衬底处理装置和衬底处理方法 【技术领域】
本发明涉及去除形成在使用于液晶显示装置等的玻璃衬底上的处理膜等的衬底处理装置和衬底处理方法。
背景技术
在LCD(即，液晶显示)等的制造工艺中，为了在用于LCD的被处理体玻璃衬底上形成ITO(即，铟锡氧化物)的薄膜和电极图形，利用与用于半导体装置的制造一样的光刻法技术。在光刻法技术中，在玻璃衬底上涂覆光刻胶，曝光，再显影。
此外，在这些光刻胶涂覆和曝光及显影的各工序的前后，进行规定的加热处理和冷却处理，特别是，在光刻胶的涂覆处理前的工序中，进行粘附处理。该粘附处理为了使玻璃衬底与光刻胶膜紧密性提高，使氨系的气体(一般地，使用HMDS气体)为蒸气状，涂覆在玻璃衬底上。
然后，涂覆该粘附处理后的光刻胶膜，但为了防止其后产生微粒，在光刻胶膜涂覆处理之后用冲淡剂等溶剂去除涂覆在玻璃衬底周边部上的多余的光刻胶膜(例如，日本语公开公报、平成6-333819号公报(第〔0019〕段，图5))。
但是，在进行了该周边部的光刻胶去除处理之后，玻璃衬底被搬运到曝光装置进行曝光处理，但这时就产生曝光装置中的曝光透镜和反射镜白色污浊地问题。考虑到其原因是在去除衬底周边部的光刻胶膜之后，在该周边部露出涂覆在光刻胶膜下面的HMDS气体的膜，从这部分产生构成HMDS气体的胺系的气体，例如硫化铵，该产生的气体附着在曝光装置的透镜和反射镜等上。根据这样的问题，就发生例如不能按规定的曝光量曝光等不合适于曝光处理的情况。
【发明内容】
为了达到上述目的，本发明涉及的衬底处理装置的特征在于，包括：向形成了处理膜和涂覆在该处理膜上的涂覆膜的衬底的衬底周边部排出溶剂，去除该周边部的涂覆膜的涂覆膜去除装置；去除在上述涂覆膜已被去除的衬底周边部上露出的上述处理膜的处理膜去除装置。
根据这样的结构，由涂覆膜去除装置去除涂覆膜之后，由处理膜去除装置去除露出的处理膜。这样，能消除曝光装置中的曝光透镜和反射镜等白色污浊的原因，例如，由于能去除由粘附处理形成的处理膜，因此能不对曝光装置产生坏影响地去除衬底周边部的涂覆膜。
作为涂覆膜处理装置，可以考虑利用使溶剂喷嘴一边沿衬底周边部移动一边排出溶剂，去除涂覆膜。此外，作为处理膜去除装置，可以考虑利用例如一边使光纤沿衬底周边部移动一边从光纤辐照光，去除处理膜，另外，也可以考虑利用向处理膜供给臭氧水来去除该处理膜。
根据本发明的一个实施方式，光纤的光最好使用包含用于曝光上述涂覆膜的曝光光的波长成分的光。
此外，也可以包括在去除涂覆膜之后加热露出的处理膜的加热装置。象这样，利用在光辐照之前预先加热处理膜，能促进用光辐照的处理膜的剥离作用。
根据本发明的一个实施方式，上述涂覆膜去除装置的特征在于，包括：保持排出上述溶剂的溶剂喷嘴的保持部件；使上述保持部件沿上述衬底的周边部移动的周层移动机构，一边由上述周层移动机构使上述保持部件移动，一边排出上述溶剂。根据这样的结构，由于能一边使保持部件移动一边排出溶剂，因此能高效率地去除涂覆膜和处理膜。此外，在保持部件上固定光纤的情况下，由于一边使保持部件移动一边辐照光，因此能高效率地去除处理膜。
该光纤的投射面最好构成具有一个边的长度与上述露出的处理膜的宽度大致相同的矩形。这样，例如，利用由保持部件仅移动1个衬底周边部的进程，就能高效率地去除处理膜露出的区域。此外，也可以从涂覆了上述涂覆膜的衬底面的背面一侧进行光纤的光辐照。例如，在衬底是玻璃衬底的情况下，即使从背面一侧辐照光，也能使光透射在玻璃衬底的表面一侧。
