使半导体晶片变薄的方法 【技术领域】
一般而言，本发明涉及半导体晶片，具体而言，涉及变薄的半导体晶片。
技术背景
半导体元件生产商通常致力于在降低生产成本的同时增强其产品性能。正如本领有技术人员所知的，离散半导体装置和诸如集成电路的集成半导体装置由半导体晶片制得，然后将半导体晶片分割或切成方块以制造半导体芯片。半导体晶片用作制造半导体装置的基底并在其制造过程中提供结构支撑。为得到充分的结构支撑，半导体晶片通常具有一个最小厚度值，比该最小厚度值更小则半导体晶片会变形并易于损坏，特别是在制造环境中。但是，在许多应用中，较厚的半导体晶片会明显降低装置的性能。如果装置性能成为问题，即使将半导体晶片变薄增加制造半导体装置的成本，半导体元件制造商也会使用变薄的半导体晶片来获得他们给半导体装置带来的性能益处。用薄半导体晶片制造半导体元件的技术包括晶片键合和使用刚性支撑系统。晶片键合技术极大地增加半导体元件的成本，因为要使用贵重材料、贵重的加工工具和受低温限制的高度复杂工艺技术。与晶片键合技术相似，刚性支撑系统由于增加工艺的复杂性也增加了半导体元件的成本。刚性带支撑系统的另一局限性是在从半导体晶片分离刚性带的过程中半导体晶片受损。
因此，找到将半导体晶片变薄进而将其用于制造半导体元件的方法将是有益的。更多的益处在于找到有效的实施方法。
【附图说明】
通过阅读如下详细说明并结合附图，其中相同的标号代表相同元件，将可以更好地理解本发明，这些附图是：
图1为根据本发明的实施方式用在制造半导体元件中的半导体晶片剖视图；
图2为图1的半导体晶片在下一制造阶段中的剖视图；
图3为图2的半导体晶片在下一制造阶段中的剖视图；
图4为图3的半导体晶片在下一制造阶段中的剖视图；
图5为与图4中半导体晶片结合的膜层框架和膜层的俯视图；
图6为所述膜层框架、膜层和图5中半导体晶片沿图5中剖面线6-6的剖面图；
图7为所述膜层框架、膜层和图6中半导体晶片沿与图5所示相同横截面区的剖视图；
图8为根据除去环形支撑结构的实施方式的所述膜层框架、膜层和图6中半导体晶片沿与图5所示相同横截面区的半导体晶片的剖视图；
图9为图7中所述膜层框架、膜层和半导体晶片在下一制造阶段的剖视图；以及
图10为图8中半导体晶片分割后的剖视图。
如果没有明确说明，为简要阐明和方便理解，各图中的元件并未按必需的比例绘制。在一些实例中，为使本发明更清楚，未描述公知的方法、步骤、元件和电路。以下详细描述本质上仅是示例性的，不限制本发明的公开及所公开的实施方式的使用。此外，并未意图通过前文所述的内容，包括标题、技术领域、技术背景或摘要，中的任何明确的或隐含的理论来限制本发明。
【具体实施方式】
一般而言，本发明提供用于制造半导体元件行业中制造变薄的半导体晶片的方法。根据本发明的实施方式，将具有环形支撑结构和的半导体材料设置在前侧带上，将该前侧带设置于膜层框架上。除去部分环形支撑结构后，前侧带为变薄的半导体晶片提供机械支撑。将半导体晶片设置在前侧带上后，通过诸如砂轮的工具将环形支撑结构变薄。可选择地使用激光、锯、湿法刻蚀、干法刻蚀等将环形支撑结构变薄。前侧带为变薄的半导体晶片提供支撑结构并且保护半导体晶片使其免于在变薄过程中地应力下发生变形。将后侧带设置在半导体晶片的后侧，在半导体晶片分割准备中优选除去前侧带。这样，将前侧带置于紫外辐射下以降低其粘性，将后侧带从后侧与膜层框架和半导体晶片连接。接着将半导体晶片分割。在切割过程中后侧带为变薄的半导体晶片提供支撑。
