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1、10申请公布号CN102007578A43申请公布日20110406CN102007578ACN102007578A21申请号200980113209622申请日20090410200810818220080417JPH01L21/30420060171申请人国立大学法人东北大学地址日本国宫城县申请人斯特拉化工公司72发明人大见忠弘寺本章伸长谷部类宫下雅之74专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021代理人朱丹54发明名称半导体装置的制造方法及半导体基板的清洗方法57摘要在半导体基板等的清洗中，需要进行至少由5个工序构成的清洗。本发明提供一种清洗方法，其包括利用含有臭氧的超纯水进行清洗。
2、的第一工序、利用含有表面活性剂的超纯水进行清洗的第二工序、以及利用含有超纯水和2丙醇的清洗液除去来源于表面活性剂的有机物的第三工序。第三工序后，照射氪气等稀有气体的等离子体，将来源于表面活性剂的有机物进一步除去。30优先权数据85PCT申请进入国家阶段日2010101486PCT申请的申请数据PCT/JP2009/0573162009041087PCT申请的公布数据WO2009/128392JA2009102251INTCL19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书2页说明书8页附图1页CN102007592A1/2页21一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在经过将至少表面为。
3、半导体的基板的所述半导体表面利用含有臭氧的超纯水进行清洗的第一工序、在赋予500KHZ以上的频率的振动的同时利用含有氢氟酸、过氧化氢水、超纯水和表面活性剂的清洗液对所述表面进行清洗的第二工序、和利用含有2丙醇和超纯水的清洗液对所述表面进行清洗的第三工序，向所述表面照射稀有气体等离子体后，进行在所述表面形成栅绝缘膜的工序。2根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第二工序的超纯水中添加有氢。3根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第二工序中添加于超纯水中的氢的浓度为001PPM到16PPM的范围。4根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体装置的制造方。
4、法，其特征在于，所述第二工序的表面活性剂为非离子系表面活性剂。5根据权利要求1至4中任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第二工序的表面活性剂的浓度为10PPM到500PPM。6根据权利要求1至5中任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第二工序的氢氟酸浓度为01到3。7根据权利要求1至6中任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第二工序的过氧化氢水浓度为01到10。8根据权利要求1至7中任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一工序的含有臭氧的超纯水中的臭氧浓度为2PPM到50PPM的范围。9根据权利要求1至8中任意一项所述的半导体装置的制。
5、造方法，其特征在于，所述第三工序的2丙醇浓度为30到50。10根据权利要求1至9中任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，利用所述稀有气体等离子体的照射，将由残存于所述表面的表面活性剂引起的有机物除去。11根据权利要求10中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，利用所述稀有气体等离子体的照射，将所述表面的终端氢除去。12根据权利要求1至11中任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述稀有气体为氪气、氩气、氙气中的至少一种。13根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述稀有气体为氪气。14一种半导体基板的清洗方法，其特征在于，包括利用含有臭氧的超纯水进行清洗。
