寻扫探针（SSP）存储设备的位擦除体系结构.pdf

一种装置包括衬底、在衬底上形成的加热器、以及在加热器上形成的相变层。加热器包括加热器层以及电耦合到加热器层的第一和第二电极。一种方法包括：在衬底上形成加热器；以及在加热器上形成相变层。加热器包括加热器层以及电耦合到加热器层的第一和第二电极。

1.  一种装置，包括：
衬底；
在所述衬底上形成的加热器，所述加热器包括：
加热器层，和
电耦合到所述加热器层的第一和第二电极；以及
在所述加热器上形成的相变层。

2.  如权利要求1所述的装置，其中所述第一电极位于所述衬底与所述加热器层之间，而所述第二电极位于所述加热器层与所述相变层之间。

3.  如权利要求2所述的装置，其中所述加热器层和所述第一电极位于电介质层中。

4.  如权利要求1所述的装置，其中所述第一电极耦合到所述加热器层的一个边缘，而所述第二电极耦合到所述加热器层的不同边缘。

5.  如权利要求1所述的装置，其中所述相变层是硫族化物层。

6.  如权利要求1所述的装置，其中所述加热器可单独寻址。

7.  如权利要求1所述的装置，还包括在所述相变层上形成的保护层。

8.  一种系统，包括：
处理器；
耦合到所述处理器的DRAM存储器；以及
耦合到所述处理器的相变存储器，所述相变存储器包括：
衬底；
在所述衬底上形成的加热器，所述加热器包括：
加热器层，和
电耦合到所述加热器层的第一和第二电极；以及
在所述加热器上形成的相变层。

9.  如权利要求8所述的系统，其中所述第一电极位于所述衬底与所述加热器层之间，而所述第二电极位于所述加热器层与所述相变层之间。

10.  如权利要求9所述的系统，其中所述加热器层和所述第一电极位于电介质层中。

11.  如权利要求8所述的系统，其中所述第一电极耦合到所述加热器层的一个边缘，而所述第二电极耦合到所述加热器层的不同边缘。

12.  如权利要求8所述的系统，其中所述相变层是硫族化物层。

13.  如权利要求8所述的系统，其中所述加热器可单独寻址。

14.  如权利要求8所述的系统，还包括在所述相变层上形成的保护层。

15.  一种方法，包括：
在衬底上形成加热器，所述加热器包括：
加热器层，和
电耦合到所述加热器层的第一和第二电极；以及
在所述加热器上形成相变层。

16.  如权利要求15所述的方法，其中形成所述第一和第二电极包括：
在所述衬底与所述加热器层之间形成所述第一电极；以及
在所述加热器层与所述相变层之间形成所述第二电极。

17.  如权利要求16所述的方法，其中所述加热器层和所述第一电极位于电介质层中。

18.  如权利要求15所述的方法，其中形成所述第一和第二电极包括：
基本上在所述加热器层的一个边缘处形成所述第一电极；以及
沿所述加热器层的不同边缘形成所述第二电极。

19.  如权利要求15所述的方法，其中所述相变层是硫族化物层。

20.  如权利要求15所述的方法，其中所述加热器可单独寻址。

21.  如权利要求15所述的方法，还包括在所述相变层上形成保护层。

22.  一种方法，包括：
擦除在包括一个或多个相变存储单元的相变存储器中写入的一个或多个数据位，其中擦除所述一个或多个相变存储单元中的每个相变存储单元包括：
激活在衬底上形成并位于所述衬底与相变层之间的加热器，其中所述相变层中写入有所述一个或多个数据位，每个数据位包括被第一相区域环绕的第二相区域，
加热所述相变层，直到基本上整个所述相变层处于相同相为止，
去激活所述加热器，以及
冷却所述相变层，直到基本上所述整个相变层处于所述第一相为止。