图1为根据本发明的实施方式用于制造半导体元件的半导体晶片10的剖视图。如图1所示，半导体晶片10有侧14和侧16以及初始厚度为T1。侧14称为装置侧、顶侧或前侧，侧16称为底侧或后侧。半导体晶片10在侧14上具有面15，在侧16上具有面17，并且包括多个被划线20分割的半导体芯片区18。应该注意的是：半导体晶片10具有多个互相基本平行的划线20和多个互相基本平行而垂直于所述多个划线20的划线21(如图5所示)。多个划线20结合多个划线21形成格划线23(如图5所示)，该格划线形成单个半导体芯片或芯片区18的边界。
将半导体晶片10设置在后磨带22上。更具体地将装置侧14与后磨带22相连。应该注意的是：后磨带22可为包括粘性面26和非粘性面28的单层膜层或多重膜层，其中装置面14与粘性面26接触。适合用做后磨带22的材料包括聚酯、丙烯酸、聚酰亚胺、紫外感光片、复合材料等。
现在参见图2，将半导体晶片10从后侧16变薄从而使其具有厚度T2。变薄的半导体晶片10减少了面15和面17之间的距离。
现在参见图3，通过从中心区36除去部分半导体晶片10在半导体晶片10中形成腔34，以便中心区的厚度为T3。即通过将半导体晶片的中心区36变薄来形成腔34以获得厚度T3。实例中，厚度T1可大于约600微米(μm)，厚度T2的范围为约200μm至整个半导体晶片10的厚度，并且厚度T3可低于约150μm。T1、T2和T3的厚度值不对本发明造成限制。腔34的形成过程在中心区36中留下中心面37并在半导体晶片10的外围区40中留下缘38。缘38具有内侧壁42和面44。应该注意面44为面17的一部分。中心面37和面15之间的距离低于面15和面17之间的距离。缘38也称为环形结构、环、边缘支撑环、唇缘或支撑物，面44也称为缘表面。可使用砂轮研磨(grinding)后侧16的面17以形成腔34。形成腔34的其他技术包括铣削、干法刻蚀、湿法刻蚀、激光使用等。研磨会通过在半导体晶片中产生断层或其他缺来陷损坏半导体晶片。缺陷会减小半导体晶片的强度并引入应力以及导致半导体晶片的变形。因此刻蚀后侧16以缓解由断层和缺陷导致的应力。应力缓解技术的类型，如腔34形成技术一样，不构成对本发明的限制。
现在参见图4，将后磨带22置于紫外(UV)辐射下以降低其粘性，然后将其除去。厚度为约1.2μm-约2μm的导电材料层46形成于面37、内侧壁42及面44上。适合用于导电材料46的材料包括金合金、钛-镍-金、钛-镍-银等。应该注意的是导电材料层46也可形成于面37的部分而不是整个面上。
图5为根据本发明的一种实施方式中膜层框架50、带64和半导体晶片10的俯视图。膜层框架50具有包括内缘52和外缘54的环状外形。由于图5为俯视图，内缘52和半导体晶片10位于带64下方。在半导体晶片10中形成划线20和划线21。此外，膜层框架50包括顶面56和底面58(底面58如图6所示)、一对在对置侧面上的扁平面60和用于接受定位销的一对配置凹槽62。膜层框架50也称为设置框架配件。
图6为膜层框架50和带64沿图5中截面线6-6的剖视图。膜层框架50中虚线显示的部分比半导体晶片10厚。带64可包括两层系统，其中粘性层66置于基层68上，其中粘性层66具有粘性或者胶性面70并且基层68具有非粘性面72。面70可称为粘性面。带64厚度可为约100μm-约300μm，其中粘性层66厚度可为约15％-约30％带64的厚度。带64优选经紫外(UV)辐射处理通过暴露在UV射线中失去粘性或者胶性的带。同样优选不与砂轮具有相同共振频率的带。适合用于带64的带包括但不限于：Furukawa Electric Co.，Ltd公司制造的生产编号为SP590M和SP537T的带、Nitto Denko Corporation制造的生产编号为UB3083-D和BT-50EF的带等。将半导体晶片10设置于带64上以便使装置侧14与粘性面70接触。
