运送方法 【技术领域】
本发明涉及运送技术，特别是有关适用于有轨运送系统的有效的技术。
技术背景
例如在半导体制造生产线中，伴随着半导体晶片(下称晶片)的大口径化，由于每1个晶片的重量也在逐步增加，所以由机械运送晶片的自动处理化也在发展。
例如，如株式会社プレスジャ一ナル公司在平成9(1997)年12月20日发行的[月刊半导体世界]的第131页-149页所记载的一般对应直径300mm的晶片的半导体制造生产线中，将各种制造装置(包括检查装置)分为称作隔舱的装置群，以隔舱为单位，配置在无尘室内。因此，晶片自动运送系统也与此相对应，分为在隔舱之间运送、隔舱内运送、堆料器等的要素(总成)而构成。
这些总成之中，在隔舱之间运送中，一般使用被称作OHS(OverHead Shuttle)的顶置运送方式。另外，在隔舱内运送中，使用在轨道上自动行驶的被称作RGV(Rail Guided Vehicle)的运送车辆、无轨自动行驶的被称作AGV(Automatic Guided Vehicle)的运送车辆、或者是作为顶置运送方式之一的OHT(Over-head Hoisttransport)等。
例如，在特开平8-153767号公报中，公开了下述技术，在1根导轨上，配置有在导轨上可移动的2台基片运送机器人，指定各个基片运送机器人的工作地区域，通过在多个基片处理装置之间，运送晶片、滤色器用基片、感热头用基片以及印刷基片等的基片，来追求运送处理能力的提高。
本发明者们就使用RGV的有轨运送系统进行了研究。因为RGV在导轨等的轨道上行驶，所以与无轨行驶的AVG相比，使稳定地行驶成为可能。因此，控制行驶也容易。本发明者们在使用这样的RGV有轨运送系统中，发现了下述的课题。
即，在使用RGV有轨运送系统中，从为了避免运送系统的设计以及系统构成(控制)的复杂化、和运送系统设置成本上升的目的出发，一般是使一台RGV上到单线轨道上。但是，在半导体制造生产线等的制造生产线内，会产生制造装置(包括检查装置)的维护、增设以及新设等的非常规作业等，在作业人员从单线轨道侧进入制造装置的情况下，为确保作业人员的安全，有必要在产生该非常规作业等的位置隔断运送线路，使RGV不能进入产生该非常规作业等的位置。因此，在隔断运送线路的情况下，RGV以产生非常规作业等的位置为界，只能在制造装置群的一方工作，存在制造装置的运行率低下的课题。
本发明的目的是提供一种可以防止在半导体制造生产线等的制造生产线中的制造装置的运行率低下的有轨运送系统。
本发明的上述以及其他的目的和新特征，从本说明书的记述以及附图中，即可明确。
【发明内容】
若简单说明本申请中所公开的发明中的具有代表性物品的概要，则如下所述。
即，本发明是使用连结多个制造装置之间的单线轨道、和沿上述单线轨道动作的多个运送机构，将被运送体向上述制造装置运送，
(a)上述每一个运送机构都具有第1阶段以及第2阶段的运送形式，
(b)在上述第1阶段中的上述运送机构的第1运送区域和在上述第2阶段中的上述运送机构的第2运送区域是不同的范围。
另外，本发明是使用连结多个制造装置之间的单线轨道、和沿上述单线轨道动作的多个运送机构，将被运送体向上述制造装置运送，
(a)上述每一个运送机构都具有第1阶段以及在隔断上述单线轨道时的第2阶段的运送形式，
(b)在上述第1阶段中的上述运送机构的第1运送区域和在上述第2阶段中的上述运送机构的第2运送区域是不同的范围。
另外，本发明是使用连结多个制造装置之间的单线轨道、和沿上述单线轨道动作的多个运送机构，将被运送体向上述制造装置运送，
(a)上述每一个运送机构都具有在上述多个运送机构的运行率上产生差的情况的第1阶段以及上述第1阶段以外的第2阶段的运送形式，
(b)在上述第1阶段中的上述运送机构的第1运送区域和在上述第2阶段中的上述运送机构的第2运送区域是不同的范围。