23.  如权利要求22所述的方法，其中基本上同时地擦除所述相变层中的所述一个或多个数据位。

24.  如权利要求23所述的方法，其中以超过约1兆兆位/秒的速率从所述相变存储单元中擦除所述数据位。

25.  如权利要求22所述的方法，其中在擦除之后，所述相变层中不再有第二相区域。

26.  如权利要求22所述的方法，其中所述相变存储器包括可基本上同时擦除的可寻址相变存储单元阵列。

27.  如权利要求26所述的方法，其中以超过约1兆兆/秒的速率从所述相变存储器中擦除数据位。

28.  如权利要求22所述的方法，其中所述相变层是硫族化物层。

29.  如权利要求28所述的方法，其中所述第一相是非晶相，而所述第二相是多晶相。

30.  如权利要求22所述的方法，其中加热所述相变层包括：加热所述相变层，直到所述相变层的温度等于或大于它的熔融温度为止。

寻-扫探针(SSP)存储设备的位擦除体系结构
技术领域
一般来说，本发明涉及微机电(MEMS)设备和系统，具体但非排他性地说，本发明涉及可擦除的MEMS寻-扫探针(SSP)存储器。
背景技术
常规的固态存储器对每个存储位采用微电子电路元件。因为每个存储位需要一个或多个电子电路元件(例如，每位1-4个晶体管)，所以这些设备要消耗相当多的芯片“有效面积”来存储信息位，这限制了存储器芯片的密度。这些设备中的主要的存储元件通常是用于保存场效应晶体管的栅极上的电荷以便存储每个存储位的浮栅场效应晶体管器件。典型的存储器应用包括动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)和电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。
一种常称为相变存储器的不同类型的固态存储器利用相变材料作为数据存储机构，并在成本和性能方面具有优于基于电荷存储的常规存储器的显著优点。相变存储器利用相变材料，即，可在具有不同电特性(如电阻)的两种或两种以上相(phase)之间电切换的材料。例如，一种类型的存储元件利用这样的相变材料，该相变材料可在一般的非晶相与一般的局部有序结晶之间、或在完全非晶相与完全晶相之间的整个谱上的不同的局部有序的可检测相之间电切换。
可通过施加具有适当幅度和持续时间并产生相变材料体积上的所需电压和流经它的电流的电流脉冲来对相变存储器进行读写。可通过将相变存储器中的选定单元的单元电压和单元电流提高到作为相变材料的特性的编程阈值电平来将该选定单元编程为选定状态。然后，通常将电压和电流降低到低于相变材料的编程阈值电平的静态电平(例如，实质为零的电压和电流)。此过程可通过施加例如可将单元编程为两种不同的逻辑状态的复位脉冲和置位脉冲来执行。在这两种脉冲中，使单元电压和单元电流至少升高至编程该单元所需的特定阈值电压和电流电平。接着，为了读取所编程的单元，可施加读取脉冲以便测量单元材料的相对电阻，而不必改变它的相。因此，读取脉冲通常提供比复位脉冲或置位脉冲小得多的单元电流和单元电压幅度。
这些电存储器设备通常不利用场效应晶体管器件，而是在电方面包括薄膜型硫族化物材料的单体。因此，只需很少的芯片有效面积便可存储信息位，从而提供固有高密度存储器芯片。相变材料实际上还是非易失性的，这是因为当设置为表示电阻值的晶相、半晶相、非晶相、或半非晶相时，保留该值，直到复位为该值表示材料的物理相(例如，晶相或非晶相)为止。
附图说明
参照下面这些图描述本发明的非限制性且非详尽性的实施例，其中除非另外指出，否则在各个图中，相同的附图标记表示相同的部件。
图1A是寻-扫探针(SSP)相变存储器的侧视图。
图1B是图1A中的存储器在试图擦除在存储器中写入的位之后的侧视图。
图2是寻-扫探针(SSP)相变存储器的一个实施例的俯视图。
图3是构成相变存储器的可单独寻址的相变存储单元阵列的一个实施例的俯视图。
图4是可在例如如图2或3所示的单元阵列中使用的存储单元的一个实施例的横截面图。
图5是可在例如如图2或3所示的单元阵列中使用的存储单元的一个备选实施例的横截面图。
图6是利用诸如如图2、3、4和/或5所示的那些相变存储器的一个或多个实施例的系统的一个实施例的示意框图。
具体实施方式
本文描述寻-扫探针(seek-scan probe SSP)相变存储器的装置、系统和方法的实施例。在以下说明中，描述了众多具体细节，以便充分理解本发明的实施例。但是，相关领域的技术人员将意识到，在没有其中一个或多个具体细节的情况下也可实现本发明，或者可以用其它方法、组件、材料等来实现本发明。在其它情况下，没有示出或详细描述熟知的结构、材料或操作，但是它们仍涵盖在本发明的范围内。
