一种蓝光聚合物发光显示器件的制备方法 【技术领域】
本发明属于平板显示技术领域，涉及一种蓝光聚合物发光显示器件的制备方法。
背景技术
聚合物发光显示器件，又称聚合物发光二极管，简称PLED(Polymer Light EmittingDiode)。PLED的基本原理是用透明电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，并分别经过各自对应的传输层迁移到发光层，且在高分子聚合物发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。辐射光可从透明电极侧观察到，根据这种发光原理而制成显示器称为PLED显示器。PLED显示器具备主动发光、不需要背光源、低功耗、响应速度等特点，是国内外热点研究的平板显示器件之一。
为了简化PLED显示器件的制造工艺、降低PLED显示器件的制造成本、提高PLED显示器件的良品率，采用蓝光加色转换膜的技术来实现全彩色PLED显示成为当前PLED显示器件研究的重要技术方向之一。而采用蓝光加色转换膜的方式来实现全彩色PLED显示的关键技术是蓝光聚合物发光显示器的制备，该类全彩色PLED显示器件要求蓝光聚合物发光显示器具有发光亮度高、发光效率高、寿命长等特点。因此，新型的具有高亮度、高发光效率、长寿命的蓝光聚合物发光显示成为该技术领域中的重点研究内容。
发明内容：
本发明提出一种蓝光聚合物发光显示器件的制备方法，采用该方法制备的蓝光聚合物发光显示器件可用来制备蓝光+彩色转换膜(CC)型PLED全彩平板显示器件。
一种蓝光聚合物发光显示器件的制备方法，
(1)将洁净的ITO玻璃基板放入匀胶机中，通过旋涂法制备一层聚(3，4-二氧乙基噻吩)和聚(对苯乙烯磺酸)薄膜，形成PLED显示器件的空穴传输层，在真空条件下80℃下干燥；所述空穴传输层厚度10-50nm；
(2)在PLED显示器件的空穴传输层上采用旋涂法制备聚{9，9-二己基-3，6-硅芴-co-[9，9-二己基-2，7-芴]}薄膜，形成PLED显示器件的蓝光发光层，在真空条件下50℃-80℃下退火处理1-3h；所述蓝光发光层厚度10-40nm；
(3)在蓝色发光层上采用真空蒸镀的发法蒸镀电子传输材料制备电子传输层，电子传输材料沉积速率为0.01-2.0nm/s，电子传输层厚度为5-20nm；所述电子传输材料是8-羟基喹啉铝；
(4)最后在电子传输层上采用真空蒸镀的方法蒸镀一层厚度为100nm的钙铝合金，形成PLED显示器件的混合阴极；所述钙铝合金中钙∶铝质量比为1∶10；
(5)采用封装基板对混合阴极进行整体封装，完成蓝光聚合物发光显示器件的制备。
采用本发明提出的一种蓝光聚合物发光显示器件的制备方法制备的蓝光聚合物发光显示器件具有制备工艺简单、制造成本低、蓝光亮度高及发光效率高，长寿命的特点。
【具体实施方式】
实施例1
一种蓝光聚合物发光显示器件的制备方法，
(1)将洁净的ITO玻璃基板放入匀胶机中，通过旋涂法制备一层聚(3，4-二氧乙基噻吩)和聚(对苯乙烯磺酸)薄膜，形成PLED显示器件的空穴传输层，在真空条件下80℃下干燥；所述空穴传输层厚度10nm；
(2)在PLED显示器件的空穴传输层上采用旋涂法制备聚{9，9-二己基-3，6-硅芴-co-[9，9-二己基-2，7-芴]}薄膜，形成PLED显示器件的蓝光发光层，在真空条件下50℃℃下退火处理3h；所述蓝光发光层厚度10nm；
(3)在蓝色发光层上采用真空蒸镀的发法蒸镀电子传输材料制备电子传输层，电子传输材料沉积速率为0.01nm/s，电子传输层厚度为5nm；所述电子传输材料是8-羟基喹啉铝；
(4)最后在电子传输层上采用真空蒸镀的方法蒸镀一层厚度为100nm的钙铝合金，形成PLED显示器件的混合阴极；所述钙铝合金中钙∶铝质量比为1∶10；
