一种激光刻蚀缺陷的修复方法及装置.pdf

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摘要
申请专利号:

CN201010508298.9

申请日:

2010.10.15

公开号:

CN102005503A

公开日:

2011.04.06

当前法律状态:

实审

有效性:

审中

法律详情:

实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/18申请日:20101015|||公开

IPC分类号:

H01L31/18

主分类号:

H01L31/18

申请人:

河南新能光伏有限公司

发明人:

王云; 王晖; 章志斌; 王亚男; 王洪振

地址:

455000 河南省安阳市高薪技术开发区长江大道东段156号

优先权:

专利代理机构:

安阳市智浩专利代理事务所 41116

代理人:

张智和

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内容摘要

本发明公布了一种薄膜太阳电池制造中激光刻蚀缺陷的修复方法及装置,属于半导体制造领域。该方法包括未刻断的导电玻璃单元,在两个未刻断的单元之间施加一直流电压,所述的直流电压为30—40伏,施加的时长为1—5秒。该装置包括置放经刻蚀的导电玻璃平台,在平台上方与刻蚀线同向设置有横杆,在横杆上绝缘设置有上下往复运动装置,至少两个金属触头和与上下往复运动装置绝缘连接,金属触头的另一端分别与直流电源的正负极输出相连接,本装置能够有效避免单元间细微的连接,提高生产效率。

权利要求书

1.一种激光刻蚀缺陷的修复方法,包括未刻断的导电玻璃单元,其特征在于:在两个未刻断的单元之间施加一直流电压。2.根据权利要求1所述的一种激光刻蚀缺陷的修复方法,其特征在于: 所述的直流电压为5—100伏。3.根据权利要求1所述的一种激光刻蚀缺陷的修复方法,其特征在于:所述的直流电压为5—60伏。4.根据权利要求1所述的一种激光刻蚀缺陷的修复方法,其特征在于:所述的直流电压为30—40伏。5.根据权利要求1所述的一种激光刻蚀缺陷的修复方法,其特征在于:施加电压的时长为0.1—10秒。6.根据权利要求1所述的一种激光刻蚀缺陷的修复方法,其特征在于:施加电压的时长为1—5秒。7.一种激光刻蚀缺陷的修复装置,包括置放经刻蚀的导电玻璃平台(1),在平台(1)上方与刻蚀线同向设置有横杆(2),其特征在于:在横杆(2)上绝缘设置有上下往复运动装置,至少两个金属触头(3)和(4)与上下往复运动装置绝缘连接,金属触头(3)和(4)的另一端分别与直流电源(5)的正负极输出相连接,两个金属触头(3)和(4)沿刻蚀线方向不在一条直线上,两个金属触头(3)和(4)与刻蚀线垂直方向的间距小于两个刻蚀单元的宽度。8.根据权利要求7所述的一种激光刻蚀缺陷的修复装置,其特征在于:所述的上下往复运动装置为气缸。9.根据权利要求7所述的一种激光刻蚀缺陷的修复装置,其特征在于:所述的上下往复运动装置为直线电机。10.根据权利要求7所述的一种激光刻蚀缺陷的修复装置,其特征在于:在与刻蚀线垂直的平台的两边分别设置导轨(6)和(7),横梁(2)与导轨(6)和(7)之间沿水平方向滑动连接。

