一种光电阴极导电基底.pdf

本发明属于制作超快速光电成象器件的范畴。
    超快速光电器件的半导体光电阴极均需制作在导电基底上，要求导电基底的面电阻率小，光透过率高，与光电阴极相容，且不影响光电成象器件的成象质量。现有的导电基底有热压金属网（英国专利GB1217477），热压金属网导电基底的面电阻率低，与光电阴极相容，但是光透过率不高，更主要的是这种导电基底出现的莫尔现象对光电器件的成象质量有很大影响。

    本发明的目的在于提供一种新的光电阴极导电基底，使之具有面电阻率低，光透过率高，与光电阴极相容，不影响光电器件成象质量的优点。

    本发明的要点是，在光电阴极玻璃窗上真空镀铬，镀层厚约1000，采用线宽为4μm的铬板进行光刻，通过腐蚀，在光电阴极玻璃窗上形成任意走向的，线宽为2～4μm的铬网。

    本发明提出的光电阴极导电基底，先采用人工制作出放大的任意走向的网络图，再利用精缩的方法制成光刻用的铬板，其线条宽度约为4μm。然后，在光电阴极玻璃窗上真空镀铬约1000A厚，利用上述制成的铬板对其进行光刻，通过腐蚀，在光电阴极玻璃窗上形成任意走向的，线宽为2～4μm铬网。采用M1白钢玉微粉对这种具有任意走向铬网地光电阴极玻璃窗进行抛光，以便清除光刻时残存的对光电阴极有毒害的物质，获得一清洁表面。为了减小导电基底的面电阻率，在具有任意走向铬网的光电阴极玻璃窗上电镀金。镀金后所得到的铬网线宽小于3μm。

    按本发明制得的光电阴极导电基底的面电阻率小于300μΩ/□，光透过率大于80%，并与任何半导体光电阴极相容。由于其导电网络走向是随机的，光电器件的空间分辩率不受莫尔现象的影响。

    实施例1

    当光电阴极导电基底上的导电铬网线宽为4μm时，其面电阻率为20Ω/□，光透过率为60%。

    实施例2

    当光电阴极导电基底上的导电铬网线宽为2μm时，其面电阻率为200Ω/□，光透过率为80%。

    实施例3

    在具有线宽为2μm铬网的光电阴极导电基底上电镀金，镀金后得到的导电网络线宽小于3μm，其面电阻率小于300μΩ/□，光透过率大于80%。