一种肖特基二极管的原型器件及其制备方法 技术领域
本发明涉及肖特基二极管的原型器件及其制备方法。
背景技术
肖特基二极管是利用金属和半导体之间接触势垒进行工作的一种多数载流子器件。传统的肖特基二极管反向特性较差，并且制作工艺繁琐。制作肖特基二极管原型器件最常用的材料是Si，SiC，金刚石。Si材料不适合在高温下工作，不宜作为大功率与抗辐射器件。SiC，金刚石价格昂贵，生长温度高(＞1000℃)。
发明内容
本发明的目的是提供一种适合在高温，强辐射条件下使用的肖特基二极管原型器件及其制备方法。
本发明的肖特基二极管原型器件是在衬底上自下而上依次沉积欧姆接触电极层、n-ZnO膜外延层、Si3N4层和肖特基金属电极层而构成。
该肖特基二极管原型器件的制备方法包括以下步骤：
1)按常规方法清洗衬底；
2)在室温下真空镀欧姆接触电极；
3)用去离子水，丙酮超声清洗，放入磁控溅射生长室，在400-550℃温度、2.5-6Pa压力下，磁控溅射生长n-ZnO外延膜层；
4)四氯化碳超声清洗样品，等离子淀积Si3N4，在Si3N4上涂光刻胶，曝光，显影，反应离子刻蚀Si3N4，形成一排排接触窗口；
5)四氯化碳超声清洗样品，氮气吹干，电子束蒸发肖特基金属电极，在肖特基金属电极上涂光刻胶，曝光，显影，湿法腐蚀出一排排肖特基金属电极窗口；
6)将样品进行退火，退火温度300-500℃，时间1min。
本发明的肖特基二极管原型器件由于在n-ZnO膜层与肖特基金属电极层之间沉积了一层Si3N4，因此用该原型器件制作的肖特基二极管，其反向特性较传统结构有明显提高，同时该种二极管还具有正向压降小，反向漏电流小，反向击穿电压大，高温稳定性好等优点。适合在高温，强辐射环境下工作，可广泛应用于微波混频，检波及高速开关电路等领域。
附图说明
图1为本发明肖特基二极管原型器件结构示意图。
图2为本发明原型器件制作的肖特基二极管的I-V曲线。
具体实施方式
参照图1，本发明的肖特基二极管原型器件是在衬底1上自下而上依次沉积欧姆接触电极层2、n-ZnO膜外延层3、Si3N4层4和肖特基金属电极层5而构成。其衬底可以是硅，或者蓝宝石，通常用硅。欧姆接触金属电极层可以是铝(Al)或钛铝(Ti/Al)双层金属，肖特基金属电极层可以是金(Au)或银(Ag)。n-ZnO膜外延层3的掺杂浓度一般为1.8×1015cm-3-2.0×1018cm-3。掺杂可以是本征的或者是掺Al。
若以Al为欧姆接触电极，Au为肖特基金属电极，其制备过程如下：
1)用RCA清洗法将硅衬底清洗干净；
2)在室温下真空镀铝电极；
3)用去离子水，丙酮超声清洗，放入磁控溅射生长室，在450℃、3Pa压力下，磁控溅射生长n-ZnO外延膜层；外延厚度为0.3微米，n-ZnO掺杂浓度为1.8×1015cm-3。
4)四氯化碳超声清洗样品，等离子淀积Si3N4，在Si3N4上涂光刻胶，曝光，显影，反应离子刻蚀Si3N4，形成一排排圆形接触窗口；
5)四氯化碳超声清洗样品，氮气吹干，电子束蒸发Au，在Au上涂光刻胶，曝光，显影，湿法腐蚀出一排排圆形Au窗口；
6)对样品进行400℃，时间1min退火。得到以Au/Si3N4/ZnO/Al为结构的肖特基二极管原型器件。
以本例得到的原型器件制得的肖特基二极管，经I-V测试表明具有明显的整流特性和较高的击穿电压(见图2)，漏电流仅为0.02μA(-10V)。