LED封装模块 【技术领域】
本发明涉及照明用LED封装。
背景技术
与传统照明装置相比，LED路灯不仅具有色度好、免维护、寿命长的特点，更重要的是比传统路灯更节能。
中国发明专利文献CN101101103A于2008年1月9日公开了一种LED路灯，包括灯体和LED灯泡，灯体包括头段、中段、尾段，头段与中段对接设置，中段的另一端与尾段对接设置；头段与中段之间设有密封垫，头段通过紧固件与中段连接；尾段与中段之间设有密封垫，尾段通过紧固件与中段连接；中段是一种型材，沿型材长度方向，不同位置具有相同的横截面。中国发明专利文献CN101101102A于2008年1月9日也公开了一种LED路灯，包括灯体和LED灯泡，灯体包括头段、中段、尾段，头段与中段对接设置，中段的另一端与尾段对接设置，头段与中段之间设有密封垫，头段通过紧固件与中段连接；尾段与中段之间设有密封垫，尾段通过紧固件与中段连接；中段是一段型材，沿型材长度方向，不同位置具有相同的横截面，型材具有基板，基板由二块呈“八”字型设置的平板及连接二平板的连接板构成。中国发明专利文献CN101101107A于2008年1月9日也公开了一种LED路灯，包括灯体和LED灯泡，灯体具有正面和反面，灯体的正面具有一由侧板和底面界定出的腔体，灯体的反面设有散热翅，灯体反面的一端还设有路灯杆连接机构；腔体底具有一个平面，腔体内还设有一隔板，隔板靠近路灯杆连接机构所在的一端，隔板将腔体界定为二部分，靠近路灯杆连接机构所在一端的副腔体以及位于隔板另一侧的主腔体；隔板二端与腔体侧壁之间设有令主腔体与副腔体互通的间隙。上述三种LED路灯代表了市面上LED照明技术的主流，包括遂道灯、室内照明灯，其核心技术与上述专利文献公开的内容十分近似。上述技术均通过一个具有印刷电路的铝基板，在铝基板上设置多个单只LED灯泡，然后在铝基板的背部紧贴一散热体，散热体的反面设置散热翅，上述技术还采用了二次光学透镜或反光杯进行二次光学处理，以控制光斑。
然而，上述现有技术仍有不足，制约了LED照明技术的推广应用。上述现有技术的不足是，需要二次光学处理，这就增加了制造难度，并且增加的材料也导致LED照明装置成本的增加以及LED照明装置体积的增大。而且二次光学处理过程中，会导致光通量的损失，及阻碍散热。
【发明内容】
本发明的目的在于克服上述现有技术的不足之处，而提供一种无需二次光学处理的LED封装模块。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现：
LED封装模块，包括基板，其特征在于：该基板具有固晶面和布线面，所述固晶面与所述布线面平行设置，所述固晶面之高度底于所述布线面，所述固晶面与所述布线面之间设有反射过度面；所述固晶面、所述布线面、所述反射过度面表面均具有一层反射膜，所述反射膜的膜系结构为Ni-Ag-Ni。
LED封装模块，其特征在于：所述Ni-Ag-Ni结构各层的厚度分别为2nm-10nm、5nm-30nm、2nm-10nm。
LED封装模块，其特征在于：所述Ni-Ag-Ni结构各层的厚度分别为8nm、15nm、8nm。
LED封装模块，其特征在于：所述反射膜是通过真空溅射或真空蒸镀方式镀设的，即先镀一层Ni，再镀一层Ag，最后再镀一层Ni。
LED封装模块，其特征在于：所述布线面设置于所述基板的顶面，所述返射过度面有二个，二个反射过度面分别设置在所述固晶面的二侧，所述固晶面与所述反射过度面组成一长条状的沟槽。
LED封装模块，其特征在于：所述二个反射过度面均为平面，对称地设置于所述固晶面的二侧。
LED封装模块，其特征在于：所述二个反射过度面均为弧面，二个弧面之凹面相向设置，对称地设置于所述固晶面的二侧。
LED封装模块，其特征在于：所述布线面设置于所述基板的顶面，所述固晶面与所述反射过度面构成一底小口大的锥孔，所述固晶面是所述锥孔的底面，所述反射过度面是所述锥孔的侧壁。
