涂布、 显影装置 【技术领域】
本发明涉及在基板上涂布抗蚀剂并进行显影的涂布、 显影装置。背景技术 在作为半导体制造工序之一的光抗蚀剂工序中， 在半导体晶片 ( 以下称为晶片 ) 的表面涂布抗蚀剂， 并以规定的图案对该抗蚀剂曝光后进行显影而形成抗蚀剂图案。在用 于形成上述抗蚀剂图案的涂布、 显影装置中， 设置有具备用于对晶片进行各种处理的处理 模块的处理块 (block)。
例如如专利文献 1 记载的那样， 处理块通过将形成抗蚀剂膜等各种涂布膜的单位 块和进行显影处理的单位块相互叠层而构成。 晶片依次在各单位块设置的处理块中被传递 以接受处理。
然而， 形成更微小的图案、 会进一步降低成品率， 因此使上述处理块中设置的处理 块多样化。例如， 除了对基板涂布抗蚀剂的抗蚀剂膜形成模块和供给显影液的显影模块之 外， 有时还设置有对涂布了抗蚀剂的晶片的背面进行清洗的背面清洗模块、 对抗蚀剂膜的
上层供给药液进而形成膜的上层用的液处理模块等。 在将上述各种处理模块搭载于处理块 的基础上， 对如何抑制涂布、 显影装置的占地面积进行了研讨。
叠层上述单位块所得的结构， 对于抑制上述占地面积是有效的， 但是由于晶片是 依次被输送到各单位块， 所以当一个处理模块或单位块中发生异常或者进行维修时， 存在 必须停止涂布、 显影装置的全部处理的情况。于是， 产生装置的运转效率降低的问题。
现有技术文献
专利文献 1 ： 日本特开 2007-115831 发明内容 发明要解决的课题
本发明是鉴于上述情况而完成的， 其目的在于提供能够抑制处理块的设置面积， 并且能够在单位块中发生异常或者进行维修时抑制涂布、 显影装置的运转效率降低的技 术。
本发明的涂布、 显影装置， 将由载体搬入到载体块中的基板交接给处理块， 并在该 处理块形成包含抗蚀剂膜的涂布膜之后， 将通过相对于上述处理块位于与载体块相反一侧 的接口块输送到曝光装置的、 并通过上述接口块返回来的曝光后的基板， 在上述处理块进 行显影处理并交接给上述载体块， 上述涂布、 显影装置的特征在于， 包括 ：
a) 上述处理块， 具备 ：
将涂布用单位块相互上下叠层形成 N(N 为 2 以上的整数 ) 层的叠层体， 上述涂布 用单位块具有 ： 将用于形成上述涂布膜的药液供给到基板的液处理模块、 对涂布了药液之 后的基板进行加热的加热模块、 和为了在这些模块之间输送基板， 在连结载体块和接口块 的直线输送路径上移动的单位块用输送机构， 和
与上述叠层体叠层的、 将显影处理用单位块相互上下叠层形成 N(N 为 2 以上的整 数 ) 层的叠层体， 上述显影处理用单位块具有 ： 向基板供给显影液的液处理模块、 对基板 进行加热的加热模块、 和在连结载体块和接口块的直线输送路径上移动的单位块用输送机 构， 其中，
上述 N 层化的涂布用单位块构成为相互形成相同的涂布膜 ；
b) 交接部， 按照各单位块， 设置于载体块一侧， 用于与各单位块的输送机构之间进 行基板的交接 ；
c) 交接机构， 将从载体搬出的基板交接给涂布膜用单位块的交接部 ； 和
d) 用于控制基板的输送的控制部。
作为处理块的一个例子， 能够列举以下结构， 包括 ：
前级处理用单位块， 其具备 ： 向基板供给反射防止膜形成用的药液来形成下层侧 的反射防止膜的下层用液处理模块、 对基板进行加热的加热模块、 和为了在这些模块之间 输送基板， 在连结载体块和接口块的直线输送路径上移动的单位块用输送机构 ； 和
后级处理用单位块， 其与前级处理用单位块叠层， 并具备 ： 向形成有抗蚀剂膜的基 板供给上层侧的膜形成用的药液来形成上层侧的膜的上层用液处理模块、 对基板进行加热 的加热模块、 和为了在这些模块之间输送基板， 在连结载体块和接口块的直线输送路径上 移动的单位块用输送机构，
向上述反射防止膜上供给抗蚀剂液来形成抗蚀剂膜的涂布模块， 设置于前级处理 用单位块和后级处理用单位块的至少一方，
对于前级处理用单位块和后级处理用单位块中的任一者， 分别以利用 N 个形成 N 层的方式叠层。
根据本发明， 作为用于形成包含抗蚀剂膜的涂布膜的单位块， 使用涂布用单位块， 以将该单位块相互上下叠层的方式形成 N(N 为 2 以上的整数 ) 层， 该涂布用单位块包括 ： 向 基板供给用于形成涂布膜的药液的液处理模块 ； 对涂布药液之后的基板进行加热的加热模 块； 和为了在这些模块之间输送基板而在连结载体块和接口块的直线输送路径上移动的单 位块用输送机构。然后， 进一步在这些单位块组叠层有沿上下形成 N 层的显影处理用单位 块。 因此， 能够将处理块的进深尺寸设定为适当的大小， 并且缩小设置面积。 此外， 由于使各 单位块 N 层化， 所以即使当一个单位块发生异常或者进行维护时， 也能够使用其他单位块， 从而能够抑制可动效率的降低。 附图说明
图 1 是本发明的涂布、 显影装置的俯视图。 图 2 是上述涂布、 显影装置的立体图。 图 3 是上述涂布、 显影装置的纵剖侧视图。 图 4 是上述涂布、 显影装置的液处理模块的纵剖侧视图。 图 5 是接口块的纵剖主视图。 图 6 是设置在上述接口块的交接模块的立体图。 图 7 是上述涂布、 显影装置的控制部的结构图。 图 8 是表示上述控制部的存储器的数据的示意图。图 9 是表示上述控制部的存储器的数据的示意图。 图 10 是表示上述涂布、 显影装置中的晶片输送路径的流向图。 图 11 是表示截止到向单位块的输送停止的步骤的流程图。 图 12 是表示检测到异常的情况下的晶片输送路径的示意图。 图 13 是表示检测到异常的情况下的晶片输送路径的示意图。 图 14 是表示截止到向处理模块的输送停止的步骤的流程图。 图 15 是接口块的纵剖主视图。 图 16 是接口块的其他纵剖主视图。 图 17 是示意性表示本发明的涂布、 显影装置中使用的处理块的其他布局的侧视 图 18 是表示使用图 17 所示的处理块时晶片的输送路径的说明图。 图 19 是示意性表示本发明的涂布、 显影装置中使用的处理块的其他布局的侧视 图 20 是示意性表示本发明的涂布、 显影装置中使用的处理块的其他布局的侧视 图 21 是示意性表示本发明的涂布、 显影装置中使用的处理块的其他布局的侧视 符号的说明 W： 晶片 BCT1 ～ BCT6 ： 反射防止膜形成模块 BST1 ～ BST4 ： 背面清洗模块 COT1 ～ COT6 ： 抗蚀剂膜形成模块 DEV1 ～ DEV12 ： 显影模块 HP ： 加热模块 TCT1 ～ TCT4 ： 保护膜形成模块 S1 ： 载体块 S2 ： 处理块 S3 ： 接口块 WEE ： 周缘曝光模块 1： 涂布、 显影装置 30 ： 交接臂 51 ： 控制部 55 ： 输送程序 56 ： 判定程序 61 ： 存储器 64 ： 设定部 A1 ～ A6 ： 主臂图。
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具体实施方式对本发明的涂布、 显影装置 1 进行说明。图 1 所示为将本发明的涂布、 显影装置 1 适用于抗蚀剂图案形成装置时的一个实施方式的俯视图， 图 2 为同一情况下的概略立体 图， 图 3 为同一情况下的概略侧视图。该涂布、 显影装置 1 构成为将用于对密闭收纳有例如 2 五个基板即晶片 W 的载体 C 进行搬入搬出的载体块 S1、 用于对晶片 W 进行处理的处理块 S2 和接口块 S3 呈直线状地排列。进行液浸曝光的曝光装置 S4 与接口块 S3 连接。
