一种用于半导体器件的铟锡氧化物PN结.pdf

摘要
申请专利号：	CN03150667.4	申请日：	2003.08.27
公开号：	CN1494161A	公开日：	2004.05.05
当前法律状态：	终止	有效性：	无权
法律详情：	专利权的终止(未缴年费专利权终止)授权公告日：2006.7.5\|\|\|授权\|\|\|实质审查的生效\|\|\|公开
IPC分类号：	H01L29/12; H01L29/86; H01L21/00	主分类号：	H01L29/12; H01L29/86; H01L21/00
申请人：	浙江大学;
发明人：	季振国; 何振杰
地址：	310027浙江省杭州市西湖区玉古路20号
优先权：
专利代理机构：	杭州求是专利事务所有限公司	代理人：	韩介梅
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内容摘要

本发明的用于半导体器件的铟锡氧化物pn结，其p型铟锡氧化物中的铟/锡原子比为0.01－0.3，n型铟锡氧化物中锡/铟原子比为0.01－0.3。由于铟锡氧化物是宽禁带半导体材料，且对可见光透明，因此本发明的铟锡氧化物pn结在光电子领域有重要的应用前景，如用于透明的电子器件，高温电子器件等。

权利要求书

1：一种用于半导体器件的铟锡氧化物pn结，其特征是该pn结p型铟锡氧化物中的铟/锡原子比为0.01-0.3，n型铟锡氧化物中锡/铟原子比为0.01-0.3。

说明书

一种用于半导体器件的铟锡氧化物pn结
                             技术领域

    本发明涉及半导体器件的pn结，具体说，是用于半导体器件的铟锡氧化物pn结。

                             背景技术

    铟锡氧化物是一种很有前途的宽禁带氧化物半导体材料，在气体传感器、透明导电膜及其他光电器件方面已经得到较多的应用。由于铟锡氧化物禁带宽度宽，在可见光波段透明，故有望制作成可在高温下工作且对可见光透明的pn结，在光电子领域有重要的应用前景。但目前报道的铟锡氧化物基本上都是n型的，即不掺杂的或掺锡的氧化铟，而要制作电子器件必须同时具有p型和n型导电的材料。在本发明作出前，还未有利用铟锡氧化物制作pn结的任何报道。经过尝试，发现铟锡氧化物的导电类型与其中的铟/锡比及热处理工艺参数有关，铟/锡比恰当，才能制作成为pn结。

                               发明内容

    本发明的目的是提供一种用于半导体器件的铟锡氧化物pn结。本发明的用于半导体器件地铟锡氧化物pn结，其p型铟锡氧化物中的铟/锡原子比为0.01-0.3，n型铟锡氧化物中锡/铟原子比为0.01-0.3。

    发明的用于半导体器件的铟锡氧化物pn结可采用常规薄膜制备工艺的溶胶-凝胶法制备获得，其中的热处理温度为500度。由于铟锡氧化物是宽禁带半导体材料，且对可见光透明，因此本发明的铟锡氧化物pn结在光电子领域有重要的应用前景，如用于透明的电子器件，高温电子器件等。

                               附图说明

    图1是以铟锡氧化物为pn结的半导体器件示意图；

    图2是以本发明铟锡氧化物构成的pn结的电流-电压特性。

                              具体实施方式

    参照图1，半导体器件包括上电极1、下电极4、由p型铟锡氧化物2和n型铟锡氧化物3构成的pn结，其中p型铟锡氧化物中铟/锡原子比含量为0.10，n型铟锡氧化物中锡/铟原子比为0.1。本实例中的铟锡氧化物由溶胶-凝胶法获得，其中的热处理温度为500度。以本例铟/锡含量构成的pn结半导体器件，其电流-电压特性见图2所示，从图中可以看出，由铟锡氧化物构成的pn结具有明显的单向导电性质，即整流特性。