根据本发明的一个实施方式，其特征在于，上述光纤和溶剂喷嘴与上述保持部件的移动方向大致平行地配置。该情况下，最好在保持部件上设置使之在与上述移动方向正交的方向上移动的正交移动机构。这样，就能使保持部件在上述正交方向上移动，使溶剂喷嘴和光纤位于处理膜上，在该处理膜的宽度方向上移动。因而，利用溶剂喷嘴和光纤去除处理膜的范围变宽，就能确切地去除处理膜。
根据本发明的一个实施方式，其特征在于，上述光纤配置在比上述溶剂喷嘴更在衬底的外侧的位置上。根据这样的结构，只进行保持部件的沿衬底周边部的移动，能防止在去除了衬底周边部的涂覆膜之后，由光纤的光辐照曝光剩余的涂覆膜的情况。
根据本发明的一个实施方式，其特征在于，还包括使上述保持部件在与上述移动方向正交的方向上移动的正交方向移动机构，利用上述周层移动机构和正交方向移动机构使保持部件交替地移动，在去除上述周边部的涂覆膜的同时，去除依次露出来的处理膜。象这样，由于光纤追着溶剂排出之后去除依次露出来的处理膜，因此由光纤去除处理膜的范围变宽，就能确切地去除处理膜，能有效且迅速地去除涂覆膜和处理膜。
根据本发明的一个实施方式，其特征在于，还包括向着上述光纤的投射面喷出洗涤液的清洗喷嘴。考虑到由光辐照而气化的处理膜附着在光纤的投射面上，使光纤的投射面产生白色污浊，及，因光纤的投射面上的其附着物而衬底上不能得到一定的光辐照的可能性。本发明中，利用用洗涤液清洗光纤投射面的白色污浊，就能回避有关情况。此外，本发明的清洗喷嘴也可以装配在保持部件上，与保持部件一体地移动。
根据本发明的一个实施方式，其特征在于，还包括在去除上述处理膜之际排出从该处理膜产生的气体的装置。根据这样的结构，能排出由光辐照而气化了的处理膜。这样，能防止上述的光纤投射面的白色污浊，此外，能防止装置和机器类的沾污。此外，由于设置该排出装置，因此能在排出去除的涂覆膜和处理膜及从该处理膜产生的气体等的同时，排出在该清洗时飞溅的洗涤液，另外，也能使光纤投射面干燥。
根据本发明的一个实施方式，其特征在于，上述光纤多个并列安设在与利用周层移动机构的上述保持部件的移动方向不同的方向上。这样，能在保持部件的1个进程上去除处理膜，在能更准确地去除处理膜的同时，能提高生产率。
根据本发明的一个实施方式，其特征在于，在保持部件上夹衬底地装配2个以上的上述溶剂喷嘴。因此，不仅能在衬底的表面一侧，而且能转进背面一侧去除附着的涂覆膜。
本发明涉及的衬底处理方法的特征在于，包括下述工序：向形成了处理膜和涂覆在该处理膜上的涂覆膜的衬底的衬底周边部排出溶剂，去除该周边部的涂覆膜的工序；去除在上述涂覆膜已被去除的衬底周边部上露出的上述处理膜的工序。
【附图说明】
图1是示出本发明的一个实施方式涉及的涂覆显影处理系统的总结构的平面图。
图2是图1示出的涂覆显影处理系统的正视图。
图3是图1示出的涂覆显影处理系统的后视图。
图4是第一实施方式涉及的光刻胶处理块的平面图。
图5是图4示出的光刻胶处理块的侧视图。
图6是本发明的第一实施方式涉及的边缘去膜器(リム—バ)的概略斜视图。
图7是示出第一实施方式涉及的去膜器头的剖面图。
图8是图7示出的去膜器头的平面图。
图9是图7示出的去膜器头的正视图。
图10(a)是示出衬底周边部的光刻胶膜去除作用，(b)是示出粘附处理涉及的处理膜的去除作用的剖面图。
图11是示出在去膜器头上装配压气缸的状态的侧视图。
