检查方法.pdf

本发明提供一种检查方法，该方法即使在电极垫精细化的情况下，也能够通过利用形成在电极垫上的针迹使被检查体的电极垫与探针高精度地反复接触，进行可靠性高的检查。本发明的检查方法构成为，在检查装置(10)中，在控制装置(15)的控制下，使用形成在半导体晶片(W)的电极垫(P)上的旧针迹(F)，求取在本次高温检查中多个探针(12A)能够接触的区域(S)，探针(12A)在能够接触的区域(S)内且没有针迹的空白区域中进行接触。

1、  一种检查方法，其为包括一种工序的检查方法，该工序为使载置在载置台上的被检查体的多个电极垫与配置在所述载置台的上方的探针卡的多个探针电接触，进行所述被检查体的电特性的检查，利用形成在所述多个电极垫各自上的所述多个探针的针迹，为了所述检查而进行准备，对所述多个电极垫与多个探针的接触位置进行校正的工序，该检查方法的特征在于：
为了所述检查而进行准备，对所述多个电极垫与多个探针的接触位置进行校正的工序包括：
为了检测出形成于所述多个电极垫各自上的所述针迹而对所述多个电极垫进行摄像并获得第一图像的第1工序；
使用所述第一图像，求取所述多个电极垫各自的中心与这些电极垫中的所述各针迹各自的重心的位置偏移量的第2工序；
使用所述多个针迹的位置和各自的位置偏移量，进行使所述检查中使用的多个探针相对于所述多个电极的接触位置与所述多个电极垫的中心分别一致的校正的第3工序；
在所述第3工序的校正之后，使所述检查中使用的多个探针与所述多个电极垫接触，在所述多个电极垫上分别形成新的针迹的第4工序；
对分别形成有所述新的针迹的多个电极垫进行摄像并获得第二图像的第5工序；和
根据所述多个电极垫的大小和各个电极垫中的新的针迹的重心，在所述各电极垫内求取所述多个探针各自能够接触的区域的第6工序。

2、  一种检查方法，其为包括一种工序的检查方法，该工序为使载置在载置台上的被检查体的多个电极垫与配置在所述载置台的上方的探针卡的多个探针电接触，进行所述被检查体的电特性的检查，利用形成在所述多个电极垫各自上的所述多个探针的针迹，为了所述检查而进行准备，对所述多个电极垫与多个探针的接触位置进行校正的工序，该检查方法的特征在于：
为了所述检查而进行准备，对所述多个电极垫与多个探针的接触位置进行校正的工序包括：
为了检测出形成于所述多个电极垫各自上的所述针迹而对所述多个电极垫进行摄像并获得第一图像的第1工序；
使用所述第一图像，求取所述多个电极垫各自的中心与这些电极垫中的所述各针迹各自的重心的位置偏移量的第2工序；
使用所述多个针迹的位置和各自的位置偏移量，进行使所述检查中使用的多个探针相对于所述多个电极的接触位置与所述多个电极垫的中心分别一致的校正的第3工序；
在所述第3工序的校正之后，使所述检查中使用的多个探针与所述多个电极垫接触，在所述多个电极垫上分别形成新的针迹的第4工序；
对分别形成有所述新的针迹的多个电极垫进行摄像并获得第二图像的第5工序；
第6A工序，其对所述第一图像与所述第二图像进行比较，抽取所述多个电极垫各自的新的针迹的图像，对这多个抽取图像与所述第二图像的没有针迹的空白区域进行比较，当所述多个抽取图像被包含在各个空白区域中时在所述各空白区域内配置所述多个抽取图像，并求取各自的重心；和
进行使所述多个探针各自的接触位置与配置于所述各空白区域内的所述多个抽取图像的重心一致的校正的第7工序。

3、  一种检查方法，其为包括一种工序的检查方法，该工序为使载置在载置台上的被检查体的多个电极垫与配置在所述载置台的上方的探针卡的多个探针电接触，进行所述被检查体的电特性的检查，利用形成在所述多个电极垫各自上的所述多个探针的针迹，为了所述检查而进行准备，对所述多个电极垫与多个探针的接触位置进行校正的工序，该检查方法的特征在于：
为了所述检查而进行准备，对所述多个电极垫与多个探针的接触位置进行校正的工序包括：
为了检测出形成于所述多个电极垫各自上的所述针迹而对所述多个电极垫进行摄像并获得第一图像的第1工序；
使用所述第一图像，求取所述多个电极垫各自的中心与这些电极垫中的所述各针迹各自的重心的位置偏移量的第2工序；
使用所述多个针迹的位置和各自的位置偏移量，进行使所述检查中使用的多个探针相对于所述多个电极的接触位置与所述多个电极垫的中心分别一致的校正的第3工序；
在所述第3工序的校正之后，使所述检查中使用的多个探针与所述多个电极垫接触，在所述多个电极垫上分别形成新的针迹的第4工序；
对分别形成有所述新的针迹的多个电极垫进行摄像并获得第二图像的第5工序；
根据所述多个电极垫的大小和各个电极垫中的新的针迹的重心，在所述各电极垫内求取所述多个探针各自能够接触的区域的第6工序；
对所述多个能够接触的区域各自是否分别包含在所述第二图像的所述多个电极垫内进行判断的第7A工序；
当所述多个能够接触的区域各自包含在所述多个电极垫内时，根据所述第一图像和第二图像抽取所述多个电极垫内的新的针迹的图像的第8工序；和
第9工序，其对所述多个抽取图像与所述多个电极垫各自的能够接触的区域内的没有针迹的空白区域分别进行比较，当所述多个抽取图像包含在所述各空白区域内时，在所述各空白区域内配置所述多个抽取图像，求取各自的重心作为所述多个探针各自的接触位置。

4、  一种检查方法，其为包括一种工序的检查方法，该工序为使载置在载置台上的被检查体的多个电极垫与配置在所述载置台的上方的探针卡的多个探针电接触，进行所述被检查体的电特性的检查，利用形成在所述多个电极垫各自上的所述多个探针的针迹，为了所述检查而进行准备，对所述多个电极垫与多个探针的接触位置进行校正的工序，该检查方法的特征在于：
为了所述检查而进行准备，对所述多个电极垫与多个探针的接触位置进行校正的工序包括：
为了检测出形成于所述多个电极垫各自上的所述针迹而对所述多个电极垫进行摄像并获得第一图像的第1工序；
使用所述第一图像，求取所述多个电极垫各自的中心与这些电极垫中的所述各针迹各自的重心的位置偏移量的第2工序；
使用所述多个针迹的位置和各自的位置偏移量，进行使所述检查中使用的多个探针相对于所述多个电极的接触位置与所述多个电极垫的中心分别一致的校正的第3工序；
在所述第3工序的校正之后，使所述检查中使用的多个探针与所述多个电极垫接触，在所述多个电极垫上分别形成新的针迹的第4工序；
对分别形成有所述新的针迹的多个电极垫进行摄像并获得第二图像的第5工序；
对所述第一图像和所述第二图像进行比较，分别抽取所述多个新的针迹的图像，并根据这多个抽取图像的重心和各个电极垫的中心以与所述第1～第3工序相同的次序分别求取所述多个探针在后续的检查中进行接触的接触预定位置的第6B工序；和
当分别配置在所述多个接触预定位置上的所述多个抽取图像与既存的针迹相互重叠时，使所述各接触预定位置以最短距离移动至该重叠变得最小的位置，进行所述接触预定位置的校正的第7B工序。

5、  一种检查方法，其为包括一种工序的检查方法，该工序为使载置在载置台上的被检查体的多个电极垫与配置在所述载置台的上方的探针卡的多个探针电接触，进行所述被检查体的电特性的检查，利用形成在所述多个电极垫各自上的所述多个探针的针迹，为了所述检查而进行准备，对所述多个电极垫与多个探针的接触位置进行校正的工序，该检查方法的特征在于：