说明书

一种激光刻蚀缺陷的修复方法及装置

技术领域

本发明涉及一种激光刻蚀缺陷的修复方法及装置,特别涉及一种薄膜太阳电池制造中激光刻蚀缺陷的修复方法及装置,属于半导体制造领域。

背景技术

随着化石能源的日益消耗,人类在不断的寻找可替代的能源,特别是可再生能源更是当今研究和发展的一个热点。太阳电池作为一种绿色能源,在过去的几十年取得了长足的进展,按其种类可分为晶硅电池、薄膜电池、燃料敏化电池等。其中非晶硅薄膜太阳电池由于其消耗原料少、环境友好、弱光效应好、能量回收期短、易于大面积制造等优点被业界看好未来,非晶硅薄膜太阳电池生产的主要原材料是大面积导电玻璃和气体,为了获得良好的发电和输出效果,通常需要将大面积导电玻璃通过激光刻蚀的方法分割为多个电池单元,每个单元的宽度根据输出的需要设定,一般在10毫米左右,以目前广泛使用的1.4×1.1m2的导电玻璃为例,需要沿玻璃纵向刻蚀线条数在100条以上,激光刻蚀是依靠激光的能量瞬间被特定的膜层吸收,然后膜层发送升华气华,其本身需要比较洁净的环境和较高的精度,玻璃的局部不平整、沾污、空气中的灰尘等都能导致膜层不能有效的被刻蚀掉,从而导致两个相邻的单元不能被有效的分割,破坏单元化间的串联设计,造成电池的输出功率降低甚至废弃,导致生产效率的低下。

发明内容

本发明针对薄膜太阳电池生产中激光刻蚀导电玻璃存在的缺陷和问题,提供一种激光刻蚀缺陷的修复方法及装置。

本发明所提供的激光刻蚀缺陷的修复方法,包括未刻断的导电玻璃单元,在两个未刻断的单元之间施加一直流电压。所述的直流电压为5—100伏,所述的直流电压为5—60伏,所述的直流电压为30—40伏,施加电压的时长为0.1—10秒,施加电压的时长为1—5秒。

本发明所提供的一种激光刻蚀缺陷的修复装置,包括置放经刻蚀的导电玻璃平台,在平台上方与刻蚀线同向设置有横杆,在横杆上绝缘设置有上下往复运动装置,至少两个金属触头与上下往复运动装置绝缘连接,金属触头的另一端分别与直流电源的正负极输出相连接,两个金属触头和沿刻蚀线方向不在一条直线上,两个金属触头和与刻蚀线垂直方向的间距小于两个刻蚀单元的宽度,所述的上下往复运动装置为气缸,所述的上下往复运动装置为直线电机,在与刻蚀线垂直的平台的两边分别设置导轨,横梁与导轨之间沿水平方向滑动连接。

本方法和装置能够有效的烧断激光刻蚀过程中存在的细微的连接点,实现刻蚀单元之间的有效绝缘,有效的利用了原材料,提高了生产效率和效益。

附图说明

附图1是本发明装置的示意图。

具体实施方式

如附图1所示,在平台1的两个边设置导轨6和7,横梁2与导轨6和7滑动连接,滑动连接可以在通过在导轨6、7上设置滑槽以及在横梁2上设置与之相配合的滑块来实现,也可以采用其它方式,在横梁2上固定设置一垂直方向运动的气缸,在气缸上的运动轴上固定绝缘连接金属触头3和4,金属触头3和4的另一端分别与直流电源5的输出端正负极相连接,金属触头3和4沿刻蚀线方向不在一条直线上,金属触头3和4与刻蚀线垂直方向的间距小于两个刻蚀单元的宽度。本发明中,气缸可以用直线电极来替代,为实现良好的修复效果,可以设置多个金属触头,直流电源5可以为可调直流电源。

本发明的工作过程为:给气缸通气,气缸带动金属触头3和4向下和向上运动,金属触头3和4分别接触和离开相邻的两个单元,实现在两个单元之间施加电压的目的,施加电压的时长可以通过控制气缸来实现。

本发明的方法实施例:

采用测量电阻的方法找出激光刻蚀未刻断的导电玻璃,将其导置于平台1上,通过移动横梁2将金属触头3和4分别置于相互导电的两个单元上方,将直流电源的电压设置在100伏以下,优选的设置在60伏以下,最好为30至40伏,给气缸通气,金属触头3和4分别接触两个单元,由于两个单元之间有细微的连接,在两个单元之间将有电流通过,大的电流会导致这种细微的连接瞬间熔断,实现相互两个单元之间的绝缘。施加电压的时长在10秒以下,一般5秒以下即可,可以通过增加电压和延长时长来优化修复工艺,可以通过横杆2和导轨6和7之间的滑动连接来移动横杆2的位置,对导电玻璃不同位置的单元进行修复。

在详细说明本发明的实施方式之后,熟悉该项技术人士可清楚地了解,在不脱离上述申请专利范围与精神下可进行各种变化与修改,凡依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均属于本发明技术方案的范围,且本发明亦不受限于说明书中所举实例的实施方式。