图12(a)是示出溶剂喷嘴与光纤的位置关系的平面图，(b)是示出其处理膜的去除作用的侧视图。
图13是示出使衬底周边部由去膜器头扫描的状态的平面图。
图14是设置了清洗喷嘴的去膜器头的剖面图。
图15是另一个实施方式涉及的边缘去膜器的概略斜视图。
图16是图15示出的框架部件的剖面图。
图17是示出对加热器的衬底周边部加热作用的斜视图。
图1 8是示出其他实施方式的光纤部分的扩大斜视图。
图19是另外的实施方式涉及的去膜器头的剖面图。
图20是另外的实施方式涉及的去膜器头的平面图。
图21是另外的实施方式涉及的去膜器头的剖面图。
【具体实施方式】
以下，基于附图对本发明的实施方式进行说明。
图1是示出本发明的搬运装置适用的LCD衬底的涂覆显影处理系统的平面图，图2是其正视图，此外，图3是其后视图。
该涂覆显影处理系统1包括：载置收容多个玻璃衬底G的片盒C的片盒操作台2；包括用于在衬底G上施行包括光刻胶涂覆和显影的一系列处理的多个处理单元的处理部3；用于在与曝光装置32间进行衬底G的交接的接口部4，在处理部3的两端分别配置片盒操作台2和接口部4。
片盒操作台2包括用于在片盒C与处理部3之间进行LCD衬底的搬运的搬运机构10。然后，进行片盒操作台2中的片盒C的搬入搬出。此外，搬运机构10包括能在沿片盒的排列方向设置的搬运路12上移动的搬运臂11，利用该搬运臂11在片盒C与处理部3之间进行衬底G的搬运。
在处理部3上设置：在与片盒操作台2中的片盒C的排列方向(Y方向)垂直的方向(X方向)上延设的主搬运部3a；沿该主搬运部3a并列设置了包括光刻胶涂覆处理单元(CT)的各处理单元的上流部3b；并列设置了包括显影处理单元(DEV)18的各处理单元的下流部3c。
在主搬运部3a上设置延设在X方向上的搬运路31，和能沿该搬运路31移动的在X方向上搬运玻璃衬底G的搬运摆梭23。该搬运摆梭23能由例如支持杆保持衬底G进行搬运。此外，在主搬运部3a的接口部4那侧的端部上设置在处理部3与接口部4之间进行衬底G的交接的垂直搬运单元7。
上流部3b中，在片盒操作台2那侧的端部设置对衬底G施行清洗处理的洗涤器清洗处理单元(SCR)20，在该洗涤器清洗处理单元(SCR)20的上段配设用于去除衬底G上的有机物的紫外线激元处理单元(e-UV)19。
在洗涤器清洗处理单元(SCR)20的隔壁配置多级积累对玻璃衬底G进行热处理的单元的热处理系统块24和25。在这些热处理系统块24与25之间配置垂直搬运单元5，由于搬运臂5a能在Z方向和水平方向上移动，且能在θ方向上旋转，因此就能在两个块24和25中的各热处理系统单元上存取，进行衬底G的搬运。再者，对于上述处理部3中的垂直搬运单元7也具有与该垂直搬运单元5相同的结构。
如图2所示，在热处理系统块24上，从下向上依次层叠2段在衬底G上施行光刻胶涂覆前的加热处理的烘烤单元(BAKE)和由HMDS气施行排水化处理的粘附单元(AD)。另一方面，在热处理系统块25上，从下向上依次层叠2段对衬底G施行冷却处理的冷却单元(COL)和粘附单元(AD)。
与热处理系统块25邻接，在X方向上延设光刻胶处理块15。该光刻胶处理块15一体化设置下述装置而构成：在衬底G上涂覆光刻胶的光刻胶涂覆处理单元(CT)49；利用减压使上述涂覆的光刻胶干燥的减压干燥单元(VD)40；本发明涉及的去除衬底G周边部的光刻胶的边缘去膜器(ER)48。在该光刻胶处理块15上设置图中没有示出的辅助臂，该辅助臂从光刻胶涂覆处理单元(CT)49移动到边缘去膜器(ER)48，就能由该辅助臂在光刻胶处理块15内搬运衬底G。