另外，本发明是使用连结多个制造装置之间的单线轨道、和沿上述单线轨道动作的多个运送机构，将被运送体向上述制造装置运送，
(a)上述每一个运送机构都具有在将上述被运送体运送到上述多个制造装置的等待时间上产生差的情况的第1阶段以及上述第1阶段以外的第2阶段的运送形式，
(b)在上述第1阶段中的上述运送机构的第1运送区域和在上述第2阶段中的上述运送机构的第2运送区域是不同的范围。
另外，上述多个运送机构的每1个的上述第1运送区域以及上述第2运送区域，与其他的上述运送机构的上述第1运送区域以及上述第2运送区域相互隔开。
【附图说明】
图1是表示作为本发明的实施方式1的半导体制造生产线的晶片全自动运送系统的全体俯视图。
图2是表示图1所示的晶片全自动运送系统的一部分的俯视图。
图3是表示在图1所示的晶片全自动运送系统的一部分中，进行制造装置的新设或者增设情况的俯视图。
图4是表示在图1所示的晶片全自动运送系统的一部分中，进行制造装置的新设或者增设情况的俯视图。
图5是表示在图1所示的晶片全自动运送系统的一部分中，进行制造装置的维护的情况的俯视图。
图6是表示作为本发明的实施方式2的半导体制造生产线的晶片全自动运送系统的一部分的俯视图。
图7是表示作为本发明的实施方式3的半导体制造生产线的晶片全自动运送系统的全体俯视图。
图8是表示图7所示的晶片全自动运送系统的一部分的俯视图。
图9是表示在图7所示的晶片全自动运送系统的一部分中，进行制造装置的新设或者增设情况的俯视图。
图10是表示在图7所示的晶片全自动运送系统的一部分中，进行制造装置的新设或者增设情况的俯视图。
图11是表示在图7所示的晶片全自动运送系统的一部分中，进行制造装置的维护的情况的俯视图。
图12是表示作为本发明的实施方式4的半导体制造生产线的晶片全自动运送系统的一部分的俯视图。
【具体实施方式】
下面，根据附图，详细说明本发明的实施方式。另外，在用于说明实施方式的全部附图中，对具有同一功能的部件赋予同一符号，省略其反复的说明。
(实施方式1)
图1是表示与例如直径300mm的晶片相对应的半导体制造生产线的晶片全自动运送系统的全体俯视图。
用于半导体制造的热处理装置、离子注入装置、蚀刻装置、成膜装置、清洗装置、感光性树脂涂抹装置、曝光装置等的各种制造装置EQ(包括检查装置)被分为多个隔舱(装置群)，配置在无尘室CR内。这些各种制造装置EQ分别对晶片实施处理。这样，在无尘室CR内的晶片全自动运送系统与该配置相对应，是由多个运送系统和中转各运送系统的堆料器BS构成。
在各堆料器之间的晶片组(被运送体)的运送是通过设置在无尘室CR内的运送系统进行的。另一方面，有关制造装置的晶片组的运送是通过在铺设于无尘室CR的运送导轨(单线轨道)3上行驶的RGV(Rail Guided Vehicle)(运送机构)11进行的。即，本实施方式1的运送系统是有轨运送系统。在本实施方式中，组是指在同等条件下制造，在同等条件下实施(或者实施了)各种处理的晶片的集合体。该运送导轨3是由2台RGV11共用的。RGV11通过与RGV11进行电气性接续的行驶控制系统(省略图示)来控制其工作状态。
图2是表示图1所示的运送系统的一部分的俯视图。
在2个堆料器BS1、BS2之间，铺设1根运送导轨3，在该运送导轨3上，配置2台RGV11A、11B。另外，在堆料器BS1、BS2之间，配置例如n台(n＞9)的制造装置EQ1-EQn。