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资源描述

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1、10申请公布号CN102005503A43申请公布日20110406CN102005503ACN102005503A21申请号201010508298922申请日20101015H01L31/1820060171申请人河南新能光伏有限公司地址455000河南省安阳市高薪技术开发区长江大道东段156号72发明人王云王晖章志斌王亚男王洪振74专利代理机构安阳市智浩专利代理事务所41116代理人张智和54发明名称一种激光刻蚀缺陷的修复方法及装置57摘要本发明公布了一种薄膜太阳电池制造中激光刻蚀缺陷的修复方法及装置,属于半导体制造领域。该方法包括未刻断的导电玻璃单元,在两个未刻断的单元之间施加一直流电。

2、压,所述的直流电压为3040伏,施加的时长为15秒。该装置包括置放经刻蚀的导电玻璃平台,在平台上方与刻蚀线同向设置有横杆,在横杆上绝缘设置有上下往复运动装置,至少两个金属触头和与上下往复运动装置绝缘连接,金属触头的另一端分别与直流电源的正负极输出相连接,本装置能够有效避免单元间细微的连接,提高生产效率。51INTCL19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书2页附图1页CN102005516A1/1页21一种激光刻蚀缺陷的修复方法,包括未刻断的导电玻璃单元,其特征在于在两个未刻断的单元之间施加一直流电压。2根据权利要求1所述的一种激光刻蚀缺陷的修复方法,其特征在于所述。

3、的直流电压为5100伏。3根据权利要求1所述的一种激光刻蚀缺陷的修复方法,其特征在于所述的直流电压为560伏。4根据权利要求1所述的一种激光刻蚀缺陷的修复方法,其特征在于所述的直流电压为3040伏。5根据权利要求1所述的一种激光刻蚀缺陷的修复方法,其特征在于施加电压的时长为0110秒。6根据权利要求1所述的一种激光刻蚀缺陷的修复方法,其特征在于施加电压的时长为15秒。7一种激光刻蚀缺陷的修复装置,包括置放经刻蚀的导电玻璃平台(1),在平台(1)上方与刻蚀线同向设置有横杆(2),其特征在于在横杆(2)上绝缘设置有上下往复运动装置,至少两个金属触头(3)和(4)与上下往复运动装置绝缘连接,金属触头。

4、(3)和(4)的另一端分别与直流电源(5)的正负极输出相连接,两个金属触头(3)和(4)沿刻蚀线方向不在一条直线上,两个金属触头(3)和(4)与刻蚀线垂直方向的间距小于两个刻蚀单元的宽度。8根据权利要求7所述的一种激光刻蚀缺陷的修复装置,其特征在于所述的上下往复运动装置为气缸。9根据权利要求7所述的一种激光刻蚀缺陷的修复装置,其特征在于所述的上下往复运动装置为直线电机。10根据权利要求7所述的一种激光刻蚀缺陷的修复装置,其特征在于在与刻蚀线垂直的平台的两边分别设置导轨(6)和(7),横梁(2)与导轨(6)和(7)之间沿水平方向滑动连接。权利要求书CN102005503ACN102005516A。

5、1/2页3一种激光刻蚀缺陷的修复方法及装置技术领域0001本发明涉及一种激光刻蚀缺陷的修复方法及装置,特别涉及一种薄膜太阳电池制造中激光刻蚀缺陷的修复方法及装置,属于半导体制造领域。背景技术0002随着化石能源的日益消耗,人类在不断的寻找可替代的能源,特别是可再生能源更是当今研究和发展的一个热点。太阳电池作为一种绿色能源,在过去的几十年取得了长足的进展,按其种类可分为晶硅电池、薄膜电池、燃料敏化电池等。其中非晶硅薄膜太阳电池由于其消耗原料少、环境友好、弱光效应好、能量回收期短、易于大面积制造等优点被业界看好未来,非晶硅薄膜太阳电池生产的主要原材料是大面积导电玻璃和气体,为了获得良好的发电和输出。