为了所述检查而进行准备，对所述多个电极垫与多个探针的接触位置进行校正的工序包括：
为了检测出形成于所述多个电极垫各自上的所述针迹而对所述多个电极垫进行摄像并获得第一图像的第1工序；
使用所述第一图像，求取所述多个电极垫各自的中心与这些电极垫中的所述各针迹各自的重心的位置偏移量的第2工序；
使用所述多个针迹的位置和各自的位置偏移量，进行使所述检查中使用的多个探针相对于所述多个电极的接触位置与所述多个电极垫的中心分别一致的校正的第3工序；
在所述第3工序的校正之后，使所述检查中使用的多个探针与所述多个电极垫接触，在所述多个电极垫上分别形成新的针迹的第4工序；
对分别形成有所述新的针迹的多个电极垫进行摄像并获得第二图像的第5工序；
对所述第一图像和所述第二图像进行比较，分别抽取所述多个新的针迹的图像，并根据这多个抽取图像的重心和各个电极垫的中心以与所述第1～第3工序相同的次序分别求取所述多个探针在后续的检查中进行接触的接触预定位置的第6B工序；和
制作基于所述第二图像的所述多个电极垫内各自的所述既存的多个针迹的维诺图，使配置在所述多个接触预定位置上的所述各抽取图像的重心以最短距离移动至最靠近的维诺边界线上，对所述各接触预定位置分别进行校正的第7C工序。

6、  根据权利要求1～5中任一项所述的检查方法，其特征在于：
所述新的针迹使用预先被设定为规定温度的被检查体而被形成。

7、  根据权利要求1～5中任一项所述的检查方法，其特征在于：
在所述第2工序中求取的位置偏移量，使用所述多个电极垫的中心和形成在所述多个电极各自上的所述针迹的重心，通过最小二乘法求取。

8、  根据权利要求1或3所述的检查方法，其特征在于：
在所述第6工序中求取的能够接触的区域的x坐标值的范围为：以所述多个电极垫的中心为原点，求取校正x坐标值和在该校正x坐标值上加上具有最大的x坐标值的所述新的针迹的重心位置的x坐标值后所得的值中的较大的一方作为最小的x坐标，其中，该校正x坐标值为在所述电极垫的负侧的边缘的x坐标值上加上所述新的针迹的x方向的宽度的一半后所得的值，并求取所述电极垫的正侧的边缘的x坐标值和在该边缘上加上具有最小的x坐标值的所述新的针迹的重心位置的x坐标值后所得的值中的较小的一方作为最大的x坐标，并且，所述能够接触的区域的y坐标的范围与所述x坐标值的范围同样地求取。

检查方法
技术领域
本发明涉及使用探针卡进行半导体晶片等被检查体的电特性检查的检查方法，更详细而言，涉及能够提高检查的可靠性的检查方法。
背景技术
检查装置具备相互邻接的装载室和探针室。装载室具备：以盒为单位载置被检查体(例如半导体晶片)的载置部；从盒内一片一片地搬送半导体晶片的半导体晶片搬送机构；和在搬送半导体晶片的途中进行半导体晶片的对准的子静电吸盘。探针室具备：用于载置由装载室的晶片搬送机构搬送来的半导体晶片并能够进行温度调节和移动的主静电吸盘；配置在主静电吸盘的上方的探针卡；和对探针卡的多个探针与形成在主静电吸盘上的半导体晶片上的多个器件各自的多个电极垫进行对准的对准机构，该探针室构成为，通过对准机构进行半导体晶片的电极垫和探针的对准之后，利用主静电吸盘将半导体晶片设定在规定的温度，在该设定温度下进行被检查体的电特性检查。
在对半导体晶片的各个器件进行电特性检查的情况下，使用对准机构的摄像单元(例如CCD照相机)，对包括形成于半导体晶片上的多个电极垫的器件进行摄像，并对探针卡的多个探针的针头进行摄像，根据该两者的位置信息进行多个电极垫和多个探针的对准。之后，通过载置台使半导体晶片上升规定尺寸，进一步进行过驱动而使多个电极垫与多个探针电接触，由此进行器件的电特性检查。但是，由于器件的高度集成化，导致电极垫急剧地精细化并且垫的数量增加，探针卡的探针的根数也急剧地增加。因此在对准时难以利用CCD照相机进行探针的检测。
而且，在重复检查的过程中，由于多个探针的变形等使得针头位置发生变动。当多个探针发生变形针头位置逐渐变高时，即使使半导体晶片过驱动也不能够使多个探针与多个电极垫导通。在专利文献1中记载有以下方式的探针，利用照相机检测出在垫片上实际上形成的针迹并将其与过驱动量进行比较，当针头位置变高时，根据比较结果使主静电吸盘上升，使得总提供适当的过驱动量，能够进行稳定的检查。
在专利文献2中记载有以下方式的检查装置，通过假想的垫片(设计上的垫片)和探针的接触状态获得位置偏移信息，不仅预先假想地监视实际的垫片和探针的接触状态，而且能够以该接触状态下获得的结果为基础，校正为最佳的接触状态。
在专利文献3中记载有以下方式的探针，该探针分别检测出针的位置和电极的位置，在显示装置中显示表示针迹的图像和针迹的位置的针迹标记，计算出针迹标记的位置偏移，操作员在图像上校正针迹标记的位置，计算针迹标记的位置偏移，根据计算出的偏移量校正半导体晶片的移动量运算校正值。
另外，在专利文献4中记载有一种检查装置，其根据形成于电极垫上的针迹求取之后进行接触的探针的位置偏移量。而且，记载有以下技术，在该检查装置中，在探针与形成有既存的针迹的电极垫接触后，获得接触后的图像，该接触后的图像表示包括该电极垫的区域，之后，通过比较该图像和接触前的图像，取得最新的针迹，使用最新的针迹校正位置偏移量，在下一检查中使用该位置偏移量。
在现有技术中，均能够通过求取多个电极与多个探针的位置偏移量，校正多个电极垫和多个探针的位置偏移，但是并不保证通过该校正多个探针能够可靠地与各个电极垫接触，而且，即使接触，如果新的针迹重复与原有的针迹接触，就会损伤电极垫，甚至会损伤器件。
专利文献1：日本特开平5-036765号
专利文献2：日本特开平7-288270号
专利文献3：日本特开2006-339196号
专利文献4：日本特开2006-278381号
发明内容
本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种检查方法，该方法即使在电极垫精细化和薄膜化的情况下，也能够通过利用形成于电极垫上的针迹使被检查体的电极垫与探针高精度地反复接触，进行可靠性高的检查。另外，本发明的目的在于提供一种检查方法，该方法即使在电极垫精细化和薄膜化的情况下，也能够通过利用形成于电极垫上的针迹，不使被检查体的电极垫损伤地使该电极垫与探针高精度地反复接触，进行可靠性高的检查。
本发明的第一方面的检查方法为包括一种工序的检查方法，该工序为使载置在载置台上的被检查体的多个电极垫与配置在上述载置台的上方的探针卡的多个探针电接触，进行上述被检查体的电特性的检查，利用形成在上述多个电极垫各自上的上述多个探针的针迹，为了进行上述检查而进行准备，对上述多个电极垫与多个探针的接触位置进行校正的工序，该检查方法的特征在于：为了进行上述检查而进行准备，对上述多个电极垫与多个探针的接触位置进行校正的工序包括：为了检测出形成于上述多个电极垫各自上的上述针迹而对上述多个电极垫进行摄像并获得第一图像的第1工序；使用上述第一图像，求取上述多个电极垫各自的中心与这些电极垫中的上述各针迹各自的重心的位置偏移量的第2工序；使用上述多个针迹的位置和各自的位置偏移量，进行使上述检查中使用的多个探针相对于上述多个电极的接触位置与上述多个电极垫的中心分别一致的校正的第3工序；在上述第3工序的校正之后，使上述检查中使用的多个探针与上述多个电极垫接触，在上述多个电极垫上分别形成新的针迹的第4工序；对分别形成有上述新的针迹的多个电极垫进行摄像并获得第二图像的第5工序；和根据上述多个电极垫的大小和各个的电极垫中的新的针迹的重心，在上述各电极垫内求取上述多个探针各自能够接触的区域的第6工序。
