基板处理装置及基板清洗方法 【技术领域】
本发明涉及用于湿式处理半导体晶片、液晶显示器或等离子显示器等平板显示器制造用的玻璃基板、印刷基板等板状基板的处理装置。
背景技术
在湿式清洗处理半导体晶片或平板显示器制造用的玻璃基板、印刷基板等板状基板的处理装置上，为了提高基板清洁度，提出过例如特开平8-294679号公报所示那样，从喷嘴对基板喷射高压流体的技术。
但是，在向基板喷出高压流体的时候，存在飞散的雾沫扩散到处理槽整体，再次附着到处理基板上而使基板被污染的问题。
这时，可考虑在处理槽内，用狭长开设基板出入的开口部的箱子覆盖该喷嘴和基板的被清洗部位，防止雾沫飞散到箱子外部。但是这种方法存在以下的问题。
·在箱子内部清洗液易滞留在基板上，所以清洗除去的颗粒容易再次附着在基板上。
·当压力过高时雾沫会溢出开口部。
·假设基板开口极窄时，如果是大型基板或薄板基板则会由于弯曲或在传送中的振动而触碰。
又，对于从上述那样地开口部的雾沫的泄漏，也可考虑在开口部上设置幕状喷射液体的喷嘴，利用所谓液幕遮蔽开口部，但这种方法也存在以下的问题。
·由于在箱子内部雾沫气氛滞留所以易导致再次附着。
·当压力过高时雾沫会溢出开口部。
【发明内容】
本发明，是针对上述问题的，目的在于提供不会在基板上再次附着雾沫和颗粒的基板处理装置。
为了解决上述问题，方案1的发明，其特征在于具有：含有至少1个在相向的侧面上具有第1开口部和第2开口部的第1收容容器的第1收容容器部；收容前述第1收容容器部且在相向的侧面上具有第3开口部和第4开口部的第2收容容器；将基板从前述第3开口部送入前述第2收容容器，并在前述第1收容容器部上顺序从前述第1收容容器的前述第1开口部送入前述基板而从前述第2开口部送出，且通过前述第1收容容器部后从前述第4开口部向前述第2收容容器外送出前述基板的传送装置；配置在前述第1收容容器部内部，向传送的前述基板喷出处理流体的第1喷出装置；从前述第1收容容器部内部向外排气的第1排气装置；从前述第2收容容器内部向外排气的第2排气装置。
又，方案2的发明，是方案1所述基板处理装置，其特征在于：前述第2排气装置的排气速度，大于前述第1排气装置的排气速度。
又，方案3的发明，是方案1或方案2所述基板处理装置，其特征在于：当将位于前述第1收容容器部的前述基板的接收端且作为前述第1开口部存在的开口部定义为第1最端开口部，将位于前述第1收容容器部的前述基板的送出端且作为前述第2开口部存在的开口部定义为第2最端开口部时，还具有配置在前述第1收容容器部的外部并且在前述第1以及前述第2最端开口部的各自附近，向前述第1最端开口部与前述基板之间的第1间隙以及前述第2最端开口部与前述基板之间的第2间隙喷出第1液体的多个第2喷出装置。
又，方案4的发明，是方案3所述基板处理装置，其特征在于：前述第1以及前述第2最端开口部分别具有与通过前述第1以及前述第2最端开口部的前述基板大致平行相向的面。
又，方案5的发明，是方案1或方案2所述基板处理装置，其特征在于：在前述第2收容容器内部，还具有配置在前述第3以及第4开口部中的至少1个的附近且喷出第2液体封闭该第3以及第4开口部中的至少1个地形成液体流的第3喷出装置。
又，方案6的发明，是方案1或方案2所述基板处理装置，其特征在于：作为前述第1喷出装置具有上部喷出装置和下部喷出装置，上述上部以及下部喷出装置配置在前述第1收容容器部上传送的前述基板的各不同面的旁边。
又，方案7的发明，是方案6所述基板处理装置，其特征在于：前述上部以及下部喷出装置的至少1个喷出气体和第3液体的混合物作为前述处理流体。
