声表面波器件及声表面波振荡器.pdf

本发明提供一种声表面波器件，可以减小电极指的线宽变动时的频率变动量的差别，并且适合于批量生产。声表面波器件(10)具有作为至少激励瑞利波式声表面波的电极图案(14)的IDT(16)，激励所述声表面波的阻带的上限模式，所述声表面波器件的特征在于，用于形成IDT(16)的压电基板(12)采用晶体基板，该晶体基板是以利用(φ，θ，ψ)表示的欧拉角为(0°，95°≤θ≤155°，33°≤|ψ|≤46°)的切角切取的，在构成IDT(16)的梳齿状电极(18(18a、18b))的电极指之间形成电极指间槽(槽28)，把由槽(28)夹持的晶体部分作为电极指座(30)，电极指(22)位于电极指座(30)的上面。

1.  一种声表面波器件，具有作为至少激励瑞利波式声表面波的电极图案的IDT，激励所述声表面波的阻带的上限模式，所述声表面波器件的特征在于，
用于形成所述IDT的压电基板采用晶体基板，该晶体基板是以利用(，θ，ψ)表示的欧拉角为(0°，95°≤θ≤155°，33°≤|ψ|≤46°)的切角切取的，
在构成所述IDT的梳齿状电极的电极指之间形成电极指间槽，把由所述电极指间槽夹持的晶体部分作为电极指座，所述电极指位于该电极指座的上面。

2.  根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，
在所述晶体基板的表面设置反射器，使得在所述声表面波的传播方向夹入所述IDT，
在构成所述反射器的导体条之间形成导体条间槽，具有由所述导体条间槽夹持的导体条座和在其上面形成的所述导体条。

3.  根据权利要求2所述的声表面波器件，其特征在于，在把所述IDT的阻带上端频率设为ft2、把所述反射器的阻带下端频率设为fr1、把所述反射器的阻带上端频率设为fr2时，满足fr1＜ft2＜fr2。

4.  根据权利要求3所述的声表面波器件，其特征在于，所述反射器的所述导体条间槽的深度比所述IDT的所述电极指间槽的深度浅。

5.  根据权利要求1～4中的任意一项所述的声表面波器件，其特征在于，
把构成所述IDT的所述电极指的线占有率η设为0.8±y，
在把将所述电极指座的厚度Hd除以所述电极指的膜厚与所述电极指座的厚度的合计厚度H而得到的值设为Hd/H时，所述y与所述Hd/H的关系满足y＝0.1825×(Hd/H)⁴-0.1753×(Hd/H)³+0.0726×(Hd/H)²-0.0058×(Hd/H)+0.0085。

6.  根据权利要求5所述的声表面波器件，其特征在于，所述Hd/H为0.167以上。

7.  根据权利要求6所述的声表面波器件，其特征在于，所述Hd/H为0.3以上0.833以下。

8.  一种声表面波振荡器，其特征在于，具有权利要求1～7中的任意一项所述的声表面波器件、和用于驱动所述IDT的IC。

声表面波器件及声表面波振荡器
技术领域
本发明涉及一种采用瑞利波式声表面波的阻带的上限模式的声表面波器件、和安装有该器件的声表面波振荡器。
背景技术
构成声表面波元件片的IDT和反射器具有多个导体条，利用导体条的周期构造形成以较高的反射系数反射特定频率区域的SAW的频带、即阻带。
在使用了具有预定的面内旋转角度φ的ST切晶体基板的声表面波器件中，可以激励瑞利波式声表面波的阻带的上限模式，其良好的频率温度特性已被公知。并且，如果在声表面波的1波长中设置2个电极指，则可以采用良好的单一式IDT，与以往采用激励阻带的上限时需要的反射反转式IDT(在声表面波的1波长中设置3个电极指)的情况相比，可以降低高频化时的电极的细微化难易程度，容易实现高频化，这也已被公知。另外，公知作为为了减小IDT的电阻值而加厚电极膜的膜厚时的频率变化量、即因电极膜厚的变动形成的频率变化量，阻带的上限模式的激励小于下限模式的激励(例如参照专利文献1)。