在本实施方式1中，首先作为第1阶段，分别设定RGV11A、11B的可以分别行驶的运送区域(第1运送区域)MA1、MA2。该运送区域MA1、MA2的设定是通过上述行驶控制系统来进行的。此时，例如制造装置EQ6在运送区域MA1、MA2的双方重复的情况下，在从RGV11A向制造装置EQ6搬入晶片组时，RGV11A就停滞在制造装置EQ6前。此时，即使RGV11B有向制造装置EQ6搬入的晶片组，也因为RGV11A停滞在制造装置EQ6前，而使RGV11B无法前进到制造装置EQ6。即，因为RGV11B所有的晶片组不能搬入到制造装置EQ6，所以对于RGV11B就是运送效率低下。因此，在本实施方式1中，设定运送区域MA1、MA2的一部分或者全部不重复。在图2所示的运送系统中，可以举例表示，运送区域MA1为从堆料器BS1到制造装置EQ5的范围，运送区域MA2为从制造装置EQ6到堆料器BS2的范围。据此，可以防止由于2台RGV11A、11B阻碍相互的前进而引起的运送效率的低下。
另外，例如在有从配置在运送区域MA1内的堆料器BS1向配置在运送区域MA2内的制造装置EQ6-EQn中的任意一个运送晶片组的情况下，可以在通过其他的运送系统将该组从堆料器BS1运送到堆料器BS2后，通过RGV11B从堆料器BS2运送到配置在运送区域MA2内的所要的制造装置上。
另外，为不使RGV11A、11B的运送效率低下，且RGV11A、11B不阻碍相互的行驶，若可以控制基于RGV11A、11B的晶片组的运送工程，则也可以设定运送区域MA1、MA2的一部分或者全部重复。这种情况下，因为组的运送路径不是大略决定的，所以可以根据情况适当地选择运送路径。
图3以及图4是俯视图，表示在堆料器BS1和堆料器BS2之间，进行与制造装置EQ1-EQn不同的制造装置的新设，或者与制造装置EQ1-EQn中的任意一个相同的制造装置的增设的情况。
例如，如图3所示，在堆料器BS1和堆料器BS2之间，在进行与制造装置EQ1-EQn不同的制造装置的新设，或者与制造装置EQ1-EQn中的任意一个相同的制造装置的增设时(第2阶段)，从靠近堆料器BS1以及堆料器BS2的位置依次逐渐导入。例如，在靠近堆料器BS1的位置，设置制造装置EQ1-EQ3，在靠近堆料器BS2的位置，设置制造装置EQ8-EQn的情况下，在制造装置EQ3和制造装置EQ8之间的区域(第1区域)，导入制造装置EQ4-EQ7时，从靠近制造装置EQ3、EQ8的位置开始依次逐渐导入制造装置EQ4-EQ7，与此相吻合，由于RGV11A、11B各自的运送区域MA1、MA2逐步依次扩大到导入的制造装置，所以依次逐渐设定新的运送区域(第2运送区域)MA1、MA2。据此，可以将晶片组依次搬入到导入的制造装置EQ4-EQ7。
另外，如图4所示，在堆料器BS1和堆料器BS2之间，在进行与制造装置EQ1-EQn不同的制造装置的新设，或者与制造装置EQ1-EQn中的任意一个相同的制造装置的增设时(第2阶段)，也可以从靠近堆料器BS1的位置向堆料器BS2，依次导入制造装置EQ4-EQ7。例如，在靠近堆料器BS1的位置，设置制造装置EQ1-EQ3，在靠近堆料器BS2的位置，设置制造装置EQ8-EQn的情况下，在制造装置EQ3和制造装置EQ8之间的区域(第1区域)，导入制造装置EQ4-EQ7时，从靠近制造装置EQ3的位置开始依次逐渐导入制造装置EQ4-EQ7，与此相吻合，由于RGV11A的运送区域MA1逐步依次扩大到导入的制造装置，所以依次逐渐设定新的运送区域(第2运送区域)MA1。据此，可以将晶片组依次搬入到导入的制造装置EQ4-EQ7。
在进行上述那样的制造装置的导入作业时，例如，考虑到作业人员从轨道导轨3侧进入制造装置的导入区域，为确保作业人员的安全，在进行制造装置的导入作业的区域，要隔断轨道导轨3，使RGV不能进入。此时，在轨道导轨3上仅配置1台RGV的情况下，RGV只能在运送区域MA1、MA2的某一方上进行运送作业。因此，在配置于RGV不能进行运送作业的运送区域MA1、MA2的另一方的制造装置中，晶片组不能被搬入，担心会有制造装置的运行率低下的问题。另一方面，若根据使用图3以及图4所说明的本实施方式1的制造装置的导入机构以及运送区域MA1、MA2的扩大机构，则在运送区域MA1、MA2上分别预先配置RGV11A、11B。据此，可以防止在配置于运送区域MA1、MA2的一方的制造装置中，晶片组不能被搬入，制造装置的运行率低下等问题的产生。其结果是，可以防止通过本实施方式1的半导体制造生产线所制造的成品TAT的延伸。