在上述载体块 S1 设置有 ： 载置上述载体 C 的载置台 11 ； 从该载置台 11 观看时设置 在前方的壁面上的开闭部 12 ； 和经由开闭部 12 用于从载体 C 取出晶片 W 的交接臂 13。交 接臂 13 沿上下方向上具备五个晶片保持部 14， 并构成为 ： 能够进退自如， 升降自如， 围绕铅 直轴旋转自如， 在载体 C 的排列方向上移动自如。后述的控制部对载体 C 的晶片 W 分配编 号， 交接臂 5 从编号小的晶片起依次将晶片 W 按一次五个一并交接给处理块 S2 的交接模块 BU1。另外， 将能够载置晶片 W 的场所记载为模块， 将该模块中对晶片 W 进行加热、 液处理、 气体供给或周缘曝光等处理的模块记载为处理模块。此外， 处理模块中对晶片 W 供给药液 或清洗液的模块记载为液处理模块。
处理块 S2 与载体块 S1 连接， 该处理块 S2 构成为对晶片 W 进行液处理的第一～第 六的块 B1 ～ B6 从下方起依次叠层。参照处理块 S2 的概略纵剖侧视图即图 4 继续进行说 明。前级处理用单位块即第一单位块 B1 和第二单位块 B2 结构相同， 对晶片 W 进行反射防 止膜的形成和抗蚀剂膜的形成。 后级处理用单位块即第三单位块 B3 和第四单位块 B4 结构相同， 进行液浸曝光用 的保护膜的形成和晶片 W 的背面侧清洗。显影处理用单位块即第五单位块 B5 和第六单位 块 B6 结构相同， 对液浸曝光后的晶片 W 进行显影处理。像这样对晶片 W 进行相同处理的单 位块各设置成两层。此外， 为了便利说明， 将第一～第四的单位块 B1 ～ B4 称为涂布块， 第 五～第六的单位块 B5 ～ B6 称为显影块。
这些单位块 B1 ～ B6 包括 ： 液处理模块、 加热模块、 单位块用的输送单元即主臂 A 和上述主臂 A 移动的输送区域 R1。在各单位块 B 中， 它们的配置布局相同地构成。在各单 位块 B 中， 通过主臂 A 相互独立地输送晶片 W， 对其进行处理。上述输送区域 R1 是从载体块 S1 向接口块 S3 延伸的直线输送路径。在图 1 中表示了第一单位块 B1， 下面作为代表对该 第一单位块 B1 进行说明。
在该第一单位块 B1 的中央形成有上述输送区域 R1。从载体块 S1 向接口块 S3 侧 观看该输送区域 R1 时， 液处理单元 21 和搁板单元 U1 ～ U6 分别配置在左右。
在液处理单元 21 设置有反射防止膜形成模块 BCT1、 BCT2 和抗蚀剂膜形成模块 COT1、 COT2， 从载体块 S1 侧起向着接口块 S3 侧依次排列有 BCT1、 BCT2、 COT1、 COT2。反射防 止膜形成模块 BCT 和抗蚀剂膜形成模块 COT 具备旋转卡盘 22， 旋转卡盘 22 构成为吸附保持 晶片 W 的背面中央部， 并且能够围绕铅直轴旋转自如。图 23 为处理杯， 其上侧开口。处理 杯 23 包围旋转卡盘 22 的周围， 抑制药液的飞溅。当处理晶片 W 时， 在该处理杯 23 内收纳 晶片 W， 将晶片 W 的背面中央部保持于旋转卡盘 22。
此外， 在反射防止膜形成模块 BCT1、 BCT2 设置有这些模块共用的喷嘴 24。图中 25 是支承喷嘴 24 的臂， 图中 26 是驱动机构。驱动机构 26 借助臂 25 使喷嘴 24 在各处理杯 23 的排列方向上移动， 并且借助臂 25 使喷嘴 24 升降。通过驱动机构 26， 喷嘴 24 在反射防止 膜形成模块 BCT1 的处理杯 23 上与反射防止膜形成模块 BCT2 的处理杯 23 上之间移动， 向被
交接给各旋转卡盘 22 的晶片 W 的中心喷出反射防止膜形成用的药液。被供给的药液在通 过上述旋转卡盘 22 而围绕铅直轴旋转的晶片 W 的离心力的作用下， 向晶片 W 的周缘伸展， 形成反射防止膜。此外， 虽然省略了图示， 但反射防止膜形成模块 BCT1、 BCT2 具备向晶片 W 的周端部供给溶剂， 将该周端部的不需要的膜除去的喷嘴。
抗蚀剂膜形成模块 COT1、 COT2 与反射防止膜形成模块 BCT1、 BCT2 相同地构成。 即， 抗蚀剂膜形成模块 COT1、 COT2 具备用于处理各个晶片 W 的处理杯 23 和旋转卡盘 22， 相对 于各处理杯 23 和旋转卡盘 22， 喷嘴 24 为共用。其中， 从上述喷嘴 24 供给抗蚀剂来代替反 射防止膜形成用的药液。 另外， 这里对按每一个液处理模块设置各处理杯 23， 两个液处理模 块共用一个喷嘴 24 的结构进行说明， 但是也能够视为一个液处理模块具备一个喷嘴 24 和 两个处理杯 23， 喷嘴 24 为两个处理杯 23 共用。
搁板单元 U1 ～ U6 从载体块 S1 侧向着接口块 S3 侧依次排列。各搁板单元 U1 ～ U5 构成为将对晶片 W 进行加热处理的加热模块例如叠层为 2 层。加热模块包括对晶片 W 进 行加热的热板和在加热后对晶片 W 进行冷却的冷却板。于是， 单位块 B1 具备 10 个加热模 块， 各加热模块为 HP100 ～ HP109。搁板单元 U6 构成为叠层有对涂布抗蚀剂后的晶片 W 进 行周缘曝光的周缘曝光模块 WEE1、 WEE2。 在上述输送区域 R1 设置有上述主臂 A1。该主臂 A1 构成为， 进退自如、 升降自如、 围绕铅直轴旋转自如、 在处理块 S2 的长度方向上移动自如， 并且能够在单位块 B1 的所有模 块间进行晶片 W 的交接。
对其他单位块进行说明。第二单位块 B2 与已述的第一单位块 B1 相同地构成， 设 置有反射防止膜形成模块 BCT3、 BCT4 和抗蚀剂膜形成模块 COT3、 COT4。此外， 作为构成各 搁板单元 U1 ～ U5 的加热模块设置有 HP200 ～ HP209 等 10 个。作为构成搁板单元 U6 的周 缘曝光模块设置有 WEE3、 WEE4 等两个。
第三单位块 B3 与第一单位块 B1 相同地构成， 不同之处在于第三单位块 B3 包括液 浸曝光用的保护膜形成模块 TCT1、 TCT2 取代反射防止膜形成模块 BCT1、 BCT2。此外， 具备 背面清洗模块 BST1、 BST2 取代抗蚀剂膜形成模块 COT1、 COT2。保护膜形成模块 TCT1、 TCT2 除了对晶片 W 供给用于形成防水性的保护膜的药液之外， 与反射防止膜形成模块 BCT 相同 地构成。即， 各保护膜形成模块 TCT1、 TCT2 分别具备用于处理各晶片 W 的处理杯 23 和旋转 卡盘 22， 喷嘴 24 对于两个处理杯 23 和旋转卡盘 22 为共用。
背面清洗模块 BST1、 BST2 分别单独地设置有对晶片 W 的背面和周缘的斜面部供给 清洗液从而清洗晶片 W 的背面的喷嘴， 来取代对晶片 W 的表面供给药液的喷嘴 24。除了上 述不同之外， 与反射防止膜形成模块 BCT 相同地构成。另外， 背面清洗模块 BST 也可以仅清 洗晶片 W 的背面侧或者仅清洗上述斜面部。 进而， 背面清洗模块 BST1、 BST2 也可以在清洗液 之外还使用刷子部件通过擦扫作用来清洗晶片 W 的背面。此外， 第三单位块 B3 的搁板单元 U6 由加热模块取代周缘曝光模块 WEE 而构成。该搁板单元 U1 ～ U6 的加热模块为 HP300 ～ 311。
