氮化铝和氧化铝/氮化铝栅介质叠层场效应晶体管及形成方法.pdf

本发明公开了一种结构(例如,场效应晶体管)和制作该结构的方法,该结构包括具有源区,漏区和这两者之间的沟道区的衬底,该结构还包括配置在沟道区上的绝缘层,和配置在绝缘层上的栅极,该绝缘层包括一个层,该层包括配置在沟道区上的氮化铝。

1.一种场效应晶体管，包括：
衬底，它包括源区，漏区，和这两者之间的沟道区；
绝缘层，配置在所述沟道区上，所述绝缘层包括一个层，该层包
括配置在所述沟道区上的氮化铝；以及
栅电极，配置在所述绝缘层上。
2.如权利要求1的晶体管，其特征在于所述绝缘层还包括：
配置在所述沟道区上的氧化铝层，所述氮化铝配置在所述氧化铝
之上。
3.如权利要求1的晶体管，其特征在于所述绝缘层还包括：
配置在所述沟道区上的氧化铝层，所述氮化铝配置在所述氧化铝
的下面。
4.如权利要求1的晶体管，其特征在于所述绝缘层还包括：
配置在所述沟道区上的二氧化硅层，所述氮化铝配置在所述二氧
化硅之上。
5.如权利要求1的晶体管，其特征在于所述绝缘层还包括：
配置在所述沟道区上的二氧化硅层，所述氮化铝配置在所述二氧
化硅的下面。
6.如权利要求1的晶体管，其特征在于所述绝缘层还包括：
配置在所述沟道区上的氮化硅层，所述氮化铝配置在所述氮化硅
之上。
7.如权利要求1的晶体管，其特征在于所述绝缘层还包括：
配置在所述沟道区上的氮化硅层，所述氮化铝配置在所述氮化硅
的下面。
8.如权利要求2的晶体管，其特征在于所述绝缘层还包括：
配置在所述氮化铝上的二氧化硅层。
9.如权利要求2的晶体管，其特征在于所述绝缘层还包括配置在所
述氧化铝下面的二氧化硅层。
10.如权利要求4的晶体管，其特征在于所述绝缘层还包括：
配置在所述氮化铝之上的二氧化硅层。
11.如权利要求1的晶体管，其特征在于所述绝缘层还包括：
配置在所述氧化铝之上的氧化铝层。
12.如权利要求11的晶体管，其特征在于所述绝缘层还包括：
配置在所述氧化铝之上的二氧化硅层。
13.如权利要求12的晶体管，其特征在于所述绝缘层还包括：
配置在所述二氧化硅之上的硅层。
14.一种场效应晶体管，包括：
衬底，它包括源区，漏区，和这两者之间的沟道区；
绝缘层，配置在所述沟道区上，所述绝缘层包括第一层和第二
层，第一层包括配置在所述沟道区上的氧化铝，第二层包括配置在所述
第一层上的氮化铝；以及
栅电极，配置在所述绝缘层上。
15.一种半导体器件，包括：
衬底，它包括源区，漏区，和这两者之间的沟道区；
绝缘层，配置在所述沟道区上，所述绝缘层包括一个层，该层
包括配置在所述沟道区上的氮化铝；以及
栅电极，配置在所述绝缘层上。
16.如权利要求15的半导体器件，其特征在于所述器件包括场效应
晶体管。
17.一种多端器件，包括：
衬底，它包括源区，漏区，和这两者之间的沟道区；
绝缘层，配置在所述沟道区上，所述绝缘层包括一个层，该层
包括配置在所述沟道区上的氮化铝；以及
栅电极，配置在所述绝缘层上。
18.如权利要求17的多端器件，其特征在于所述器件包括场效应晶
体管。
19.  一种形成场效应晶体管的方法，包括：
形成包括源区，漏区，和这两者之间的沟道区的衬底；
将绝缘层配置在所述沟道区上，所述绝缘层包括一个层，该层
包括配置在所述沟道区上的氮化铝；以及
将栅电极配置在所述绝缘层上。
20.如权利要求19的方法，其特征在于所述绝缘层还包括：
配置在所述沟道区上的氧化铝层，所述氮化铝配置在所述氧化
铝之上。
21.如权利要求19的晶体管，其特征在于所述绝缘层还包括：
配置在所述沟道区上的氧化铝层，所述氮化铝配置在所述氧化
铝的下面。
22.如权利要求19的方法，其特征在于所述绝缘层还包括：
配置在所述沟道区上的二氧化硅层，所述氮化铝配置在所述二
氧化硅之上。
23.如权利要求19的晶体管，其特征在于所述绝缘层还包括：
配置在所述沟道区上的二氧化硅层，所述氮化铝配置在所述二
氧化硅的下面。
24.如权利要求19的方法，其特征在于所述绝缘层还包括：
配置在所述沟道区上的氮化硅层，所述氮化铝配置在所述氮化
硅之上。
25.如权利要求19的晶体管，其特征在于所述绝缘层还包括：
配置在所述沟道区上的氮化硅层，所述氮化铝配置在所述氮化
硅的下面。
26.一种形成半导体器件的方法，包括：
形成包括源区，漏区，和这两者之间的沟道区的衬底；
将绝缘层配置在所述沟道区上，所述绝缘层包括一个层，该层
包括配置在所述沟道区上的氮化铝；以及
将栅电极配置在所述绝缘层上。
27.如权利要求1的晶体管，其特征在于所述绝缘层还包括二氧化
硅、氧化铝、和氮化硅中的至少一个。

氮化铝和氧化铝/氮化铝 栅介质叠层场效应晶体管及形成方法

技术领域

本发明主要涉及半导体器件，特别是场效应晶体管。