将半导体晶片10设置在带64上以黏附地稳定半导体晶片10。设置时，半导体晶片10的装置侧14与带64的粘性面70接触。应该注意的是图示的膜层框架50为翻转或倒转的构型。
图7为膜层框架50、带64和半导体晶片10沿与图5所示相同的横截面区的剖视图。将缘38变薄以得到介于厚度T2和厚度T3之间的厚度中间值T4。缘表面44和面15之间的距离大于中心面37和面15之间的距离。最好厚度T4大于厚度T3以便金属层46在变薄过程中不受到损坏。根据本发明的一种实施方式，膜层框架50厚度为约150μm，厚度T4为约110μm并且厚度T3为约100μm。因此，唇缘或者缘38具有约10μm的厚度。举例说明，缘38通过研磨加工变薄。可选择地，使用激光、锯、干法刻蚀或湿法刻蚀等使缘38变薄。使缘38变薄的过程使半导体晶片10成为变薄的半导体晶片10。研磨缘38后，用喷嘴喷出的诸如水的溶剂来清洗半导体晶片10以除去研磨过程中可能产生的任何微粒。清洗半导体晶片10的材料类型不构成对本发明的限制。
根据本发明的另一个实施方式，将缘或环状结构38从半导体晶片10上完全除去。举例说明，环状结构38可通过沿外围区40穿切半导体晶片10来除去。图8为使用例如激光切除去除环状结构38的半导体晶片10的剖视图。
参见图9，将带64暴露于UV辐射下以降低其粘性。将具有对置面84和86的划片带74设置在膜层框架50的底面58和半导体晶片10上。划片带74优选经紫外UV辐射处理过的包括基层膜层80和涂覆于基层膜层80面上的粘性膜层82的带。基层膜层80为具有面84的基本非粘性支撑膜层，粘性膜层82具有粘性或者胶性面86。粘性膜层82优选为足够厚以流入腔34(如图3所示)中，而且带74具有可伸展性从而可将其用于取放机器。举例说明，基层膜层80由氯化物依稀聚合物组成并且粘性膜层82由丙烯酸树脂组成。带74厚度可为约100μm-约300μm，其中粘性膜层82厚度可为约15％-约30％带74的厚度。适合作划片带74的带包括，但不限于，Lintec AdvancedTechnologies(USA)，Inc.(Adwill)生产的生产编号为D175、D185、510W和510T的带，Denki Kagaku Kogyo生产的生产编号为UHP-1525M3的带等。将带64除去。
参见图10，将带有半导体晶片10和划片带74的膜层框架50放置在划片机器上，该划片机器沿划线20和划线21切割或锯半导体晶片10以从半导体方格区18中形成单个半导体芯片90。半导体芯片90具有侧92。将基底层例如半导体晶片10切割成单个元件的切割工艺称为切割或分割半导体晶片10或者切割或分割基底。接着将半导体芯片90从划片带74中取走。
至此可知，本发明提供了将半导体晶片变薄的方法，其中该方法包括在半导体晶片中形成环形支撑结构，将半导体晶片设置在膜层框架上以及将环形支撑结构变薄。用与膜层框架结合的前侧带在环形支撑结构变薄过程中为半导体晶片提供支撑。将环形支撑结构变薄后，使用与膜层框架结合的后侧带在晶片分割过程中为变薄的半导体晶片提供支撑。
尽管本发明披露了特定的优选实施方式和方法，但是，对本领域的技术人员而言，在不脱离本发明精神和范围的条件下从前述披露中对特定实施方式和方法所做出变化和修改是显而易见的。本发明仅受权利要求及其延伸和生效法律的规则和原则限制。