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准推挽源极跟随器
    (一)技术领域

    本发明属于模拟集成电路，尤其涉及一种准推挽源极跟随器。

    (二)技术背景

    目前随着半导体工艺的不断进化，晶体管特征尺寸不断缩小，从可靠性方面考虑，电源电压相应不断减小，如从5V到3.3V以至于1.8V，从目前来看，这个趋势仍然存在。在低电压下，通过传统源级跟随器获得大的输出信号摆率是比较困难的。传统源极跟随器存在的问题是波形在上升、下降沿存在不对称性，同时不能产生大的输出摆率和幅度。在波形上升沿，第一对晶体管(M1、M2)产生的跨导使得信号有较好的上升沿特性。但在下降沿则由于两方面的因素导致下降沿特性较差：(1)第二对晶体管(M3、M4)作用是形成电流源，以偏置第一对晶体管(M1、M2)。但其不能产生动态下拉电流，导致波形下拉不够；(2)由于晶体管通常都存在沟道调制效应，信号在下降过程中在沟道调制等效应的作用下更使得下拉电流不够。这个矛盾在晶体管特征尺寸不断缩小，同时电源电压相应减小的情况下变得更为突出。

    (三)技术内容

    技术问题  本发明提出地准推挽源极跟随器，它能够较大程度地提高信号的输出摆率和幅度。

    技术方案  一种涉及模拟集成电路的准推挽源极跟随器，包括2对晶体管，其中第一对晶体管的栅极作为信号输入端，源极作为信号输出端，其漏极相连并共同接电源，其源极分别与第二对晶体管的漏极相接，该第二对晶体管的栅极被偏置在一参考电压上，在第二对晶体管的漏极上设有第三对晶体管且第二对晶体管的漏极分别与第三对晶体管的漏极相连接，第二对晶体管的源极与第三对晶体管的源极共同接地，第三对晶体管的栅极与漏极相互交叉连接。

    有益效果  本发明提出的准推挽源极跟随器在不增加电源功耗的前提下，利用电流重利用技术，即在信号下降沿，利用一部分电流在第三对晶体管产生跨导，形成动态下拉电流，使波形的边沿特性得到有效改善，相应地提高输出信号的摆率和幅度。为了最大限度地拓展输出信号的动态空间，第三对晶体管的源极与第二对晶体管的源极直接接地，这样就最大程度地降低第三对晶体管在大的输出信号摆幅下，离开有效工作区域的可能性。本发明已经过验证，效果良好。

    (四)附图说明

    图1是本发明的电路框图；

    图2是本发明的实施例电路图。

    (五)具体实施方案

    一种涉及模拟集成电路的准推挽源极跟随器，包括2对晶体管M1、M2和M3、M4，其中第一对晶体管M1、M2的栅极作为信号输入端，源极作为信号输出端，其漏极相连并共同接电源，其源极分别与第二对晶体管M3、M4的漏极相接，该第二对晶体管M3、M4的栅极被偏置在一参考电压Vref上，在第二对晶体管M3、M4的漏极上设有第三对晶体管M5、M6，且第二对晶体管M3、M4的漏极分别与第三对晶体管M5、M6的漏极相连接，第二对晶体管M3、M4的源极与第三对晶体管M5、M6的源极共同接地，第三对晶体管M5、M6的栅极与漏极相互交叉连接，即第三对晶体管中的管M6的栅极与管M5的漏极相接，晶体管M5的栅极与晶体管M6的漏极相接，上述晶体管可以采用MOSFET，MESFET或者Bipolar等，在本实施例中，第二对晶体管M3、M4的源极与第三对晶体管M5、M6的源极共同直接接地。