6、的第一工序，和在赋予500KHZ以上的频率的振动的同时利用含有氢氟酸、过氧化氢水、超纯水和表面活性剂的清洗液进行清洗的第二工序，和利用含有2丙醇和超纯水的清洗液进行清洗的第三工序。15根据权利要求14所述的半导体基板的清洗方法，其特征在于，在所述第二工序的超纯水中添加有氢。16根据权利要求14所述的半导体基板的清洗方法，其特征在于，在所述第二工序中添加于超纯水中的氢的浓度为001PPM到16PPM的范围。17根据权利要求14所述的半导体基板的清洗方法，其特征在于，所述第二工序的表面活性剂为非离子系表面活性剂。权利要求书CN102007578ACN102007592A2/2页318根据权利要求1。
7、4所述的半导体基板的清洗方法，其特征在于，所述第二工序的表面活性剂的浓度为10PPM到500PPM。19根据权利要求14所述的半导体基板的清洗方法，其特征在于，所述第二工序的氢氟酸浓度为01到3。20根据权利要求14所述的半导体基板的清洗方法，其特征在于，所述第二工序的过氧化氢水浓度为01到10。21根据权利要求14所述的半导体基板的清洗方法，其特征在于，所述第一工序的含有臭氧的超纯水中的臭氧浓度为2PPM到50PPM的范围。22根据权利要求14所述的半导体基板的清洗方法，其特征在于，所述第三工序的2丙醇浓度为30到50。23一种清洗方法，其特征在于，在利用含有表面活性剂的清洗液清洗半导体基板。
8、后，利用含有2丙醇和超纯水的清洗液将残留于所述半导体基板上的表面活性剂除去。24根据权利要求23所述的清洗方法，其特征在于，通过在利用含有所述2丙醇和所述超纯水的清洗液清洗后，再照射稀有气体等离子体，而将由残存于所述基板上的所述表面活性剂引起的有机物进一步除去。权利要求书CN102007578ACN102007592A1/8页4半导体装置的制造方法及半导体基板的清洗方法技术领域0001本发明涉及半导体集成电路等半导体装置的制造方法，更具体来说，涉及半导体基板的清洗方法。本发明特别涉及与以往相比可以用较少的工序数获得超高洁净的半导体表面的栅绝缘膜形成前工序。背景技术0002形成于半导体基板上的半。
9、导体集成电路的微细化高集成化在不停地推进着。为了实现微细化高集成化，基板表面必须保持超高洁净。即，必须从基板表面除去有机物、金属及各种颗粒、氧化物氧化膜，为此要进行基板清洗。0003以往，作为基板表面的清洗方法，非专利文献1中记载的RCA清洗是主流。但是，该RCA清洗大量地使用高温、高浓度的药液，并且工序数非常多，因此在生产性和成本方面，乃至对环境的影响方面，都令人担忧。0004由此提出过取代RCA清洗的各种各样的清洗方法。例如，专利文献1提出过如下的清洗方法，其包括利用含有臭氧的超纯水进行清洗的第一工序；在赋予500KHZ以上的频率的振动的同时利用含有氢氟酸、超纯水和表面活性剂的清洗液进行清。
10、洗的第二工序；利用含有臭氧的超纯水进行清洗的第三工序；利用含有用于除去氧化膜的氢氟酸和超纯水的清洗液进行清洗的第四工序；利用超纯水进行清洗的第五工序。0005专利文献1中记载的清洗方法的所有工序都为室温，并且可以用比RCA少的工序数进行清洗。0006该清洗方法可以在第一工序中除去有机物和部分金属，在第二工序中除去颗粒、金属及氧化膜。0007然而，虽然在第一工序、第二工序中完成必需的清洗，可是由于在第二工序中所用的表面活性剂残存于基板表面，因此在第三工序中再次利用含有臭氧的超纯水进行清洗。0008虽然利用含有臭氧的超纯水清洗可以除去表面活性剂，然而会在表面形成氧化膜。为了除去该氧化膜，要利用含有。
11、氢氟酸和超纯水的清洗液进行清洗，最后利用超纯水进行清洗。0009像这样，专利文献1的清洗方法就存在如下的问题，即，包含将因清洗而产生的新的污染使用超纯水清洗的多余的工序。0010另一方面，本申请发明人等先前在专利文献2中提出过如下的方法，即，在将半导体基板用含有醇类例如2丙醇、酮类的水溶液处理后，将附着于半导体表面的醇类、酮类除去。像这样，通过用含有醇类的水溶液进行处理，就可以限制半导体原子在处理液中的溶解量，其结果表明，可以得到表面粗糙性小的表面。此外，还提出过将附着于半导体表面的醇类通过利用氙气等离子体处理来除去的方案。0011专利文献1日本特开平1157636号公报0012专利文献2WO。