在此，专利文献1记载了如下内容：通过使声表面波的传播方向偏离晶体的X轴，可以激励阻带的上限模式的SAW。
专利文献2记载了如下内容：利用在排列多个电极指而成的周期构造中产生的SAW的周期性反射来形成阻带，并具体公开了反射反转式IDT。并且，记载了如下内容：在阻带内的下端(下限)和上端(上限)各自的频率时成为谐振状态，形成驻波，下限模式和上限模式各自的驻波的波腹(或节)的位置相互错开。
【专利文献1】日本特开2006-148622号公报
【专利文献2】日本特开平11-214958号公报
专利文献1公开的结构的声表面波器件的确频率温度特性良好，适合于高频化，可以减小因膜厚变化形成的频率的变化量。但是，在专利文献1的发明中没有考虑批量生产时的制造误差。例如，在SAW器件的制造工序中，在形成抗蚀剂图案并通过湿式蚀刻形成电极图案时等，受到抗蚀剂图案的厚度及宽度的差异、从电极图案的侧面进行蚀刻的侧蚀刻的影响，构成IDT的电极指的线宽有时产生误差。在通过干式蚀刻形成电极图案时，虽然因侧蚀刻形成的电极指线宽偏差减小，但是与湿式蚀刻时相同，产生因抗蚀剂图案的厚度及宽度偏差形成的电极指的线宽偏差。
并且，在专利文献1公开的使用了具有面内旋转角的晶体基板的声表面波器件中，在个体之间的线占有率η因制造误差等而变动时，温度变化时的频率变动量大幅变化。即，频率温度特性的偏差增大。这种问题在产生较大的线宽变动的批量生产中，从产品的可靠性和质量方面讲是重大课题。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种声表面波器件及安装有该器件的声表面波振荡器，可以减小在电极指的线宽变动时SAW器件个体之间的温度变化引起的频率变动量的差别、即频率温度特性的偏差，并且适合于批量生产。
本发明正是为了解决上述课题的至少一部分而提出的，可以采用以下方式或适用例来实现。
(适用例1)一种声表面波器件，具有作为至少激励瑞利波式声表面波的电极图案的IDT，激励所述声表面波的阻带的上限模式，所述声表面波器件的特征在于，用于形成所述IDT的压电基板采用晶体基板，该晶体基板是以利用表示的欧拉角为(0°，95°≤θ≤155°，33°≤|ψ|≤46°)的切角切取的，在构成所述IDT的梳齿状电极的电极指之间形成电极指间槽，把由所述电极指间槽夹持的晶体部分作为电极指座，所述电极指位于该电极指座的上面。
通过采用这种结构，当在制造工序中构成IDT的电极指的线宽产生误差时，也能够减小频率温度特性中的个体之间的顶点温度的偏差。因此，能够减小动作温度范围内的频率变动量的差别，能够适用于声表面波器件的批量生产。即，能够减小SAW器件个体之间的频率温度特性的偏差。
(适用例2)在适用例1所述的声表面波器件中，其特征在于，在所述晶体基板的表面设置反射器，使得在所述声表面波的传播方向夹入所述IDT，在构成所述反射器的导体条之间形成导体条间槽，具有由所述导体条间槽夹持的导体条座和在其上面形成的所述导体条。
通过具有这种特征，能够提高反射器的声表面波的反射效率。
(适用例3)在适用例2所述的声表面波器件中，其特征在于，在把所述IDT的阻带上端频率设为ft2、把所述反射器的阻带下端频率设为fr1、把所述反射器的阻带上端频率设为fr2时，满足fr1＜ft2＜fr2。
通过具有这种特征，在IDT的阻带上端频率ft2时，反射器的反射系数|Γ|增大，由IDT激励的阻带上限模式的SAW通过反射器以较高的反射系数反射到IDT侧。并且，能够实现阻带上限模式的SAW的能量集中(閉じ込め)增强、而且低损耗的振子。