方案8的发明，其特征在于具有：在相向的侧面上具有第1开口部和第2开口部的主收容容器；将基板从前述第1开口部送入前述主收容容器并从前述第2开口部送出的传送装置；配置在前述主收容容器的内部，向传送的前述基板喷出处理流体的第1喷出装置；从前述主收容容器内部向外排气的第1排气装置；在前述主收容容器的外部且分别在前述第1以及前述第2开口部的附近配置的，向由前述第1以及前述第2开口部与传送的前述基板形成的间隙喷出第1液体的多个第2喷出装置。
又，方案9的发明，是方案8所述基板处理装置，其特征在于：前述第1以及前述第2开口部分别具有与通过前述第1以及前述第2开口部的前述基板大致平行的面。
又，方案10的发明，是方案8或方案9所述基板处理装置，其特征在于：作为前述第1喷出装置具有上部喷出装置和下部喷出装置，上述上部以及下部喷出装置配置在前述主收容容器上传送的前述基板的各不同面的旁边。
又，方案11的发明，是方案10所述基板处理装置，其特征在于：前述上部以及下部喷出装置的至少1个喷出气体和第2液体的混合物作为前述处理流体。
又，方案12的发明，是方案8或方案9所述基板处理装置，其特征在于：还配置共用具有前述第1以及第2开口部的侧面的副收容部、和从前述副收容部的内部向外排气的第2排气装置，前述第2喷出装置配置在前述副收容部内，前述副收容部在相向的侧面上具有前述基板通过的第3开口部和第4开口部，前述传送装置将前述基板从前述副收容部外经过前述第3开口部送入前述主收容容器之后，从前述主收容容器经过前述第4开口部送到前述副收容部外。
又，方案13的发明，是方案1、方案2、方案8、方案9中任何一个所述的基板处理装置，其特征在于：前述传送装置，使前述基板朝向相对水平方向倾斜的方向地传送前述基板。
又，方案14的发明，是一种清洗基板的方法，即，在收容含有至少1个在相向的侧面上具有第1开口部和第2开口部的第1收容容器的第1收容容器部且在相向的侧面上具有第3开口部和第4开口部的第2收容容器内部清洗基板的方法，其特征在于：将前述基板从前述第3开口部送入前述第2收容容器，在前述第1收容容器部上顺序将前述基板从前述第1收容容器的前述第1开口部送入并从前述第2开口部送出，通过前述第1收容容器部之后从前述第4开口部将前述基板送出前述第2收容容器外，在前述第1收容容器部的内部，向传送的前述基板喷出处理流体，同时从前述第1收容容器部的内部向外排气，并且从前述第2收容容器的内部向外排气。
又，方案15的发明，是方案14所述的基板清洗方法，其特征在于：当将位于前述第1收容容器部的前述基板的接收端且作为前述第1开口部存在的开口部定义为第1最端开口部，将位于前述第1收容容器部的前述基板的送出端且作为前述第2开口部存在的开口部定义为第2最端开口部时，还具有向由前述第1以及前述第2最端开口部与传送的前述基板形成的间隙喷出第1液体的喷出工序，利用前述喷出工序，对正通过前述第1以及前述第2最端开口部的前述基板与前述第1以及前述第2最端开口部的端缘部之间的间隙进行水封。
又，方案16的发明，是方案14或方案15所述的基板清洗方法，其特征在于：在前述第2收容容器内部，在前述第3以及第4开口部中的至少1个的附近，喷出第2液体形成液体流，利用前述液体流封闭该第3开口部以及第4开口部中的至少1个。
又，方案17的发明，是方案14或方案15所述的基板清洗方法，其特征在于：前述传送工序，使前述基板朝向相对水平方向倾斜的方向地传送前述基板。
又，方案18的发明，其特征在于具有：具有基板通过的开口部的第1收容容器；具有前述基板通过的开口部，且收容前述第1收容容器的第2收容容器；通过前述第2收容容器的前述开口部以及前述第1收容容器的前述开口部将前述基板从前述第2收容容器外经过前述第2收容容器内的前述第1收容容器内再送到前述第2收容容器外的传送装置；在前述第1收容容器内对前述基板提供处理流体的供给装置；从前述第1收容容器的内部向外排气的第1排气装置；从前述第2收容容器的内部向外排气的第2排气装置。