12、2006/009003号公报0013非专利文献1WKERNETALRCAREV，NO31，P187，1970说明书CN102007578ACN102007592A2/8页5发明内容0014本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于，提供一种可以用比专利文献1更缩短了的工序数得到超高洁净的半导体表面的半导体基板的清洗方法。0015本发明的目的还在于，提供一种具有可以用比以往更少的工序数得到超高洁净的半导体表面的栅绝缘膜形成前处理工序的半导体装置的制造方法。0016本发明还提供将因表面活性剂带来的有机物也能够除去的清洗方法。0017本发明人等为了解决上述以往的问题进行了深入研究，结果发现如下的栅绝缘。
13、膜形成前处理工序，即，通过采用下述构成，可以用比专利文献1更缩短了的工序数得到超高洁净的半导体表面，从而完成了本发明。0018即，本发明的半导体装置的制造方法的特征在于，在经过以下第一工序、第二工序、第三工序，照射稀有气体等离子体后，进行栅绝缘膜形成工序，其中所述第一工序中，将至少表面为半导体的基板的上述半导体表面利用含有臭氧的超纯水进行清洗，所述第二工序中，在赋予500KHZ以上的频率的振动的同时利用含有氢氟酸、过氧化氢水、超纯水和表面活性剂的清洗液进行清洗，所述第三工序中，利用含有2丙醇和超纯水的清洗液进行清洗，这里，在第一工序和第二工序之间，不需要利用超纯水进行清洗，此外，在第三工序后，。
14、也不需要利用超纯水进行清洗。0019本发明中，首先利用含有臭氧的超纯水进行清洗第一工序。在该第一工序中将有机物及金属的大部分除去。此外，通过进行该第一工序，可以减小全部清洗工序后的表面粗糙度的不均。0020第一工序后，如前所述，可以不用进行超纯水清洗，而进入第二工序的利用含有氢氟酸、过氧化氢水、超纯水和表面活性剂的清洗液的清洗。换言之，可以省略1个超纯水清洗工序。第一工序后，残存于基板表面的是含有臭氧的超纯水，即使它仍旧残留而进入第二工序，也不会造成不良影响。此时，臭氧浓度优选为2PPM到50PPM。如果小于2PPM，则金属的除去就不够充分，如果超过50PPM，则基板表面的粗糙就会变得明显。0。
15、021第二工序是在赋予500KHZ以上的振动的同时利用含有氢氟酸、过氧化氢水、超纯水和表面活性剂的清洗液进行的清洗，利用该清洗，可以除去颗粒、氧化膜中的金属。另外，可以使表面粗糙度的上升极小。对于表面活性剂，从表面张力的降低、溶解性考虑，优选非离子表面活性剂。0022表面活性剂的浓度优选为10PPM到500PPM。这是因为，如果小于10PPM，则颗粒的再附着就会变得明显。另外，如果为500PPM以上，则胶束化了的表面活性剂就会阻碍清洗。0023优选在第二工序的超纯水中含有001PPM到16PPM的氢。这是因为，通过添加氢，颗粒除去效率就会上升。如果氢浓度小于001PPM，则颗粒除去效率降低。另。
16、外，不容易在超纯水中溶解16PPM以上。0024第二工序的氢氟酸浓度优选为01到3。这是因为，如果小于01，则无法充分地蚀刻氧化膜，如果为3以上，则会对表面粗糙度造成不良影响。0025第二工序的过氧化氢水浓度优选为01到10。这是因为，如果小于01，则金属的除去效率降低，如果为10以上，则表面就被氧化。0026第三工序是利用含有2丙醇和超纯水的清洗液进行的清洗。通过使用2丙醇，说明书CN102007578ACN102007592A3/8页6就可以除去在第二工序中残存的表面活性剂的大部分。另外，如专利文献2中所述，通过用含有2丙醇和超纯水的清洗液清洗，可以使基板表面粗糙度的上升极小。00272丙。
17、醇浓度优选为30到50。这是因为，如果小于30，则对基板表面粗糙度上升的抑制不够充分。另外，即使为50以上，也看不到一定程度以上的效果。不仅如此，如果浓度高，则会产生药液的粘度变高、成本方面的缺点，因此可以说30到50是最佳的。0028第三工序后，上述半导体集成电路的基板被旋转干燥，移送到栅绝缘膜形成用小室。此后，通过在栅绝缘膜形成前照射稀有气体等离子体，就可以将基板表面的表面活性剂由表面活性剂引起的有机物完全除去。0029稀有气体无论是氦气、氩气、氪气、氙气的哪一种，都可以看到表面活性剂除去的效果，然而由于在其后的栅绝缘膜形成中氪气是最佳的，因此等离子体照射也是优选氪气。0030根据本发明，。