(适用例4)在适用例3所述的声表面波器件中，其特征在于，所述反射器的所述导体条间槽的深度比所述IDT的所述电极指间槽的深度浅。
通过具有这种特征，能够使反射器的阻带向比IDT的阻带高的高频带侧频移。因此，能够实现fr1＜ff2＜fr2的关系。
(适用例5)在适用例1～4中的任意一项所述的声表面波器件中，其特征在于，把构成所述IDT的所述电极指的线占有率η设为0.8±y，在把将所述电极指座的厚度Hd除以所述电极指的膜厚与所述电极指座的厚度的合计厚度H而得到的值设为Hd/H时，所述y与所述Hd/H的关系满足y＝0.1825×(Hd/H)⁴-0.1753×(Hd/H)³+0.0726×(Hd/H)²-0.0058×(Hd/H)+0.0085。
通过具有这种特征，能够根据Hd/H的值求出能够良好地保持频率温度特性的线占有率的允许公差y。
(适用例6)在适用例5所述的声表面波器件中，其特征在于，所述Hd/H为0.167以上。通过采用这种结构，在0℃～80℃的温度范围内，能够把频率温度特性的变动抑制在15ppm以内。
(适用例7)在适用例6所述的声表面波器件中，其特征在于，所述Hd/H为0.3以上0.833以下。通过采用这种结构，能够把0℃～80℃的温度范围内的频率变动量抑制在20ppm以下。
(适用例8)一种声表面波振荡器，其特征在于，具有适用例1～7中的任意一项所述的声表面波器件、和用于驱动所述IDT的IC。
附图说明
图1是表示实施方式涉及的SAW器件的结构的图。
图2是表示构成实施方式涉及的SAW器件的晶体基板的切角的图。
图3是表示使以往的SAW器件与实施方式涉及的SAW器件的线占有率η浮动±0.1时的频率变动量的差别的曲线图。
图4是表示使实施方式涉及的SAW器件的线占有率浮动±0.01时的频率变动量的差别的曲线图。
图5是表示在使线占有率η浮动时，具有在该浮动幅度中频率变动量最大的线占有率η的SAW器件的频率温度特性的曲线图。
图6是表示在使线占有率η浮动时，具有在该浮动幅度中频率变动量最小的线占有率η的SAW器件的频率温度特性的曲线图。
图7是表示改变槽深度时的频率变动量的最大值和最小值的变化的图。
图8是表示可以把SAW器件个体之间的频率变动量设为20ppm以内的槽深度与线占有率η的误差范围的关系的曲线图。
图9是把与图8所示曲线图的线占有率η相关的轴转换成实际IDT的电极指宽度的误差而成的曲线图。
图10是表示改变设有槽的SAW器件的线占有率时的顶点温度的偏移量的图。
图11是表示改变不设置槽的SAW器件的线占有率时的顶点温度的偏移量的图。
图12是表示IDT和反射器的SAW反射特性的图。
图13是表示实施方式涉及的SAW振荡器的结构的图。
符号说明
10SAW器件；12压电基板；14激励电极；16IDT；18(18a、18b)梳齿状电极；20(20a、20b)母线；22(22a、22b)电极指；24反射器；26导体条；28槽；30电极指座；32导体条座。
具体实施方式
以下，参照附图具体说明本发明的声表面波器件及声表面波振荡器涉及的实施方式。
本实施方式涉及的声表面波(SAW：surface acoustic wave)器件10如图1所示，是以压电基板12、IDT(interdigital transducer：叉指换能器)16和反射器24为基础构成的振子式声表面波器件。压电基板12如图2所示，使用利用X轴(电气轴)、Y轴(机械轴)和Z轴(光轴)表示晶轴的晶体基板。