图5是俯视图，表示进行包括检查或者修理例如设置在堆料器BS1和堆料器BS2之间的制造装置EQ1-EQn中的任意一个的维护的情况。
在进行设置在堆料器BS1和堆料器BS2之间的制造装置EQ1-EQn中的任意一个的维护的情况下，例如考虑到作业人员从轨道导轨3侧向进行维护的制造装置方向进入，为确保作业人员的安全，隔断轨道导轨3，使RGV不能进入到进行制造装置的维护的区域。即使是在这样的状况下，在轨道导轨3上仅配置1台RGV的情况下，RGV只能在运送区域MA1、MA2的某一方上进行运送作业。因此，在配置于RGV不能进行运送作业的运送区域MA1、MA2的另一方的制造装置中，晶片组不能被搬入，担心会有制造装置的运行率低下的问题。
因此，在本实施方式1中，如图5所示，对例如设置在制造装置EQ7和制造装置EQ9之间的区域(第1区域)的制造装置EQ8进行维护的情况下(第2阶段)，利用预先将2台RGV11A、11B配置在运送导轨3上，使RGV11A的运送区域(第2运送区域)MA1为从堆料器BS1到制造装置EQ7，RGV11B的运送区域(第2运送区域)MA2为从堆料器BS2到制造装置EQ9。据此，可以防止在配置于运送区域MA1、MA2的一方的制造装置中，晶片组不能被搬入，制造装置的运行率低下等问题的产生。其结果是，可以防止通过本实施方式1的半导体制造生产线所制造的成品TAT的延伸。
(实施方式2)
接着，就本实施方式2的晶片全自动运送系统进行说明。
如图6所示，本实施方式2的晶片全自动运送系统的运送系统与上述实施方式1相同，是在2个堆料器BS1、BS2之间铺设1根运送导轨3，2台RGV11A、11B配置在运送导轨3上。另外，例如n台(n＞9)的制造装置EQ1-EQn(包括检查装置)配置在堆料器BS1、BS2之间。
本实施方式2是使RGV11A、11B的运行率以及制造装置EQ1-EQn的运行率水准化。在本实施方式中，RGV11A、11B的运行率是指相对于运送系统工作的时间(可以服务的时间)，实际上RGV11A、11B的工作时间(已服务的时间)，制造装置EQ1-EQn的运行率是指相对于制造装置可以处理的时间，实际上制造装置EQ1-EQn的处理时间。
即使是在本实施方式2中，也与上述的实施方式1相同，首先，作为第1阶段，在分别设定可以使RGV11A、11B分别行驶的运送区域(第1运送区域)MA1、MA2后，使运送系统工作。在这里，例如通过使运送区域MA1为从堆料器BS1到制造装置EQ8，运送区域MA2为从堆料器BS2到制造装置EQ9，在RGV11A、11B的运行率上产生差的情况下，担心包含在运送区域MA1上的制造装置的组等待时间和包含在运送区域MA2上的制造装置的组的等待时间上产生差。这种情况下，因为对于组等待时间长的制造装置，运行率低下，所以担心通过本实施方式2的半导体制造生产线所生产出的成品TAT的延伸。