与光刻胶处理块15邻接，配设多级构成的热处理系统块26。在该热处理系统块26上层叠3段在衬底G上进行光刻胶涂覆后的加热处理的预焙单元(PREBAKE)。
下流部3c中，如图3所示，在接口部4那侧的端部设置热处理系统块29，在其上从下向上依次层叠冷却单元(COL)和2段进行曝光后显影处理前的加热处理的端暴露烘烤单元(PEBAKE)。
与热处理系统块29邻接，在X方向上延设进行显影处理的显影处理单元(DEV)18。在该显影处理单元(DEV)18的隔壁配置热处理系统块28和27，在这些热处理系统块28与27之间设置具有与上述垂直搬运单元相同的结构的，能在两个块28和27中的各热处理系统块上存取的垂直搬运单元6。此外，在显影处理单元(DEV)18端部的上面设置i线处理单元(i-UV)33。
在热处理系统块28上，从下向上依次层叠冷却单元(COL)和2段在衬底G上进行显影后的加热处理的端烘烤单元(POBAKE)。另一方面，热处理系统块27也同样从下向上依次层叠冷却单元(COL)和2段端烘烤单元(POBAKE)。
在接口部4上，在正面一侧设置密封保护和周边曝光单元(Titler/EE)22，与垂直搬运单元7邻接配置扩展冷却单元(EXTCOL)35，此外，在背面一侧配置缓冲室34，同时配置垂直搬运单元8，该垂直搬运单元8在这些密封保护和周边曝光单元(Titler/EE)22与扩展冷却单元(EXTCOL)35及与缓冲室34邻接的曝光装置32之间进行衬底G的交接。该垂直搬运单元8也具有与上述垂直搬运单元5相同的结构。
在如上所述构成的涂覆显影处理系统1的处理工序中，首先，片盒C内的衬底G被搬运到处理部3中的上流部3b。在上流部3b中，由紫外线激元处理单元(e-UV)19进行表面重整·有机物去除处理，其次，洗涤器清洗处理单元(SCR)20中，一边大致水平地搬运衬底G，一边进行清洗处理和干燥处理。接着，在热处理系统块24的最下段部，由垂直搬运单元中的搬运臂5a取出衬底G，用同一热处理系统块24的烘烤单元(BAKE)进行加热处理，以提高玻璃衬底G与光刻胶膜的紧密性，用粘附单元(AD)进行向衬底G喷雾HMDS气体的处理。之后，由热处理系统块25的冷却单元(COL)进行冷却处理。
其次，衬底G被从搬运臂5a交接到搬运摆梭23上。然后，被搬运到光刻胶涂覆处理单元(CT)，在进行了光刻胶的涂覆处理之后，依次进行用减压干燥处理单元(VD)进行的减压干燥处理和用边缘去膜器(ER)48进行的衬底周层的光刻胶去除处理。
其次，衬底G被从搬运摆梭23交接到垂直搬运单元7的搬运臂上，用热处理系统块26中的预焙单元(PREBAK)进行加热处理之后，用热处理系统块29中的冷却单元(COL)进行冷却处理。接着，在用扩展冷却单元(EXTCOL)35进行冷却处理衬底G的同时，用曝光装置进行曝光处理。
其次，衬底G通过垂直搬运单元8和7的搬运臂被搬运到热处理系统块29的端暴露烘烤单元(PEBAKE)，在此进行加热处理之后，用冷却单元(COL)进行冷却处理。然后，衬底G通过垂直搬运单元7的搬运臂，在显影处理单元(DEV)18中，一边大致水平地搬运衬底G，一边进行显影处理和冲洗处理及干燥处理。