18、可以获得如下的清洗方法、半导体装置的制造方法，即，不仅可以利用稀有气体等离子体除去在先前进行的清洗工序中无法除去的有机物，而且可以除去将表面终端的氢。附图说明0031图1是本发明的实施例中所用的等离子体处理装置的示意性剖面图。0032图2是表示氪气等离子体的照射时间与硅表面的氢终端除去的关系的曲线图。0033其中，101真空容器处理室，102喷淋平板，103硅基板，104试样台，105同轴波导管，106径向线缝隙天线，107电介质板具体实施方式0034下面，对本发明的优选的实施方式进行例示性的详细说明。但是，该实施例中记载的气体种类或清洗液浓度等只要没有特别限定性的记载，就不是将本发明的范围仅。
19、限定于它们的意思，而只不过是单纯的说明例而已。0035实施例1的清洗方法及比较例1的清洗方法0036将利用CZCZOCHRALSKI法制成的硅100基板尺寸8英寸，电阻值1100CM浸渍在将MERCK公司制ICPMSMULTIELEMENTSTANDARDSOLUTIONIV用超纯水稀释20倍的药液中，在硅晶片表面附着了1013个/CM2左右的FE、NI、CU。0037与实施例1相同地，准备比较例1的清洗方法中所用的硅晶片，在该表面也附着1013个/CM2左右的FE、NI、CU。0038将上述金属污染晶片分别用以下说明的实施例1的方法及比较例1的方法清洗，用全反射荧光X射线分析装置测定此时的硅。
20、晶片表面的FE、NI及CU浓度，将结果表示于表1中。0039实施例1的清洗方法0040利用含有臭氧5PPM的超纯水进行5分钟清洗第一工序，在赋予900KHZ的频率的振动的同时，利用含有氢氟酸05、过氧化氢水1、添加有氢12PPM的超纯水和表面活性剂50PPM的清洗液进行10分钟清洗第二工序，用含有30的2丙醇和超纯水的清洗液进行10分钟清洗第三工序。说明书CN102007578ACN102007592A4/8页70041比较例1的清洗方法0042利用含有臭氧5PPM的超纯水进行5分钟清洗第一工序，在赋予900KHZ的频率的振动的同时，利用含有氢氟酸05、过氧化氢水1、添加有氢12PPM的超纯水。
21、和表面活性剂50PPM的清洗液进行10分钟清洗第二工序，利用含有臭氧5PPM的超纯水进行5分钟清洗第三工序，利用含有氢氟酸05和超纯水的清洗液进行1分钟清洗第四工序，用超纯水进行10分钟清洗第五工序。0043表100440045单位个/CM20046从表1中可以清楚地看到，在如比较例1那样用5个工序进行清洗的情况下和本发明的清洗方法实施例1中，即，将比较例1的5个工序的清洗方法当中的第三工序的利用含有臭氧的超纯水的清洗、第四工序的利用含有氢氟酸和超纯水的清洗液的清洗除去，并将最终工序设为用含有30的2丙醇和超纯水的清洗液的清洗的3个工序的方法，都可以将晶片表面的金属杂质清除到检测极限以下。即，。
22、本发明的实施例1的半导体集成电路的制造方法中，与由5个工序构成的比较例1相同，可以充分地除去金属杂质。0047实施例2的清洗方法和比较例2的清洗方法0048准备在超纯水中溶解了氮化硅粉末SINJOHNSONMATTHEYJAPANINCORPORATED公司制ALFAAESARSINIVALPHAPHASE999的药液。0049将利用CZ法制成的硅100基板尺寸8英寸，电阻值1100CM浸渍在上述SIN污染药液中，在硅晶片表面附着了约3000个SIN粒子。0050将上述SIN污染晶片用下述实施例2的清洗方法及比较例2的清洗方法的方法清洗，用晶片表面异物检查装置测定此时的硅晶片表面的SIN颗粒数。
23、，将结果表示于表2中最小可测粒径0079M。0051实施例2的清洗方法0052利用含有臭氧5PPM的超纯水进行5分钟清洗第一工序，在赋予900KHZ的频率的振动的同时，利用含有氢氟酸05、过氧化氢水1、添加有氢12PPM的超纯水和表面活性剂50PPM的清洗液进行10分钟清洗第二工序，用含有30的2丙醇和超纯水的清洗液进行10分钟清洗第三工序。0053比较例2的清洗方法0054利用含有臭氧5PPM的超纯水进行5分钟清洗第一工序，在赋予900KHZ的频率的振动的同时，利用含有氢氟酸05、过氧化氢水1、添加有氢12PPM的超纯水和表面活性剂50PPM的清洗液进行10分钟清洗第二工序，利用含有臭氧5P。