第四单位块 B4 与上述第三单位块 B3 相同地构成， 设置有保护膜形成模块 TCT3、 TCT4 和背面清洗模块 BST3、 BST4。 第四单位块 B4 的搁板单元 U1 ～ U6 由加热模块 HP400 ～ 411 构成。
第五单位块 B5 与单位块 B1 大体相同地构成， 不同之处在于具备显影模块 DEV1 ～
DEV4 取代反射防止膜形成模块 BCT1 和抗蚀剂膜形成模块 COT。显影模块 DEV 除了取代非 抗蚀剂对晶片 W 供给显影液之外， 与抗蚀剂膜形成模块 COT 相同地构成。此外， 第五单位块 B5 的搁板单元 U1 ～ U6 由加热模块 HP500 ～ 511 构成。
第六单位块 B6 与单位块 B5 相同地构成， 设置有显影模块 DEV5 ～ DEV8。此外， 第 六单位块 B6 的搁板单元 U1 ～ U6 由加热模块 HP600 ～ HP611 构成。
在各的单位块的液处理单元 21 中， 被供给到晶片 W 的药液例如被排向设置在涂 布、 显影装置的下方侧的未图示的排液路径。由反射防止膜形成模块 BCT、 抗蚀剂膜形成模 块 COT 和保护膜形成模块 TCT 供给到晶片 W 的药液的粘度比显影液的粘度高。于是， 如该 实施方式那样， 将显影模块 DEV 配置于上侧的单位块， 将其他液处理模块配置于下侧的单 位块， 由此能够迅速地对各药液进行排液。其结果， 在各处理模块中能够防止药液挥发， 因 此能够防止液处理单元 21 内的处理环境变化。
如图 1 和图 3 所示， 在输送区域 R1 的载体块 S1 侧设置有跨越各单位块 B 的搁板 单元 U7。下面， 对搁板单元 U7 进行说明。搁板单元 U7 由相互叠层的多个模块构成， 在第一 单位块 B1 的主臂 A1 能够访问的高度位置上， 设置有疏水化处理模块 ADH1、 ADH2 和交接模 块 CPL1 ～ CPL3。在第二单位块 B2 的主臂 A2 能够访问的高度位置上， 设置有疏水化处理 模块 ADH3、 ADH4 和交接模块 CPL4 ～ CPL6。说明中， CPL 和所记载的交接模块 CPL4 ～ CPL6 具备对所载置的晶片 W 进行冷却的冷却台。 BU 和所记载的交接模块构成为能够收纳多个晶 片 W， 并使其滞留。
此外， 疏水化处理模块 ADH1 ～ ADH4 对晶片 W 供给处理气体， 提高晶片 W 表面的疏 水性。由此， 在液浸曝光时抑制各膜从晶片 W 剥落。特别是通过提高晶片 W 的斜面部 ( 周 端部 ) 的疏水性， 即使在由各液处理模块除去该周端部的膜使晶片 W 的表面显露的状态下， 也能够进行处理， 使得该表面具有防水作用， 在液浸曝光时抑制各膜从该周端部剥落。
此外， 在单位块 B3、 B4 的主臂 A3、 A4 能够访问的位置上， 设置有交接模块 CPL7 ～ CPL8、 CPL9 ～ CPL10。进而， 在载体块 S1 的交接臂 13 能够访问的位置上， 设置有交接模块 BU1 和 CPL0。交接模块 BU1 为了一并接收从已述的交接臂 13 输送来的晶片 W 而在上下方 向上具有五个晶片 W 的保持部。交接模块 CPL0 用于使被进行完显影处理的晶片 W 返回载 体 C。
进而， 在单位块 B5 的主臂 A5 能够访问的位置上， 设置有交接模块 CPL12 ～ CPL13 和 BU2， 在单位块 B6 的主臂 A6 能够访问的位置上， 设置有交接模块 CPL14 ～ CPL15 和 BU3。
在搁板单元 U7 设置有检查模块 31。当从单位块 B5、 B6 搬出晶片 W 时， 将搬入检 查模块 31 的晶片 W 输送到交接模块 BU2、 BU3。对于不搬入检查模块 31 的晶片 W， 不经由交 接模块 BU2、 BU3 而返回载体 C。这样通过分别设定路径， 能够对晶片 W 的输送进行控制， 使 得晶片 W 按编号顺序， 即按照来自载体 C 的搬出顺序返回载体 C。
此外， 在处理块 B2 中， 在搁板单元 U7 的附近设置有能够升降自如、 进退自如的第 一交接机构即交接臂 30， 在搁板单元 U7 的各模块间输送晶片 W。
对上述检查模块 31 进行更详细的说明。根据如后述那样选择的检查模块， 将抗蚀 剂膜形成后且曝光前的晶片 W 或显影处理后的晶片 W 搬入检查模块 31。 对于抗蚀剂膜形成 后且曝光前的晶片 W， 检查例如抗蚀剂膜的表面有无异物和抗蚀剂的膜厚。
在将显影处理后的晶片 W 输送到检查模块 31 的情况下， 进行显影后缺陷的检查。该显影后缺陷被分类为显影处理起因的缺陷、 显影处理和涂布处理起因的缺陷， 作为显影 处理起因的缺陷， 例如存在图案崩塌、 线宽异常、 抗蚀剂溶解不良、 显影后附着泡沫、 附着异 物、 抗蚀剂图案间的桥缺陷 ( 在图案间的上部残留抗蚀剂 ) 和溶解生成物 ( 浮沫 ) 的残留 导致的图案缺陷 ( 浮沫缺陷 )。 作为涂布处理和显影处理起因的缺陷， 例如有图案崩塌和图 案的线宽的局部异常。
在该实施方式中， 有无这些缺陷被设定为检查项目。 在执行后述的各检查模式时， 检查模块 31 将所得到的检查数据发送到后述的控制部 51。 后述的控制部 51 基于该检查数 据， 判定有无各缺陷。
接着， 参照图 5 对接口块 S3 的结构进行说明。在接口块 S3 中， 在各单位块的主臂 A1 ～ A6 能够访问的位置上设置有搁板单元 U8。搁板单元 U8 在与第三单位块 B3 ～第六单 位块 B6 对应的位置上具备交接模块 BU4。将在后文中描述交接模块 BU4。在交接模块 BU4 的下方， 相互叠层设置有交接模块 TRS、 CPL16 ～ CPL18。
在接口块 S3， 例如叠层设置有四个曝光后清洗模块 PIR1 ～ PIR4。各曝光后清洗 模块 PIR 与抗蚀剂膜形成模块 COT 相同地构成， 取代抗蚀剂对晶片 W 表面供给保护膜除去 和清洗用的药液。 此外， 在接口块 S3 设置有 3 个接口臂 32、 33、 34。接口臂 32、 33、 34 构成为升降自 如、 进退自如， 并且接口臂 32 能够在水平方向上移动自如。接口臂 32 可访问曝光装置 S4、 交接模块 TRS、 CPL16 ～ CPL18， 在它们之间交接晶片 W。接口臂 33 可访问交接模块 TRS、 CPL16 ～ CPL18 和 BU4， 在这些模块之间交接晶片 W。接口臂 34 可访问交接模块 BU4 和曝 光后清洗模块 PIR1 ～ PIR4， 在这些模块之间交接晶片 W。接口臂 32 ～ 34 构成第二交接机 构。
参照图 6 说明交接模块 BU4。交接模块 BU4 具备在周方向上配置的支柱 41。一 个支柱 41 与其他的支柱 41 之间张设有线 42， 线 42、 42 相互交叉构成组。该线 42、 42 的组 在相互不同的高度位置上设置有多个， 在线 42、 42 的交叉部分上例如设置有圆形的支承部 43。晶片 W 被水平地支承在支承部 43 上。图 6 中仅表示了五个支承部 43， 但是可以朝向上 方设置多个， 以使晶片 W 在各阶层交接。交接臂 33、 34 和主臂 A3 ～ A6 能够进入支柱 41 之 间， 进入后的各臂通过升降动作在与支承部 43 之间交接晶片 W。交接模块 BU1 ～ BU3 例如 也与 BU4 相同地构成。
接着， 参照图 7 对显影装置 1 中设置的控制部 51 进行说明。图中 52 是总线， 进行 各种运算的 CPU53 与总线 52 连接。进而， 存储有处理程序 54、 输送程序 55 和判定程序 56 的存储部 57 与总线 52 连接。处理程序 54 用于对涂布、 显影装置 1 的各部输出控制信号， 对各晶片 W 供给药液和清洗液， 进行加热处理等。