又，方案19的发明，其特征在于具有：具有基板通过的开口部的收容容器；通过前述收容容器的前述开口部将前述基板从前述收容容器外经过前述收容容器内再送到前述收容容器外的传送装置；在前述收容容器内对前述基板提供处理流体的第1供给装置；向前述第1收容容器的开口部与前述基板之间的间隙提供液体的第2供给装置；从前述收容容器内向外排气的排气装置。
又，方案20的发明，其特征在于具有：具有基板通过的第1开口部以及第2开口部的主收容容器；共用具有前述第1开口部以及第2开口部的侧面的任一方地设置且具有前述基板通过的开口部的至少1个副收容容器；通过前述副收容容器的前述开口部以及前述主收容容器的前述第1开口部和第2开口部，穿过前述副收容容器和主收容容器地传送前述基板的传送装置；在前述主收容容器内对前述基板提供处理流体的供给装置；从前述主收容容器内部向外排气的第1排气装置；从前述副收容容器内部向外排气的第2排气装置。
以上，如说明的那样，如果采用方案1至方案7、以及方案14至方案18的发明，则因为将处理容器设计为双层构造，并且分别排气，所以，可不使处理流体漏出到收容容器外部地排气。
又，如果采用方案2至方案4、以及方案15至方案17的发明，则在随第1收容容器3的排气而存在不断泄漏的处理气体时，也可在第2收容容器上完全排出，结果可不使处理流体漏出到收容容器外部地排气。
又，如果采用方案3、方案4、方案8至方案12、方案15以及方案19的发明，则通过在位于基板的传送通道上的开口部上对与基板的间隙形成水封，可抑制处理流体向外部漏出。
又，如果采用方案4以及方案9的发明，则可更切实地形成水封。
又，如果采用方案5以及方案16的发明，则因为可利用液体隔断处理容器内外的气体介质的出入，所以，可避免处理流体的漏出以及处理容器外部的混入。
又，如果采用方案6、方案7、方案10以及方案11的发明，则可在一个收容容器内同时清洗基板的两面。
又，如果采用方案7以及方案11的发明，则对于要求更高清洁度的面可采用具有高清洁力的混合物的处理流体清洗基板。
又，如果采用方案12以及方案20的发明，则因为在主处理容器的前后都进行排气，所以，可不使处理流体漏出到外部地排气。
又，如果采用方案13以及方案17的发明，则因为用于清洗的液体不会长时间滞留在基板表面上，所以，可抑制不纯物等的再附着。
附图的简单说明
图1是第1实施形式的基板处理装置1整体构成的模式图。
图2是第2清洗机构54的详细构成的模式图。
图3是用于说明基板W的倾斜传送的图。
图4是用于说明管管喷射器7和液体刀8的立体图。
图5是基板清洗处理中的第1收容容器3以及第2收容容器4的内部状态的模式图。
图6是第2实施形式的基板处理装置101整体构成的模式图。
图7是展示第1收容容器3的端部3e的形状的典型变形例的图。
图8是具有副收容容器的变形例的示意图。
符号说明
1、101 基板处理装置
2 传送辊
3、31、32 第1收容容器
4 第2收容容器
5 上部喷出装置
6 下部喷出装置
7 管喷射器
8 液体刀
9 按压辊
10 支撑辊
11、12 清洗流体
13 水封
52 辊刷
53 第1清洗机构
54 第2清洗机构
56 第3清洗机构
V1 第1排气装置
V2 第2排气装置
W 基板
实施发明的实施形式
<第1实施形式>
<装置构成>
图1是展示本发明的第1实施形式的基板处理装置1的构成的侧断面图。基板处理装置1，是利用由图中未示出的驱动源驱动的传送辊2一边传送例如半导体基板或平板制造用的巨型玻璃基板、或者印刷电路基板等基板W，一边在处理槽la内进行清洗处理而清洗该基板W的基板处理装置。