(5)采用封装基板对混合阴极进行整体封装，完成蓝光聚合物发光显示器件的制备。
实施例2
1、一种蓝光聚合物发光显示器件的制备方法，其特征在于：
(1)将洁净的ITO玻璃基板放入匀胶机中，通过旋涂法制备一层聚(3，4-二氧乙基噻吩)和聚(对苯乙烯磺酸)薄膜，形成PLED显示器件的空穴传输层，在真空条件下80℃下干燥；所述空穴传输层厚度50nm；
(2)在PLED显示器件的空穴传输层上采用旋涂法制备聚{9，9-二己基-3，6-硅芴-co-[9，9-二己基-2，7-芴]}薄膜，形成PLED显示器件的蓝光发光层，在真空条件下80℃下退火处理2h；所述蓝光发光层厚度40nm；
(3)在蓝色发光层上采用真空蒸镀的发法蒸镀电子传输材料制备电子传输层，电子传输材料沉积速率为2.0nm/s，电子传输层厚度为20nm；所述电子传输材料是8-羟基喹啉铝；
(4)最后在电子传输层上采用真空蒸镀的方法蒸镀一层厚度为100nm的钙铝合金，形成PLED显示器件的混合阴极；所述钙铝合金中钙∶铝质量比为1∶10；
(5)采用封装基板对混合阴极进行整体封装，完成蓝光聚合物发光显示器件的制备。
实施例3
1、一种蓝光聚合物发光显示器件的制备方法，其特征在于：
(1)将洁净的ITO玻璃基板放入匀胶机中，通过旋涂法制备一层聚(3，4-二氧乙基噻吩)和聚(对苯乙烯磺酸)薄膜，形成PLED显示器件的空穴传输层，在真空条件下80℃下干燥；所述空穴传输层厚度30nm；
(2)在PLED显示器件的空穴传输层上采用旋涂法制备聚{9，9-二己基-3，6-硅芴-co-[9，9-二己基-2，7-芴]}薄膜，形成PLED显示器件的蓝光发光层，在真空条件下60℃下退火处理2h；所述蓝光发光层厚度20nm；
(3)在蓝色发光层上采用真空蒸镀的发法蒸镀电子传输材料制备电子传输层，电子传输材料沉积速率为0.01nm/s，电子传输层厚度为5nm；所述电子传输材料是8-羟基喹啉铝；
(4)最后在电子传输层上采用真空蒸镀的方法蒸镀一层厚度为100nm的钙铝合金，形成PLED显示器件的混合阴极；所述钙铝合金中钙∶铝质量比为1∶10；
(5)采用封装基板对混合阴极进行整体封装，完成蓝光聚合物发光显示器件的制备。
实施例4
1、一种蓝光聚合物发光显示器件的制备方法，其特征在于：
(1)将洁净的ITO玻璃基板放入匀胶机中，通过旋涂法制备一层聚(3，4-二氧乙基噻吩)和聚(对苯乙烯磺酸)薄膜，形成PLED显示器件的空穴传输层，在真空条件下80℃下干燥；所述空穴传输层厚度50nm；
(2)在PLED显示器件地空穴传输层上采用旋涂法制备聚{9，9-二己基-3，6-硅芴-co-[9，9-二己基-2，7-芴]}薄膜，形成PLED显示器件的蓝光发光层，在真空条件下80℃下退火处理3h；所述蓝光发光层厚度10nm；
(3)在蓝色发光层上采用真空蒸镀的发法蒸镀电子传输材料制备电子传输层，电子传输材料沉积速率为2.0nm/s，电子传输层厚度为20nm；所述电子传输材料是8-羟基喹啉铝；
(4)最后在电子传输层上采用真空蒸镀的方法蒸镀一层厚度为100nm的钙铝合金，形成PLED显示器件的混合阴极；所述钙铝合金中钙∶铝质量比为1∶10；
(5)采用封装基板对混合阴极进行整体封装，完成蓝光聚合物发光显示器件的制备。
测试结果表明该，采用该材料制备的有机电致蓝光显示器件色坐标为(0.15-0.19，0.08-0.12)，器件启亮电压2V-5V，在15V下器件亮度为3000cd/m2-10000cd/m2，发光效率为3-10cd/A.器件寿命大于20000小时。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施方式仅限于此，对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单的推演或替换，都应当视为属于本发明由所提交的权利要求书确定专利保护范围。