在此说明欧拉角。利用欧拉角(0°，0°，0°)表示的基板是具有与Z轴垂直的主面的Z切基板。在此，欧拉角的表示Z切基板的第1旋转，表示把Z轴作为旋转轴、把从+X轴向+Y轴侧旋转的方向作为正的旋转角度的第1旋转角度。欧拉角的θ表示在Z切基板的第1旋转后进行的第2旋转，表示把第1旋转后的X轴作为旋转轴、把从第1旋转后的+Y轴向+Z轴旋转的方向作为正的旋转角度的第2旋转角度。压电基板的切面根据第1旋转角度和第2旋转角度θ确定。欧拉角的ψ表示在Z切基板的第2旋转后进行的第3旋转，表示把第2旋转后的Z轴作为旋转轴、把从第2旋转后的+X轴向第2旋转后的+Y轴侧旋转的方向作为正的旋转角度的第3旋转角度。SAW的传播方向利用相对于第2旋转后的X轴的第3旋转角度ψ表示。
在本实施方式中，采用利用欧拉角(0°，95°≤θ≤155°，33°≤|ψ|≤46°)表示的面内旋转ST切晶体基板。通过采用该面内旋转ST切晶体基板，可以构成相对于温度变化的频率变化较小、频率温度特性良好的SAW器件。
IDT16具有利用母线20(20a、20b)连接多个电极指22(22a、22b)的基端部而形成的一对梳齿状电极18(18a、18b)，将构成一方梳齿状电极18a的电极指22a、和构成另一方梳齿状电极18b的电极指22b隔开预定间隔地交替配置。在此，电极指22配置在与声表面波的传播方向即X’轴正交的方向。由这样构成的声表面波器件10激励的声表面波是瑞利波式声表面波。这样，通过使声表面波的传播方向偏离晶体的晶轴即X轴，可以激励阻带的上限模式的声表面波。
并且，按照在声表面波的传播方向夹持所述IDT16的方式设置一对反射器24。其具体结构是将与构成IDT16的电极指22平行设置的多个导体条26的两端分别连接。
作为构成这样形成的IDT16和反射器24的电极材料，可以使用铝(Al)、铝合金、银(Ag)、钨(W)、钽(Ta)、或铜(Cu)，或者以其中任意一种为主成分的合金等。另外，在使用合金作为电极材料时，除作为主成分的金属以外的金属可以设定为重量比在10％以下。
具有上述基本结构的本实施方式涉及的SAW器件10如上所述，使声表面波的传播方向偏离晶体的晶轴即X轴，所以能够实现阻带的上限模式的激励。并且，在本实施方式涉及的SAW器件10中，为了在IDT16的电极指22之间形成槽(电极指间槽)28，将除形成电极图案14的部分之外的晶体基板表面掘进预定量，构成电极指座。通过采用这种结构，可以减小构成IDT16的电极指22的线占有率η变动时的频率温度特性的变化。另外，线占有率η指将电极指22的线宽d除以电极指22之间的间距p得到的值。因此，线占有率η可以利用下式1表示。
式1
η＝d/p
下面，列举在电极指22之间不设置槽28时和在电极指22之间设置槽28时的一例，示出这种结构的频率变动量的差别。
列举把谐振频率设为322MHz的SAW振子的情况，作为设计值的一例，可以列举把电极膜厚设为0.6μm的情况。对此，在本实施方式涉及的SAW器件10(振子)中，利用槽28(在此，把电极指22之间的槽定义为电极指间槽，把导体条之间的槽定义为导体条间槽，以下总称为槽)的掘进量，填补例如电极膜厚的一半即0.3μm左右，构成晶体座(电极指座30、导体条座32)，由此使实际电极膜厚为0.3μm而构成IDT16和反射器24。
另外，也可以采用不设置反射器24的导体条间槽而只设置IDT16的电极指间槽的方式。不过，像本实施方式这样，不仅设置IDT16的电极指间槽，而且还设置反射器24的导体条间槽，可以增大反射器24的SAW反射系数，所以是优选方式。
图3表示在IDT16等的电极指之间不形成槽28时和形成槽28时的频率温度特性的变化。图3表示在电极指之间不形成槽28时(图3(A))和形成槽28时(图3(B))的情况。在图3所示的曲线图中，纵轴表示频率的变动量，横轴表示温度。