在基板处理装置1的处理槽1a内，从基板的传送方向上游侧顺序设置具有喷出纯水的喷嘴51以及辊刷52的第1清洗机构53、后述的第2清洗机构54、具有幕状供给纯水的喷嘴55的第3清洗机构56。图2是展示第2清洗机构54的模式性侧断面图。第2清洗机构54，具有双层箱构造，即在其内部进行清洗处理的第1收容容器3还收在第2收容容器4内。作为基板W在各收容容器上的出入口，前者是在相向的2侧面上设置的第1开口部3a以及第2开口部3b，后者是在相向的2侧面上设置的第3开口部4a以及第4开口部4b，它们分别在同一高度且在一直线上。基板W，利用传送辊2依次通过这些开口部地向箭头ARl所示水平方向传送。在图2上，以三维坐标表示，其中，将箭头ARl所示的基板W的传送方向设为x轴正方向、在水平面内垂直于x轴方向的方向被设为y轴方向、垂直于xy平面的方向设为z方向。又，第1开口部3a、第2开口部3b、第3开口部4a以及第4开口部4b的端部3ae、3be、4ae以及4be分别设计为向第1、第2收容容器3、4的内侧突出的鸟嘴状的形状，在其基板通过侧的面上，形成与传送过去的基板W成大致平行的平面。
在隔着基板W通过的区域且与传送辊2相对的位置上，设置由图中未示出的驱动源驱动的按压辊9。按压辊9，通过从上侧按压随着传送和清洗而振动的基板W，起到协助基板W传送的作用。又，在第1收容容器3内，虽然没有驱动源，但也设置起到使基板W的传送更加稳定的导板的作用的支撑辊10。这样，基板W，可抑制因后述的高压喷雾状流体的冲撞而产生的振动所引起的错位地传送。
又，在第1收容容器3上，分别在基板W的通过位置的更上方设置上部喷出装置5，在基板W的通过位置的更下方设置下部喷出装置6。以前者为主清洗基板W的表面，后者清洗背面。
上部喷出装置5，是将空气与纯水按例如100∶1左右的体积比混合，形成喷雾状混合流体如箭头AR2所示方向向基板W的表面喷出的所谓双流体喷嘴。在此，空气是从空气供给源AS利用空气阀AV调节并经过空气供给通道AL提供。纯水是利用泵P1从纯水供给源WS取水，利用阀V1调节流量并通过纯水供给通道WL1提供。
下部喷出装置6，是用于将同样来自纯水供给源WS经过纯水供给通道WL4提供的纯水成幕状地如箭头AR3所示那样向基板W喷出的设备。
在上部喷出装置5和下部喷出装置6上，可利用众所周知的喷雾技术。另外，在下部喷出装置6上也可是喷出与空气的混合流体的形式。又，与上述相反，也可是下部喷出装置6喷出混合流体，上部喷出装置5喷出纯水的形式。
另外，虽然在图2上图示的情况没有标出，但在本实施形式的基板处理装置1上，使基板W自y轴方向仅倾斜既定角度θ，相对基板W的传送方向基板W以向左侧倾斜的状态传送。图3是用于说明基板W的倾斜传送的图。如图3所示那样，以第1开口部3a为首的开口部，也配合基板的倾斜形成。又，虽然在传送辊2上设置与基板直接接触的2个滚子2a以及2b，但在倾斜下方设置的滚子2b上，设置用于防止基板滑落的凸缘部2c。关于按压辊9以及支撑辊10也同样，具有与基板直接接触的2个滚子9a和9b、以及10a和10b。
并且，在第1收容容器3的外部，在第1开口部3a以及第2开口部3b的附近，在各处隔着基板上下配置管喷射器7。又，在第2收容容器4的内部，在第3开口部4a以及第4开口部4b的附近，在各处隔着基板上下配置液体刀8。图4是为了说明管喷射器7和液体刀8而模式化展示两者的一部分的立体图。
管喷射器7，如图4所示那样，在yz平面内且沿基板W的倾斜方向配置。在管喷射器7上，从纯水供给源WS经过纯水供给通道WL2提供的(纯水供给通道WL2在图2中只画出了一部分)纯水，如图2中箭头AR4所示方向那样，从以既定间隔设置的多个喷出口7a，向第1开口部3a与正通过该开口部的基板W之间的问隙以及第2开口部3b与正通过该开口部的基板W之间的间隙喷出。