6、效果,通常需要将大面积导电玻璃通过激光刻蚀的方法分割为多个电池单元,每个单元的宽度根据输出的需要设定,一般在10毫米左右,以目前广泛使用的1411M2的导电玻璃为例,需要沿玻璃纵向刻蚀线条数在100条以上,激光刻蚀是依靠激光的能量瞬间被特定的膜层吸收,然后膜层发送升华气华,其本身需要比较洁净的环境和较高的精度,玻璃的局部不平整、沾污、空气中的灰尘等都能导致膜层不能有效的被刻蚀掉,从而导致两个相邻的单元不能被有效的分割,破坏单元化间的串联设计,造成电池的输出功率降低甚至废弃,导致生产效率的低下。发明内容0003本发明针对薄膜太阳电池生产中激光刻蚀导电玻璃存在的缺陷和问题,提供一种激光刻蚀缺陷的修。

7、复方法及装置。0004本发明所提供的激光刻蚀缺陷的修复方法,包括未刻断的导电玻璃单元,在两个未刻断的单元之间施加一直流电压。所述的直流电压为5100伏,所述的直流电压为560伏,所述的直流电压为3040伏,施加电压的时长为0110秒,施加电压的时长为15秒。0005本发明所提供的一种激光刻蚀缺陷的修复装置,包括置放经刻蚀的导电玻璃平台,在平台上方与刻蚀线同向设置有横杆,在横杆上绝缘设置有上下往复运动装置,至少两个金属触头与上下往复运动装置绝缘连接,金属触头的另一端分别与直流电源的正负极输出相连接,两个金属触头和沿刻蚀线方向不在一条直线上,两个金属触头和与刻蚀线垂直方向的间距小于两个刻蚀单元的宽。

8、度,所述的上下往复运动装置为气缸,所述的上下往复运动装置为直线电机,在与刻蚀线垂直的平台的两边分别设置导轨,横梁与导轨之间沿水平方向滑动连接。0006本方法和装置能够有效的烧断激光刻蚀过程中存在的细微的连接点,实现刻蚀单元之间的有效绝缘,有效的利用了原材料,提高了生产效率和效益。附图说明0007附图1是本发明装置的示意图。说明书CN102005503ACN102005516A2/2页4具体实施方式0008如附图1所示,在平台1的两个边设置导轨6和7,横梁2与导轨6和7滑动连接,滑动连接可以在通过在导轨6、7上设置滑槽以及在横梁2上设置与之相配合的滑块来实现,也可以采用其它方式,在横梁2上固定设。

9、置一垂直方向运动的气缸,在气缸上的运动轴上固定绝缘连接金属触头3和4,金属触头3和4的另一端分别与直流电源5的输出端正负极相连接,金属触头3和4沿刻蚀线方向不在一条直线上,金属触头3和4与刻蚀线垂直方向的间距小于两个刻蚀单元的宽度。本发明中,气缸可以用直线电极来替代,为实现良好的修复效果,可以设置多个金属触头,直流电源5可以为可调直流电源。0009本发明的工作过程为给气缸通气,气缸带动金属触头3和4向下和向上运动,金属触头3和4分别接触和离开相邻的两个单元,实现在两个单元之间施加电压的目的,施加电压的时长可以通过控制气缸来实现。0010本发明的方法实施例采用测量电阻的方法找出激光刻蚀未刻断的导。

10、电玻璃,将其导置于平台1上,通过移动横梁2将金属触头3和4分别置于相互导电的两个单元上方,将直流电源的电压设置在100伏以下,优选的设置在60伏以下,最好为30至40伏,给气缸通气,金属触头3和4分别接触两个单元,由于两个单元之间有细微的连接,在两个单元之间将有电流通过,大的电流会导致这种细微的连接瞬间熔断,实现相互两个单元之间的绝缘。施加电压的时长在10秒以下,一般5秒以下即可,可以通过增加电压和延长时长来优化修复工艺,可以通过横杆2和导轨6和7之间的滑动连接来移动横杆2的位置,对导电玻璃不同位置的单元进行修复。0011在详细说明本发明的实施方式之后,熟悉该项技术人士可清楚地了解,在不脱离上述申请专利范围与精神下可进行各种变化与修改,凡依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均属于本发明技术方案的范围,且本发明亦不受限于说明书中所举实例的实施方式。说明书CN102005503ACN102005516A1/1页5图1说明书附图CN102005503A。

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