输送程序 55 根据所选择的检查模式和判定程序 56 的判定结果， 对各单位块 B1 ～ B6 的主臂 A1 ～ A6、 交接臂 30 和接口臂 32 ～ 34 输出控制信号， 控制晶片 W 的输送。判定 程序 56 基于例如从检查模块 31 发送的检查数据， 判定晶片 W 有无异常。
存储器 61 与总线 52 连接， 该存储器 61 存储了各晶片 W 的输送时间表和检查模式 31 的检查结果。图 8 表示了存储器 61 中包含的输送时间表存储区域 63 所存储的数据的一 例。该图的数据是在检查模块 31 进行的检查中， 晶片 W 没有异常的正常时的输送时间表。
在输送时间表存储区域 63 中， 使晶片 W 的 ID、 该晶片 W 的输送目的地的模块和被
输送的模块的顺序相互对应起来作为输送时间表加以存储。即， 输送时间表是输送晶片的 路径的数据。例如图中的晶片 A1 按照如下顺序被输送 ： 反射防止膜形成模块 BCT1、 加热模 块 HP100、 抗蚀剂膜形成模块 COT1、 加热模块 HP101、 周缘曝光模块 WEE1、 保护膜形成模块 TCT1、 加热模块 HP300、 背面清洗模块 BST1、 加热模块 500、 显影模块 DEV1 和加热模块 501。
此外， 在该例中， 设定为， 晶片 W 以第一单位块 B1 →第三单位块 B3 →第五单位块 B5 的顺序进行输送， 或者以第二单位块 B2 →第四单位块 B4 →第六单位块 B6 的顺序进行输 送。然后， 当某个晶片 W 被输送到第一单位块 B1 时， 下一个晶片 W 被输送到第二单位块 B2， 再下一个晶片 W 被输送到第一单位块 B1。这样， 从载体 C 持续交出的晶片 W 被交替分配给 不同的单位块 B。
接着， 参照图 9， 对存储器 61 中包含的检查结果存储区域 60 进行说明。该检查结 果存储区域 60 是存储各晶片在已述的每个检查项目中有无异常的区域。此外， 对于有异常 的晶片 W， 如后述那样存储对该晶片 W 进行过处理的模块和单位块。
此外， 在检查结果存储区域 60 中存储有按检查项目设定的输送停止基准。该输送 停止基准是用于停止向对被检测到异常的晶片 W 进行过处理的单位块 B 或处理模块输送后 续的晶片 W 的基准。由上述的检查模块 31 检查的各检查项目， 在发生异常的频度与该输送 停止基准一致的情况下停止上述输送。 以图 9 所示的对于图案崩塌所设定的输送停止基准为例进行说明。按照后述的单 位块 B 选择使输送停止的模式的情况下， 当所检查的晶片 W 初次被检测到图案崩塌时， 如果 在其后通过与该晶片 W 通过了的单位块 B 相同的单位块 B 并被检查的五个晶片 W 中有两个 以上晶片 W 被检测到图案崩塌， 则停止向该单位块 B 输送后续的晶片 W。
此外， 在按处理模块选择使输送停止的模式的情况下， 当所检查的晶片 W 初次被 检测到图案崩塌时， 如果在通过与上述该晶片 W 通过了的处理模块为相同的处理模块并被 检查的五个晶片 W 中有两个以上晶片 W 被检测到图案崩塌， 则停止对该处理模块的输送。 另 外， 上述五个晶片 W 中， 如果被检测到图案崩塌的晶片 W 为一个或 0 个， 则在检查完该五个 晶片 W 之后， 从再次检查出图案崩塌时开始， 再次出现在被检查的五个晶片 W 中有两个以上 晶片 W 被检测到图案崩塌的情况下， 停止对单位块或处理模块的输送。
对于图 9 中的抗蚀剂溶解不良、 显影后的泡沫也设定了与图案崩塌大体相同的输 送停止基准， 但这些检查项目与图案崩塌的情况不同的是， 一旦检测到缺陷之后， 如果被检 查的五个晶片 W 中有一个晶片 W 被检测到相同的缺陷， 则停止向上述的单位块 B 的输送。 此 外， 对于图 9 的浮沫缺陷， 在检测到后迅速进行停止向处理过该晶片 W 的单位块或处理模块 的输送的处理。这样的输送停止基准按已述的检查项目设定。由此， 能够抑制在晶片 W 偶 然产生缺陷的情况下， 产生向单位块或处理模块的输送停止。
返回图 7 继续说明。设定部 64 与总线 52 连接。设定部 64 例如由键盘、 鼠标、 触 摸面板等构成， 能够设定由检查模块 31 进行的检查。作为能够设定的检查， 包括显影处理 后检查 C1 和抗蚀剂膜形成后检查 C2， 用户选择其中的某一项。 在显影处理后检查 C1 中， 在 第五或第六单位块 B5、 B6 接受显影处理的晶片 W， 被输送至检查模块 31 进行检查。在抗蚀 剂膜形成后检查 C2 中， 在第一或第二单位块 B1、 B2 形成有抗蚀剂膜的晶片 W， 被输送至检 查模块 31 进行检查。
选择显影处理后检查 C1 的情况下， 用户进一步选择按单位块 B 停止输送的模式
D1、 和按处理模块停止输送的模式 D3 中的任一种。此外， 选择抗蚀剂膜形成后检查 C2 的情 况下， 用户进一步选择按单位块 B 停止输送的模式 D2、 和按处理模块停止输送的模式 D4 中 的任一种。
进而， 用户例如能够从设定部 64 指定晶片 W 的 ID 来决定成为检查对象的晶片 W。 此外， 总线 52 与例如由显示屏等构成的显示部 65 连接。在显示部 65 中显示例如输送时间 表和各晶片的每个检查项目的检查结果。
( 模式 D1)
接着， 参照图 10 对涂布、 显影装置 1 中的晶片 W 的输送路径进行说明。这里， 预先 选择显影处理后检查 C1， 进一步选择按单位块使晶片 W 的输送停止的模式 D1。首先， 从载 体 C 将晶片 W 通过交接臂 14 输送至交接模块 BU1。从接模块 BU1 输送至第一单位块 B1 的 情况下， 如图 10(a) 所示， 晶片 W 通过交接臂 30 被输送至疏水化处理模块 ADH1、 ADH2 来接 受疏水化处理， 并被输送至交接模块 CPL1。
被输送至交接模块 CPL1 后， 主臂 A1 按如下顺序输送该晶片 W ： 反射防止膜形成模 块 BCT1、 BCT2 →加热模块 HP100 ～ 109 →交接模块 CPL2 →抗蚀剂膜形成模块 COT1、 COT2 → 加热模块 HP100 ～ 109 →周缘曝光模块 WEE3、 WEE4 →交接模块 CPL3， 在晶片 W 依次形成反 射防止膜、 抗蚀剂膜。 通过交接臂 30 将晶片 W 从交接模块 CPL3 输送至第三单位块 B3 的交接模块 CPL7， 主臂 A3 按如下顺序输送该晶片 W ： 保护膜形成模块 TCT1、 TCT2 →加热模块 HP300 ～ 311 → 交接模块 CPL8 →背面清洗模块 BST1、 BST2 →交接模块 BU4， 在晶片 W 形成保护膜， 进而进 行背面清洗。
通过接口臂 33 按照交接模块 CPL16 ～ 18 →接口臂 32 →曝光装置 S4 的顺序输送 上述晶片 W， 并使其接受液浸曝光处理。曝光处理后， 按如下顺序输送晶片 W ： 接口臂 32 → 交接模块 TRS →接口臂 33 →交接模块 BU4 →接口臂 34 →曝光后清洗模块 PIR1 ～ PIR4 → 接口臂 34 →交接模块 BU4 的第五单位块 B5 的高度位置。