此外，本发明的第二方面的检查方法为包括一种工序的检查方法，该工序为使载置在载置台上的被检查体的多个电极垫与配置在上述载置台的上方的探针卡的多个探针电接触，进行上述被检查体的电特性的检查，利用形成在上述多个电极垫各自上的上述多个探针的针迹，为了进行上述检查而进行准备，对上述多个电极垫与多个探针的接触位置进行校正的工序，该检查方法的特征在于：为了进行上述检查而进行准备，对上述多个电极垫与多个探针的接触位置进行校正的工序包括：为了检测出形成于上述多个电极垫各自上的上述针迹而对上述多个电极垫进行摄像并获得第一图像的第1工序；使用上述第一图像，求取上述多个电极垫各自的中心与这些电极垫中的上述各针迹各自的重心的位置偏移量的第2工序；使用上述多个针迹的位置和各自的位置偏移量，进行使上述检查中使用的多个探针相对于上述多个电极的接触位置与上述多个电极垫的中心分别一致的校正的第3工序；在上述第3工序的校正之后，使上述检查中使用的多个探针与上述多个电极垫接触，在上述多个电极垫上分别形成新的针迹的第4工序；对分别形成有上述新的针迹的多个电极垫进行摄像并获得第二图像的第5工序；第6A工序，其对上述第一图像与上述第二图像进行比较，抽取上述多个电极垫各自的新的针迹的图像，对这多个抽取图像与上述第二图像的没有针迹的空白区域进行比较，当上述多个抽取图像被包含在各自的空白区域中时在上述各空白区域内配置上述多个抽取图像，并求取各自的重心；和进行使上述多个探针各自的接触位置与配置于上述各空白区域内的上述多个抽取图像的重心一致的校正的第7工序。
另外，本发明的第三方面的检查方法为包括一种工序的检查方法，该工序为使载置在载置台上的被检查体的多个电极垫与配置在上述载置台的上方的探针卡的多个探针电接触，进行上述被检查体的电特性的检查，利用形成在上述多个电极垫各自上的上述多个探针的针迹，为了进行上述检查而进行准备，对上述多个电极垫与多个探针的接触位置进行校正的工序，该检查方法的特征在于：为了进行上述检查而进行准备，对上述多个电极垫与多个探针的接触位置进行校正的工序包括：为了检测出形成于上述多个电极垫各自上的上述针迹而对上述多个电极垫进行摄像并获得第一图像的第1工序；使用上述第一图像，求取上述多个电极垫各自的中心与这些电极垫中的上述各针迹各自的重心的位置偏移量的第2工序；使用上述多个针迹的位置和各自的位置偏移量，进行使上述检查中使用的多个探针相对于上述多个电极的接触位置与上述多个电极垫的中心分别一致的校正的第3工序；在上述第3工序的校正之后，使上述检查中使用的多个探针与上述多个电极垫接触，在上述多个电极垫上分别形成新的针迹的第4工序；对分别形成有上述新的针迹的多个电极垫进行摄像并获得第二图像的第5工序；根据上述多个电极垫的大小和各个的电极垫中的新的针迹的重心，在上述各电极垫内求取上述多个探针各自能够接触的区域的第6工序；对上述多个能够接触的区域各自是否分别包含在上述第二图像的上述多个电极垫内进行判断的第7A工序；当上述多个能够接触的区域各自包含在上述多个电极垫内时，根据上述第一图像和第二图像抽取上述多个电极垫内的新的针迹的图像的第8工序；和第9工序，其对上述多个抽取图像与上述多个电极垫各自的能够接触的区域内的没有针迹的空白区域分别进行比较，当上述多个抽取图像包含在上述各空白区域内时，在上述各空白区域内配置上述多个抽取图像，求取各自的重心作为上述多个探针各自的接触位置。
另外，本发明的第四方面的检查方法为包括一种工序的检查方法，该工序为使载置在载置台上的被检查体的多个电极垫与配置在上述载置台的上方的探针卡的多个探针电接触，进行上述被检查体的电特性的检查，利用形成在上述多个电极垫各自上的上述多个探针的针迹，为了进行上述检查而进行准备，对上述多个电极垫与多个探针的接触位置进行校正的工序，该检查方法的特征在于：为了进行上述检查而进行准备，对上述多个电极垫与多个探针的接触位置进行校正的工序包括：为了检测出形成于上述多个电极垫各自上的上述针迹而对上述多个电极垫进行摄像并获得第一图像的第1工序；使用上述第一图像，求取上述多个电极垫各自的中心与这些电极垫中的上述各针迹各自的重心的位置偏移量的第2工序；使用上述多个针迹的位置和各自的位置偏移量，进行使上述检查中使用的多个探针相对于上述多个电极的接触位置与上述多个电极垫的中心分别一致的校正的第3工序；在上述第3工序的校正之后，使上述检查中使用的多个探针与上述多个电极垫接触，在上述多个电极垫上分别形成新的针迹的第4工序；对分别形成有上述新的针迹的多个电极垫进行摄像并获得第二图像的第5工序；比较上述第一图像和上述第二图像，分别抽取上述多个新的针迹的图像，并根据这多个抽取图像的重心和各个电极垫的中心以与上述第1～第3工序相同的次序分别求取上述多个探针在后续的检查中进行接触的接触预定位置的第6B工序；和当分别配置在上述多个接触预定位置上的上述多个抽取图像与既存的针迹相互重叠时，使上述各接触预定位置以最短距离移动至该重叠变得最小的位置，进行上述接触预定位置的校正的第7B工序。
另外，本发明的第五方面的检查方法为包括一种工序的检查方法，该工序为使载置在载置台上的被检查体的多个电极垫与配置在上述载置台的上方的探针卡的多个探针电接触，进行上述被检查体的电特性的检查，利用形成在上述多个电极垫各自上的上述多个探针的针迹，为了进行上述检查而进行准备，对上述多个电极垫与多个探针的接触位置进行校正的工序，该检查方法的特征在于：为了进行上述检查而进行准备，对上述多个电极垫与多个探针的接触位置进行校正的工序包括：为了检测出形成于上述多个电极垫各自上的上述针迹而对上述多个电极垫进行摄像并获得第一图像的第1工序；使用上述第一图像，求取上述多个电极垫各自的中心与这些电极垫中的上述各针迹各自的重心的位置偏移量的第2工序；使用上述多个针迹的位置和各自的位置偏移量，进行使上述检查中使用的多个探针相对于上述多个电极的接触位置与上述多个电极垫的中心分别一致的校正的第3工序；在上述第3工序的校正之后，使上述检查中使用的多个探针与上述多个电极垫接触，在上述多个电极垫上分别形成新的针迹的第4工序；对分别形成有上述新的针迹的多个电极垫进行摄像并获得第二图像的第5工序；比较上述第一图像和上述第二图像，分别抽取上述多个新的针迹的图像，并根据这多个抽取图像的重心和各个电极垫的中心以与上述第1～第3工序相同的次序分别求取上述多个探针在后续的检查中进行接触的接触预定位置的第6B工序；和制作基于上述第二图像的上述多个电极垫内各自的上述既存的多个针迹的维诺(Voronoi：ボロノイ)图，使配置在上述多个接触预定位置上的上述各抽取图像的重心以最短距离移动至最靠近的维诺边界线上，对上述各接触预定位置分别进行校正的第7C工序。
另外，本发明的第六方面的检查方法的特征在于：在第一～第五方面的发明中，上述新的针迹使用预先被设定为规定温度的被检查体形成。
另外，本发明的第七方面的检查方法的特征在于：在第一～第六方面的发明中，在上述第2工序中求取的位置偏移量是使用上述多个电极垫的中心和形成在上述多个电极各自上的上述针迹的重心，通过最小二乘法求取。
