一种电路板制作工艺 【技术领域】
本发明属于印刷电路板技术领域,尤其是涉及一种印刷电路板的制作工艺。
背景技术
电子技术领域的元器件越来越微型化和高密度化,由此,对集成电路及印刷电路板的要求也越来越高。在一些高密度电路板中,由于电路越来越细微和高密度,由此选用的铜箔也越来越薄,采用传统的电路板制作工艺容易出现成品启动电流大、制作成本高、产品还带有磁性的现象,从而影响电路布图及电路板的使用;并且传统的电路板制作工艺在电镀过程中处理时间也较长,不利于实际操作。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种电路板的制作工艺,十分容易的完成电路板的制作,解决现有技术存在的缺陷。
为实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种电路板制作工艺,其特征在于,包括以下步骤:(1)对覆铜基板进行除油处理,并对除油处理后的基板进行双水洗;(2)对双水洗后的板进行微蚀处理,并对微蚀处理后的板进行双纯净水清洗;(3)对双纯净水清洗后的板电合金,并对电合金后的板进行滴水及回收水洗处理;(4)烘干水洗后的板,并对板进行幼磨处理。
优选的方案是:所述的步骤(1)中除油剂反应浓度为3-5%(体积百分比),反应温度为35-45℃,处理时间为pnl/3-5min,双水洗各1-5min。
更为优选的方案是:所述的步骤(2)中微蚀处理的反应体系为SPS(sodiumpersulfate)20-50g/L,H
2SO
4浓度为2-3%,反应温度为室温,处理时间为2-min,双纯净水洗各1-5min。
更为优选的方案是:所述的步骤(3)中电合金体系为:KAg(CN)
2含量为5-10g/L,PdNH
3CL含量为3-5g/L,KCN为100-120g/L;反应温度为室温;电流密度为0.8-1.2A/d m
2;电镀时间为15-20min。
更为优选的方案是:所述的KAg(CN)
2含量为5g/L,PdNH3CL含量为4g/L,KCN为110g/L;反应温度为室温;电流密度为0.8A/d m
2;电镀时间为15min。
更为优选的方案是:所述的电合金步骤中电合金体系的配方为注入一定量纯净水后,加入KCN与PdNH
3CL搅拌均匀溶解后,再配入KAg(CN)
2。
本发明与现有技术相比,有如下优点和有益效果:
本发明通过合理设计电路板的表面处理剂及其浓度,除油效果好;通过调整微蚀体系的配方和处理方法,使得电路板的制作更为科学合理;本发明电镀药水配方(银钯合金镀层)镀液可得到致密、平滑的银蓝色镀层,其焊接性能好,镀层无磁性,操作简单,盐雾测试可通过,使用寿命达到68小时以上;改用银钯合金替代镍金镀层,减小了电路板磁性,降低了启动电流,提高了使用寿命,降低了产品成本;本实施例丝印碳油电阻代替外贴片式电阻,减小了马达板厚度尺寸,降低了用户产品成本;在电镀工艺中合理调整各组分的浓度和配置顺序以及处理条件,使得电镀时间短,效果好,节省人力物力。
【具体实施方式】
下面结合优选实施例对本发明做进一步详细说明:
本优选实施例涉及一种电路板制作工艺,包括步骤:(1)对覆铜基板进行除油处理,并对除油处理后的基板进行双水洗;(2)对双水洗后的板进行微蚀处理,并对微蚀处理后的板进行双纯净水清洗;(3)对双纯净水清洗后的板电合金,并对电合金后的板进行滴水及回收水洗处理;(4)烘干水洗后的板,并对板进行幼磨处理。步骤(1)中除油剂反应浓度为3-5%(体积百分数),反应温度为35-45℃,处理时间为pnl/3-5min,双水洗各1-5min;步骤(2)中微蚀处理的反应体系为SPS(sodium persulfate)20-50g/L,H
2SO
4浓度为2-3%,反应温度为室温,处理时间为2-min,双纯净水洗各1-5min;步骤(3)中电合金体系为:KAg(CN)
2含量为5-10g/L,PdNH
3CL含量为3-5g/L,KCN为100-120g/L;反应温度为室温;电流密度为0.8-1.2A/d m
2;电镀时间为15-20min;步骤(3)中更为优选的方案是:KAg(CN)
2含量为5g/L,PdNH3CL含量为4g/L,KCN为110g/L;反应温度为室温;电流密度为0.8A/d m
2;电镀时间为15min。电合金步骤中电合金体系的配方为注入一定量纯净水后,加入KCN与PdNH
3CL搅拌均匀溶解后,再配入KAg(CN)
2。本优选实施例配方镀液可得到致密、平滑的银蓝色镀层,其焊接性能好,镀层无磁性,操作简单,盐雾测试可通过,使用寿命达到68小时以上;本实施例改用银钯合金替代镍金镀层,减小了电路板磁性,降低了启动电流,提高了使用寿命,降低了产品成本;本实施例丝印碳油电阻代替外贴片式电阻,减小了马达板厚度尺寸,降低了用户产品成本。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明,不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本发明的保护范围。