图3表示没有槽28时和有槽28时、以及把线占有率η的目标值设为0.8并使η以±0.1单位浮动时的示例。根据图3可知，在没有槽28时，在η＝0.9时，动作温度范围内的频率变动量最大为170ppm左右(图3(A))。与此相对，在设置槽28时，如图3(B)所示，即使在η＝0.9时，最大也就在100ppm左右。并且，在形成槽28时，因线占有率η的变化而形成的频率温度特性的变动较小。这样，通过形成槽28，可以减小因线占有率η的偏差而形成的频率温度特性的变动，并且还可以减小最大频率变动量。
在此，在图3所示的示例中，为了便于理解说明，把线占有率η的浮动幅度设为±0.1，但实际生产工序中的线占有率η的偏差为0.01左右。并且，优选以这种精度生产的SAW器件10(例如SAW振子)的频率变动量在0°～80°之间，被抑制在基准温度(例如25℃)时的谐振频率(例如322MHz)的±50ppm(在动作范围内(-40℃～85℃之间)为100ppm)左右，更优选在0°～80°之间被抑制在±10ppm以内(宽度为20ppm以下)。
作为用于导出这种关系和条件下的槽深度与线占有率η的允许范围以及最佳槽深度的关系的一种手段，有以下叙述的方法。即，分别求出在利用晶体构成的压电基板12的表面设置预定深度的槽28时的目标线占有率η、该线占有率η的浮动幅度例如η±0.01时的预定温度范围(例如0℃～80℃)的频率变动量，导出基于线占有率η的浮动幅度的频率变动量的最大值、最小值。然后，导出所述最大值与最小值之差在频率变动量的允许范围内(例如15ppm以内)的槽深度。
在此，图4所示的曲线图表示把槽28的深度设为0.3μm，把线占有率η的浮动幅度设为±0.01，把电极指座30的厚度与IDT16的电极膜厚的合计厚度、以及导体条座32的厚度与反射器24的电极膜厚的合计厚度分别设为0.6μm(电极膜厚0.3μm)时的频率变动量的位移。在图4所示的0℃～80℃的温度范围内，频率变动量为最大值的有使线占有率η浮动到正侧、即线占有率η＝0.81时的SAW振子。具体地讲，在上述温度范围内，频率变动量为17ppm(参照图5)。并且，频率变动量最小的有线占有率η为目标值时、即线占有率η＝0.8时的SAW振子。该情况时，0℃～80℃的频率变动量为10ppm(参照图6)。
对于这种结果，在把电极指座30的厚度与IDT16的电极膜厚的合计厚度、以及导体条座32的厚度与反射器24的电极膜厚的合计厚度分别固定为0.6μm后，把槽28的掘进量分别计算成0～0.4μm(即，利用将座的厚度Hd除以电极膜厚与座的厚度的合计厚度H得到的值表示的标准化座厚度Hd/H为0～0.667)，分别计算最大变动(量)、最小变动(量)、平均值，并将这些值绘制成曲线图，即图7所示的曲线图。另外，该情况时，槽28的深度的变更表示电极指座30、导体条座32的厚度(高度)与电极膜厚的比例(比率)的变化。
根据图7所示的曲线图，在使线占有率η浮动±0.01时，为了把0℃～80℃温度范围内的频率变动量控制在20ppm以内，需要把槽28的深度设为0.18μm以上。利用与电极膜厚的关系来表示该情况，在把电极指座30与电极膜的合计厚度、或导体条座32与电极膜的合计厚度设为0.6μm时，槽28的深度可以是它们的厚度的30％以上，即标准化座厚度Hd/H可以是0.3以上。并且，为了把线占有率η的变动量±0.01时的频率温度特性的变动(即频率变动量的最大值与最小值之差)抑制在15ppm以内，只要把槽28的深度设为0.1μm以上(即，把标准化座厚度Hd/H设为0.167以上)、并且至少在0.5μm以下(即，把标准化座厚度Hd/H设为0.833以下)即可。