接着， 通过主臂 A5 按如下顺序输送上述晶片 W ： 加热模块 HP500 ～ 511 →交接模 块 CPL12 →显影模块 DEV1 ～ DEV4 →加热模块 HP500 ～ 511 →交接模块 CPL13 →交接臂 30 →交接模块 BU2 →检查模块 31， 并对上述晶片 W 进行检查。检查后的晶片 W 按照检查模 块 31 →交接臂 30 →交接模块 BU1 的顺序进行输送， 从交接臂 13 返回载体 C。对于设定为 利用检查模块 31 进行检查的晶片 W， 通过显影模块 DEV1 ～ DEV4、 加热模块 HP500 ～ 511 依 次进行处理后， 按照交接模块 CPL13 →交接臂 30 →交接模块 CPL0 →交接臂 13 →载体 C 的 顺序进行输送。
晶片 W 从缓冲模块 BU1 被输送至第二单位块 B2、 B4、 B6 的情况下， 也对晶片 W 进行 与被输送至上述单位块 B1、 B3、 B5 的情况相同的处理。图 10(b) 表示了像这样通过单位块 B2 → B4 → B6 的情况下的输送路径。
下 面， 简 单 地 说 明 输 送 路 径， 上 述 晶 片 W 按 照 交 接 臂 30 → 疏 水 化 处 理 ADH3、 ADH4 →交接臂 30 →交接模块 CPL4 的顺序被输送。接着， 主臂 A2 按如下顺序输送晶片 W ： 反射防止膜形成模块 BCT3、 BCT4 →加热模块 HP200 ～ 209 →交接模块 CPL5 →抗蚀剂膜形 成模块 COT3、 COT4 →加热模块 HP200 ～ 209 →周缘曝光模块 WEE3、 WEE4 →交接模块 CPL6。 然后， 晶片 W 按照交接臂 30 →交接模块 CPL9 的顺序被输送， 通过主臂 A4 按如下顺序输送
该晶片 W ： 保护膜形成模块 TCT3、 TCT4 →加热模块 HP400 ～ 411 →交接模块 CPL10 →背面 清洗模块 BST3、 BST4 →交接模块 BU4。
在接口块 S3 中， 上述晶片 W 与被输送至第一和第三单位块 B 的晶片 W 同样地被 输送， 接受曝光处理和曝光后清洗处理， 进而被交接到交接模块 BU4 的第六单位块 B6 的高 度位置。然后， 通过主臂 A6 按如下顺序输送上述晶片 W ： 加热模块 HP600 ～ 611 →交接模 块 CPL14 →显影模块 DEV5 ～ DEV8 →加热模块 HP600 ～ 611 →交接模块 CPL15 →交接模块 BU3 →交接臂 30 →检查模块 31 →交接臂 30 →交接模块 CPL0 →载体 C， 对于不是检查对象 的晶片 W， 在上述的输送路径中， 显影、 加热后处理， 按照交接模块 CPL15 →交接臂 30 →交接 模块 CPL0 →交接臂 13 →载体 C 的顺序被输送。
参照图 11 对通过控制部 51 使向单位块 B 的输送停止的工序进行说明。在上述的 路径中， 在输送晶片 W 的期间， 判定程序 56 基于从检查模块 31 发送的检查数据， 判定已述 的各检查项目有无异常， 并将该判定结果存储在检查结果存储区域 60 中。当判定为存在异 常时， 基于输送时间表存储区域 63 的输送时间表， 确定对被检测到异常的晶片 W 进行过处 理的处理模块和单位块 B。进而， 将晶片的 ID、 成为异常的检查项目与上述处理模块和单位 块 B 对应起来， 存储在存储器 61 的检查结果存储区域 60 中 ( 步骤 S1)。
接着， 判定程序 56 基于检查结果存储区域 60 中存储的晶片 W 的过去的检查履历， 判定是否与对该检查项目设定的已述的输送停止基准一致 ( 步骤 S2)。例如成为异常的检 查项目为图案崩塌的情况下， 如上所述对于通过相同单位块 B 的晶片 W， 最初发生图案崩塌 之后， 在对五个晶片 W 进行检查的期间判定是否有两个以上晶片 W 发生了图案崩塌。当判 定为与输送停止基准不一致的情况下， 继续通过单位块 B1 ～ B6 进行处理。
在判定为与输送停止基准一致的情况下， 使对在步骤 S1 中被检测到异常的晶片 W 进行过处理的单位块 B5 或 B6 的各处理模块对晶片 W 的处理和主臂 A 的动作停止。然后， 输送程序 55 更新输送时间表， 以利用单位块 B5、 B6 中处理模块和主臂 A 的动作没有停止的 一方的单位块进行处理。然后， 根据该输送时间表， 对晶片 W 进行输送、 处理 ( 步骤 S3)。
图 12(a)、 (b) 中， 作为一个例子表示了在使向第五单位块 B5 停止输送晶片 W 的情 况下的输送路径， 如该图所示， 在第一～第四单位块 B1 ～ B4 中接受了处理的晶片 W 全部被 搬入第六单位块 B6。与该例子相反， 在使向第六单位块 B6 的输送停止的情况下， 在第一～ 第四单位块 B1 ～ B4 中接受过处理的晶片 W 全部被搬入第五单位块 B5。
这样仅使用单方的显影块， 继续进行处理。然后， 当对于晶片 W 检测到异常时， 判 定程序 56 与步骤 S1 同样地， 基于输送时间表存储区域 63 的输送时间表， 确定对被检测到 异常的晶片 W 进行过处理的处理模块和单位块， 将晶片的 ID、 成为异常的检查项目与上述 处理模块和单位块 B 对应起来， 存储在存储器 61 中 ( 步骤 S4)。
接着， 判定程序 56 参照对单位块 B5 或 B6 的输送停止后的晶片 W 的检查履历， 判 定是否与对该检查项目设定的单位块的输送停止基准一致 ( 步骤 S5)。 当判定为不一致时， 继续通过单位块 B1 ～ B4 和 B5 或 B6 进行处理。
在判定为与输送停止基准一致的情况下， 判定程序 56 判定成为异常的检查项目 与在步骤 S2、 S3 中使单位块 B5 或 B6 停止时被判定为异常的检查项目是否相同 ( 步骤 S6)。 在步骤 S6 中， 当判定为相同的检查项目时， 判定程序 56 进一步判定在步骤 S1 中被判定为 异常的晶片 W 通过的涂布块与在步骤 S4 中被判定为异常的晶片 W 通过的涂布块是否一致( 步骤 S7)。
在步骤 S7 中， 在判定为涂布块为一致的情况下， 可认为上述检查项目的异常是由 涂布块进行的处理引起的， 因此使该涂布块进行的晶片 W 的处理和主臂 A 的动作停止。即， 单位块 B1 和 B3、 B2 和 B4 中的任一方进行的晶片 W 的处理停止。进一步， 输送程序 55 更新 输送时间表， 以利用单位块 B1 ～ B4 中正在运行的单位块进行处理。然后， 根据该输送时间 表， 继续对晶片 W 进行输送、 处理 ( 步骤 S8)。
例如， 如图 12 所示那样， 从向单位块 B5 的输送被停止的状态起， 当与向该单位块 B5 的输送变成停止时相同的检查项目的异常持续， 则根据上述步骤 S6 ～ S8， 停止向单位块 B1、 B3 的输送。然后， 所有晶片 W 按照图 9(b) 所示的单位块 B2 → B4 → B6 的路径依次被 输送。
在步骤 S6 中当判定为与使显影块停止时成为异常的检查项目不同， 或者在步骤 S7 中判定为成为异常的涂布块不同的情况下， 例如继续进行向运行中的各单位块的输送， 对于在步骤 S5 中被判定为与输送停止基准一致的检查项目， 将其显示在显示部 65 中 ( 步 骤 S9)。
( 模式 D2)