另外，本发明的第八方面的检查方法的特征在于：在第一或第三方面的发明中，在上述第6工序中求取的能够接触的区域的x坐标值的范围为：以上述多个电极垫的中心为原点，求取校正x坐标值和在该校正x坐标值上加上具有最大的x坐标值的上述新的针迹的重心位置的x坐标值后所得的值中的较大的一方作为最小的x坐标，其中，该校正x坐标值为在上述电极垫的负(minus)侧的边缘的x坐标值上加上上述新的针迹的x方向的宽度的一半后所得的值，并求取上述电极垫的正(plus)侧的边缘的x坐标值和在该边缘上加上具有最小的x坐标值的上述新的针迹的重心位置的x坐标值后所得的值中的较小的一方作为最大的x坐标，并且，上述能够接触的区域的y坐标的范围与上述x坐标值的范围同样地求取。
另外，本发明的第九方面的程序记录介质是记录有驱动计算机执行检查方法的程序的程序记录介质，上述检查方法包括使载置在载置台上的被检查体的多个电极垫与配置在上述载置台的上方的探针卡的多个探针电接触，进行上述被检查体的电特性的检查，利用形成于上述多个电极垫各自上的上述多个探针的针迹，为了为了进行上述检查而进行准备，校正上述多个电极垫和多个探针的接触位置的工序，该程序记录介质的特征在于：在利用上述针迹校正上述多个电极垫和多个探针的接触位置时，上述程序驱动上述计算机，执行第一～第八方面中任一方面的检查方法。
发明的效果
跟据本发明，其目的在于提供一种检查方法，该方法即使在电极垫精细化和薄膜化的情况下，也能够通过利用形成于电极垫上的针迹使被检查体的电极垫与探针高精度地反复接触，进行可靠性高的检查。另外，本发明的目的在于提供一种检查方法，该方法即使在电极垫精细化和薄膜化的情况下，也能够通过利用形成于电极垫上的针迹，不使被检查体的电极垫损伤地使该电极垫与探针高精度地反复接触，进行可靠性高的检查。
附图说明
图1是表示为了实施本发明方法的一个实施方式而使用的检查装置的结构的框图。
图2是表示使用图1所示的检查装置的本发明的检查方法的一个实施方式的流程图。
图3是更详细地表示图1所示的流程图的一部分的流程图。
图4(a)、(b)分别是根据器件的电极垫上的探针的针迹表示位置偏移量的校正的平面图，(a)是表示校正后的状态的图，(b)是表示理想的探针的针迹的图。
图5(a)～(c)分别是表示使用第一图像的电极垫的既存的针迹从第二图像的电极垫上的针迹抽取新的针迹的工序的平面图。
图6(a)、(b)分别是说明本发明的检查方法的其他实施方式的说明图。
图7(a)、(b)分别是表示电极垫中的探针能够接触的区域的平面图。
图8(a)、(b)、(c)分别是表示电极垫上的探针能够接触的区域和在后续的检查中分配的探针的配置区域的关系的图。
图9(a)～(c)分别是用于说明在电极垫内的空白区域内最佳地配置探针的接触预定位置的方法的平面图。
图10(a)、(b)分别是用于说明探针的接触预定位置和既存(现有)的针迹的重叠的状态的平面图。
图11(a)～(d)分别是用于说明探针的接触预定位置和既存的针迹重叠的状态的平面图。
图12(a)、(b)分别是用于说明使探针的接触预定位置向最佳位置移动而进行校正的方法的平面图。
图13是用于具体地说明使探针的接触预定位置向最佳位置移动而进行校正的方法的平面图。
图14是用于说明探针的接触预定位置到达钝化层时，使该接触预定位置向最佳位置移动而对接触预定位置进行校正的方法的平面图。
图15(a)、(b)分别是用于说明使探针的接触预定位置向最佳位置移动而进行校正的其他方法的平面图。
符号的说明
10检查装置
11载置台
12探针卡
12A探针
13ACCD照相机
15控制装置(计算机)
15A中央运算处理部
D器件(device)
F旧针迹(针迹)
Fn新针迹
Fs抽取图像
P电极垫
W半导体晶片(被检查体)
具体实施方式
以下，参照图1～图8，说明本发明的检查装置和检查方法的一个实施方式。在各图中，图1是表示为了实施本发明方法的一个实施方式而使用的检查装置的结构的框图；图2是表示使用图1所示的检查装置的本发明的检查方法的一个实施方式的流程图；图3是更详细地表示图1所示的流程图的一部分的流程图；图4(a)、(b)分别是根据器件的电极垫上的探针的针迹表示位置偏移量的校正的平面图，(a)是表示校正后的状态的图，(b)是表示理想的探针的针迹的图；图5(a)～(c)分别是表示使用第一图像的电极垫的既存的针迹从第二图像的电极垫上的针迹抽取新的针迹的工序的平面图；图6(a)、(b)分别是说明本发明的检查方法的其他实施方式的说明图；图7(a)、(b)分别是表示电极垫中的探针能够接触的区域的平面图；图8(a)、(b)、(c)分别是表示电极垫上的探针能够接触的区域和在后续的检查中分配的探针的配置区域的关系的图；图9(a)～(c)分别是用于说明在电极垫内的空白区域内最佳地配置探针的接触预定位置的方法的平面图；图10(a)、(b)分别是用于说明探针的接触预定位置和既存(现有)的针迹重叠的状态的平面图；图11(a)～(d)分别是用于说明探针的接触预定位置和既存的针迹重叠的状态的平面图；图12(a)、(b)分别是用于说明使探针的接触预定位置向最佳位置移动而进行校正的方法的平面图；图13是用于具体地说明使探针的接触预定位置向最佳位置移动而进行校正的方法的平面图；图14是用于说明探针的接触预定位置到达钝化层时，使该接触预定位置向最佳位置移动而对接触预定位置进行校正的方法的平面图；图15(a)、(b)分别是用于说明使探针的接触预定位置向最佳位置移动而进行校正的其他方法的平面图。
第一实施方式
首先，对具备记录有本发明的检查方法的程序记录介质的检查装置进行说明。例如如图1所示，该检查装置10以下述方式构成，其具备：用于载置作为被检查体的半导体晶片W并且内置有温度调整机构的可移动的载置台11；配置在该载置台11的上方的探针卡12；进行该探针卡12的多个探针12A与载置台11上的半导体晶片W的对准的对准机构13；构成对准机构13的摄像单元(例如，CCD照相机)13A；具有显示画面14的显示装置，其中，该显示画面14显示由CCD照相机13A拍摄的图像；和以控制这些构成设备的计算机为主体的控制装置15，在控制装置15的控制下，在通过对准机构13对载置台11上的半导体晶片W与探针卡12的多个探针12A进行对准后，使多个探针12A与半导体晶片W电连接并进行半导体晶片W的电特性检查。
另外，如图1所示，检查装置10具备显示画面14和键盘等输入部16，能够利用输入部16输入用于执行本发明的检查方法的各种检查条件，通过操作显示在显示画面14上的菜单或图标能够执行各种程序等。
如图1所示，载置台11构成为具备驱动机构11A和检测器(例如编码器)11B，通过驱动机构11A在X、Y、Z和θ方向上移动并通过编码器11B检测移动量。驱动机构11A具备：对配置有载置台11的XY工作台进行驱动的、例如以电机和滚珠丝杠为主体的水平驱动机构(未图示)；内置于载置台11内的升降驱动机构；和使载置台11沿θ方向旋转的θ驱动机构。编码器11B通过电机的旋转数分别检测出XY工作台向X、Y方向移动的距离，将各个检测信号发送至控制装置15。控制装置15根据来自编码器11B的信号控制驱动机构11A，进而控制载置台11向X、Y方向移动的移动量。