另外，在图7中记述了在标准化座厚度Hd/H为0.3以上0.667以下的范围时，使0℃～80℃时的频率变动量达到20ppm以下的数据，可以明显看到标准化座厚度Hd/H越大，因温度形成的频率变动量越小的趋势。因此，如果使标准化座厚度Hd/H大于0.667、而且至少在0.833以下(0.5μm以下)，则可以把0℃～80℃温度范围内的频率变动量控制在15ppm以下。
用于把0℃～80℃温度范围内的频率变动量控制在20ppm以内的线占有率η的允许公差(±y)，由于槽28的深度变更而变化。图8表示标准化座厚度Hd/H、与用于把0℃～80℃时的频率变动量控制在20ppm以内的线占有率η的允许公差(±y)之间的关系。根据图8可知能够把0℃～80℃时的频率变动量控制在20ppm以内的线占有率η的允许公差(±y)。并且，根据图8可知，随着槽28的深度增加，线占有率η的允许公差(±y)呈指数函数地增大。即，在表示成用于把0℃～80℃温度范围内的频率变动量控制在20ppm以内的线占有率η±y时，根据图8可知，只要η＝0.8、而且y＝0.1825×(Hd/H)⁴-0.1753×(Hd/H)³+0.0726×(Hd/H)²-0.0058×(Hd/H)+0.0085即可。
另外，在把图8所示的线占有率η与槽28的深度的关系转换为实际的电极指22的宽度尺寸(μm)与槽28的深度的关系时，可以利用图9表示。例如，根据图9表示的关系，在把电极指22的宽度尺寸的误差设为±0.1μm时，槽28的深度需要在0.4μm以上。
可是，根据实验判明，即使在动作范围内的频率温度特性由于线占有率η的误差而发生变动时，表示该频率温度特性的二次温度系数也不会产生较大的差异。因此，频率变动量的多少是根据表示频率温度特性的曲线图中的顶点温度的偏移而产生的，通过使顶点温度近似、即减小顶点温度相对于基准温度的偏移量，可以使表示预定温度范围内的频率变动量的曲线图的倾斜也近似。并且，根据这种结构，如果SAW器件的个体之间的频率变动量的差别减小，则可以提高生产出的SAW器件整体的质量。
在此，图10、图11是表示在对压电基板12设置槽28的SAW器件10(图10)、和不设置槽的SAW器件(图11)中，在改变线占有率η时，顶点温度的位移量是否产生差异的曲线图。图10和图11示出的示例是把谐振频率设为322MHz的SAW振子的示例，表示使线占有率η从0.8向0.775变化时的顶点温度的偏移。如上所述，根据图10、图11的曲线图可知，即使在线占有率η变化时，表示频率温度特性的二次温度系数也没有较大差异。另外，图10、图11中的频率温度特性的测试温度范围为0℃～80℃之间。
在上述示例中，设置槽28的SAW器件10的顶点温度在把线占有率η设为0.8时，位于35℃的位置(参照图10(A))。并且，在设置槽28的SAW器件10中，在使线占有率η向0.775变化时，该顶点温度位移到64℃的位置(参照图10(B))。
另一方面，在没有设置槽的SAW器件中，在把线占有率η设为0.8时，顶点温度位于37℃的位置(参照图11(A))。并且，在没有设置槽的SAW器件中，在使线占有率η向0.775变化时，该顶点温度位移到130℃的位置(测试温度范围外)(参照图11(B))。
由此可知，因SAW器件10的制造步骤中的线占有率η的误差而产生的SAW器件个体之间的频率变动量的差别，通过在利用晶体构成的压电基板12上形成深度对应于激励电极14的膜厚的槽28而减小。并且，可知这种SAW器件个体之间的频率变动量的差别的减小，也可以通过使SAW器件个体之间的顶点温度近似来实现。
在上述结构的SAW器件10的制造步骤中，首先使用蒸镀和溅射等方法在晶片的一个主面上成膜作为激励电极14的材料的金属。然后，通过湿式蚀刻等形成IDT16和反射器24的形状。然后，通过干式蚀刻等方法，将压电基板12中除形成有激励电极14的部分之外的表面掘进预定量，由此形成槽28。此时，形成激励电极14的金属膜可以用作进行干式蚀刻时的掩模。