接着， 对被设定为进行抗蚀剂膜形成后检查 C2， 进而选择按单位块使输送停止的 模式 D2 的情况进行说明。作为抗蚀剂膜形成后检查 C2 执行时的晶片 W 的输送路径， 结束 抗蚀剂涂布处理， 被搬入交接模块 CPL4、 CPL6 的晶片 W， 通过交接臂 30 被搬入检查模块 31。 通过检查模块 31 检查之后， 经由交接模块 CPL7、 CPL9 被搬入第三、 第四单位块。显影处理 后的晶片 W 按照交接模块 CPL13、 CPL15 →交接模块 CPL0 的顺序被输送， 返回载体 C。除了 上述不同， 与显影处理后检查 C1 执行时同样地输送晶片 W。
在该模式 D2 执行时， 也与显影处理后检查模式执行时同样地按检查项目检查晶 片 W 的异常， 执行步骤 S1 ～ S2 的处理。然后， 当被判定为与步骤 S2 中输送停止基准不一 致的情况下， 继续进行处理。 在判定为与输送停止基准一致的情况下， 使对被检测到异常的 晶片 W 进行过处理的单位块 B1 或 B2 的各处理模块进行的晶片 W 的处理和主臂 A 的动作停 止。然后， 输送程序 55 更新输送时间表， 以利用单位块 B1、 B2 中处理模块和臂的动作没有 停止的一方的单位块进行处理。
图 13 中， 作为一个例子， 表示了使向第二单位块 B2 的晶片 W 的输送停止时的输送 路径， 如该图所示， 后续的晶片 W 从载体 C 全部被搬入第一单位块 B1。然后， 从第一单位块 B1 分配到第三、 第四单位块 B3、 B4。相反， 在向第一单位块 B1 的输送停止的情况下， 后续的 晶片 W 全部从载体 C 被搬入第二单位块 B2。
( 模式 D3)
接着， 对被设定为进行显影处理后检查 C1， 进而选择按处理模块使输送停止的模 式 D3 的情况进行说明。下面参照图 14 对模式 D3 执行时的流程， 以与模式 D1 的差异点为 中心进行说明。在对晶片 W 检测到异常的情况下， 基于输送时间表， 在单位块 B5、 B6 中， 确 定对该晶片 W 进行过处理的处理模块。将晶片的 ID 和成为异常的检查项目与上述处理模 块对应起来， 存储在存储器 61 中 ( 步骤 S11)。接着， 判定程序 56 按照在步骤 S11 中确定的 处理模块， 基于检查结果存储区域 60 的数据， 判定上述各处理模块是否与输送停止基准一 致 ( 步骤 S12)。在判定为哪个处理模块都与输送停止基准不一致的情况下， 继续向各处理模块输 送晶片 W。 存在与输送停止基准一致的处理模块的情况下， 停止该处理模块中的晶片 W 的处 理 ( 步骤 S13)。然后， 以除了像这样停止处理的模块之外进行输送的方式来设定输送时间 表， 继续对晶片 W 进行输送和处理。
继续晶片 W 的处理， 接着当晶片 W 发生异常时， 判定程序 56 与步骤 S11 同样地， 将 成为异常的晶片的 ID 和成为异常的检查项目与显影块中处理过该晶片 W 的处理模块对应 起来， 存储在检查结果存储区域 60 中 ( 步骤 S14)。然后， 与步骤 S12 同样地， 判定程序 56 按步骤 S14 中确定的处理模块， 基于检查结果存储区域 60 的数据， 判定是否存在与输送停 止基准一致的模块 ( 步骤 S15)。
然后， 当存在与输送停止基准一致的检查项目时， 判定程序 56 判定该检查项目是 否与在步骤 S13 中已停止向处理模块输送的检查项目为相同的检查项目 ( 步骤 S16)。 判定 为与相同的检查项目不一致的情况下， 执行步骤 S13 以后的处理， 在显影块中， 停止向与该 输送停止基准一致的处理模块进行输送。
在步骤 S16 中， 判定为相同的检查项目的情况下， 判定程序 56 基于输送时间表， 在 单位块 B1 ～ B4 中确定对步骤 S14 中检测到异常的晶片 W 进行过处理的处理模块。并且， 停止在已确定的处理模块中的晶片 W 的处理。进而， 以除了像这样已停止处理的处理模块 之外进行输送的方式来设定输送时间表， 继续对晶片 W 进行输送和处理 ( 步骤 S17)。所谓 除了已停止处理的处理模块之外进行输送， 具体而言是指将将设定为在一个单位块中向已 停止处理的模块输送的晶片 W， 输送到在上述单位块中进行与该模块相同的处理的其他能 够输送的模块。即， 如果一个加热模块的处理停止， 则将晶片 W 输送到设置有该加热模块的 单位块的其他加热模块来接受处理。 此外， 如果一个液处理模， 进行与上述液处理模块相同 的处理的其他液处理模块来接受处理。这样， 模式 D3 中除了不再向成为不能使用的模块输 送之外， 如图 10 所示将晶片 W 按与各单位块中没有异常时相同的路径输送。
这里， 在执行该模式 D3 的情况下， 对输送停止的处理模块进行补充说明。例如， 在 上述的步骤 S11 中对于晶片 W 检测到图案崩塌， 且该晶片 W 在显影模块 DEV1 和加热模块 500 中接受处理的情况下， 参照过去在 DEV1 接受了处理的晶片 W 的检查结果， 判定各处理模 块是否与输送停止基准一致。进一步， 参照过去在加热模块 500 中接受过处理的晶片 W 的 检查结果， 判定是否与输送停止基准一致。然后， 对于 DEV1 和加热模块 500 中被判定为与 输送停止基准一致的处理模块， 停止向该处理模块的输送。 这样， 能够按处理模块个别地判 定是否与输送停止基准一致。
但是， 显影模块 DEV1 和 DEV2、 DEV3 和 DEV4、 DEV5 和 DEV6、 DEV7 和 DEV8 分别共用 喷嘴 24。于是共用喷嘴 24 的 DEV 中， 当决定停止向一个 DEV 输送时， 向另一个 DEV 的输送 也被决定为停止 ： 。从而， 当向 DEV1 的输送停止时， 向 DEV2 的输送也停止。并且， 如果向 DEV3、 DEV4 的输送停止， 则已输送到单位块 B5 的晶片 W 如已述那样在 DEV3、 DEV4 进行处理 后， 返回载体 C。 此外， 在上述加热模块 500 与输送停止基准一致的情况下， 向其他加热模块 501 ～ 511 输送。
此外， 就反射防止膜形成模块 BCT、 抗蚀剂膜形成模块 COT 和保护膜形成模块 TCT 而言， 设置于各单位块的两台共用喷嘴。 从而， 为了防止各单位块中的处理停止， 在步骤 S17 中不停止向这些液处理模块的输送， 而是将步骤 S15 中与停止基准一致的处理过晶片 W 的这些液处理模块与成为异常的检查项目对应起来， 显示在显示部 65 中。
( 模式 D4)
接着， 对于选择被设定为进行抗蚀剂涂布后检查 C2， 进而按处理模块停止输送的 模式 D4 的情况， 以与选择模式 D3 时的不同之处为中心进行说明。在执行模式 D4 时， 与执 行模式 D2 时同样地进行晶片 W 的输送。即， 将在单位块 B1、 B2 中结束了处理的晶片 W 输送 到检查模块 31。然后， 在对于晶片 W 检测到异常的情况下， 与模式 D3 同样地确定处理过该 晶片 W 的处理模块， 按确定的处理模块判定是否与输送停止基准一致， 在与输送停止基准 一致的情况下， 停止向该处理模块的输送。在模式 D4 中， 由于是对抗蚀剂涂布后的晶片 W 进行检查， 所以停止输送的处理模块是单位块 B1、 B2 的处理模块。向处理模块的输送， 基于 模式 D3 中所说明的规则停止。即， 反射防止膜形成模块 BCT 和抗蚀剂膜形成模块 COT 即使 与输送停止基准一致， 也继续向模块输送。