LED封装模块，其特征在于：所述基板为AlSi合金材料，其中，Al的含量为30％-95％，Si的含量为5％-70％。
LED封装模块，其特征在于：根据权利要求1所述的LED封装，其特征在于：所述Ni-Ag-Ni结构各层的厚度分别为8nm、15nm、8nm；所述反射膜是通过真空溅射方式镀设的，即先镀一层Ni，再镀一层Ag，最后再镀一层Ni；所述布线面设置于所述基板的顶面，所述返射过度面有二个，二个反射过度面分别设置在所述固晶面的二侧，所述固晶面与所述反射过度面组成一长条状的沟槽；所述二个反射过度面均为平面，对称地设置于所述固晶面的二侧；所述基板为AlSi合金材料，其中，Al的含量为30％-95％，Si的含量为5％-70％。
本发明的LED封装模块，本身具有光路设计，所述基板具有固晶面和布线面，所述固晶面与所述布线面平行设置，所述固晶面之高度底于所述布线面，所述固晶面与所述布线面之间设有反射过度面；所述固晶面、所述布线面、所述反射过度面表面均设置一层反射膜，所述反射膜的膜系结构为Ni-Ag-Ni；所述Ni-Ag-Ni结构各层的厚度分别为2nm-10nm、5nm-30nm、2nm-10nm；该LED封装模块还包括扩散增光层，所述扩散增光层填充于所述固晶面与所述反射过度面界定而成的空间内，所述扩散增光层位于所述热沉层之上并将所述LED芯片包覆于其中，所述扩散增光层之顶面高于所述LED芯片之顶面；所述扩散增光层是透明硅胶与玻璃微珠的混合物。本发明的LED封装模块因为基板的布线面和反射过度面具有反射膜，设计基板地几何形状时可以人为地控制反射光路，从而控制光斑，无需采用外加的二次透镜或反光杯。本发明的LED封装模块无需二次光学处理，不会产生额外的光通量损失，也不会阻碍LED照明装置散热。
【附图说明】
图1是本发明第一个实施例之基板和反光面的示意图。
图2是本发明第一个实施例之剖面示意图。
图3是本发明第一个实施例中固晶方法流程图。
图4是本发明第一个实施例中线路部分制备方法流程图。
【具体实施方式】
下面将结合附图对本发明作进一步详述。参考图1、图2，本发明第一个实施例是一种LED封装模块，包括基板101和LED芯片110；该基板101为AlSi合金材料，其中，Al的含量为30％-95％，Si的含量为5％-70％；所述基板101具有固晶面1011和布线面1012，所述固晶面1011与所述布线面1012平行设置，所述固晶面1011之高度底于所述布线面1012，所述固晶面1011与所述布线面1012之间设有反射过度面1013；所述固晶面1011、所述布线面1012、所述反射过度面1013表面均设置一层反射膜102，所述反射膜102的膜系结构为Ni-Ag-Ni；所述Ni-Ag-Ni结构各层的厚度分别为2nm-10nm、5nm-30nm、2nm-10nm；所述布线面1012具有线路部分，所述线路部分构成所述基板101上的电路，所述线路部分设置于所述布线面1012的表层，再次参考图1、图2，即所述反射膜102的外侧；所述线路部分具有层状结构，由内向外，所述线路部分包括导热绝缘胶层103、导电镀层104；所述LED芯片110设置于所述固晶面1011，所述固晶面1011与所述LED芯片110之间还具有一热沉层109，所述热沉层109的材料为AuSn合金，其中Au含量为4％-9％，Sn的含量为91％-96％，所述热沉层的厚度为0.005mm-0.02mm；在本实施例中，所述AuSn合金中Au含量为5％，Sn的含量为95％，所述热沉层的厚度为0.008mm。下面简要说明一下固晶方法，参考图3，固晶工序包括以下步骤：(1)设置热沉层，(2)放置LED芯片，(3)焊接，(4)冷却，其中，第(1)步所述的设置热沉层采用真空溅射的方式；第(2)步所述的放置LED芯片是将LED芯片置于热沉层上；第(3)步所述的焊接，是指将第(2)步制成的半成品过焊接炉，焊接炉的温度为250℃-300℃；第(4)步所述的冷却是指常温风冷却。