对准机构13如上所述那样具备CCD照相机13A和对准桥13B。如图1所示，CCD照相机13A安装在对准桥13B上。CCD照相机13A具备变焦功能，以规定的倍率对半导体晶片W进行摄像。
CCD照相机13A通过对准桥13B从探针室的背面移动至探针中心并位于探针卡12和载置台11之间，此处，在载置台11向X、Y方向移动的期间，从上方以规定的倍率对半导体晶片W进行摄像，并将摄像信号发送至控制装置15，通过控制装置15在显示画面14上显示该半导体晶片的图像。
控制装置15具备：中央运算处理部15A；存储有各种程序的程序存储部15B，上述程序包括用于执行本发明的检查方法的程序；存储各种数据的存储部15C；对来自CCD照相机13A的摄像信号进行图像处理的图像处理部15D；将来自该图像处理部15D的图像信号作为图像数据进行存储的图像储存部15E；和用于根据该图像信号在显示画面14上显示拍摄的图像等的显示控制部15F，该控制装置15在中央运算处理部15A与程序存储部15B、存储部15C之间接收发送信号，对检查装置10的各种构成设备进行控制。
在中央运算处理部15A上连接有输入部16，在中央运算处理部15A对从输入部16输入的各种数据信号进行处理，并存储在存储部15C内。在本实施方式中，用于执行本发明的检查方法的程序收纳在程序存储部15C内，在显示画面14上显示拍摄的图像14A和操作面板14B等。如后所述那样，操作面板14B具有在对准之前移动操作第一、第二CCD照相机14、15，或对探针卡12的位置数据等图像信息进行登记的功能。即，第一、第二CCD照相机14、15构成为，通过按压操作面板14B的水平移动操作键K1而向X、Y方向移动，并通过按压操作面板14B的上下移动操作键K2而向Z方向移动。
另外，在中央运算处理部15A上连接有图像存储部15E和显示控制部15F，通过中央运算处理部15A和显示控制部15F将由CCD照相机13A拍摄的图像分别显示在显示画面14上。在图像存储部15E中除能够存储由CCD照相机13A拍摄的当前的图像以外，也能够存储过去拍摄的图像或加工图像等。
本发明的检查方法等的程序通过各种记录介质被存储在程序存储部15B内。另外，这些程序还能够通过通信介质下载在各种检查装置中。在本实施方式中，执行被存储在程序存储部15B中的检查方法的程序。
接着，参照图2～图6，对本发明的检查方法的一个实施方式进行说明。本实施方式的检查方法的特征在于，使用检查装置10附带的针迹的检验功能，使用在上次的检查中在电极垫上形成的既存(已存在)的针迹(以下，称为“旧针迹”)，在本次检查前校正多个探针的接触位置后，使多个探针与多个电极垫接触形成新的针迹(以下，称作“新针迹”)，使用新针迹求取下次的最佳接触位置。因此，在本实施方式的检查方法中使用的半导体晶片W，已经至少被实施过一次电特性检查，在多个器件的电极垫上分别至少各形成有一个探针的针迹。并且，在本次检查中使用与在前一次的检查中使用的探针卡相同的探针卡。
本实施方式的检查方法，例如按照图2所示的流程图校正多个探针12A的接触位置。以下，对进行半导体晶片W的高温检查的情况进行说明。
即，如图2所示，在本次接触前利用CCD照相机13A对具有电极垫P(参照图4)的器件D进行摄像，其中，该电极垫P上存在旧针迹F(步骤S1)。而且，在检查装置10中，在控制装置15的控制下通过晶片搬送机构从装载室将半导体晶片W载置在探针室内的载置台11上，并使用温度调整机构将半导体晶片W加热至规定的温度(例如150℃)。在此期间，对准桥13B从探针室的背面到达探针中心并停止。
然后，在载置台11向X、Y方向移动的期间，对准桥13B的CCD照相机13A以低倍率找出半导体晶片W中的规定的器件D，当该器件D到达CCD照相机13A的正下方时，CCD照相机13A变成高倍率对规定的器件D进行摄像(步骤S1)。CCD照相机13A将摄像信号发送给图像处理部15D，这里例如以规定的阈值为基准，根据摄像信号进行摄取的图像的二值化处理(binarization processing)，之后，将该图像作为第一图像存储在图像存储部15E。进一步，控制装置15的图像控制部15F进行动作，如图1所示在显示画面14上显示图像存储部15E的第一图像。
将图1所示的第一图像放大后的图像是图4的(a)所示的图像。在图4的(a)中，器件D的图像显示为二值化图像，电极垫P显示为白色，包括旧针迹F的其它部分显示为黑色。在各电极垫P内正交的虚线通过各电极垫P的各边的中点，各虚线在电极垫P内的交点成为电极垫P的xy坐标的原点O。另外，旧针迹F的十字标记表示其重心。
另外，图4(b)表示按照设计制作的理想的探针卡的针迹Fi。如果是理想的探针卡，则如图4的(b)所示那样，当多个探针与电极垫P接触时，针迹Fi的重心与相对应的电极垫P的原点O一致。但是，现实的探针卡12包含制作上的误差等，如上所述那样，各探针12A的针头位置从电极垫P的原点多少向x、y方向偏离。
这里，在本次检查中利用第一图像的电极垫P的旧针迹F和理想的探针卡的针迹Fi校正接触位置(步骤S2)。在进行该校正时，需要求取多个探针12A的旧针迹F与各自的理想的针迹Fi的位置偏移量。于是，如图4(a)所示将旧针迹F的重心位置的xy坐标定义为(xi，yi)，如图4(b)所示将理想的针迹Fi的重心的xy坐标定义为(ui，vi)。然后，使半导体晶片W分别向x方向和y方向仅移动误差量(x，y)，校正探针卡12的接触位置。误差Lt能够通过以下的公式1求得。其中，假定有n个电极垫P。而且，在图4(a)、(b)中，与各电极垫P相邻地记入有各电极垫P上的针迹Fi、F的重心的xy坐标值。
Lt＝∑((xi-(x+ui))²+(yi-(y+vi))²)……公式1
这里，求取误差Lt成为最小值的(x，y)即可。误差Lt因为是x、y的二次函数所以必定存在极小值。在此，该极小值Lt能够以x、y进行偏微分求得。以x和y对Lt进行偏微分则有以下的公式2A和公式2B。
dLt/dx＝2nx+2(∑(ui-xi))＝0……公式2A
dLt/dy＝2ny+2(∑(vi-yi))＝0……公式2B
根据公式2A和公式2B能够得到如下所示的公式3A和公式3B。从这些公式可知，由于(ui-xi)和(vi-yi)分别是旧针迹F和理想针迹Fi的偏移量，所以实际的多个探针12A的旧针迹F的重心成为从各个电极垫的中心偏移的偏移量的平均值。在本次检查中，为了使多个探针12A与各个电极垫P的中心接触，将旧针迹F的重心向x方向、y方向校正偏移量的平均值的量即可。这里，通过将该平均值用作位置偏移的校正量，能够在本次的检查中校正旧针迹F的重心。其中，在校正位置偏移量时，由于使半导体晶片W逆向移动，所以校正量成为(-x，-y)。
x＝(∑(ui-xi))/n  ……公式3A
y＝(∑(vi-yi))/n……公式3B
在步骤S2中求得探针卡12的接触位置的校正量后，使载置台11向x方向和y方向分别仅移动校正量，校正多个电极垫P与多个探针12A的接触位置。由此，完成半导体晶片W与探针卡12的对准。因为在该对准中对多个探针12A的全部进行对准，所以能够进行精度高的对准。在对准完成之后，使载置台11上升，并使已经达到150℃的半导体晶片W与已预热的探针卡12接触，进一步使载置台11过驱动，从而使器件D的多个电极垫P与多个探针12A电接触，形成新的针迹(步骤S3)。例如如图5(a)所示那样，在第一图像的一个电极垫P上形成有旧针迹F，被预热的探针卡12的对应的探针12A如图5(b)所示那样在其上形成新的针迹、即新针迹Fn。