其次，衬底G由垂直搬运单元6的搬运臂6a从热处理系统块28中的最下段交接，用热处理系统块28或27中的端烘烤单元(POBAKE)进行加热处理，用冷却单元(COL)进行冷却处理。然后，衬底G被交接到搬运机构10上，收容在片盒C中。
图4和图5是示出光刻胶处理块15的概略平面图和概略侧视图，这些光刻胶涂覆单元(CT)49和减压干燥单元(VD)40及边缘去膜器(ER)48如图示的那样一体地并列在同一载物台上。
减压干燥单元(VD)40包括下部暗箱61和覆盖其上设置的气密地维持其内部的处理空间的上部暗箱62。在下部暗箱61中设置用于载置衬底G的载物台63，在下部暗箱61的各角部设置4个排气口64，与该排气口64连通的排气管65与涡轮分子排气泵等的排气泵(图示略)连接。然后，在下部暗箱61与上部暗箱62紧密接触的状态下，利用将其中的处理空间排气，减压到规定的真空度而构成。
此外，在光刻胶涂覆单元(CT)49的大致中央的位置上配置有底的圆筒形的杯71，在杯71内配置用于固定保持衬底G的保持部件衬底吸附台58。
这些光刻胶涂覆单元(CT)49和减压干燥单元(VD)40及边缘去膜器(ER)48间的衬底G的搬运就由托臂41和42进行。
下面，对本发明的一个实施方式涉及的边缘去膜器(ER)48进行说明。如图6所示，设置用于载置玻璃衬底G的载物台91。在该载物台91上载置了玻璃衬底G的状态下，在玻璃衬底G的周边部的四个边上分别设置4个去膜器头93，该4个去膜器头93能沿衬底G的四边移动，用于从玻璃衬底G的周边部的边缘去除多余的光刻胶。利用移动机构94进行沿该四边的移动，该移动机构94包括支持各去膜器头93的支持部件36和使该支持部件36在衬底G的四个边上平行移动的例如图中没有示出的皮带驱动机构。
图7和图8及图9是上述去膜器头93的剖面图和平面图及正视图。如图7所示，去膜器头93包括上部头构件93a和下部头构件93b，将它们上下方向对置，形成为包括处理空间S的断面大致为“コ”字形的形状。此外，该去膜器头93具有与该去膜器头93的尖端部那侧贯通的吸引口92，就在该吸引口92上吸引与图中没有示出的真空泵等连接的处理空间S内的气体。
在上部头构件93a上，使衬底G的周边部位于上部头构件93a与下部头构件93b之间的处理空间S内时，向着去除不要的光刻胶膜70的部分固定用于排出溶剂的溶剂喷嘴95。在溶剂喷嘴95上，从包括另外设置的例如油箱等的溶剂供给源96，通过进给管21，由利用氮气等的压力输送供给溶剂，例如按规定的压力供给冲淡剂。这样，各去膜器头93能一边沿衬底G的各边移动，排出冲淡剂，一边去除附着在衬底G四个边的边缘上的多余的光刻胶膜70。
溶剂喷嘴95具有在细的线材中形成与排出口同径的流通部(无图示)的中空结构。一般使用的例如溶剂喷嘴95的排出口的直径大约是260μm。然后，施加在油箱96上的氮气的压力大约是1kg/cm2，这样，每次对衬底G的表面和背面的周边部排出40ml左右的溶剂，就能从衬底G上去除已溶解的不要的光刻胶膜70。本实施方式中，例如如图8所示，能在距衬底G端部0.5mm～10mm的范围上去除光刻胶膜。此外，排出的溶剂和溶解的光刻胶液被从上述吸引口92吸引，向外部排出。
