导电膜蚀刻剂及蚀刻方法 本发明涉及一种导电膜蚀刻剂，用于制造电子产品的电极图形，特别适用于制作弱光型非晶硅电池的透明电极的电极图形。
本发明还涉及刻蚀剂的蚀刻方法。
导电膜是由SnIno2制作的导电材料，溅射在玻璃板成膜，过去制作弱光型非晶硅电池的电极图形是用耐酸油墨，通过丝网印刷覆盖在导电膜上，未覆盖的部分用盐酸溶解，覆盖部分保留下来即为电极图形，其缺点是制作的电极图形线条不清晰，外观不整洁，电极导电膜易污染，成本高。
本发明的目的正是为了克服上述已有技术的缺点与不足，而提供一种通过化学反应采用印刷的方法的一种导电膜蚀刻剂，从而可得到优良的电极图形，提高产品质量。
本发明的另一目的是提供刻蚀剂的蚀刻方法。
本发明的技术是利用导电膜的SnIno2可与盐酸迅速反应的原理而研制的蚀刻剂。其化学反应为，再加入一些辅助材料制成涂料式的蚀刻剂。
本发明目的是通过下列技术方案实现的：
导电膜蚀刻剂，其特征在于它是由下述重量配比的原料制成的涂料：
盐酸 20-30份
增稠剂 0.2-50份
增塑剂 8-12份
消泡剂 3-4份
水 80-90份。
增稠剂是甲基纤维素、羟丙基纤维素、羟甲基纤维素、黄原胶、淀粉其中任意一种。
增塑剂是邻苯二甲酸二甲酯、癸二酸二丁酯、乙二酸二辛酯、磷酸三甲酚酯其中的任意一种。
消泡剂是十四醇、乙二醇壬醚、B173、NoPco.600B、磷酸三丁酯其中任意一种。
本发明的蚀刻剂地刻蚀方法为：将蚀刻剂用屏蔽网制成图形用丝印的方法印在导电膜上，放入空气中自然反应，时间为2小时，或放入烘箱内烘烤，其温度为60℃±2，时间3-5分钟即可蚀刻导电膜，然后在清水中冲洗或浸泡4小时，即刻蚀成透明的电极图形。
由于采取上述技术方案，使本发明技术与已有技术相比具有如下优点及效果：
a)本发明的蚀刻剂具有溶解速度快、蚀刻线条清晰，外观整洁，一致性好，不损伤导电膜，不污染导电膜表面，从而可提高电子产品的质量和性能；
b)蚀剂剂组方简单，配方合理科学，产品成本低，气味小，污染小；
c)蚀刻方法简单，省工省力，适用范围广。
实施例1：
取盐酸20g，甲基纤维素0.2g，邻苯二甲酸二甲酯12g，十四醇3g，水80g，将上述原料依次加入容器内经搅拌制成本发明的蚀刻剂。
实施例2：
取盐酸25g，羟丙基纤维素0.5g，癸二酸二丁酯10g，乙二醇壬醚4g，水25g，将上述原料依次加入容器内经搅拌制成本发明的蚀刻剂。
实施例3：
取盐酸30g，羟甲基纤维素1.0g，乙二酸二辛酯11g,B1733g，水90g，将上述原料依次加入容器内经搅拌制成本发明的蚀刻剂。
实施例4：
取盐酸22g，黄原胶20g，磷酸三甲酚酯10g,NoPco.600B4.5g，水88g，将上述原料依次加入容器内经搅拌制成本发明的蚀刻剂。
实施例5：
取盐酸28g，淀粉50g，磷酸三甲酚酯8g，磷酸三丁酯3.5g，水85g。将上述原料依次加入容器内经搅拌制成本发明的蚀刻剂。
用实施例1蚀刻剂对4个单元电池组成的外联弱光型非晶硅光电池的透明电极图形时，把屏蔽网作成外联形状，通过丝印方法，把它印在沉积有导电膜的玻璃上，在涂有蚀刻剂的部分即被溶解，未溶解部分即保留下来，成为电极图形。