结束上述步骤，在压电基板12的一个主面上形成IDT16和反射器24后，使用切割等方法将晶片切割成单片单位的SAW器件10。
根据上述结构的本实施方式涉及的SAW器件10，通过调整槽28的深度，可以减小制造步骤中的位于电极指22的宽度的误差范围内的SAW器件10的频率温度特性的顶点温度的偏移量。因此，可以减小制造出的SAW器件个体之间的频率变动量的差别，将各个SAW器件的频率变动量控制在允许范围内。因此，可以提高制造SAW器件10时的成品率。
另外，在上述实施方式中，把电极膜厚与座的厚度的合计厚度H设为0.6μm，但本发明不限于此。在电极膜厚与座的厚度的合计厚度H为0.6μm之外的尺寸时，只要是欧拉角(0°，95°≤θ≤155°，33°≤|ψ|≤46°)的晶体基板、而且是使用了阻带上限模式的瑞利波式SAW器件，就可以发挥与上述实施方式相同的效果。
并且，也可以根据需要设置覆盖电极指和导体条的至少任意一方的保护膜。
并且，在上述实施方式中，关于槽28的掘进，是把压电基板12的除激励电极形成部14之外的整个表面作为对象，但在实际有助于激励的部分、例如只是IDT16的电极指22之间的部分、只是IDT16的电极指22之间和反射器24的导体条26之间的部分时，也可以视为本发明的一部分。
并且，为了使以阻带的上限模式激励的SAW有效地集中能量，如图12所示，把IDT16的阻带上端的频率ft2设定在反射器24的阻带下端的频率fr1与反射器24的阻带上端的频率fr2之间即可。即，只要设定为满足关系fr1＜ff2＜fr2即可。由此，在IDT16的阻带上端的频率ft2中，反射器24的反射系数|Γ|增大，由IDT16激励的阻带上限模式的SAW通过反射器24以较高的反射系数反射到IDT16侧。并且，可以实现阻带上限模式的SAW的能量集中增强、低损耗的振子。在此，如果设定为ft2＜fr1的状态或fr2＜ft2的状态，将导致在IDT16的阻带上端的频率ft2中，反射器24的反射系数|Γ|减小，难以实现较强的能量集中状态。
为了实现fr1＜ft2＜fr2的状态，需要使反射器24的阻带向比IDT16的阻带高的高频带侧频移，这可以通过使反射器24的导体条排列周期小于IDT16的电极指排列周期来实现。此外，也可以通过使反射器24的导体条膜厚比IDT16的电极指膜厚薄来实现，还可以通过使反射器24的导体条间槽的深度比IDT16的电极指间槽的深度浅来实现。并且，也可以结合适用多个这些方法。
并且，在上述实施方式中，作为SAW器件10的一例只列举了SAW振子，但本发明的SAW器件也包括SAW滤波器等。
并且，上述实施方式所述的SAW器件10是具有反射器24的振子，但本实施方式涉及的SAW器件10也包括不具有反射器的端面反射式SAW振子。
并且，本发明涉及的SAW振荡器如图13所示，由上述的SAW器件、向该SAW器件的IDT施加电压并进行驱动控制的IC、和收容它们的封装体构成。另外，在图13中，图13(A)是除盖之外的部分的俯视图，图13(B)是表示该图(A)中的A-A剖面的图。
在实施方式涉及的SAW振荡器100中，把SAW器件10和IC50收容在同一封装体56中，利用金属线60连接形成于封装体56的底板56a的电极图案54a～54g和SAW器件10的梳齿状电极18a、18b、以及IC50的焊盘52a～52f。并且，收容了SAW器件10和IC的封装体56的腔室利用盖58气密密封。通过采用这种结构，可以将IDT16(参照图1)和IC50以及形成于封装体56的底面的未图示的外部安装电极电连接。