另一方面，液体刀8，如图4所示那样，在yz平面内且沿基板W的倾斜方向配置。在液体刀8上，从纯水供给源WS经过纯水供给通道WL3提供的(纯水供给通道WL3在图2中只画出了一部分)纯水，如图2中箭头AR5所示方向那样，从以既定间隔设置的多个喷出口8a，可以说形成液幕地向与基板W垂直的方向喷出。又，液体刀8，因为从上下方向隔着基板W地喷出纯水，所以，也可起到抑制基板W的端部通过时的基板W的振动，稳定地传送的引导作用。另外，液体刀8，也可至少在第4开口部4b附近设置，而不必在第3开口部4a附近设置。例如，当虽然不容许清洗流体在传送通道上向下游侧的第4开口部4b侧泄漏，但可容许清洗流体向上游侧的第3开口部4a侧泄漏时，也可不必在第3开口部4a附近配置液体刀8。
又，第1收容容器3内的气体介质利用第1排气装置V1经过排气通道VL1排气。第2收容容器4内的气体介质利用第2排气装置V2经过排气通道VL2排气。这些排气希望与从上部喷出装置5以及下部喷出装置6的清洗流体的喷出联动进行。通过采取只在清洗流体喷出时进行排气的形式，可防止来自外部的气体介质向不进行清洗时的第1收容容器3流入。并且可降低有效负荷。
从管喷射器7以及液体刀8向第1收容容器3以及第2收容容器4提供的纯水、以及成为喷雾状之后再次液化的纯水向排水管DR排出。
又，在第1收容容器3以及第2收容容器4上，在例如容器内部的四角等处适当设置喷出用于清洗其内部的清洗液的清洗用喷嘴15。
<基板清洗处理>
下面，说明在基板处理装置1上进行的基板清洗处理。从前面工序传过来的基板W，当进入处理槽1a时首先利用第1清洗机构53进行刷洗。然后基板W进入第2清洗机构54的第2收容容器4。关于该第2清洗机构54，参照图5说明。图5是基板清洗处理中的第1收容容器3以及第2收容容器4的内部状态的模式图。
在第1收容容器3上，从上部喷出装置5以及下部喷出装置6分别向通过的基板W喷出喷雾状的高压的清洗流体11以及纯水的射流12。使构成清洗流体11以及射流12中的纯水的微粒子高速冲撞基板W的表面乃至里面，这样除去附着在基板W上的颗粒等。利用该冲撞除去的颗粒或纯水的雾沫等分散到第1收容容器3内的气体介质中，而为了防止它再次附着在基板W上，第1收容容器3内的气体介质利用第1排气装置V1经过排气通道VL1排出。
但是，因为清洗流体11以及射流12以高压、高速向基板W喷射，所以，虽说进行从排气装置V1的排气，但它们与基板W接触之后，沿该基板W的面水平方向前进，大部分不从排气通道VL1出去，而是从第1开口部3a以及第2开口部3b上的基板W与开口部之间的间隙向第1收容容器3外排出。发生除去的颗粒和雾沫等随之流出时仍然再附着到基板W上或附着到处理槽1a内面等基板处理装置1内等不良情况。
因此，本实施形式的基板处理装置1，从管喷射器7对该间隙喷出纯水，实现利用该纯水充满该间隙的状态，即封闭间隙的状态。以下，将产生该状态的水叫做水封13。因为在第1开口部3a以及第2开口部3b上，其端部3ae以及3be的形状都形成与基板W大致平行的平面，是平坦的，所以，水封13容易实现。水封13，虽然不是完全密封间隙，但对清洗流体11以及12，因为成为充分的阻力使其流速降低，所以可显著抑制向第1收容容器3外的清洗流体11以及射流12的量以及速度。另外，在没有基板的状态下，也是通过从管喷射器7喷出纯水，在某种程度上抑制清洗流体11以及射流12向第1实容容器3的外部流出。