根据该涂布、 显影装置 1， 将反射防止膜形成模块 BCT 和抗蚀剂膜形成模块 COT 配 置在单位块 B1、 B2 中， 将保护膜形成模块 TCT、 背面清洗模块 BST 配置在单位块 B3、 B4 中， 并将相同结构的单位块上下双层化。而且， 在这些单位块 B1 ～ B4， 还叠层有上下双层化的 显影处理用单位块 B5、 B6。因此， 能够将处理块 S2 的进深尺寸设定为适当的大小， 并且缩 小设置面积。另外， 所谓双层化是指以能够对晶片 W 分别进行相同的处理的方式构成单位 块即可， 并不限定于在各单位块中布局和模块数量是相同的。 进一步， 当执行模式 D1、 D2 时， 即使对于晶片 W 检测到异常的情况下， 停止向双层 化的单位块中的一个单位块输送， 而向另一个单位块继续输送。 而且， 在另一个单位块中继 续对晶片 W 进行处理的期间， 对于该一个单位块， 用户能够在故障时进行修理或进行定期 检查、 调整确认等维护。从而， 能够抑制涂布、 显影装置 1 的运行效率降低。
此外， 如上所述， 通过阶段性地进行停止向显影块的输送和停止向涂布块的输送， 能够抑制将向无需停止输送的涂布块的输送停止， 因此能够更加可靠地抑制运行效率的降 低。但是， 并不限定于像这样阶段性地停止向各单位块的输送。例如在对于晶片 W 检测到 图案崩塌、 线宽局部异常等包含涂布工序的主要原因的显影缺陷时， 也可以同时停止向处 理过该晶片 W 的显影块和涂布块的输送。该情况下， 能够降低产生具有缺陷的晶片 W 的风 险。 此外， 在模式 D1 中， 将使显影块停止的工序设为模式 E1， 将使涂布块停止的工序设为模 式 E2 时， 上述例子中， 在执行模式 E1 之后自动执行模式 E2， 但是也可以为用户能够从设定 部 64 选择是否执行模式 E2。
此外， 执行模式 D3、 D4 时， 由于按处理模块停止晶片 W 的输送， 所以能够抑制停止 运行的处理模块的数量。 从而， 能够抑制装置的运转效率的降低。 执行模式 D3 时， 并不限定 于使显影块的处理模块和涂布块的处理模块阶段性停止， 例如也可以根据成为异常的检查 项目， 使向处理过被检测到异常的晶片 W 的处理模块的输送全部停止。此外， 在模式 D3 中， 将使显影块的处理模块停止的工序设为模式 E3， 将使涂布块的处理模块停止的工序设为模 式 E4 时， 上述例子中， 在执行模式 E3 之后自动执行模式 E4， 但是也可以为用户能够从设定 部 64 选择是否执行模式 E4。
此外， 执行模式 D3、 D4 时， 对于液处理模块 BCT、 COT、 TCT、 BST 和 DEV， 也可以按各 处理杯， 控制晶片 W 的输送的停止。即， 也可以在上述各处理模块中停止向处理过发生了异 常的晶片 W 的一方的处理杯 23 输送晶片 W， 而继续向与该处理杯 23 共用喷嘴 24 的处理杯
23 输送晶片 W。此外， 对于 BCT、 COT、 TCT、 BST， 决定停止向这些液处理模块输送的情况下， 不会继续向这些液处理模块的输送， 而是停止向包含该液处理模块的单位块输送晶片 W。
如上所述， 按处理杯 23 停止晶片 W 的输送的情况下， 为了调整装置内的晶片 W 的 处理个数， 例如不使用一个 BCT 的处理杯 23 的情况下， 能够设定为不使用相同单位块的一 个 COT 的处理杯 23。同样， 例如不使用一个 COT 的处理杯 23 的情况下， 能够设定为也不使 用相同单位块的一个 BCT。进一步， 即使是与像这样已停止向 COT 和 BCT 的处理杯 23 输送 的单位块同样构成的单位块， 也可以通过停止向 COT 为一个的处理杯 23 和 BCT 为一个的处 理杯 23 输送， 调整晶片 W 的处理个数。
此外， 在上述涂布、 显影处理装置 1 中， 接口块 S3 也可以如图 15 所示那样构成。 在 该例子中， 晶片 W 经由接口块 S3， 按单位块 B1、 B2 → B3、 B4 输送。对与图 5 所示的接口块 S3 的不同之处进行说明， 在与单位块 B1、 B2 对应的高度位置上分别设置有交接模块 BU5、 BU6。在与单位块 B3 对应的高度位置上设置有交接模块 BU7、 BU8。在与单位块 B4 对应的 高度位置上设置有交接模块 BU9、 BU10。此外， 在与单位块 B5、 B6 对应的高度位置上分别设 置有交接模块 TRS1、 TRS2。此外， 设置有交接模块 BU11。各交接模块相互叠层。
在单位块 B1、 B2 中结束了处理的晶片 W， 分别被输送到交接模块 BU5、 BU6， 进而通 过接口臂 33 被输送到交接模块 BU7、 BU8。 被输送到交接模块 BU7、 BU8 的晶片 W， 分别被交接 臂 A3、 A4 搬入单位块 B3、 B4， 接受处理。在单位块 B3、 B4 中接受过处理的晶片 W， 被输送到 交接模块 BU9、 BU10， 并通过接口臂 33 被输送到交接模块 CPL16、 CPL17。接着， 晶片 W 与图 5 的例子同样地按照曝光装置 S4 →交接模块 TRS 的顺序被输送， 然后， 按如下顺序输送该晶 片W： 交接模块 TRS →接口臂 33 →交接模块 BU11 →接口臂 34 →曝光后清洗模块 PIR →接 口臂 34 →交接模块 TRS1、 TRS2， 通过主臂 A5、 A6 被输送到单位块 B5、 B6。
图 16 进一步表示其他接口块 S3 的结构。在该图 16 的接口块 S3 中， 叠层设置有 曝光前清洗模块 RD1 ～ RD4， 曝光前清洗模块 RD1 ～ RD4 向曝光前的晶片 W 的表面供给清洗 液， 将该晶片 W 的表面溶出物洗掉。除了设置该曝光前清洗模块 RD1 ～ RD4 之外， 图 16 的 接口块 S3 与图 15 的接口块 S3 相同地构成。
在图 16 的接口块 S3 中， 在第三单位块 B3 或第四单位块 B4 中被处理、 且被输送到 交接模块 BU9 或 BU8 的晶片 W， 通过交接臂 33 被输送到曝光前清洗模块 RD1 ～ RD4 进行清 洗。然后， 晶片 W 按照接口臂 33 →交接模块 CPL14、 15 →曝光处理 S4 的顺序被输送。另外， 图 5 的接口块 S3 中也设置有这样的曝光前清洗模块 RD， 能够进行清洗处理。此外， 在上述 各实施方式中， 从单位块 B1、 B2 向单位块 B3、 B4 输送晶片 W， 也可以由交接臂 33 进行。具 体而言， 在搁板单元 U8 的单位块 B1、 B2 的高度位置上设置结束了涂布处理的交接模块， 从 该交接模块经由交接臂 33 将晶片 W 交接到交接模块 BU4 的搁板单元 U8 的单位块 B3、 B4 的 高度位置上， 由此能够在各层间进行输送。
此外， 在上述实施方式中也可以， 在 TCT1 ～ TCT4 中形成保护膜， 将在加热模块 HP300 ～ 311 或 HP400 ～ 411 中加热后的晶片 W 输送到检查模块 31， 进行检查。这种情况 下， 与上述各模块同样地， 例如基于被检测到异常的晶片 W 的输送路径， 使向在该晶片 W 上 形成了反射防止膜、 抗蚀剂膜和保护膜的单位块的输送停止， 或使向包含在上述单位块中 对该晶片 W 进行过处理的模块的输送停止。
在上述的例子中， TCT 也可以不是保护膜形成模块， 而是在抗蚀剂膜的上层形成反射防止膜的模块。此外， 由疏水化处理模块 ADH 进行的疏水化处理， 在反射防止膜形成模块 BCT 中不是在反射防止膜的形成之前进行， 而是在上述反射防止膜的形成之后、 抗蚀剂涂布 之前进行， 或者也可以在抗蚀剂涂布之后、 晶片 W 输送到单位块 B3、 B4 之前。此外， 各单位 块的叠层顺序不限于此例， 例如也可以将进行显影处理的第五、 第六单位块设置在进行抗 蚀剂膜的形成的第一和第二单位块的下方。 此外， 在上述的例子中， 双层化的各单位块以相 同的方式构成各单位块的数量、 布局， 但是只要能够对晶片 W 进行相同的处理， 并不限定于 这样使各单位块的数量、 布局相同。