此外，在上部头构件93a上，固定光纤，使光纤投射面81a向着衬底G那侧，与图中没有示出的光源连接。该光纤81与溶剂喷嘴95的位置关系例如如图8所示，与衬底G的一边大致平行。设置该光纤81的目的是去除在光刻胶膜70的下层形成的衬底周边部的处理膜80，利用各去膜器头93沿衬底G的各边移动，一边由例如光纤81辐照紫外线，一边去除附着在衬底G四个边的周边部上的多余的处理膜80。在此使用的紫外线，例如，最好是包含在上述曝光装置32的曝光处理中使用的曝光波长成分的光。再者，各去膜器头93的移动、来自溶剂喷嘴95的冲淡剂的供给和停止、光纤81的紫外线的辐照和停止等工作就由图中没有示出的控制部进行控制。
下面，对如此构成的边缘去膜器(ER)48的作用进行说明。
形成了光刻胶膜的玻璃衬底G被载置在边缘去膜器(ER)中的载物台91上。然后，各去膜器头93被分别配置在衬底G的角部的规定位置上，如图10(a)所示，利用由移动机构94一边从溶剂喷嘴95排出冲淡剂，一边沿衬底G的各边移动例如2个来回或3个来回，去除衬底G的仅周边部的光刻胶膜70，露出处理膜80。这时，去除的光刻胶膜与用于光刻胶溶解的冲淡剂同时由吸引口92吸引排出。该处理膜80是在由HMDS气体进行上述粘附处理时形成的处理膜。
其次，如图10(b)所示，利用一边由光纤81辐照紫外线，一边沿衬底G的各边移动例如2个来回或3个来回，去除仅在衬底G的周边部露出的处理膜80。在这样地去除处理膜80之际，从处理膜80产生气体，但能由来自吸引口92的吸引排出该气体。利用这样的1个吸引口92能有效地排出来自光刻胶膜和处理膜的两种气体。
根据本实施方式，即使在后续的工序中向曝光装置32搬运衬底G，如现有技术，由于不从衬底周边部上露出的处理膜80产生胺系气体，因此能防止使曝光装置32中的曝光透镜和反射镜白色污浊，能回避对曝光装置32的坏影响。此外，不是对曝光装置32，而是能回避对光刻胶涂覆处理之后马上就进行的预焙单元(PREBAKE)和曝光处理后的显影处理单元(DEV)等的装置和机器的坏影响。
此外，本实施方式中，如图11所示，也可以在由移动机构94移动的支持部件36上装配例如压气缸30。然后，根据图示的那样在该压气缸30的活塞30a上装配去膜器头93的基端部侧，能使去膜器头93在正交方向上移动，该正交方向是与利用移动机构94沿衬底周边部移动的支持部件36的移动方向正交的方向。
根据这样的结构，例如，首先如图10(a)所示，利用使去膜器头93沿衬底周边部移动例如2个来回或3个来回，去除衬底G的仅周边部的光刻胶膜70，露出处理膜80。然后，由压气缸30使例如去膜器头93在离开衬底G的方向(图11示出的X方向)上移动规定的距离。然后，利用一边由光纤81辐照紫外线，一边沿衬底G的各边移动2个来回或3个来回，去除仅在衬底G的周边部露出的处理膜80。
这样，能防止例如由溶剂喷嘴95排出冲淡剂和由光纤81辐照紫外线的工序在与沿衬底周边部的移动方向相同的直线上进行。即，能防止因光纤81辐照紫外线而由溶剂喷嘴95去除光刻胶膜之后残留在周边部以外的光刻胶膜的边际部分被曝光的情况。
此外，代替设置这样的压气缸30，使溶剂喷嘴95与光纤81的位置关系如图12(a)和(b)所示，即使将光纤81配置在比溶剂喷嘴95更在衬底G的外侧上，也最好只进行去膜器头93的Y方向的移动，能防止由光纤81辐照紫外线而如上所述的残留在周边部以外的光刻胶膜的边际部分70a被曝光的情况。
