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1、10申请公布号CN102082111A43申请公布日20110601CN102082111ACN102082111A21申请号200910201879522申请日20091130H01L21/762200601H01L21/76420060171申请人上海华虹NEC电子有限公司地址201206上海市浦东新区川桥路1188号72发明人王雷74专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211代理人王函54发明名称带空气间隙的深隔离槽的制造方法57摘要本发明公开了一种带空气间隙的深隔离槽的制造方法，利用某些材料可以加热挥发的特性，采用该种材料作为赝层，通过在深隔离槽中填充赝层形成空气间隙占位，接着。
2、利用介质层封口，然后通过光刻刻蚀形成小孔，去除赝层材料形成空气间隙，最后填充介质层再回刻或通过化学机械抛光去除有源区上的介质层，形成具有空气间隙的深隔离槽。该方法可以进一步减小寄生电容以提高深隔离槽的隔离表现，同时工艺控制能力更强，良品率更高。51INTCL19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书2页说明书4页附图2页CN102082117A1/2页21一种带空气间隙的深隔离槽的制造方法，其特征在于，包括如下步骤1光刻刻蚀硅基板形成深隔离槽；2在深隔离槽的侧壁成长侧壁保护层；3赝层材料填充部分深隔离槽；4覆盖介质层填充深隔离槽；5光刻刻蚀覆盖介质层，在深隔离槽中心产生小孔；6。
3、去除赝层材料；7介质层填充覆盖介质层的小孔，在深隔离槽内形成空气间隙；8回刻或通过化学机械抛光去除有源区上的介质层。2根据权利要求1所述的带空气间隙的深隔离槽的制造方法，其特征是，步骤1中的刻蚀采用光刻胶为掩膜的干法刻蚀，或以氧化物、氮化物或碳化物为第二层硬掩膜的干法刻蚀。3根据权利要求2所述的带空气间隙的深隔离槽的刻蚀方法，其特征是，如果步骤1采用以氧化物、氮化物或碳化物为第二层硬掩膜的干法刻蚀，后续应该有去除该第二层硬掩膜的工艺。4根据权利要求1所述的带空气间隙的深隔离槽的制造方法，其特征是，步骤6所述去除赝层材料采用加热挥发赝层材料，或者采用HF去除赝层材料。5根据权利要求4所述的带空气。
4、间隙的深隔离槽的制造方法，其特征是，当步骤6采用加热挥发赝层材料去除赝层材料时，步骤2中的侧壁保护层材料为氧化物，氮化物或碳化物；步骤3中的赝层材料为常温下为液态，100250加热后为固态，250400下可以汽化的材料。6根据权利要求4或5所述的带空气间隙的深隔离槽的制造方法，其特征是，步骤6中所述加热挥发赝层材料的加热汽化温度为250400。7根据权利要求4所述的带空气间隙的深隔离槽的制造方法，其特征是，当步骤6采用加热挥发赝层材料去除赝层材料时，步骤4中的覆盖介质层材料成膜的温度不能高于赝层材料的汽化温度，因此该步骤采用低温成膜工艺，可采用SOG成膜工艺或低温ALD成膜工艺。8根据权利要求。
5、4所述的带空气间隙的深隔离槽的制造方法，其特征是，当步骤6采用HF去除赝层材料时，步骤2中的侧壁保护层材料为SIN或SIC，步骤3中的赝层材料为SIO2，步骤4中的覆盖介质层材料为SIN或SIC。9根据权利要求1所述的带空气间隙的深隔离槽的制造方法，其特征是，步骤5中的光刻区域尺寸大小为002微米1/2的深隔离槽尺寸之间，且刻蚀完成后底部小孔尺寸05微米。10根据权利要求1或9所述的带空气间隙的深隔离槽的制造方法，其特征是，步骤5中的刻蚀方法可以为湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺。11根据权利要求1所述的带空气间隙的深隔离槽的制造方法，其特征是，步骤7中的介质层填充采用常规的介质层沉积工艺，可采用P。