24、PM的超纯水进行5分钟清洗第三工序，利用含有氢氟酸05和超纯水的清洗液进行说明书CN102007578ACN102007592A5/8页81分钟清洗第四工序，用超纯水进行10分钟清洗第五工序。0055表200560057单位个/晶片0058从表2中所示的实施例2及比较例2的硅晶片表面的SIN颗粒数可以清楚地看到，与比较例2中所示的利用5个工序的清洗方法相比，本发明的实施例2的清洗方法，即，从比较例2的5个工序的清洗方法中除去第三工序的利用含有臭氧的超纯水的清洗和第四工序的利用含有氢氟酸和超纯水的清洗液的清洗，并将最终工序设为利用含有30的2丙醇和超纯水的清洗液的清洗的方法，晶片表面的颗粒变少。。
25、这可以推测是因为，通过减少工序数，搬送中的污染等减少。即，本发明的半导体集成电路的制造方法中，可以实现与以往的方法相比SIN颗粒更少的高洁净的晶片表面。0059然后，对于残存于硅晶片表面的表面活性剂的分析，是使用升温脱离装置大气压离子化质量分析装置TDSAPIMS进行测定的。将取样面积设为866CM2，作为载气以12L/分钟流过氩气。晶片的升温速度设为30/分钟。通过用APIMS测定质量电荷数为45的碎片，相对性地评价了表面活性剂的残存量。0060下面，对使用等离子体的氧化膜形成前处理进行说明。图1是表示本发明中所用的使用了径向线缝隙天线的等离子体处理装置的一例的剖面图。0061图1所示的等离。
26、子体处理装置包括真空容器101、配置于该真空容器101内的喷淋平板102、支承硅基板103的试样台104、同轴波导管105、线缝隙天线106、以及电介质板107。0062图1中，首先，将真空容器处理室101内设为真空，然后在从喷淋平板102最先导入氪气的同时，将处理室101内的压力设定为133PA1TORR左右。0063将硅基板103放置于具有加热机构未图示的试样台104处，将试样的温度设定为400左右。如果上述硅基板103的温度为200550的范围内，则以下所述的结果基本上是相同的。0064上述硅基板103由于在之前紧邻的前处理清洗工序中被实施利用含有氢氟酸或含有氢氟酸、过氧化氢水和表面活性。
27、剂的清洗液的清洗，因此硅表面的未结合键被氢终端。0065然后，从同轴波导管105向径向线缝隙天线106供给频率为245GHZ的微波，将上述微波从上述径向线缝隙天线106穿过设于处理室101的壁面的一部分的电介质板107，导入上述处理室101内。0066所导入的微波将从上述喷淋平板102导入到上述处理室101内的氪气激发，其结果是，在上述喷淋平板102的正下方形成高密度的氪等离子体。0067如果所供给的微波的频率为900MHZ左右以上约10GHZ左右以下的范围，则以下所说明书CN102007578ACN102007592A6/8页9述的结果基本上是相同的。0068在图1的构成中，喷淋平板102与。
28、硅基板103的间隔在本实施例中设定为5CM。该间隔越小，则可以实现越为高速的成膜。虽然在本实施例中，表示出采用使用径向线缝隙天线的等离子体装置的结果，然而也可以使用其他的方法将微波导入处理室内而激发等离子体。0069本实施例中将微波的输出设为3500W，将氪等离子体的照射时间设为10秒。0070实施例3的清洗方法和比较例36的清洗方法0071在用下述5个条件的清洗方法清洗8英寸硅100晶片后，进行TDSAPIMS测定，将结果表示于表3中。0072实施例3的清洗方法3个工序的清洗后进行等离子体处理的清洗方法0073利用含有臭氧5PPM的超纯水进行5分钟清洗第一工序，在赋予900KHZ的频率的振动。
29、的同时，利用含有氢氟酸05、过氧化氢水1、添加有氢12PPM的超纯水和表面活性剂50PPM的清洗液进行10分钟清洗第二工序，用含有2丙醇30和超纯水的清洗液进行10分钟清洗第三工序。0074其后，在上述等离子体处理装置内照射氪等离子体10秒。0075比较例3的清洗方法5个工序的清洗0076利用含有臭氧5PPM的超纯水进行5分钟清洗第一工序，在赋予900KHZ的频率的振动的同时，利用含有氢氟酸05、过氧化氢水1、添加有氢12PPM的超纯水和表面活性剂50PPM的清洗液进行10分钟清洗第二工序，利用含有臭氧5PPM的超纯水进行5分钟清洗第三工序，利用含有氢氟酸05和超纯水的清洗液进行1分钟清洗第四。