另外，组合图11和图12示出的方式，如图13所示，一边同时进行由溶剂喷嘴95排出冲淡剂和由光纤81辐照紫外线，一边使去膜器头93从玻璃衬底G的角部A依次按箭头方向B→C→D→E→¨¨这样地移动，也能去除光刻胶膜70和处理膜80。该种情况下，在从位置A移动到位置B的最初的去膜器头93的移动时，仅进行由溶剂喷嘴95排出冲淡剂，去除光刻胶膜，在从位置B移动到位置D的以后的移动中，同时进行由溶剂喷嘴95排出冲淡剂和由光纤81辐照紫外线，光纤81追着冲淡剂的排出之后去除依次露出来的处理膜80。此外，该情况下，由驱动机构94控制从位置A到位置B和从位置C到位置D的移动，由压气缸30控制从位置B到位置C和从位置D到位置E的移动。
利用同时进行这样的光刻胶膜70的去除和处理膜80的去除，缩短处理时间，能得到生产率的提高。再者，该情况下，利用使去膜器头93沿衬底周边部移动的速度比通常的去膜器头93的速度低，能准确地去除光刻胶膜70，此外，也能准确地去除处理膜80。
下面，参照图14，对本发明的另一个实施方式进行说明。再者，图14中，对与图7和图8及图9的结构要素相同的装置记同一符号，省略其说明。
参照图14，在去膜器头93的下部头构件93b上装配向着光纤81的投射面81a喷出洗涤液的清洗喷嘴66。该清洗喷嘴66通过洗涤液供液管67与洗涤液供液源68连接，因此，就能将洗涤液供给到喷嘴66。此外，作为洗涤液，使用例如纯净水等。
这样，在辐照紫外线去除处理膜80时产生的气体即使附着在光纤81的投射面81a上，投射面81a产生白色污浊，被沾污，也能在例如处理膜80的去除处理完了之后，在每一衬底或每一规定张数的衬底上，利用由清洗喷嘴66向着投射面81a喷出洗涤液，去除该投射面81a的白色污浊。因此，能回避从光纤81辐照的例如紫外线的强度因投射面81a的附着物而减少的情况。
此外，利用来自去膜器头93上设置的吸引口92的吸引，能将该清洗时飞溅的洗涤液与去除的光刻胶膜70和处理膜80及从该处理膜80产生的气体同时排出，来自该吸引口92的吸引的效果很大。
再者，清洗喷嘴66也可以不一定固定在去膜器头93上，特别是，也可以设置图中没有示出的固定托臂等其它用途的固定装置等。
图15是示出另外的实施方式涉及的边缘去膜器(ER)48的概略斜视图。本实施方式中，图6示出的边缘去膜器(ER)中包括另外添加的加热器75。该加热器75包括：将与例如玻璃衬底G的大小大致相同的大小的长方形的框架制成中空的框架部件88；支持该框架部件88的支持部73；用于使框架部件88升降的电动机72。
图16是框架部件88的剖面图。框架部件88包括：从图中没有示出的供气源输入气体的供气口74；加热输入的气体的气体加热室76；用于向玻璃衬底G上的处理膜80喷射已加热的气体的喷气口85。此外，作为加热气体的装置，例如在气体加热室76中具有镍铬合金线78。
本实施方式中，与上述实施方式相同，首先，从溶剂喷嘴95排出冲淡剂，在去除玻璃衬底G周边部的不要的光刻胶膜之后，去膜器头93从玻璃衬底G离开，一度退去。去膜器头93的从该玻璃衬底G的离开操作，如上所述，能由图11示出的压气缸30等进行。
其次，加热器75利用电动机72从衬底G的上方下降，与玻璃衬底G接近。然后，如图17所示，从加热器75喷出温风或热风，加热覆盖玻璃衬底G的周边部的由粘附处理生成的处理膜。
其次，若处理膜80被充分加热，加热器75就利用电动机72上升，远离玻璃衬底G。然后，去膜器头93重新接近到玻璃衬底G的周边部的规定位置，利用从光纤81射出的紫外线进行加热后的处理膜80的去除。
象这样，利用在进行紫外线辐照之前预先加热处理膜80，能促进由紫外线辐照进行的处理膜80的剥离作用。