6、VD，CVD或HDP工艺。12根据权利要求1所述的带空气间隙的深隔离槽的制造方法，其特征是，步骤8中所述去除有源区上的介质层，同时保证在深隔离槽中空气间隙上方的介质层500埃。权利要求书CN102082111ACN102082117A2/2页313根据权利要求12所述的带空气间隙的深隔离槽的制造方法，其特征是，步骤8中所述去除有源区上的介质层，可以残留201000埃的介质层作为后续注入的阻挡层，然后在后续的湿法工艺中去除，同时保证在深隔离槽中空气间隙上方的介质层500埃。14根据权利要求1所述的带空气间隙的深隔离槽的制造方法，其特征是，步骤7中，所述形成的空气间隙的横向及底部接触为侧壁保护层材。
7、料，上部接触为覆盖介质层和介质层材料。15根据权利要求1或14所述的带空气间隙的深隔离槽的制造方法，其特征是，步骤7中，所述形成的空气间隙横向尺寸由侧壁保护层决定，深度由赝层材料填充深度决定。权利要求书CN102082111ACN102082117A1/4页4带空气间隙的深隔离槽的制造方法技术领域0001本发明属于半导体器件隔离的工艺集成方法，尤其涉及一种带空气间隙的深隔离槽的制造方法。背景技术0002半导体器件中，对于不同的器件需要进行隔离，其隔离方法通常采用两种器件隔离和物理隔离。0003器件隔离为NP结反向隔断的特性，这种方法通常隔离能力受器件特性限制。0004物理隔离通常采用绝缘介质作。
8、为隔离层，其隔离能力强。目前常用的为局部场绝缘隔离LOCOS，浅槽隔离STI或深槽隔离DTI。其中LOCOS和STI绝缘层通常深度为5000埃以下，对于低电压器件结深较浅的器件隔离效果好，工艺成本低。但是对于结深很深的高压，大电流，大功率的BCD或高频高速的通信用RFCMOS射频互补金属氧化物半导体或SI/GEHBT锗硅异质结双极晶体管器件，需要使用深度很深的DTI物理隔离工艺。0005对于通常的器件，由于速度要求不高，通常采用在深隔离槽中填充多晶硅的工艺，工艺比较简单而且可以满足要求。但是对于高速器件，普通的DTI工艺寄生电容很大，在高频情况下隔离效果会大大降低，为了降低寄生电容，往往将填充。
9、材料改为绝缘介质。但是对于FT10GHZ的高频器件，介质层的效果也不好，限制了整体频率的提升。0006对于目前超高频器件，通常采用SI/GEHBT工艺，相对的DTI工艺直接采用空气间隙来填充，此时可以大大降低寄生电容，提高高频下的隔离能力。如图1所示，其传统工艺为00071光刻刻蚀硅基板1产生深隔离槽2，见图1A；00082成长侧壁保护层3，见图1B；00093介质层4填充，见图1C；00104回刻或通过化学机械抛光CMP去除有源区上的介质层4，见图1D。0011此方法中利用高宽比过大时，填充能力不足以完全填充，必然产生空洞的原理，在步骤3中通过调整填充工艺，及深隔离槽的深度和尺寸形成空气间隙。
10、。0012采用传统方法形成的带有空气间隙的DTI时，其空气间隙的大小，位置基本不受控制，而且很难做的很大，同时对于不同尺寸，不同深度的深隔离槽，其空气间隙的位置不同，在步骤4的回刻或CMP中很容易发生空气间隙位置过高而接近于有源区高度导致步骤4完成后直接暴露，因此在实际使用中，此方法受限制很大，工艺控制能力弱，而且因为空气间隙不能很大，寄生电容也不会太小，因此限制了FT的提升。发明内容0013本发明要解决的技术问题是提供一种在深隔离槽中产生足够大的可以控制的空气间隙的制造方法。该方法可以进一步减小寄生电容以提高深隔离槽的隔离表现，同时工艺控制能力更强，良品率更高。说明书CN102082111A。