整篇说明书中提到“一个实施例”或“实施例”时表示，结合该实施例描述的特定特征、结构或特性包含在本发明的至少一个实施例中。因此，本说明书中出现短语“在一个实施例中”或“在实施例中”时不一定都指相同的实施例。此外，可在一个或多个实施例中以任何合适的方式组合这些特定的特征、结构或特性。
图1A和图1B示出利用探针102来在存储单元103中写入数据以及从存储单元103读取数据的寻-扫探针(SSP)相变存储器100的一个实施例。存储单元103包括衬底104，衬底104上形成有电介质层106。在电介质层106上形成有电极层108，并且在电极层上形成有相变层110。在相变层110上可选地形成有保护覆盖层112。图1A示出在相变层110中写入有数据位的存储器100。在诸如存储器100的SSP存储器中，通过在探针102的尖端与电极层108之间流过电流而在相变层110中写入数据位。相变层110最初处于均匀的第一相，例如在相变层110是硫族化物的实施例中为非晶相。因在探针102的尖端与电极层108之间流过的电流而生成的热量使相变层110的小区域114从第一相(如非晶相)变换为具有相对较高或较低电阻率的第二相(如多晶相)。相变层110的区域114于是表示可利用相同探针102读取的数据位。为了读取数据，使探针102经过存储单元的表面，并且在探针与第二电极108之间有小电流流过，从而使得当探针位于区域114上方或附近时它可感测电阻率的变化。当它感测到电阻率的变化时，耦合到合适的电子设备(图中未示出)的探针102视情况将数据位作为1或0寄存。
图1B示出在试图利用探针102擦除数据位114之后的存储器100。擦除相变存储器中的数据位需要区域114的相变回到相变层110的原始相。例如，在图1A中，在相变层110中写入一个位包括使区域114的相从非晶相变为多晶相；因而擦除该位需要使区域114的相从多晶相变回到非晶相。一种改变区域114的相的方法是在探针102的尖端与电极108之间流过大电流以便快速加热区域114，然后使受热材料快速骤冷以便使区域114中的材料恢复到它的多晶相。试验和模拟表明，利用探针102的尖端擦除这样一个位很难，这是因为加热区域114以及将它快速地骤冷为非晶相的任何尝试都会不可避免地在所形成的非晶点122周围产生多晶材料环120。
图2示出相变存储器200的一个实施例。存储器200包括分组成阵列202的多个单独存储单元或子岛204。每个存储单元204中包括一个加热器(例如，参见图4和图5)，并且每个存储单元204中的加热器可单独寻址，这意味着阵列202中的每个存储单元204可独立于其它存储单元进行加热。如图所示，存储器200包括分组成5×5阵列202的25个存储单元204。在其它实施例中，存储单元204的数量可大于或小于25，并且在其它实施例中，可分组成具有不同于图中所示的阵列202的形状的阵列。尽管图中没有示出，但存储器200还可包括一个或多个探针，如探针102或某个其它类型的探针，以用于将数据写入到每个存储单元以及从每个存储单元读取数据。在一个实施例中，存储器200可包括可在所有存储单元204中进行读写的一个探针，但在其它实施例中，可使用多个探针。例如，在一些实施例中，每个存储单元204可具有它自己的一个或多个探针，而在其它实施例中，单个探针可覆盖阵列202内的存储单元204的子集。其它实施例可包括独立的探针用于在整个阵列202上、或在单独存储单元或存储单元组中进行写和读。
图3示出具有可单独寻址的存储单元的存储器300的一个实施例。与存储器200一样，存储器300包括分组成阵列的一个或多个存储单元或子岛，并且可包括一个或多个探针(未示出)用于将数据写入到单独单元以及从单独单元读取数据。在存储单元之间形成有多条导线，以便将每个存储单元电耦合到两条导线，并且因而可被单独寻址。在如图所示的实施例中，存储单元排列成使得阵列中的每个存储单元电耦合到X-线和Y-线。例如，存储单元302耦合到X-线304和Y-线306。X-线和Y-线中的一种线或两种线耦合到允许通过激活X-线304和Y-线306来单独寻址存储单元302的电路(未示出)。例如，在一个实施例中，X-线可耦合到电源和控制电路，而Y-线可耦合到地以及控制电路。
