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一种压电陶瓷组合物，它以包含Sr、Bi、Nb、氧以及单价金属元素的层型铋化合物为基础。所述压电陶瓷组合物的居里点高，在较高温度下很可靠，即能使压电效应的降低很小，它能用作压电陶瓷装置用的材料，它几乎不包含铅或铅化合物。对每摩尔Nb来说，所述层型铋化合物包含不超过约0.125摩尔，且大于0摩尔的单价金属元素。

1.  一种压电陶瓷组合物，它包含层型铋化合物，所述化合物包含Sr、Bi、Nb、氧以及正值量的单价金属元素，对每摩尔Nb来说，所述单价金属元素的量不超过约0.125摩尔。

2.  权利要求1所述的压电陶瓷组合物，其特征在于，所述单价金属元素是选自Li、Na和K中的至少一种。

3.  权利要求2所述的压电陶瓷组合物，其特征在于，对每摩尔Nb来说，所述层型铋化合物还包含正值量的不超过0.175摩尔的除Bi以外的三价金属元素。

4.  权利要求3所述的压电陶瓷组合物，其特征在于，所述三价金属元素是选自Sc、Y、La、Ce、Nd、Sm、Gd、Dy、Er和Yb中的至少一种。

5.  权利要求3所述的压电陶瓷组合物，其特征在于，所述三价金属元素是Nd。

6.  权利要求4所述的压电陶瓷组合物，其特征在于，以存在的Nb和Ta摩尔数计，所述组合物还包含最多约10摩尔％的正值量的Ta。

7.  权利要求6所述的压电陶瓷组合物，其特征在于，所述组合物还包含最多约0.01摩尔的正值量的Mn。

8.  权利要求7所述的压电陶瓷组合物，其居里点至少约为430℃，Qmax至少约为10。

9.  一种压电陶瓷装置，它包括压电陶瓷和电极，所述压电陶瓷包含权利要求7所述的压电陶瓷组合物。

压电陶瓷组合物以及包含它的压电陶瓷装置
技术领域
本发明涉及一种压电陶瓷组合物以及包含所述压电陶瓷组合物的压电陶瓷装置。具体是，本发明涉及能用作压电陶瓷装置用材料的压电陶瓷组合物，所述压电陶瓷装置例如是压电陶瓷滤波器、压电陶瓷共振器和压电陶瓷振荡器；并涉及包含所述压电陶瓷组合物的压电陶瓷装置。
技术背景
迄今为止，钛锆酸铅(Pb(Ti_xZr_1-x)O₃)或钛酸铅(PbTiO₃)基压电陶瓷组合物已经广泛用于压电陶瓷装置，如压电陶瓷滤波器、压电陶瓷共振器和压电陶瓷振荡器。但是，所述钛锆酸铅或钛酸铅基压电陶瓷组合物包含大量的铅，铅会在制造压电陶瓷装置时作为氧化铅蒸发，由此导致产品均匀性差。因此，要求包含很少或没有铅的压电陶瓷组合物来克服这一问题。此外，就环境污染而言，也要求铅的含量低。
另一方面，以层型铋化合物如SrBi₂Nb₂O₉为基础的压电陶瓷组合物不含氧化铅，且不会导致出现所述的问题。
此外，如日本未审查的专利申请公开No.2001-328865所述，当温度改变时，SrBi₂Nb₂O₉基材料的频率改变足够小，因此作为共振器用压电材料，最近已经受到人们的关注。
虽然压电陶瓷装置常用在一定温度范围，例如60-200℃内；在用于共振器时，要求可以使用于更高温度如约400℃的那些压电陶瓷装置。由于压电陶瓷共振器不能在居里点以上使用，在居里点以上时它不具有压电效应，所述压电陶瓷共振器的居里点必须高于操作温度。
根据M.J.Forbess等人(Applied Physics Letters，第76卷，2943，(2000))所述，SrBi₂Nb₂O₉的居里点为418℃，当用于温度接近400℃的压电陶瓷共振器时，其压电效应较低。在这种情况下，优选的居里点应至少为430℃。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种压电陶瓷组合物，它以包含Sr、Bi、Nb、氧以及其它单价金属元素的层型铋化合物为基础。所述压电陶瓷组合物的居里点高，在高温度下很可靠，即，此时压电效应的降低很小，并且它能用作压电陶瓷装置用的材料，因为它几乎不包含铅或铅化合物。
对每摩尔Nb来说，本发明压电陶瓷组合物包含不超过约0.125摩尔(且大于0摩尔)的单价金属元素。单价金属元素的这个量可以提高所述压电陶瓷组合物的居里点。但是，单价金属元素超过0.125摩尔反而会降低所述压电陶瓷组合物的居里点。