因此，在本实施方式2中，例如RGV11A的运行率为70％左右，RGV11B的运行率为50％左右，在RGV11A、11B的运行率上产生差的情况下，通过分别扩大或者缩小运送区域MA1、MA2，以使RGV11A、11B的运行率为相同程度(例如为60％左右)，逐步设定新的运送区域(第2运送区域)MA1、MA2(第2阶段)。例如，若通过将运送区域MA1缩小到从堆料器BS1至制造装置EQ5，将运送区域MA2扩大到从堆料器BS2至制造装置EQ6，以使RGV11A、11B的运行率为相同程度，则就可以这样。据此，可以缩小包含在运送区域MA1中的制造装置EQ1-EQ5的组等待时间与包含在运送区域MA2中的制造装置EQ6-EQn的组等待时间的差。其结果因为可以使制造装置EQ1-EQn的运行率水准化，所以可以防止通过本实施方式2的半导体制造生产线所制造的成TAT的延伸。即，通过以各制造装置EQ1-EQn的处理时间(相对于晶片实施处理所需的时间)、处理频度以及处理时期(处理频度的不规则)等为基础设定运送区域MA1、MA2，因为可以缩短在各制造装置EQ1-EQn中的组等待时间，所以可以缩短通过本实施方式2的半导体制造生产线所制造的成品TAT。
(实施方式3)
图7是表示本实施方式3的半导体制造生产线的晶片全自动运送系统的全体俯视图。
即使在本实施方式3中，也与上述实施方式1相同，各种制造装置EQ(包括检查装置)被分为多个隔舱(装置群)，配置在无尘室CR内。另外，在各堆料器之间的晶片组的运送是通过设置在无尘室CR内的运送系统进行的。有关制造装置的晶片组的运送，是通过在铺设于无尘室CR的地面上的运送导轨3上行驶的RGV11进行的，在本实施方式3中，是用1根运送导轨3连结3个堆料器BS，是3台RGV11共用1根运送导轨3。
图8是表示图7所示的晶片全自动运送系统的一部分的俯视图。
如图8所示，铺设1根运送导轨3，以连结3个堆料器BS1、BS2、BS3，在该运送导轨3上，配置3台RGV11A、11B、11C。另外，在堆料器BS1、BS2之间，配置例如n台(n＞7)的制造装置EQ1A-EQnA，另外，在堆料器BS2、BS3之间，配置例如n台(n＞7)的制造装置EQ1B-EQnB。
即使在本实施方式3中，也与上述实施方式1相同，首先作为第1阶段，分别设定RGV11A、11B、11C可以分别行驶的运送区域(第1运送区域)MA1、MA2、MA3。此时，在例如制造装置EQ4A在运送区域MA1、MA2这两方重复的情况下，将晶片组从RGV11A搬入到制造装置EQ4A时，RGV11A停滞在制造装置EQ4A前。此时，即使RGV11B有向制造装置RQ4A搬入的晶片组，也因为RGV11A停滞在制造装置EQ4A前，所以RGV11B不能前进到制造装置EQ4A。即，因为有RGV11B的晶片组不能搬入到制造装置EQ4A，所以对于RGV11B就成为运送效率低下。另外，即使在例如制造装置EQ4B在运送区域MA2、MA3这两方重复的情况下，也可以说是相同的。因此，在本实施方式3中，将运送区域MA1、MA2、MA3的一部分或者全部设定为不重复。在图8所示的运送系统中，举例表示了运送区域MA1为从堆料器BS1到制造装置EQ4A的范围，运送区域MA2为从制造装置EQ5A到制造装置EQ4B的范围，运送区域MA3为从制造装置EQ5B到堆料器BS3的范围。据此，可以防止由于3台RGV11A、11B、11C阻碍相互的行进而产生的运送效率的低下。
另外，与上述实施方式1相同，例如在有从配置于运送区域MA1内的堆料器BS1，向配置于运送区域MA2内的制造装置EQ5A-EQ4B的任意一方运送晶片组的情况下，可以在通过其他的运送系统，将该组从堆料器BS1运送到堆料器BS2后，通过RGV11B，从堆料器BS2运送到配置于运送区域MA2内的所希望的制造装置上。另外，在有从堆料器BS1向配置于运送区域MA3内的制造装置EQ5B-EQnB中的任意一方运送晶片组的情况下，对于进行从堆料器BS2向其他的运送区域的运送的情况，以及进行从堆料器BS3向其他的运送区域运送的情况，也可以使用同样的机构。
另外，即使在本实施方式3中，若使RGV11A、11B、11C的运送效率不低下，且使RGV11A、11B、11C不阻碍相互的行驶，从而能控制基于RGV11A、11B、11C的组的运送工程，则也可以将运送区域MA1、MA2、MA3的一部分或者全部设定为重复。这种情况下，因为组的运送路径不是大略决定的，所以可以根据情况适当地选择运送路径。