在如图所示的实施例中，存储单元按照规则的X-Y阵列排列，因而导线包括多条X-线以及多条Y-线，并且阵列中的每个存储单元电耦合到X-线和Y-线。X-线和Y-线位于各个存储单元之间，但在其它实施例中，X-线和Y-线中的一种线或两种线可具有不同的路线。此外，图中将存储器300示为是规则的5×5阵列，但在其它实施例中，可使用不同数量的单元和不同的阵列内排列。
图4示出可用作存储器200的实施例中的存储单元204或用作存储器300的实施例中的存储单元302的SSP相变存储器400的一个实施例。存储器400包括探针402和存储单元403。存储单元403包括衬底404，在衬底404上形成有加热器。加热器包括第一电极406、第二电极410、以及夹在第一电极406与第二电极410之间的加热器层(heater layer)408。电介质412环绕(surround)加热器。在加热器上形成有相变层414，并且在相变层414上可选地形成有保护层416。
图中将探针402示为是悬臂式探针，但在其它实施例中，探针402当然也可以是不同种类的探针。例如，探针402可由跨越存储单元403的一个或多个桥结构支撑。衬底404可以是符合存储器400的制造要求且其性质与存储器400的构造一致的任何种类的衬底。在一个实施例中，衬底404可以是各种硅形态中的一个或多种，如多晶硅、单晶硅等。在其它实施例中，衬底404可由不同材料制成。电介质层412环绕第一电极406和加热器层408，并且支撑第二电极410。在一个实施例中，电介质层412由二氧化硅(记为SiO₂)制成，但在其它实施例中，可使用不同的电介质。
加热器夹在衬底404与相变层414之间。在如图所示的实施例中，第一电极406形成在衬底404上，加热器层408形成在第一电极406上，而第二电极形成在加热器层408和电介质412上且与相变层414接触。为了使存储器400可单独寻址，第一电极406和第二电极410耦合到独立的电连接，这些电连接可选择性地激活或去激活以便打开和关闭加热器。例如，如果使用存储器400作为存储单元302(参见图3)的一个实施例，则第一电极406可电耦合到X-线304，而第二电极410可电耦合到Y-线306，或反之亦然。第一电极406和第二电极410可由任何导电材料制成。在一个实施例中，第一电极406和第二电极408由诸如金(Au)、铜(Cu)或铝(Al)的金属制成。但是，在其它实施例中，第一电极406和第二电极410可由其它金属、金属合金或导电非金属制成。此外，第一电极406和第二电极410不需要由相同材料制成；例如，在一些实施例中，第一电极406可由导电非金属制成，而第二电极410可由金属制成。
加热器层408夹在第一电极406与第二电极410之间，且其宽度小于相变层414的宽度。在其它实施例中，加热器层408的宽度可小于或大于所示宽度。例如，在一个实施例中，加热器层408的宽度可等于或大于相变层414的宽度。此外，尽管描述为“层”，但加热器层不需要具有如图所示的薄平状，而是可以呈现任何规则或不规则的形状。加热器层408可由具有相对较高电阻率(或反之，具有较低电导率)的任何材料制成，以便当有电流流过它时它的温度随之升高。可在不同实施例中用作加热器层408的材料的实例包括氮化铝钛(记为TiAlN)和氮化钛(记为TiN)、氮化硅钛(记为TiSiN)和氮化碳(记为CN)。
相变层414形成在第二电极410上。相变层414可使用任何能变相且其不同相具有不同电特性(如不同电阻率，或反之，具有不同电导率)的材料。例如，一个实施例可使用硫族化物材料作为相变层。硫族化物是包含硫族元素(包括但不限于硫、硒或碲)作为基本成分的玻璃类材料。可用于相变存储器的硫族化物的实例包括锗-硫-碲(记为GeSTe)、锗-锑-碲(记为GeSbTe)和银-铟-锑-碲(记为AgInSbTe)。硫族化物材料的其它实例包括铟-硒(记为InSe)、锑-硒(记为SbSe)、锑-碲(记为SbTe)、铟-锑-硒(记为InSbSe)、铟-锑-碲(记为InSbTe)、锗-锑-硒(记为GeSbSe)、锗-锑-碲-硒(记为GeSbTeSe)和银-铟-锑-硒-碲(记为AgInSbSeTe)。当然，在其它实施例中可使用除了硫族化物之外的其它材料。
可选的保护层416形成在相变层414上，以便保护相变层免受污染和当例如探针402要与存储单元403接触时可能发生的机械损坏。优选地，但非必需地，保护层416由具有较大刚度和硬度特性的材料制成。在一个实施例中，保护层可利用类金刚石碳(DLC)制成，但在其它实施例中，可使用其它材料，例如掺杂或未掺杂碳化硅或陶瓷材料，如氮化钛(记为TiN)或氮化铝钛(记为TiAlN)。