又，第2收容容器4内部仍然是利用第2排气装置V2经过排气通道VL2排气。因为利用水封13显著减弱清洗流体11以及12的流速，所以，来自第1收容容器3的流出气体介质14可利用第2排气装置V2充分排气。通过将第2排气装置V2的排气速度设计得比第1排气装置V1更大，使其效果更加充分。这样，可防止颗粒和雾沫等再次附着到基板W上等。另外，在第2收容容器4上具有液体刀8，通过它喷出纯水，在基板W通过时水封该基板W与第3开口部4a和第4开口部4b之间的间隙，并且在基板W不通过时封闭第3开口部4a和第4开口部4b地形成纯水的幕状流，起到闸门的作用，抑制内外的气体介质的出入，可更有效地减少清洗流体11以及射流12向第2收容容器4外的流出。
另外，在基板W上，虽然结果是提供大量的纯水，但因为如前述那样基板W以倾斜状态传送，所以，纯水不滞留在基板W上，容易流到第1收容容器3以及第2收容容器4底部，经过通道BL排出。即，使基板W的表面在较短的时间内由新提供的纯水置换。
以上，如说明的那样，在本实施形式的基板处理装置1上，在第2清洗机构54上收容容器具有双层构造，内侧的第1收容容器3的开口部利用水封13封闭而抑制高压喷出的清洗流体11以及12的流出，同时外侧的第2收容容器4也排气，这样可抑制被清洗除去的颗粒等的再次附着。
这样，当利用第2清洗机构54的清洗结束时，基板W再利用第3清洗机构56喷射清洗。然后最终从处理槽1a送出，送到进行下面的干燥工序的干燥装置。
另外，在本实施形式中通过从第1收容容器3的外侧向开口部3a、3b喷出液体，可堵住沿基板W朝向外侧的清洗流体11，这样，即使是开口部3a、3b较宽的状态也可水封该开口部，有效遮蔽液体雾沫等。
<第2实施形式>
图6是本发明的第2实施形式的基板处理装置101的构成的模式图。基板处理装置101，与第1实施形式的第2清洗机构54相同，是清洗例如半导体基板或平板显示器制造用玻璃基板、或者印刷电路基板等基板W的基板清洗装置的一部分，因为作用相同，所以，同一的构成元件采用与第2清洗机构54时同样的符号，以下不再说明。另外，在图6中，为了简化图示，关于空气以及纯水的供给通道只显示一部分。
基板处理装置101，在第2收容容器4内部配置由多个第1收容容器构成的第1收容容器部30，在这点上与第1实施形式的基板处理装置1不同。在图6中，所示为第1收容容器部30由2个第1收容容器31以及32构成时的例子。
2个第1收容容器31以及32，按照该顺序使基板W通过地相互靠近地联锁串联配置，在各个上，在相向的2侧面上形成的开口部31a、31b、32a、32b，直线排列。而且，分别设置上部喷出装置5(51、52)、下部喷出装置6(61、62)。又，第2排气装置V2，同时担负2个第1收容容器31和32双方的排气。而且，在相当于第1收容容器部30的两端的开口部的第1收容容器31的第1开口部31a和第1收容容器32的第2开口部32b上分别设计具有与传送的基板W大至平行的面的成鸟嘴形状的端部31ae以及32be。
而且，当将位于第1收容容器部30的基板接收端的第1开口部31a定义为「第1最端开口部」，而将位于第1收容容器部30的基板送出端的第2开口部32b定义为「第2最端开口部」时，在第1收容容器部30的外部并且在第1以及第2最端开口部31a、32b的各自附近，配置向由第1以及第2最端开口部31a、32b与基板W形成的间隙喷出液体的多个管喷射器7。另外，在第1实施形式(图2)中也可定义「第1最端开口部」以及「第2最端开口部」，这时，因为第1开口部3a只有1个所以该第1开口部3a发挥第1最端开口部的作用，同样，因为第2开口部3b只有1个所以该第2开口部3b发挥第2最端开口部的作用。
本实施形式的基板处理装置101的情况，从管喷射器7喷出的纯水，在第1收容容器31的第1开口部31a和第1收容容器32的第2开口部32b上形成水封13。这时，虽然在2个第1收容容器之间的开口部不形成水封，但通过将两者靠近配置，可抑制气体介质向外部的流出，所以结果与第1实施形式一样，气体介质从第1收容容器部30整体的流出被抑制到在第2收容容器4上可排出的程度。