图9以及图10是俯视图，表示在堆料器BS1和堆料器BS2之间以及在堆料器BS2和堆料器BS3之间，进行与制造装置EQ1A-EQnA以及与制造装置EQ1B-EQnB不同的制造装置的新设，或者与制造装置EQ1A-EQnA以及与制造装置EQ1B-EQnB中的任意一种相同的制造装置的增设的情况。
如图9所示，在堆料器BS1和堆料器BS2之间，在进行与制造装置EQ1A-EQnA以及与制造装置EQ1B-EQnB不同的制造装置的新设，或者与制造装置EQ1A-EQnA以及与制造装置EQ1B-EQnB中的任意一种相同的制造装置的增设时(第2阶段)，与使用图3通过上述实施方式1所说明的情况相同，也是从靠近堆料器BS1以及堆料器BS2的位置开始逐步依次导入。同样，在堆料器BS2和堆料器BS3之间，在进行与制造装置EQ1A-EQnA以及与制造装置EQ1B-EQnB不同的制造装置的新设，或者与制造装置EQ1A-EQnA以及与制造装置EQ1B-EQnB中的任意一种相同的制造装置的增设时，也是从靠近堆料器BS2以及堆料器BS3的位置开始逐步依次导入。例如，想定下述状况，在堆料器BS1和堆料器BS2之间，在靠近堆料器BS1的位置，设置制造装置EQ1A、EQ2A，在靠近堆料器BS2的位置，设置制造装置EQ7A-EQnA，在堆料器BS2和堆料器BS3之间，在靠近堆料器BS2的位置，设置制造装置EQ1B、EQ2B，在靠近堆料器BS3的位置，设置制造装置EQ7B-EQnB。在这里，在制造装置EQ2A和制造装置EQ7A之间的区域(第1区域)，导入制造装置EQ3A-EQ6A时，从靠近制造装置EQ2A、EQ7A的位置，依次逐渐导入制造装置EQ3A-EQ6A，与此相吻合，RGV11A、11B的各自的运送区域MA1、MA2也依次逐渐扩大到导入的制造装置。同样，在制造装置EQ2B和制造装置QE7B之间的区域(第1区域)，导入制造装置EQ3B-EQ6B时，从靠近制造装置EQ2B、EQ7B的位置，依次逐渐导入制造装置EQ3B-EQ6B，与此相吻合，RGV11B、11C的各自的运送区域MA2、MA3也依次逐渐扩大到导入的制造装置。这样，依次逐渐设定新的运送区域(第2运送区域)MA1、MA2、MA3，可以依次将晶片组搬入到被导入的制造装置EQ3A-EQ6A以及制造装置EQ3B-EQ6B。
另外，如图10所示，也可以从靠近堆料器BS1的位置向堆料器BS2，依次逐渐导入制造装置EQ3A-EQ6A，与此相吻合，RGV11A的运送区域MA1依次逐渐扩大到导入的制造装置，可以依次将晶片组搬入到被导入的制造装置EQ3A-EQ6A。同样，也可以从靠近堆料器BS2的位置向堆料器BS3，依次逐渐导入制造装置EQ3B-EQ6B，与此相吻合，RGV11B的运送区域MA2依次逐渐扩大到导入的制造装置，可以依次将晶片组搬入到被导入的制造装置EQ3B-EQ6B。
如在上述实施方式1中所说明的那样，因为隔断轨道导轨3，使RGV不能进入进行制造装置的导入作业的区域，所以在轨道导轨3上只配置1台RGV的情况下，RGV只能在运送区域MA1、MA2、MA3中的任意一个位置进行运送作业。另一方面，根据使用图9以及图10所说明的本实施方式3的制造装置的导入机构以及运送区域MA1、MA2、MA3的扩大机构，预先将RGV11A、11B、11C分别配置在运送区域MA1、MA2、MA3上。据此，可以防止晶片组不能搬入到配置于运送区域MA1、MA2、MA3的任意2个位置的制造装置中，发生制造装置的运行率低下的问题。其结果是可以防止通过本实施方式3的半导体制造生产线所制造的产品TAT的延伸。