在存储器400的操作中，通过在探针402的尖端与第二电极410之间流过电流而在相变层414中写入数据位。相变层414最初处于均匀相，如非晶相，但因探针402的尖端与第二电极410之间流过的电流而产生的温度(在一个实施例中，大于约200℃)会使相变层414的小区域418从具有相对较高电阻率的非晶相变换为具有相对较低电阻率的多晶相；区域418于是表示在相变层中写入的数据位。然后，通过在探针402与第二电极410之间流过小电流并感测电阻率的变化，探针402或其它探针可读取存储在相变层414中的数据位。
为了擦除在相变层414中写入的位，通过激活第一电极406和第二电极410以便使电流在电极之间流过并流经加热器层408，来激活相变层414下面的加热器。当电流流过加热器层408时，它的温度随之升高，从而同时加热相变层414。在将相变层414加热至获得相变所需的温度之后，关闭加热器，并使相变层414冷却，以便使整个层基本回复到它的原始均匀相。在相变层是硫族化物且通过非晶介质中的多晶区域来表示数据位的实施例中，通过将相变层的温度升高到超过它的熔融点(对于一些硫族化物，通常大于500℃)并将薄膜快速骤冷至它的非晶相来实行擦除。在通过多晶介质中的非晶区域来表示数据位的硫族化物实施例中，将相变层加热到高至足以诱导晶体生长的温度(对于某些硫族化物，为300-400℃)并在该温度保留足够长的时间以引起擦除非晶区的晶体生长。或者，可将相变层加热至它的熔融温度，但相对缓慢地冷却(对于某些硫族化物，为～1微秒)；缓慢冷却会产生晶相而不是因快速骤冷而导致的非晶相。
此擦除过程的结果是，完全擦除了在相变层中写入的基本上所有的数据位，从而完全擦除了存储器或存储单元，而留下很少或未留下任何可稍后读取以恢复原始数据的残余数据。这与磁存储器相反，例如，在磁存储器中，标准的擦除操作会留下可稍后读取以检索被认为已擦除的数据的残余磁迹。
利用上文说明的擦除过程，同时或接近同时地擦除了全部数据块(如存储单元的全部内容)，这意味着可实现非常高的数据擦除速率。确切的数据擦除速率将取决于存储单元中的数据位密度以及其中写入的数据位的数量。在一些实施例中，可实现超过100兆位/秒的数据擦除速率，而在其它实施例中，可实现等于或超过1兆兆位/秒的甚至更高的数据速率。
在具有可单独寻址的存储单元的存储器(如存储器300)中，可通过例如同时激活阵列中的所有存储单元中的加热器来实现极高的数据擦除速率；这将导致同时或接近同时地擦除整个存储器300。这可导致远远超过1兆兆位/秒的数据擦除速率。在需要较小数据擦除速率的其它实施例中，存储单元中的加热器可例如快速连续地被激活，或者可一次一个地被激活。当然，如果要保留特定单元中的数据，则不需要擦除存储器300内的每个存储单元。
图5示出可用作存储器200的实施例中的存储单元204或用作存储器300的实施例中的存储单元302的SSP相变存储器500的一个备选实施例。存储器500包括探针502和存储单元503。存储单元503包括衬底504，在衬底504上形成有加热器。加热器包括第一电极510、第二电极512、以及在第一电极510与第二电极512之间横向延伸的加热器层508。加热器层508在第一与第二电极之间由夹在加热器层与衬底之间的电介质506支撑。在加热器层508、以及电极510和512上形成有相变层514，并且在相变层514上可选地形成有保护层516。
图中探针502示为是悬臂式探针，但与探针402一样，探针502也可以是不同种类的探针。并且，与衬底404一样，衬底504也可以是符合存储器500的制造和构造要求的任何衬底，如多晶硅、单晶硅、以及其它未列举的衬底材料。在其它实施例中，衬底504可由不同的材料制成。
存储单元503与存储单元403的主要的不同之处在于加热器的构造。在存储单元503中，加热器也夹在衬底504与相变层514之间。但是，与存储单元403不同，第一电极510和第二电极512是在衬底504上接近存储单元503的边缘的位置形成的，并且加热器层508电耦合到第一电极510和第二电极512，并且在它们之间横向延伸。加热器层508与相变层514接触，以便改善加热期间对该层的传热，并且尽管描述为“层”，但加热器层508不需要具有如图所示的薄平状，而是可以呈现任何规则或不规则的形状。加热器层508可由具有相对较高电阻率(或反之，具有较低电导率)的任何材料制成，以便当有电流流过它时它的温度随之升高。可在加热器层508的不同实施例中使用的材料的实例至少包括可用作加热器层408的材料。电介质层506夹在加热器层508与衬底504之间，并且支撑加热器层508。电介质层506可由二氧化硅(SiO₂)制成，但在其它实施例中，可使用不同的电介质。