用于本发明的单价金属元素较好是选自Li、Na和K中的至少一种，它们使本发明有进一步的优点。
而且，对于每摩尔Nb来说，本发明所述压电陶瓷组合物较好包含不超过0.175摩尔(且大于0摩尔)的除Bi以外的三价金属元素。当所述包含压电陶瓷组合物的陶瓷装置用作共振器时，所述除Bi以外的三价金属元素的量给出实用的Qmax因子(在一频带即在共振频率和反共振频率之间的一些频率时最大的电品质因子Q(1/tanδ))。
所述除Bi以外的三价金属元素较好是选自Sc、Y、La、Ce、Nd、Sm、Gd、Dy、Er和Yb中的至少一种，它们使本发明有进一步的好处。所述除Bi以外的三价金属元素中更好是Nd，它对本发明尤其有好处。
在本发明压电陶瓷组合物的主要组分中，可以用Ta代替不超过约10摩尔％(且大于0摩尔％)的Nb。因此，以存在Nb和Ta的总摩尔数计，Ta的量最多为10％。用Ta代替10摩尔％以上的Nb会导致共振器用压电陶瓷组合物的Qmax因子太低。
此外，每摩尔主要组分中，本发明压电陶瓷组合物的主要组分可以包含不超过约0.01摩尔(且大于0摩尔)的Mn。其量高于此的锰会导致共振器用压电陶瓷组合物的Qmax因子太低。
本发明压电陶瓷装置包括含本发明所述的压电陶瓷组合物的压电陶瓷以及所述压电陶瓷上的电极。
通过本发明以下实施方式的详细说明，本发明上述的及其它目的、特征和优点将更加显而易见。
附图说明
图1是本发明一个实施方式中压电陶瓷振荡器的透视图。
图2是图1所示压电陶瓷振荡器的截面图。
具体实施方式
首先制备作为原料的SrCO3、Bi2O3、Nb2O5、Ta2O5、Na2CO3、K2CO3、Li2CO3、Nd2O3、La2O3、Ce2O3、Sc2O3、Y2O3、Sm2O3、Gd2O3、Dy2O3、Er2O3、Yb2O3和MnCO3。将这些化合物称重，以满足组合物通式(Sr_aBi_bNb_cO9+w摩尔M1+x摩尔M3+y摩尔Ta+z摩尔MnCO3，其中，M1是Na、K或Li，M3是Nd、La、Ce、Sc、Y、Sm、Gd、Dy、Er或Yb，且a、b、c、w、x、y和z如表1和2所示)，并在球磨机中湿混合约16小时。将所得混合物干燥，然后在800-1000℃下煅烧。将所述产物和合适量的有机粘合剂、分散剂、消泡剂、表面活性剂以及纯水混合，并在球磨机中研磨。用刮刀将所得浆液制成厚度为40-80微米的片。用Pt糊剂将电极印刷到这些片的一些片上，然后，将所述印刷的片干燥。将所述印刷的片和其它片堆叠起来。将所得层压片压实，并在1100-1300℃下烧结。然后，在5-10kV/mm直流电压下，在100-200℃绝缘油中对所述层压片极化10-30分钟，制得能量约束的压电陶瓷振荡器10(样品)，如图1和2所示。
如图1和2所示，压电陶瓷振荡器10包括例如长方体形状的压电陶瓷12。所述压电陶瓷12沿箭头所示从底面向上表面的方向极化。所述压电陶瓷12在其上表面和底面上分别具有振动电极14a和14b。所述振动电极14a和14b例如呈圆形，置于各面的中心。因此，所述振动电极14b置于所述振动电极14a的正下方。所述压电陶瓷12也具有例如呈圆形地内部振动电极14c。所述振动电极14c置于所述振动电极14a和14b的中间。因此，所述振动电极14a、14b和14c垂直排列。例如呈T字形的引导电极16a、16b和16c置于各振动电极14a、14b和14c，与压电陶瓷12侧面之间。具体地说，所述引导电极16a和16b置于各振动电极14a和14b与压电陶瓷12的一个侧面之间，所述引导电极16c置于振动电极14c和压电陶瓷12另一个侧面之间。在引导电极16a和16b与引导电极16c之间施加电压，使外部振动电极14a和14b与内部振动电极14c之间形成电势差，由此激发沿厚度方向振动的第二谐振模式。
在室温下测量所述压电陶瓷振荡器10(样品)在沿厚度方向振动的第二谐振模式的Qmax因子。此外，测量居里点的介电常数和温度的关系。结果列于表1和2中。
                                                             表1
                                                带星号的样品不在本发明的范围内。