另外，如上所述，通过在轨道导轨3上配置3台RGV，在沿轨道导轨3的区域，配置与RGV数量相同的堆料器，与通过上述实施方式1所说明的配置2台RGV和与RGV数量相同的堆料器的情况(参照图3以及图4)相比较，可以详细地设定与各自的RGV相对应的运送区域。据此，根据本实施方式3，与上述实施方式1相比较，可以根据用途，详细地设定与各自的RGV相对应的运送区域。例如，与上述实施方式1相比较，在将制造装置导入到半导体制造生产线内时，可以容易地设定与制造装置的配置设置相对应的RGV的运送范围。
但是，在本实施方式3中，是以在轨道导轨3上配置3台RGV，在沿轨道导轨3的区域，设置与RGV数量相同的堆料器的情况为例进行说明的，RGV不必限定为3台，也可以配置更多的RGV，还可以使用配置与此相吻合数量的堆料器的机构。据此，因为可以更详细地设定与各自的RGV相对应的运送区域，所以容易设定进一步与用途相对应的运送范围。
图11是俯视图，表示例如对在堆料器BS1和堆料器BS3之间设置的制造装置EQ1A-EQnA以及制造装置EQ1B-EQnB中的任意2个进行包括检查或者修理等的维护的情况。
与上述实施方式1相同，即使是对在堆料器BS1和堆料器BS3之间设置的制造装置EQ1A-EQnA以及制造装置EQ1B-EQnB中的任意2个进行维护的情况下，也是隔断轨道导轨3，使RGV不能进入到进行制造装置的维护的区域。即使在这样的状况下，在轨道导轨3上只配置1台RGV的情况下，RGV也只能在运送区域MA1、MA2、MA3中的任意一个区域进行运送作业。因此，晶片组不能被搬入到配置在RGV不能进行运送作业的其他的2个运送区域的制造装置中，担心制造装置的运行率低下的问题。
因此，在本实施方式3中，如图11所示，例如在对设置在制造装置EQ5A和制造装置EQ7A之间的区域(第1区域)的制造装置EQ6A以及设置在制造装置EQ5B和制造装置EQ7B之间的区域(第1区域)的制造装置EQ6B进行保养的情况下(第2阶段)，利用将3台RGV11A、11B、11C预先配置在运送导轨3上。即，使RGV11A的运送区域(第2运送区域)MA1为从堆料器BS1到制造装置EQ5A，使RGV11B的运送区域(第2运送区域)MA2为从制造装置EQ7A到制造装置EQ5B，使RGV11C的运送区域(第2运送区域)MA3为从制造装置EQ7B到堆料器BS3。据此，可以防止晶片组不能被搬入到配置在运送区域MA1、MA2、MA3中的任意2区域的制造装置中，制造装置的运行率发生低下的问题。其结果是可以防止通过本实施方式3的半导体制造生产线所制造的成品TAT的延伸。
如上所述，通过在轨道导轨3上配置3台RGV，在沿轨道导轨3的区域，配置与RGV数量相同的堆料器，即使是在对沿轨道导轨3设置的制造装置中的2个进行维护的情况下，也可以不使制造装置的运行率低下，从而运送晶片组。另外，RGV不限于3台，通过配置更多的RGV，配置与此相吻合数量的堆料器，即使在对2个以上的制造装置进行维护的情况下，也可以不使制造装置的运行率低下，从而运送晶片组。
根据上述那样的本实施方式3，也可以得到与上述实施方式1相同的效果。
(实施方式4)
接着，就本实施方式4的晶片全自动运送系统进行说明。
如图12所示，本实施方式4的晶片全自动运送系统的运送系统与上述实施方式3相同，是铺设1根连结3个堆料器BS1、BS2、BS3的运送导轨3，在运送导轨3上，配置3台RGV11A、11B、11C。另外，在堆料器BS1、BS2之间，配置例如n台(n＞7)的制造装置EQ1A-EQnA(包括检查装置)，在堆料器BS2、BS3之间，配置例如n台(n＞7)的制造装置EQ1B-EQnB(包括检查装置)。
本实施方式4与上述实施方式2相同，是使RGV11A、11B、11C的运行率水准化。另外，有关制造装置EQ1A-EQnA以及制造装置EQ1B-EQnB的运行率也是水准化。