11、CN102082117A2/4页50014为解决上述技术问题，本发明提供一种带空气间隙的深隔离槽的制造方法，包括如下步骤00151光刻刻蚀硅基板形成深隔离槽；00162在深隔离槽的侧壁成长侧壁保护层；00173赝层材料填充部分深隔离槽；00184覆盖介质层填充深隔离槽；00195光刻刻蚀覆盖介质层，在深隔离槽中心产生小孔；00206去除赝层材料；该步骤可以采用加热挥发赝层材料，或者采用HF去除赝层材料；00217介质层填充覆盖介质层的小孔，在深隔离槽内形成空气间隙；00228回刻或通过化学机械抛光去除有源区上的介质层。0023和现有技术相比，本发明具有以下有益效果和传统的介质层或多晶填充的深隔。
12、离槽相比，本发明形成的带空气间隙的深隔离槽，其寄生电容远远小于传统工艺，对于高速RF器件，SI/GE器件等有更好的隔离表现。同现有的带有空气间隙的深隔离槽的制造方法相比，通过使用本发明的方法，我们可以得到较大尺寸，具体尺寸可控制，且对不同设计规则的深隔离槽有高度均一性的空气间隙，可以进一步减小寄生电容以提高隔离表现，同时工艺控制能力更强，良品率更高。附图说明0024图1是传统的带空气间隙的深隔离槽的制造方法的流程示意图，其中，1是硅基板，2是深隔离槽，3是侧壁保护层，4是介质层；0025图2是本发明带空气间隙的深隔离槽的制造方法的流程示意图，其中，11是硅基板，12是深隔离槽，13是侧壁保护层。
13、，14是赝层，15是覆盖介质层，16是小孔，17是空气间隙。具体实施方式0026下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明。0027本发明提供了一种带空气间隙的深隔离槽的制造方法，利用某些材料可以加热挥发的特性，采用该种材料作为赝层，通过在深隔离槽中填充赝层形成空气间隙占位，接着利用介质层封口，然后通过光刻刻蚀形成小孔，加热挥发赝层材料形成空气间隙，最后填充介质层再回刻或通过化学机械抛光去除有源区上的介质层，形成具有空气间隙的深隔离槽。0028实施例10029如图2所示，本发明带空气间隙的深隔离槽的制造方法的实施例之一，具体包括如下步骤00301如图2A所示，光刻刻蚀硅基板11产生深隔离槽。
14、12；步骤1中的刻蚀可以采用光刻胶为掩膜的干法刻蚀，或以氧化物、氮化物或碳化物为第二层硬掩膜HARDMASK的干法刻蚀。如果采用的是硬掩膜的干法刻蚀工艺，后续应该有去除该硬掩膜的工艺。00312如图2B所示，在深隔离槽12的侧壁成长侧壁保护层13；步骤2中的侧壁保护层13的材料为氧化物，氮化物或碳化物。说明书CN102082111ACN102082117A3/4页600323如图2C所示，赝层材料填充部分深隔离槽12赝层材料填充深度要保证形成空隙后后续的CMP工艺不会磨到空隙即可，需要根据CMP的工艺能力来决定，在深隔离槽12内形成赝层14；步骤3中的赝层材料为常温下为液态50，一定温度加热后。
15、为固态100250，更高温下可以汽化的材料250400，如BARCBOTTOMANTIREFLECTIVECOATING，底部抗反射涂层等有机高分子材料。00334如图2D所示，覆盖介质层15填充深隔离槽12；覆盖介质层15的材料采用一般的介质层材料，如SIO2，SIN等，且覆盖介质层15的材料成膜的温度不能高于赝层材料的汽化温度250400，因此需要采用低温成膜工艺，比如本领域常用的SOG或低温ALD工艺；SOG为涂布含SI的高分子有机材料，然后加热分解成SIO2；ALDATOMLAYERDEPOSITION，原子粒沉积工艺是可以在很低的温度下成膜的工艺。00345如图2E所示，光刻刻蚀覆盖。