该LED封装模块还包括扩散增光层111，所述扩散增光层111填充于所述固晶面1011与所述反射过度面1013界定而成的空间内，所述扩散增光层111位于所述热沉层109之上并将所述LED芯片110包覆于其中，所述扩散增光层111之顶面高于所述LED芯片110之顶面；所述扩散增光层111是透明硅胶与玻璃微珠的混合物；所述布线面1012还具有绝缘部分，所述线路部分构成所述基板101上的电路，所述线路部分与所述绝缘部分构成所述布线面1012的表层；该LED封装模块还包括换能层108，所述换能层108设置于所述布线面1012并覆盖于所述线路部分和绝缘部分之外；所述换能层108是导热绝缘胶与纳米TiO2和纳米SnO2的混合物，本实施例中，纳米TiO2和纳米SnO2是等比例配比的，当然作为本实施例的一种变换方案，也可以采用现有技术中公开的其它比例。本实施例中，所述基板101之SiAl合金中Al的含量为85％，Si的含量为15％。再次参考图1，本实施例中，所述布线面1012设置于所述基板101的顶面，所述返射过度面1013有二个，二个反射过度面1013分别设置在所述固晶面1011的二侧，所述固晶面1011与所述二个反射过度面1013组成一长条状的沟槽；所述沟槽开口大底部小；二个反射过度面1013均为平面，对称地设置于所述固晶面1011的二侧，二个反射过度面1013的夹角为75°-105°，本实施例中，二个反射面1013的夹角为90°。本实施例中，所述Ni-Ag-Ni结构各层的厚度分别为8nm、15nm、8nm；所述反射膜是通过真空溅射或真空蒸镀方式镀设的，即先镀一层Ni，再镀一层Ag，最后再镀一层Ni。本实施例中，所述导热绝缘胶层103的材料为环氧树脂与α-Al2O3的混合物，当然，作为一种替代方案，也可以采用聚酰亚胺与α-Al2O3的混合物，所述导热绝缘胶层103的厚度为0.02mm-0.06mm，本实施例中是0.03mm。所述导电镀层104是0.002mm-0.018mm厚度的纳米电沉积Cu，本实施例中纳米电沉积Cu的层厚度为0.005mm；所述导电镀层104还包括一设置在所述纳米电沉积Cu底部的真空镀底层，所述真空镀底层为5nm-10nm的电沉积Ni，本实施例中，真空镀底的厚度是6nm，因真空镀底层的厚度很薄，图2中未示出。下面简要说明线路部分的制作方法，参考图4，所述线路部分制作工序包括以下步骤：(1)丝印导热绝缘胶层，(2)烘干，(3)贴保护膜，(4)真空镀底，(5)纳米电沉积Cu，其中，第(1)步所述的导热绝缘胶层的厚度为0.03mm，所述导热绝缘胶层的材料为环氧树脂与α-Al2O3的混合物；第(2)步所述的烘干为热风烘干，该烘干步骤采用的温度为180℃-200℃；第(3)步所述的保护膜，是PET膜加硅胶粘结；第(4)步所述的真空镀底，是以真空溅射方式沉积6nm的Ni；第(5)步所述的纳米电沉积Cu，是以真空溅射或真空蒸镀金方式沉积0.005mm厚度的Cu；所述保护膜可以保留在半成品上，在设置所述换能层时再除去即可。当然，作为本实施例的一种替代方案，可以用AgSn合金代替AuSn合金，且该AgSn的组份可以是：Ag的含量为1％-25％，Sn的含量为75％-99％，优选组份是：Ag的含量为20％，Sn的含量为80％，AgSn合金虽然能实现固晶和导热要求，但其贵金属使用的比例及焊接效果均不如AuSn理想，不过Ag比Au要经济得多，易于产业化推广。实施例中，所述LED芯片110表面还设置荧光层。本实施例中，该模块还包括表面封胶层107，所述表面封胶层107的材料为透明硅胶与荧光粉的混合物，所述表面封胶层107设置于所述扩散增光层111的外侧，因为设置了扩散增光层111，客观上也起到另外一个作用，那就是减小了面封胶层107的厚度，从而节约了荧光粉的使用量。