, 在 900℃和 100MPa 的条件下热压烧结 30min ;
(6) 热压后的圆片的直径为 12mm, 厚度为 2mm, 可切割后用作热电器件的 P 型端。
图 1 是实施案例 1 中制备的 Mn(Si0.992Ge0.008)1.733 的 XRD 图。由图 1 可以看出, Mn(Si0.992Ge0.008)1.733 的 XRD 图谱和标准卡片 (ICDD-720032) 完全吻合, 没有发现其它杂 质, 说明所制备的 Mn(Si0.992Ge0.008)1.733 为较纯的 Mn15Si26 相。图 2 是实施案例 1 中制备的 Mn(Si0.992Ge0.008)1.733 的 SEM 照片。可以看出, Mn(Si0.992Ge0.008)1.733 的晶粒尺寸在几十个微米 左右, 并且烧结良好。图 3 是实施案例 1 中制备的 Mn(Si0.992Ge0.008)1.733 的电导率随温度的 变化关系。图 4 是实施案例 1 中制备的 Mn(Si0.992Ge0.008)1.733 的 Seebeck 系数随温度的变化 关系。图 5 是实施案例 1 中制备的 Mn(Si0.992Ge0.008)1.733 的热导率随温度的变化关系。图 6 是实施案例 1 中制备的 Mn(Si0.992Ge0.008)1.733 的 ZT 值随温度的变化关系。可以看出, 实施案 例 1 中制备的 Mn(Si0.992Ge0.008)1.733 在 570℃具有最高 ZT 值为 0.6, 说明该 P 型硅化物热电 材料具有较好的热电性能。
实施案例 2
一种 P 型 Mn0.99Re0.01Si1.75 热电材料及薄膜靶材的制备方法, 它包括以下步骤 :
(1) 将 Mn、 Re、 Si 单质块材按照 Mn0.99Re0.01Si1.75 的化学计量比称量, 三种物质的总 质量为 50g ;
(2) 将称量好的原料放置在感应悬浮熔炼炉的水冷铜坩埚内, 抽真空后在氩气气 氛下进行感应悬浮熔炼, 然后自然水冷得到合金块材 ;
(3) 将得到的合金块材敲击至 0.1mm-1mm 大小的颗粒 ;
(4) 将得到的颗粒进行机械球磨, 使用乙醇作为液体分散剂。 球磨过程使用氧化铝 球磨罐和小球, 球重比为 15, 球磨转速 400rpm, 球磨时间 1h, 得到 40μm 以下的合金粉末 ;
(5) 将球磨得到的黑色合金粉末进行烘干, 将 1g 干燥的粉末装入直径为 12mm 的石 墨模具, 压紧后抽真空至 1Pa 以下, 在 800℃和 120MPa 的条件下热压烧结 30min ;
(6) 热压后的圆片的直径为 12mm, 厚度为 2mm, 经 XRD 检测发现其为较纯 Mn15Si26 相。该圆片可切割后用作热电器件的 P 型端。
实施案例 3
一种 P 型 Mn0.99Re0.01(Si0.98Ge0.02)1.733 热电材料及薄膜靶材的制备方法, 它包括以下步骤 : (1) 将 Mn、 Re、 Si、 Ge 单质块材按照 Mn0.99Re0.01(Si0.98Ge0.02)1.733 的化学计量比称量, 三种物质的总质量为 50g ;
(2) 将称量好的原料放置在感应悬浮熔炼炉的水冷铜坩埚内, 抽真空后在氩气气 氛下进行感应悬浮熔炼, 然后自然水冷得到合金块材 ;
(3) 将得到的合金块材敲击至 0.1mm-1mm 大小的颗粒 ;
(4) 将得到的颗粒进行机械球磨, 使用乙醇作为液体分散剂。 球磨过程使用不锈钢 球磨罐和小球, 球重比为 10, 球磨转速 450rpm, 球磨时间 1h, 得到 40μm 以下的合金粉末 ;
(5) 将球磨得到的黑色合金粉末进行烘干, 将 30g 干燥的粉末装入直径为 60mm 的 石墨模具, 压紧后抽真空至 1Pa 以下, 在 950℃和 50MPa 的条件下热压烧结 1h ;
(6) 热压后的圆片的直径为 60mm, 厚度为 2mm, 经 XRD 检测发现其为较纯 Mn15Si26 相。该圆片可直接作为溅射薄膜材料的靶材, 也可切割后用作热电器件的 P 型端。
实施案例 4
一种 P 型 Mn0.98Re0.02(Si0.96Ge0.02Sn0.02)1.733 热电材料及薄膜靶材的制备方法, 它包 括以下步骤 :
(1) 将 Mn、 Re、 Si、 Ge、 Sn 单质块材按照 Mn0.98Re0.02(Si0.96Ge0.02Sn0.02)1.733 的化学计 量比称量, 三种物质的总质量为 50g ;
(2) 将称量好的原料放置在感应悬浮熔炼炉的水冷铜坩埚内, 抽真空后在氩气气 氛下进行感应悬浮熔炼, 然后自然水冷得到合金块材 ;
(3) 将得到的合金块材敲击至 0.1mm-1mm 大小的颗粒 ;
(4) 将得到的颗粒进行机械球磨, 使用己烷作为液体分散剂。 球磨过程使用碳化物 球磨罐和小球, 球重比为 20, 球磨转速 300rpm, 球磨时间 30min, 得到 40μm 以下的合金粉 末;
(5) 将球磨得到的黑色合金粉末进行烘干, 将 30g 干燥的粉末装入直径为 60mm 的 石墨模具, 压紧后抽真空至 1Pa 以下, 在 850℃和 120MPa 的条件下热压烧结 2 小时 ;
(6) 热压后的圆片的直径为 60mm, 厚度为 2.5mm, 经 XRD 检测发现其为较纯 Mn15Si26 相。
该圆片可直接作为溅射薄膜材料的靶材, 也可切割后用作热电器件的 P 型端。
实施案例 5
一种 P 型 Mn0.97Re0.03(Si0.96Ge0.02Pb0.02)1.733 热电材料及薄膜靶材的制备方法, 它包 括以下步骤 :
(1) 将 Mn、 Re、 Si、 Ge、 Pb 单质块材按照 Mn0.97Re0.03(Si0.96Ge0.02Pb0.02)1.733 的化学计 量比称量, 三种物质的总质量为 50g ;
(2) 将称量好的原料放置在感应悬浮熔炼炉的水冷铜坩埚内, 抽真空后在氩气气 氛下进行感应悬浮熔炼, 然后自然水冷得到合金块材 ;
(3) 将得到的合金块材敲击至 0.1mm-1mm 大小的颗粒 ;
(4) 将得到的颗粒进行机械球磨, 使用己烷作为液体分散剂。 球磨过程使用碳化物 球磨罐和小球, 球重比为 20, 球磨转速 300rpm, 球磨时间 30 分钟, 得到 40μm 以下的合金粉 末;
(5) 将球磨得到的黑色合金粉末进行烘干, 将 30g 干燥的粉末装入直径为 60mm 的 石墨模具, 压紧后抽真空至 1Pa 以下, 在 750℃和 120MPa 的条件下热压烧结 4h ;
(6) 热压后的圆片的直径为 60mm, 厚度为 3mm, 经 XRD 检测发现其为较纯 Mn15Si26 相。该圆片可直接作为溅射薄膜材料的靶材, 也可切割后用作热电器件的 P 型端。