图18示出光纤部分的其他实施方式。例如在圆筒部件82上打捆设置许多光纤，在该圆筒部件82的投射面上形成光纤的用于射出的窗孔部82a。该窗孔部82a形成为其一个边的宽度与去除玻璃衬底G周边部的光刻胶膜后处理膜露出的用虚线示出的区域39的宽度相同或在这以下的矩形。根据这样的窗孔部82a的形状，例如，由于由去膜器头仅移动衬底周边部的1个进程，因此，能高效率地去除由粘附处理产生的处理膜露出的区域39。因此，也能实现处理时间的减少和生产率的提高。
图19中，光纤81被装配在去膜器头93的下部头构件93b上，将其投射面81a向着上部头构件93a配置。该情况下，衬底G由于是玻璃衬底，因此能由该光纤81使紫外线从玻璃衬底G的背面Ga透射，辐照在衬底G的表面上形成的处理膜80上。因此，能防止在向例如处理膜80辐照紫外线时产生的气体使光纤81的投射面81a产生白色污浊等的坏影响。
本发明不限于以上说明的实施方式，可以是各种各样的变形。
例如，上述各实施方式中，作为去除由粘附处理产生的处理膜的装置，举出光纤81作为一例，但也可以利用例如向该处理膜供给臭氧水来去除它。
此外，上述图15～图17中，作为加热处理膜的方法，可以使用温风或热风，但不限于此，也可以利用例如红外线等进行加热。
此外，用于去除处理膜80的光纤81的移动不是衬底G的一个边的来回，也可以是仅移动1个进程。此外，用于去除光刻胶膜的去膜器头93的移动次数若是预先设定好的，则将光纤81配置在去膜器头93最后移动到用于光刻胶膜的去除的行进方向的对于溶剂喷嘴95的后方侧上，也可以在去膜器头93的该最后移动时，同时由光纤81辐照紫外线。因此，能进一步减少处理时间，提高生产率。
上述各实施方式中，最好光纤81的光的波长比250nm大。使波长比250nm大，能防止光刻胶曝光。
上述实施方式中，按照去除光刻胶膜70时和去除处理膜80时的两种气体进行从吸引口92的排气。但是，也可以仅进行去除处理膜80时的排气，仅排出产生的HMDS气体。
此外，在按照去除光刻胶膜70时和去除处理膜80时的两种气体进行从吸引口92的排气的情况下，也可以使去除处理膜80时的气体的排气量比去除光刻胶膜70时的增加。
上述各实施方式中，也可以在吸引口92上增设回油泵，在处理空间S中，该回油泵阳压光纤81的图中没有示出的透镜部附近，回收在去除处理膜80时产生的气体。也可以将该情况下的回油泵配置在该透镜的近旁。
图20和图21示出另外的实施方式涉及的去膜器头。
在图20示出的去膜器头93上装配多个光纤81。本实施方式中，在图中的X方向与Y方向间的斜向上并列安设例如3条光纤81，也可以并列安设在X方向上。符号95是溶剂喷嘴。根据这样的结构，利用去膜器头93的1个进程的移动，处理膜80露出部分全都接收来自多个光纤81的光。因此，在能更准确地去除处理膜80的同时，能提高生产率。
在图21示出的去膜器头93中的上部头构件93a和下部头构件93b上分别装配溶剂喷嘴95。利用这样地夹衬底G装配溶剂喷嘴95，不仅能在衬底G的表面一侧，而且能转进背面一侧去除附着的光刻胶膜70。该实施方式中，也可以在比其更多的保持部件93上装配2根溶剂喷嘴95，此外，由于衬底背面一侧的应该去除的光刻胶膜比表面一侧的少，因此，使装配在下部头构件93b上的光纤81的数量比装配在上部头构件93a上的数量少。
如上述说明，根据本发明，能防止使曝光装置的曝光透镜和反射镜等机器白色污浊等，能防止对曝光装置的坏影响。