为了使存储器500可单独寻址，第一电极510和第二电极512可耦合到独立的电连接，这些电连接可选择性地激活或去激活以便打开和关闭加热器，这如上文针对存储器400所描述。与电极406和410一样，第一电极510和第二电极512可由任何导电材料制成，并且不需要由相同材料制成；例如，在一些实施例中，第一电极510可由导电非金属制成，而第二电极512可由金属制成。
相变层514形成在第二电极512上。与相变层414一样，相变层514可使用任何能变相且其不同相具有不同电特性的材料。例如，一个实施例使用硫族化物作为相变层；相变层514可使用上文针对相变层414列举的任何硫族化物以及未列举的其它硫族化物。可选的保护层516形成在相变层514上，以便保护相变层514免受污染和当例如探针502要与存储单元503接触时可能发生的机械损坏。
存储器500的操作与存储器400类似。通过在探针502的尖端与加热器层508之间流过电流，以便使相变层514的区域518从具有相对较高电阻率的非晶相变换为具有相对较低电阻率的多晶相，来在相变层514中写入数据位；区域518于是表示在相变层中写入的数据位。然后，探针502或其它探针可通过感测电阻率的变化来读取存储在相变层514中的数据位。为了擦除在相变层514中写入的位，通过激活第一电极510和第二电极512以便使电流流过加热器层508，来激活加热器。当电流流过加热器层508时，它的温度随之升高，并且加热相变层514。在将相变层514加热至获得相变所需的温度之后，关闭加热器，并使相变层514冷却，以便使整个层基本回复到它的原始的非晶相。
图6示出包括相变存储器(如存储器300)的一个实施例的系统600的一个实施例，该相变存储器包括多个存储单元，如存储器400或存储器500。系统600包括处理器602，存储器606和诸如寻-扫探针(SSP)存储器的相变存储器604耦合到处理器602。
除了耦合到存储器604和606之外，处理器602还具有分别用于接收数据和发送数据的输入端和输出端。在一个实施例中，处理器602可以是传统的通用微处理器，但在其它实施例中，处理器602可以是另一类型的处理器，如可编程控制器或专用集成电路(ASIC)。
存储器606可以是任何类型的易失性或非易失性存储器或存储设备。可在存储器606的不同实施例中使用的易失性存储器包括随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)等。可在存储器606的不同实施例中使用的非易失性存储器包括磁和光盘驱动器。
在不同实施例中，相变存储器604可以是诸如分别在图2和图3中示出的存储器200或300的存储器。存储器200或300的不同实施例中可包括具有结合存储器400和500示出的构造的存储单元。在其它实施例中，诸如存储器200或300的存储器内的每个存储单元不需要具有相同的构造；任何给定的存储器可包括具有不同构造的单元。
在系统600的操作中，处理器602可通过它的输入端和输出端来接收和发送数据，并且可以从存储器606和相变存储器604读取数据以及向其中写入数据。处理器602可通过选择性地激活相关单元中的加热器来控制从相变存储器604中的一个或多个单元擦除数据。如果需要校正相变存储器内的单元中的信息，则可从相变存储器604读取数据并将其临时保存在存储器606中。当将数据保存在存储器606中时，擦除相变存储器604中的相关单元，然后可从存储器606检索数据并将其重新写入到它之前写入的相变单元上。
以上对本发明的所示实施例的描述(包括摘要中的描述)不是穷举性的或将本发明限于所公开的确切形式。尽管本文出于说明的目的描述了本发明的具体实施例和实例，但相关领域的技术人员将意识到，在本发明的范围内，可以有各种等效的修改。可根据以上详细描述对本发明做出这些修改。
不应将随附权利要求中所用的术语理解为是将本发明限于本说明书和权利要求中所公开的具体实施例。而是，本发明的范围将完全由随附权利要求确定，权利要求将根据权利要求解释的既定理论进行理解。