16、介质层15，在深隔离槽12中心产生小孔16；步骤5中的光刻区域尺寸大小为002UM微米1/2的深隔离槽尺寸之间，且刻蚀完成后底部小孔16的尺寸05UM。步骤5中的刻蚀方法可以为湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺。00356如图2F所示，加热挥发赝层材料，去除赝层14；步骤6中的加热汽化温度一般为250400。00367如图2G所示，介质层介质层材料一般为SIO2，包括各种含其他杂质的SIO2，如B，P，F等填充覆盖介质层的小孔16，在深隔离槽内形成空气间隙17；步骤7中的介质层沉积工艺为普通介质层沉积工艺，如PVD，CVD，HDP等。形成的空气间隙17的横向及底部接触为侧壁保护层材料，上部接触为覆盖介。
17、质层和介质层材料。形成的空气间隙17横向尺寸由侧壁保护层决定，深度由赝层材料填充深度决定。00378如图2H所示，回刻或通过化学机械抛光CMP去除有源区上的介质层，形成具有空气间隙17的深隔离槽；步骤8中的回刻或CMP工艺，其目的是去除有源区的介质层，没有介质层残留在有源区。同时在深隔离槽中的凹陷必须保证空气间隙17上方的介质层500埃。可以残留201000埃的介质层作为后续注入的阻挡层，然后在后续的湿法工艺中去除，但必须同时保证在深隔离槽中空气间隙17上方的介质层500埃。0038实施例20039本发明带空气间隙的深隔离槽的制造方法的另一实施例，具体包括如下步骤00401光刻刻蚀硅基板形成深。
18、隔离槽；步骤1中的刻蚀可以采用光刻胶为掩膜的干法刻蚀，或以氧化物、氮化物或碳化物为第二层硬掩膜HARDMASK的干法刻蚀。如果采用的是硬掩膜的干法刻蚀工艺，后续应该有去除该硬掩膜的工艺。00412在深隔离槽的侧壁成长侧壁保护层，该侧壁保护层材料采用SIN或SIC。00423赝层材料填充部分深隔离槽赝层材料填充深度要保证形成空隙后后续的CMP工艺不会磨到空隙即可，需要根据CMP的工艺能力来决定，在深隔离槽内形成赝层，该赝层材料采用SIO2。00434覆盖介质层填充深隔离槽，该覆盖介质层材料不能与HF反应，例如可以采用SIN或SIC。00445光刻刻蚀覆盖介质层，在深隔离槽中心产生小孔；步骤5中的。
19、光刻区域尺寸大小为002UM1/2的深隔离槽尺寸之间，且刻蚀完成后底部小孔16的尺寸05UM。步骤5中的刻蚀方法可以为湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺。说明书CN102082111ACN102082117A4/4页700456采用HF去除赝层材料；00467介质层介质层材料一般为SIO2，包括各种含其他杂质的SIO2，如B，P，F等填充覆盖介质层的小孔，在深隔离槽内形成空气间隙；步骤7中的介质层沉积工艺为普通介质层沉积工艺，如PVD，CVD，HDP等。形成的空气间隙的横向及底部接触为侧壁保护层材料，上部接触为覆盖介质层和介质层材料。形成的空气间隙横向尺寸由侧壁保护层决定，深度由赝层材料填充深度决定。。
20、00478回刻或通过化学机械抛光CMP去除有源区上的介质层，形成具有空气间隙的深隔离槽。步骤8中的回刻或CMP工艺，其目的是去除有源区的介质层，没有介质层残留在有源区。同时在深隔离槽中的凹陷必须保证空气间隙上方的介质层500埃。可以残留201000埃的介质层作为后续注入的阻挡层，然后在后续的湿法工艺中去除，但必须同时保证在深隔离槽中空气间隙上方的介质层500埃。说明书CN102082111ACN102082117A1/2页8图1A图1B图1C图1D图2A图2B说明书附图CN102082111ACN102082117A2/2页9图2C图2D图2E图2F图2G图2H说明书附图CN102082111A。