30、工序，用超纯水进行10分钟清洗第五工序。0077比较例4的清洗方法3个工序的清洗0078利用含有臭氧5PPM的超纯水进行5分钟清洗第一工序，在赋予900KHZ的频率的振动的同时，利用含有氢氟酸05、过氧化氢水1、添加有氢12PPM的超纯水和表面活性剂50PPM的清洗液进行10分钟清洗第二工序，用超纯水进行10分钟清洗第三工序。比较例4的清洗方法在第三工序中仅使用超纯水，未进行等离子体照射，在这一点上与实施例3不同。0079实施例4的清洗方法3个工序的清洗0080利用含有臭氧5PPM的超纯水进行5分钟清洗第一工序，在赋予900KHZ的频率的振动的同时，利用含有氢氟酸05、过氧化氢水1、添加有氢1。
31、2PPM的超纯水和表面活性剂50PPM的清洗液进行10分钟清洗第二工序，用含有2丙醇30和超纯水的清洗液进行10分钟清洗第三工序。实施例4未进行等离子体处理，在这一点上与实施例3不同。0081比较例5的清洗方法0082利用含有臭氧5PPM的超纯水进行5分钟清洗第一工序，在赋予900KHZ的频率的振动的同时，利用含有氢氟酸05、过氧化氢水1、添加有氢12PPM的超纯水和表面活性剂50PPM的清洗液进行10分钟清洗第二工序，用超纯水进行10分钟清洗第三工序。其后，在上述等离子体处理装置内照射氪等离子体10秒。比较例5在第三工序中使用超纯水，在这一点上与实施例3不同。说明书CN102007578AC。
32、N102007592A7/8页100083表30084实施例3比较例3比较例4实施例4比较例5处理前001001001001001处理后001001060090060085比较例3中在处理前后晶片表面的有机物量没有变化。另一方面，在用超纯水进行最终的清洗的由3个工序构成的比较例4中，与比较例3相比，检测出约60倍的有机物。由此可知，如果在用含有表面活性剂的清洗液清洗后，仅用超纯水清洗，则无法除去有机物。0086用含有超纯水和2丙醇的清洗液进行最终的清洗的3个工序的实施例4与比较例4相比，可以将来源于表面活性剂的有机物降低到009。0087另一方面，在用超纯水进行最终的清洗后照射等离子体的比较例。
33、5即使进行等离子体照射，也只能将来源于表面活性剂的有机物除去到006左右。另一方面，实施例4即使未实施等离子体照射，与仅使用了超纯水的比较例4相比，可以明显地除去有机物。此外，实施例3中，是与比较例3相同程度的有机物残存量，在处理前后都没有变化。0088即可知，只是通过经由利用含有臭氧的超纯水进行清洗的第一工序；在赋予500KHZ以上的频率的振动的同时利用含有氢氟酸、过氧化氢水、超纯水和表面活性剂的清洗液进行清洗的第二工序；利用含有2丙醇和超纯水的清洗液进行清洗的第三工序，并照射氪等离子体，就可以不使表面活性剂残存，并且可以获得与以往的利用5个工序数的清洗方法相同的效果。0089而且，虽然在本。
34、实施例中将稀有气体设为氪气，然而利用氦气、氩气、氙气也可以得到相同的效果。0090虽然在本实施例中将微波的输出设为3500W，将等离子体照射时间设为10秒，然而只要是可以完全地除去表面活性剂的输出照射时间的组合即可。0091另外，通过进行等离子体照射，可以与表面活性剂一起，将硅晶片表面的终端氢也除去。在本实施例的条件下，利用FTIRATR法傅立叶变换红外分光法全反射吸收法测定出硅表面的氢终端除去效果，将结果表示于图2中。0092图2的横轴表示波数CM1，纵轴表示吸水率，表示出氪等离子体的照射时间与硅表面的氢终端除去的变化的关系。0093如图2所示，可知仅用1秒左右的氪等离子体照射，对于硅氢键来。
35、说特征性的波数2100CM1附近的红外吸收就基本上消失，如果是约10秒的照射，则基本上完全消失。0094像这样，通过在氧化膜形成前照射稀有气体等离子体，就可以同时地进行表面活性剂的除去和硅晶片表面的终端氢除去，可以提高栅绝缘膜的泄漏电流减小的效果。接在等离子体照射之后，在洁净化了的表面上，在同一等离子体处理装置内，进行栅绝缘膜的形成。栅绝缘膜的形成可以包括用使用了氪及氧的等离子体将半导体表面直接氧化而形成氧化膜的工序、用使用了氪气等稀有气体及含有氮的气体的等离子体将半导体表面直接氧化而形成氮化膜的工序的任意一方或双方。此外也可以在其上利用等离子体CVD等堆积高介说明书CN102007578ACN102007592A8/8页11电常数的绝缘膜。0095本发明不仅可以适用于具有栅绝缘膜的半导体装置的制造方法中，而且还可以适用于需要清洗的各种基板的制造方法中。说明书CN102007578ACN102007592A1/1页12图1图2说明书附图CN102007578A。