此外， 在该涂布、 显影装置 1 中， 在执行已述的各模式对晶片 W 进行处理期间， 能够 在任意的时刻切换到维护模式， 用户例如从选择部 64 进行规定的处理时， 将模式的切换信 号输出到装置 1 的各部， 开始维护模式。作为维护的方式， 如果列举对双层化的涂布膜用单 位块的一个单位进行块维护的情况， 例如可以列举对前级处理用单位块 B1、 B2 中的一方进 行维护的情况。或者， 可以列举对后级处理用单位块 B3、 B4 中的一方进行维护的情况， 或对 显影处理用单位块 B5、 B6 中的一方进行维护的情况。在这样的情况下， 例如向控制部输入 对单位块 B1 进行维护的信息时， 对晶片的输送进行控制， 以不向作为维护的对象的单位块 B1 输送晶片。并且， 在上述的实施方式中， 作为晶片的输送路径， 准备了图 10(a) 所示的路 径和图 10(b) 所示的路径， 因此不将晶片搬入单位块 B1， 即不使用图 10(a) 所示的路径， 因 此不会将晶片搬入包含在该路径中的疏水化处理模块 ADH1、 2 和单位块 B3 和 B5。
在该维护中， 不根据晶片 W 的检查结果， 用户指定停止晶片 W 输送的单位块， 通过 没有停止输送的单位块继续进行晶片 W 的处理。像这样将单位块双层化， 如果不使用进行 维护的单位块所属的输送路径， 则使包含晶片的输送控制的处理简化。
维护模式并不限定于停止向进行维护的单位块所属的输送路径输送的方法。 例如 同时对图 10(a) 所示的路径包含的一个单位块即单位块 B1、 图 10(b) 所示的路径包含的一 个单位块即单位块 B4 进行维护的情况下， 使用图 10(b) 所示的路径包含的单位块 B2 和图 10(a) 所示的路径包含的单位块 B3 是高效率的。这种情况下， 结合双层化的单位块中能够 使用的单位块对晶片进行处理， 在该情况下， 也能够既进行维护， 又能够进行可抑制运转率 降低的装置的运行。
此外， 在维护模式中， 双层化的单位块中的一个例如前级处理用单位块 B1 被维护 的情况下， 可以对该单位块 B1 以外的其他单位块输送晶片。该情况下， 例如对于后级处理 用单位块 B3 和 B4， 使其运转， 将在前级处理用单位块 B1 中处理过的晶片分配到后级处理用 单位块 B3 和 B4， 此外也可以使显影处理用单位块 B5、 B6 运转。
进一步描述本发明的其他实施方式。图 17 表示处理块 S2 的其他例子， 横向列从 下方起依次与图 4 所示的各单位块 B1 ～ B6 对应， 一个块体表示反射防止膜形成模块 BCT1 等的一个液处理模块。 从而， 对于单位块 B1、 B2、 B5 和 B6， 与图 4 所示的单位块相同地构成， 俯视时， 例如如果是单位块 B1 则如图 1 所示。图 17 的例子与图 4 的例子的不同之处在于， 在单位块 B3、 B4 中， 没有设置背面清洗模块 BST1 ～ BST4， 而成为空区域。
这里， 图 18 是选出并概略表示已述的图 10 所示的晶片的路径中用于形成涂布 膜的路径的图。根据图 10 所示的实施方式， 从载体 C 取出的晶片， 经由疏水化处理模块 ADH1 ～ ADH4 中的任一个被搬入用于形成涂布膜的涂布膜用单位块， 但是涂布膜用单位块 在前级处理用单位块 B1(B2) 和后级处理用单位块 B3(B4) 分开。而且， 在前级处理用单位块 B1(B2) 设置有抗蚀剂膜形成用模块 COT1 ～ COT4， 但是也可以将抗蚀剂膜形成用模块 COT1 ～ COT4 配置在后级处理用单位块 B3(B4)。
作为这样的布局的一个例子， 能够列举图 19 的布局。图 19 的纵横的块体格子的 含义与图 17 的块体格子相同， 在该例子中， 将抗蚀剂膜形成用模块 COT1、 COT2 和形成上层 膜的模块即保护膜形成模块 TCT1、 TCT2 设置在后级处理用单位块 B3 中， 并且将抗蚀剂膜形 成用模块 COT3、 COT4 和保护膜形成模块 TCT3、 TCT4 设置在后级处理用单位块 B4 中， 使在图 4 的布局中设置有抗蚀剂膜形成用模块 COT1 ～ COT4 的单位块 B1、 B2 的区域为空区域。另 外， 也可以采用如下结构 ： 将抗蚀剂膜形成用模块 COT1 设置在单位块 B1 中， 并且将抗蚀剂 膜形成用模块 COT2 设置在单位块 B2 中， 将抗蚀剂膜形成用模块 COT3 设置在单位块 B2 中， 并且将抗蚀剂膜形成用模块 COT4 设置在单位块 B4 中。这种情况下， 可以说是将抗蚀剂膜 形成用模块分散配置在前级处理用单位块 B1(B2) 和后级处理用单位块 B3(B4) 中的结构。
此外， 如图 20 所示， 处理块 S2 也可以在后级处理用单位块 B3、 B4 中设置检查模 块 701 ～ 704。该布局相对于图 4 的布局， 设置检查模块 701 ～ 704 来代替背面清洗模块 BST1 ～ BST4。检查模块 701 ～ 704 用于在保护膜形成模块 TCT1 ～ TCT4 中在晶片 W 的表 面形成保护膜之后， 检查涂布面的涂布状态。具体而言， 可以列举例如膜厚的不均匀、 在涂 布膜能看到纹的状态的检测、 未涂布状态的检测等。 如果是未涂布状态， 则可以考虑涂布液 喷出泵、 配管系统的异常等。
检查模块 701 ～ 704 进行的检查中被判定为异常的情况下， 也可以使对被判定为 异常的晶片 W 进行过处理的模块 ( 液处理模块和加热模块 ) 停止， 而继续使用除此以外的 模块， 或者也可以使每一个该晶片 W 使用过的涂布膜用单位块停止， 而继续其他单位块的 运转。对于使用哪一种方式 ( 检查结果被判定为异常的情况下， 选择模块的停止或单位块 的停止的哪一种 )， 例如可以通过由控制部设定模式来实施。
在以上的例子中， 分别使构成涂布膜用单位块的前级处理用单位块和后级处理用 单位块双层化并相互叠层， 但是并不限定于双层化， 也可以是三层化， 一般而言， 则以 N(N 为 2 以上的整数 ) 层化为要件。此外， 对于显影用的块也同样地不限定于双层化， 而可以是 三层化或四层化。
此外， 作为涂布膜用单位块， 也可以在前级处理用单位块和后级处理用单位块不 分开的结构。图 21 表示这样的处理块 S2 的布局， 在该例子中， 反射防止膜形成用的模块和 抗蚀剂膜形成用的模块配置在相同的单位块中， 使该单位块叠层 3 层而三层化。即， 图 21 所示的处理块 S2， 可以说是在图 4 所示的处理块 S2 的布局中， 删除设置有保护膜形成模块 的后级处理用单位块 B3、 B4， 在前级处理用单位块 B1、 B2 的基础上进一步叠层相同结构的 单位块的结构。 这种情况下， 由于不存在后级处理用单位块， 所以前级处理用单位块成为涂 布膜用单位块。
进而， 在图 21 的处理块 S2 中， 将显影处理用单位块叠层 3 个而三层化。另外， 图 21 中为了避免符号的复杂化， 使各层中从下方起所数的层数与 B 之后所标注的数字对应起 来， 使用与图 4 相同的 B1 ～ B6 的符号。