即，本实施形式这样，设置多个进行清洗处理的收容容器的形式，也通过在两端的收容容器的开口部上形成水封，可进行颗粒等不会再次附着的清洗处理。
<变形例>
如上述那样，在本发明中，虽然是通过形成水封抑制高压喷出的清洗流体的流速，但用于形成水封的开口部的端部的形状不限于上述的形式。图7是展示第1收容容器3的端部3e的形状的典型变形例的图。即，端部3e，也可以如图7(a)所示那样在第1收容容器3的外侧突出平坦部分的构造，也可如图7(b)所示那样向两侧突出的构造，也可如图7(c)所示那样更加倾斜的构造。或者也可如图7(d)所示那样利用构成收容容器3的容器的部件的厚度的形式。
又，在上述实施形式中，因为对基板W的上面提供高压的清洗流体11，所以，希望将支撑基板的下面侧的传送辊或支撑辊设置在尽量靠近该供给部位的位置。上述实施形式中，因为为了也清洗基板的下面侧而向下面侧提供射流12，所以，在清洗流体11以及射流12的供给中心位置的前后设置支撑辊10，但例如不必清洗下面侧时可省去向下面侧提供液体，也可在对应清洗流体11的供给中心的位置设置支撑辊或传送辊。另外，如果以高压对基板的下面提供清洗流体，而以低压对基板的上面提供清洗流体，则即使基板的厚度薄的情况，也可减轻由于基板的重力等引起的弯曲，提高传送的稳定性。
又，在上述实施形式中虽然只从收容容器的上侧排气，但也可从下侧排气，并且如果从上下排气侧可更高效地排气。又，虽然将第1收容容器3和第2收容容器4分别连接在单独的排气装置上，但也可设计一个可兼做它们两个排起装置的大容量的排气装置。
又，在上述实施形式中，虽然第2清洗机构54是第1收容容器3被收在第2收容容器4内的双层容器构造，但不限于此，也可如图8所示那样，在作为主收容容器的第1收容容器3的外侧，作为副收容部，共用具有第1开口部3a的侧面地设置第1副收容容器41，共用具有第2开口部3b的侧面地设置第2副收容容器42。
在图8中，副收容容器41、42分布在传送通道的前后而具有上述实施形式中的第2收容容器4所具有的构成元件及其功能。即，在第1副收容容器41上形成第3开口部4a，在副收容容器42上形成第4开口部4b，并且各副收容容器41、42连接在第2排气装置V2上。而且，在第1收容容器3的开口部3a、3b的外侧，即副收容容器41以及42内，在其上设置对开口部3a、3b提供液体的管喷射器7，并且在第3以及第4开口部附近设置液体刀8。
采用这样的构成也可获得与上述实施形式几乎同样的效果。但是，使从第1开口部3a、3b穿过由管喷射器7形成的水封而可向第1收容容器3的外侧跑出的清洗流体11减速的效率，还是开口部3a侧与开口部3b侧相连而容易设计更大的容积的前述的双层构造的一方更好。另外，在此，副收容容器，不必设置在第1收容容器3的开口部3a、3b的两方的侧面。例如，在虽然可容许清洗流体从第1收容容器3向上游侧的第1开口部3a侧泄漏，但不容许清洗流体从第1收容容器3向下游侧的第2开口部3b侧泄漏时，也可至少设置第2开口部3b侧的第2副收容容器42。
在上述实施形式中，虽然是使用纯水清洗的形式，但从上部喷出装置5或下部喷出装置6喷出的清洗流体的组成不限于此，也可是既定的处理液，例如显像液、腐蚀液、剥离液等。又，向各喷出装置或喷水器、液体刀提供纯水也可是从不同的供给装置进行的形式。
又，虽然在上述实施形式中使用后的纯水向排水管DR排出废弃掉，但不限于此，也可设计为循环使用处理液。例如在第1实施形式中，也可在每个清洗机构53、54、56上分离回收纯水，将第3清洗机构56使用过的纯水接着提供给第2清洗机构54使用，该纯水再接着提供给第1清洗机构53使用。
又，也可在一个第1收容容器部内部设置多个上部喷出装置以及下部喷出装置。