即使是在本实施方式4中，也与上述实施方式3相同，首先作为第1阶段，在分别设定RGV11A、11B、11C可以分别行驶的运送区域(第1运送区域)MA1、MA2、MA3后，使运送系统工作。在这里，例如通过使运送区域MA1为从堆料器BS1到制造装置EQ4A，运送区域MA2为从制造装置EQ5A到制造装置EQ4B，运送区域MA3为从堆料器BS3到制造装置EQ5B，在RGV11A、11B、11C的运行率上产生差的情况下，担心在包含于运送区域MA1中的制造装置的组等待时间，和包含于运送区域MA2中的制造装置的组等待时间，与包含于运送区域MA3中的制造装置的组等待时间上产生差。这种情况下，因为对于组等待时间长的制造装置，运行率低下，所以担心通过本实施方式4的半导体制造生产线所制造的成品TAT的延伸。
因此，在本实施方式4中，例如RGV11A的运行率为40％左右，RGV11B的运行率为60％左右，RGV11C的运行率为80％左右，在RGV11A、11B、11C的运行率上产生差的情况下，通过分别扩大或者缩小运送区域MA1、MA2、MA3，以使RGV11A、11B、11C的运行率为相同程度(例如60％左右)，从而逐步设定新的运送区域(第2运送区域)MA1、MA2、MA3(第2阶段)。例如，通过将运送区域MA1扩大到从堆料器BS1至制造装置EQ6A，将运送区域MA2变更为从制造装置EQ7A到制造装置EQ6B，将运送区域MA3缩小到从堆料器BS2到制造装置EQ7B，若可使RGV11A、11B、11C的运行率为相同程度，则就可以这样。据此，可以缩小包含在运送区域MA1中的制造装置EQ1A-EQ6A的组等待时间，和包含在运送区域MA2中的制造装置EQ7A-EQ6B的组等待时间，与包含在运送区域MA3中的制造装置EQ7B-EQnB的组等待时间的差。其结果因为可以使制造装置EQ1A-EQnA以及制造装置EQ1B-EQnB的运行率水准化，所以可以防止通过本实施方式4的半导体制造生产线所制造的成品TAT的延伸。即，与上述实施方式2相同，通过以制造装置EQ1A-EQnA以及制造装置EQ1B-EQnB的各自的处理时间、处理频度以及处理时期(处理频度不规则)等为基础设定运送区域MA1、MA2、MA3，因为可以缩短在制造装置EQ1A-EQnA以及在制造装置EQ1B-EQnB中的组等待时间，所以可以缩短通过本实施方式4的半导体制造生产线所制造的成品TAT。
另外，在上述的本实施方式4中，是就在轨道导轨3上配置3台RGV，在沿轨道导轨3的区域，配置与RGV数量相同的堆料器的情况为例表示的，RGV不必限定为3台，也可以配置更多的RGV，配置与此相吻合数量的堆料器。
根据上述那样的本实施方式4，也可以得到与上述实施方式2相同的效果。
以上，根据发明的实施方式，具体地说明了由本发明者所作的发明，本发明并不限定于上述的实施方式，在不脱离其主旨的范围内，不用说可以进行各种变更。
另外，在上述实施方式中，就将本发明适用于在半导体制造生产线中的晶片组的运送系统的情况进行了说明，也可以适用于在半导体制造生产线以外的运送系统，例如在液晶显示器的制造生产线中的运送系统。
若对在根据本申请所发表的发明中，通过具有代表性的发明所得到的效果进行简单说明，则如下所示。
(1)即使在隔断轨道导轨(单线轨道)的情况下，因为可以将被运送体运送到设置在被隔断区域(第1运送区域)以外的区域(第2运送区域)的制造装置(包括检查装置)上，所以可以防止制造装置的运行率的低下。
(2)因为在轨道导轨(单线轨道)上设置多台RGV(运送机构)，根据各个RGV的运行率，设定新的各个RGV的运送区域(第2运送区域)，所以可以使各RGV的运行率以及基于RGV而运送被运送体的制造装置(包括检查装置)的运行率水准化。