接着，在控制装置15的控制下，在载置台11下降到规定位置，半导体晶片W离开探针卡12后，对准桥13B到达探针中心，以CCD照相机13A对电极垫P进行摄像(步骤S4)。CCD照相机13A向图像处理部15D发送摄像信号，在此进行图像处理获得二值图像后，将该二值图像作为第二图像存储在图像存储部15E。
然后，在控制装置15的控制下，在显示画面14中作为第二图像显示具有多个电极垫P的器件D，其中，该多个电极垫P上形成有新针迹Fn。使用在该器件D的多个电极垫P上形成的新针迹Fn准备后续的高温检查，对多个电极垫P与多个探针12A的接触位置进行校正。而且，与步骤2同样地，将新针迹Fn的重心的xy坐标值和电极垫P的中心的xy坐标值代入公式3A和公式3B求取在后续的高温检查中所需的校正量(步骤S5)。
接着，进行半导体晶片W的进给(index-feed：インデツクス送り)(步骤S6)。即，在校正后的接触位置上使多个电极垫P与多个探针12A接触。
在本实施方式中，不仅求取在后续的高温检查中必要的校正量，还按照图3所示的流程图求取电极垫P上的探针12A能够接触的区域S，进一步判断在该能够接触的区域S中是否存在探针12A能够与既存的针迹F尽可能不重叠地进行接触的空白区域，如果有这样的空白区域，则求取在该空白区域上形成针迹的探针12A的校正量。
参照图6，对求取探针12A能够接触的区域S的方法进行说明。图6(a)表示使用垂直探针作为探针，垂直探针的针头仅在x方向上发生位置偏移，在y方向上不发生位置偏移的状态。在y方向上发生位置偏移的情况下，能够与x方向的情况同样地进行处理。这里，为了使求取能够接触的区域S的方法简单化，对使用垂直探针在电极垫上形成圆形的针迹的情况进行说明，但是如图4等所示，在使用悬臂型的探针12A形成大致椭圆形的针迹的情况下原理也完全相同。
假定各电极垫P的针迹F从电极垫P的中心(理想的针迹)仅位置偏移Δx1、Δx1、……Δxn。在此说明中省略Δ进行说明。从多个电极垫P中，将x方向的位置偏移最小的针迹F的重心定义为x_min＝min(x1，x2，……xn)，将x方向的位置偏移最大的针迹F的重心定义为x_max＝max(x1，x2，……xn)。
垂直探针能够接触的区域S的x方向的最小值C_min和x方向的最大值C_max能够通过以下的公式4A和公式4B求得。其中，在这些公式中，w1是电极垫P的宽度尺寸，w2是垂直探针的直径。而且，下述公式4A、4B均是假定电极垫P的宽度w1和垂直探针的直径w2各自均为一定的值的情况下的公式。通过公式4A、4B求得的垂直探针能够接触的区域S为图6的(b)中由影线表示的矩形区域。之所以在公式4A和公式4B中分别加上、减去w2/2，是考虑垂直探针的半径，使垂直探针不从包围电极垫P的钝化边缘突出。
C_min＝max(-w 1/2+w2/2，-w 1/2+w2/2+x_max)公式4A
C_max＝min(w1/2-w2/2，w1/2-w2/2+x_min)公式4B
上述的公式4A和4B以电极垫P的大小和探针12A的针迹F的大小分别相同为前提。在电极垫P的大小和探针12A的针迹F的大小分别不同的情况下，作为与上述的公式4A、4B对应的公式，以下的公式4Ci、4Di成立。在下述的公式4Ci、4Di中，将第i个电极垫P的宽度尺寸定义为w1_i，将第i个探针12A的直径定义为w2_i，电极垫P和探针12A的针迹F各自具有固有的大小，既有均具有不同的大小的情况，也有几个具有相同的大小的情况。在电极垫P的大小和探针12A的针迹F的大小分别不一定相同的情况下，使用下述的公式4Ci、4Di求取第i个电极垫P上的能够接触的区域S后，用下述的公式4Ci、4Di，根据下述公式4C、4D求取以全部电极垫P为对象的能够接触的区域S。接着，进行与利用上述公式4A、4B求取能够接触的区域S的情况相同的处理，执行图3所示的流程图。
C_min(i)＝max(-w1_i/2+w2_i/2，-w1_i/2+w2_i/2+x_i)公式4C_i
C_max(i)＝min(w1_i/2-w2_i/2，w1_i/2-w2_i/2+x_i)公式4D_i
C_min＝max(C_min(1)，C_min(2)，C_min(3)，……C_min(n))
                                    ……公式4C
C_max＝min(C_max(1)，C_max(2)，C_max(3)，……C_max(n))
                                    ……公式4D
即，通过将新针迹Fn的重心的xy坐标值代入公式4A和公式4B中，如图3所示，执行步骤S11，能够计算出高温检查中的预热后的多个探针12A能够接触的区域S。在求得能够接触的区域S后，在中央运算处理部15A中判断该能够接触的区域S是否位于电极垫P内(步骤S12)。如果能够接触的区域S位于电极垫P内，则多个探针12A能够在全部电极垫P内可靠地接触，进行器件D的检查。但是，如果能够接触的区域S的一部分超出电极垫P的范围，则在多个探针12A中存在超出电极垫P的范围的探针12A，不能够进行高温检查，因此，在这样的情况下通过控制装置15发出警告等唤起注意(步骤S12A)。
但是，如图7(a)所示，在能够接触的区域S包含电极垫P的原点O的情况下，在控制装置15的控制下，直接使用根据旧针迹F的重心求得的校正量，使半导体晶片W向接触位置移动，由此能够使本次检查的多个探针12A分别与对应的多个电极垫P的中心接触。但是，如果如图7的(b)所示那样，在能够接触的区域S从电极垫P的中心偏离的情况下直接使用上述的校正量，则探针12A被校正至从能够接触的区域S偏离的电极垫P的中心，多个探针12A的某一个从能够接触的区域S偏离而不能够进行高温检查。这里，在这样的情况下，将最接近电极垫P的能够接触的区域S的xy坐标值作为偏置(off-set)量与上述校正量相加而使半导体晶片W移动，由此能够使本次检查的多个探针12A分别与对应的多个电极垫P的中心接触。进一步，在没有形成能够接触的区域S的情况下，或者电极垫比预先指定的尺寸小的情况下，由于作为校正量不恰当，因此发出警告引起注意。该能够接触的区域S在本次的高温检查中也能够使用。
在能够接触的区域S形成于电极垫P内的情况下，能够进行本次的高温检查，进一步能够求取在下次高温检查中使用的校正量。这里，将该校正量定义为第二校正量。在准备下次高温检查而求取第二校正量的情况下，能够使用在本次的高温检查中形成的新针迹Fn，以与基于旧针迹F的校正量相同的方式求取第二校正量。即，在首先求得多个探针12A的新针迹Fn的重心后，将这些新针迹Fn的重心坐标代入公式3A和公式3B计算第二校正量。
如图5的(b)所示，新针迹Fn形成于旧针迹F的附近。因为该图所示的新针迹Fn与旧针迹F不重叠，所以能够与旧针迹F同样地求取新针迹Fn的重心。但是，如果新针迹Fn部分地与旧针迹F重叠，则不能判断新针迹Fn的重心。在此情况下，例如能够应用本申请人提出的日本特开2006-278381号公报中记载的技术。此处，对新针迹Fn与旧针迹F不重叠的情况进行说明。
但是，即使在图5(b)所示的情况下也不能够区别旧针迹F和新针迹Fn。在此，在本实施方式中，使用在步骤S2中拍摄的包含旧针迹F的二值化后的第一图像、和包含旧针迹F与新针迹Fn双方的二值化后的第二图像，仅抽取新针迹Fn(步骤S13)。即，在控制装置15的控制下，从图像存储部15E将第一、第二图像读入中央运算处理部15A，此处，当从第二图像求取其与第一图像的差时，如图5(c)的虚线所示那样旧针迹F消失，仅新针迹Fn被抽出。根据被这样抽取的图像(以下称作“抽取图像”)能够求取新针迹Fn的重心。对多个探针12A均求取新针迹Fn。
然后，如图8(a)所示，在第二图像中嵌入能够接触的区域S和抽取图像Fs，判断抽取图像Fs的重心是否位于电极垫P的能够接触的区域S内并且是否进入没有旧针迹F和新针迹Fn的空白区域内(步骤S14)。在抽取图像能够在能够接触的区域S内配置在空白区域内的情况下，将抽取图像Fs配置在这里之后(步骤S15)，求取该位置的抽取图像Fs的重心(步骤S16)。如果抽取图像Fs的重心不满足上述条件，则即使如图8(b)所示那样位于电极垫P的空白区域，在抽取图像Fs的重心超出能够接触的区域S的范围的情况下，也会包括引起接触不良的探针12A，不能够进行高温检查，因此发出警告引起注意(步骤S14A)。进一步，如图8(c)所示，虽然抽取图像Fs的重心位于能够接触的区域S内，但抽取图像Fs不能够配置在空白区域的情况下，以使得既存的旧针迹F与新针迹Fn的重叠尽可能小的方式配置抽取图像Fs。这时，以唤起注意抽取图像Fs不能够配置在空白区域的方式进行设定，根据该注意的唤起以尽可能减小重叠的方式配置抽取图像Fs即可。
如上所述求取抽取图像Fs的重心，将这些数据收纳在图像存储部15E中，存储在图像存储部15E内。这些数据在进行下次高温检查的情况下使用。另外，在其它的检查装置中进行下次高温检查的情况下，利用通信介质或者磁记录介质等将这些数据移动到其它的检查装置中。
如果以上的操作结束，在检查装置10中在控制装置15的控制下通过载置台11依次进给(index-feed：インデツクス送り)半导体晶片W并进行本次的高温检查。当一个半导体晶片W的高温检查结束时，将后续的半导体晶片W载置在载置台11上。该半导体晶片W由于与上次的半导体晶片W相同的，所以省略对准，通过依次进给半导体晶片W而进行本次的高温检查。
如上所述，本实施方式包括一种工序，该工序为在进行本次的高温检查时，使载置在载置台11上的半导体晶片W的多个电极垫P与配置在载置台11的上方的探针卡12的多个探针12A电接触，进行半导体晶片W内的多个器件D的电特性的检查，利用在多个电极垫P各自上形成的多个探针12A的旧针迹F，为了检查进行准备，对多个电极垫P与多个探针12A的接触位置进行校正的工序，因为对多个电极垫P与多个探针12A的接触位置进行校正的工序包括：为了检测出在多个电极垫P各自上形成的旧针迹F而对多个电极垫P进行摄像获得第一图像的工序；使用第一图像，求取多个电极垫P各自的中心和这些电极垫P上的各旧针迹F各自的重心的位置偏移量的工序；使用多个旧针迹F的重心和各自的位置偏移量，进行使本次检查中使用的多个探针P相对于多个电极P的接触位置与多个电极垫P的中心分别一致的校正的工序；在进行该工序中的校正后，使本次检查中使用的多个探针12A与多个电极垫P接触分别形成新针迹Fn的工序；对分别形成有新针迹Fn的多个电极垫P进行摄像而获得第二图像的工序；和根据多个电极垫P的大小与各个电极垫P上的新的针迹Fn的重心，在各电极垫P内求取多个探针12A各自能够接触的区域S的工序，所以，即使在电极垫P精细化的情况下，也能够通过CCD照相机13A准确地检测出旧针迹F，进行本次检查中的多个探针12的对准而形成新针迹Fn，进一步，使用新针迹Fn求取多个探针12A能够接触的区域S，使多个电极垫P和与它们对应的多个探针12A可靠地电接触，从而能够可靠地进行可靠性高的高温检查。
另外，根据本实施方式，因为为了检查而进行准备，对多个电极垫P与多个探针12A的接触位置进行校正的工序包括：为了检测出在多个电极垫P各自上形成的旧针迹F而对多个电极垫P进行摄像获得第一图像的工序；使用第一图像，求取多个电极垫P各自的中心和这些电极垫P上的各旧针迹F各自的重心的位置偏移量的工序；使用多个旧针迹F的重心和各自的位置偏移量，进行使本次检查中使用的多个探针P相对于多个电极P的接触位置与多个电极垫P的中心分别一致的校正的工序；在进行该工序的校正后，使本次检查中使用的多个探针12A与多个电极垫P接触分别形成新针迹Fn的工序；对分别形成有新针迹Fn的多个电极垫P进行摄像而获得第二图像的工序；比较第一图像和第二图像，抽取多个电极垫P各自的新针迹Fn的图像，对该多个抽取图像Fs与第二图像的没有针迹的空白区域进行比较，当多个抽取图像Fs被包含在各个空白区域中时，将多个抽取图像Fs配置在各空白区域内并求取各自的重心的工序；和进行使多个探针12A各自的接触位置与配置于各空白区域内的多个抽取图像Fs的重心一致的校正的工序，所以，即使在电极垫P精细化的情况下，通过利用形成在电极垫P上的旧针迹F，在下次的高温检查中使多个探针12A与各自的电极垫P的空白区域接触，也能够防止各自的电极垫P的损伤，能够进行可靠性高的高温检查。
进一步，根据本实施方式，因为包括：当多个能够接触的区域S分别被包含在多个电极垫P中时，求取从第一图像和第二图像抽取的多个电极垫P内的新的针迹的抽取图像Fs的工序；对多个抽取图像Fs和位于多个电极垫P各自的能够接触的区域S内且没有针迹的空白区域分别进行比较，当多个抽取图像Fs包含在各空白区域中时，配置各空白区域内的多个抽取图像Fs并求取各自的重心的工序；和以使得多个探针12A各自的接触位置与配置在空白区域内的多个抽取图像的重心一致的方式进行校正的工序，所以，在下次高温检查中，能够使多个探针12A与各自的电极垫P的空白区域更可靠地接触，防止各自的电极垫P的损伤，能够进行可靠性高的高温检查。
第二实施方式
在本实施方式中，参照图9～图13，对在形成于电极垫P的多个针迹之间的空白区域内高效率地使探针12A接触的检查方法进行说明。所谓空白区域，是指在电极垫P内探针12A能够与既存的针迹不重叠地接触的区域。当既存的针迹有多个，探针12A不能与既存的针迹不重叠地接触时，寻找与既存的针迹的重叠为最小限度的接触预定位置的最佳位置。通过将与既存的针迹的重叠抑制为最小限度，能够防止电极垫的损伤，进而防止器件的损伤。接触预定位置能够通过与第一实施方式相同的顺序求得。此外，在图9～图14中，表示针迹的外接四方形代替针迹。
寻找空白区域的方法有两种。第一种方法是在与电极垫内的既存的针迹的重叠最小的位置，使探针12A移动至与接触预定位置最近的位置。第二种方法是在保持与接触预定位置周边的既存的针迹的位置关系的基础上，在与电极垫P内的既存的针迹的重叠最小的位置，使探针12A移动至与接触预定位置最近的位置。
例如，如图9(a)所示，在电极垫P内形成有两个既存的旧针迹(以针迹的外接四方形表示)F1、F2、和新针迹(针迹的外接四方形)Fn，其中，该新针迹Fn是使用一个旧针迹F2对本次的探针12A的接触位置进行校正而得当的，使用该新针迹Fn的重心和电极垫P的中心的位置偏移量，以与第一实施方式相同的方式校正新针迹Fn的位置，求得下次检查中的探针12A的接触预定位置(以针迹的外接四方形表示)Fs。如该图(a)所示，该接触预定位置Fs与旧针迹F2、新针迹Fn部分地重叠。在此，在本实施方式中，将接触预定位置Fs与旧针迹F2、新针迹Fn的重叠为最小的位置作为接触预定位置Fs的最佳位置Fc进行校正。
在第一方法中，从电极垫P整体中寻找最佳位置(与既存的针迹F1、F2、Fn不重叠的位置)Fc，如图9(b)所示那样寻找与任一针迹均不重叠的位置，求取该位置作为下次检查的接触预定位置Fa。在该情况下，重叠部分为0。但是，在该方法中，在进行下次检查时，存在空白区域突然减少的问题。
在第二方法中，保持既存的旧针迹F2和新针迹Fn的位置关系，同时求取空白区域，将接触预定位置Fs校正至最佳位置Fc。使接触预定位置Fs与既存针迹F2、Fn的重叠尽量减少，防止电极垫P的损伤。即使在求取空白区域的情况下，也优选使最佳位置Fc尽可能接近接触预定位置Fs。其原因是，在探针12A与最佳位置Fc接触后，将接触位置恢复至接触预定位置Fs，还存在与其它的位置接触的情况，如果是空白区域则不能够自由接触。在此，参照图10～图13，进一步对第二方法进行说明。
为了根据接触预定位置Fs在空白区域内求取最佳位置Fc，根据既存的新针迹Fn的重心和电极垫P的中心的位置偏移量进行校正后的接触预定位置Fs例如如图10的(a)、(b)所示那样，与既存的新针迹Fn之间部分地重叠。
在此方法中，在图10的(a)、(b)中调查接触预定位置Fs和新针迹Fn的重叠，例如对接触预定位置Fs的哪条边与新针迹Fn重叠进行确定。在接触预定位置Fs的重叠的边中，将重叠较大的边定义为对象截段。在图10(a)中因为接触预定位置Fs的以粗线表示的右边的截段比上边的截段大，因此以粗线表示的右边的截段成为对象截段。在该图(b)中因为接触预定位置Fs的以粗线表示的上边的截段比右边的截段大，因此以粗线表示的上边的截段成为对象截段。关于对象截段，除图10的(a)、(b)所示之外，例如还有图11的(a)～(d)所示的类型。
在保持接触预定位置Fs与新针迹Fn的位置关系的同时，为了使重叠最小或者为0，通过以另一边的重叠部分为基准使接触预定位置Fs向对象截段的垂直方向移动，能够使接触预定位置Fs的重叠最小或者为0。如果是图10(a)所示的情况，则从图12(a)起如该图(b)所示那样使接触预定位置Fs向左移动另一边的重叠的量，由此使得重叠为0。如果是图10(b)所示的情况，则使接触预定位置Fs向下移动另一边的重叠的量，由此使得重叠为0。图11(a)的类型包括图10的类型，能够根据对象截段向最佳位置校正。另外，在为图11的(b)、(c)所示的类型的情况下，因为包含一个对象截段，因此能够将接触预定位置Fs向最佳位置校正。但是，在为图11的(d)所示的类型的情况下，因为对象截段有多个，所以不能够设定最佳位置。因此，在图11的(d)的类型的情况下，不进行向最佳位置的校正。
另外，如图9(a)和图13所示，在接触预定位置Fs与旧针迹F2、新针迹Fn双方重叠的情况下，不能够移动接触预定位置Fs使得重叠为0。在此情况下，以使对象截段向其垂直方向移动的方式移动接触预定位置Fs，使得左右的重叠均等。通过以这种方式将重叠部分左右均等地分开，能够减轻双方的针迹的损伤。在图13中，令接触预定位置Fs与新针迹Fn的对象截段的长度为ay，另一重叠边的长度为ax，接触预定位置Fs与旧针迹F2的对象截段的长度为by，另一重叠边的长度为bx，向x方向的移动量x能够通过以下的公式求得。
SL(与移动后的旧针迹的重叠面积)＝(bx-x)×by
SR(与移动后的新针迹的重叠面积)＝(ax+x)×ay
这里，根据SL＝SR的关系能够求取x。
(bx-x)×by＝(ax+x)×ay
于是，移动量x＝(bxby-axay)/(ay+by)。
这样求得x方向的移动量后，以与x方向的移动量相同的方式求取y方向的移动量，使接触预定位置Fs最佳化。
也可以不求取使重叠量左右均等的移动量，而求取使左右的重叠面积的总和最小的移动量或重叠宽度(图13中的ax、bx)均等的移动量。
如上所述，为了在x方向上进行最佳移动，预先制作表示既存值的相邻关系、且以既存的针迹和接触预定位置为节点(node)的有向图表(以下称作“相邻关系图表”)，根据相邻关系图表确定与接触预定位置Fs相关的既存的针迹，求取与既存的针迹的重叠宽度等评价量即可。
如图14所示，在接触预定位置Fs与新针迹Fn、钝化边缘双方重叠的情况下，如果与既存的针迹外接四方形的边同样地考虑距离钝化边缘一定距离的内侧的边，则能够以上述的方法使接触预定位置Fs移动至新针迹Fn与钝化之间的最佳位置。另外，在必须满足与钝化边缘相距一定距离以上的条件的情况下，在满足该条件的基础上，求取使得与既存的新针迹Fn的重叠尽可能小的移动量。而且，在图14中，虚线的外侧是钝化层。
此外，在本实施方式中，对在使接触预定位置Fs移动至最佳位置Fc的情况下，使用针迹的外接四方形求取移动量的方法进行了说明，但是也可以使用表示实际的针迹区域的二值化图像，通过位图运算计算重叠部分。
如上所述，根据本实施方式，因为作为以与第一实施方式相同的顺序分别求得多个探针12A在下次检查中进行接触的接触预定位置Fs后的工序，包括以下工序，即，在分别配置在多个接触预定位置Fs上的多个针迹的抽取图像(外接四方形)Fn与既存的针迹(外接四方形)F1相互重叠时，使该重叠变得最小的位置、即接触预定位置Fs的对象截段向其垂直方向移动，使各接触预定位置Fs以最短距离移动，进行接触预定位置Fs的校正，所以，能够高效率地将接触预定位置Fs配置于空白区域，抑制既存的针迹F1、Fn的损伤，进而除了能够抑制器件的损伤之外，还能够获得与第一实施方式相同的作用效果。
第三实施方式
在本实施方式中，如图15所示，对于既存的针迹的重心制作维诺(Voronoi：ボロノイ)图。而且，在本实施方式中，也与第二实施方式同样地用针迹的外接四方形表示针迹。所谓维诺图，是指对于配置在某距离空间上的任意位置的多个点(母点)，根据相同距离空间的点接近哪个母点而划分区域的图。区域的边界线是各个区域的母点的二等分线的一部分。如图15所示，维诺边界线L位于距离既存的针迹F1、F2、Fn的重心最远的位置。从接触预定位置Fs的重心起与维诺边界线L最近的位置成为最佳化后的最佳位置Fc，其中，该接触预定位置Fs是根据新针迹Fn求得的。
根据本实施方式，能够使用既存的针迹F1、F2、Fn的维诺图高效率地配置接触预定位置Fs，以此代替在第二实施方式中使用针迹F1、Fs的外接四方形在空白区域高效率地配置探针12的接触预定位置Fs，能够期待获得与第二实施方式同样的效果。
此外，在上述实施方式中针对被检查体的高温检查进行了说明，但并不限定于高温检查，也能够适用于其他种类的检查。本发明并不限定于上述实施方式，还能够根据需要适当变更各构成要素。
产业上的可利用性
本发明能够适用于进行半导体晶片等被检查体的电特性检查的检查装置。