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1、10申请公布号CN102339182A43申请公布日20120201CN102339182ACN102339182A21申请号201110172189922申请日20110624G06F3/04420060171申请人苏州瀚瑞微电子有限公司地址215163江苏省苏州市高新区科技城培源路2号微系统园M1栋3楼72发明人金莉蔡立达陈奇李海54发明名称单层ITO的布线结构57摘要本发明涉及一种单层ITO的布线结构，由若干个依次顺序排列的触控电极组构成，所述触控电极组包括正触控电极和负触控电极，所述每组中的正触控电极与负触控电极相对排列，且两电极的相对处呈S形曲线。本发明所述的单层ITO的布线结构，相。
2、对双层ITO的布线而言，制造工艺更加简单，所以成本低廉，再者，由单层ITO组成的触摸屏厚度较薄，易于处理侦测的数据。51INTCL19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书2页附图2页CN102339195A1/1页21一种单层ITO的布线结构，由若干个依次顺序排列的触控电极组构成，所述触控电极组包括正触控电极和负触控电极，其特征在于所述每组中的正触控电极与负触控电极相对排列，且两电极的相对处呈S形曲线。2如权利要求1所述的布线结构，其特征在于所述触控电极组中，一个方向上的电极分别布设于另一个方向电极之间的空隙区域。3如权利要求1所述的布线结构，其特征在于所述正负触控。
3、电极的面积均呈递变趋势。4如权利要求3所述的布线结构，其特征在于所述正负电极的面积一个呈递增趋势，另一个则呈递减趋势。5如权利要求1所述的布线结构，其特征在于所述由正负触控电极构成的电极组外形类似三角形。6如权利要求1所述的布线结构，其特征在于所述正负触控电极构成的电极组外形类似梯形。7如权利要求1至6中任意一项所述的布线结构，其特征在于所述正负触控电极面积相等。8如权利要求1所述的布线结构，其特征在于所述任意两电极组的间距相等。9如权利要求1所述的布线结构，其特征在于所述正触控电极与负触控电极均通过导线连接到触控芯片的相应引脚上。权利要求书CN102339182ACN102339195A1/。
4、2页3单层ITO的布线结构技术领域0001本发明涉及一种ITO的布线结构，尤其是指一种单层ITO的布线结构。背景技术0002所谓ITO（铟锡氧化物）是一种用于生产液晶显示器的关键材料，目前，其在仪器仪表、计算机、电子表、游戏机和家用电器等领域都有了极为广泛的应用。近年来市场上大热的电容式触摸屏也是利用ITO来完成侦测触摸的动作，而电容触摸屏上ITO的布线一般是双层，其主要原理是利用人体电场，当使用者触摸时，表面行或列的交叉处感应单元的互电容（也称耦合电容）会有变化，根据上述变化最终可检测出触摸点的具体位置。0003常见的双层ITO的结构是菱形结构，其双层ITO分别布设在玻璃基板的同侧面上，为了。
5、避免电极之间的相互导通，所以需要在玻璃基板上设置桥接点，这样就可将双层ITO布设在玻璃基板的同一侧面上。虽然上述方法实现了侦测触摸的动作，但是这种采用双层ITO的触摸屏结构，不但工艺复杂，而且桥接处容易损坏，产品良率低，导致成本升高。为了克服上述缺点，部分厂商将ITO的结构设置成矩形，然后双面设置在玻璃基板的两层，如此以来，工艺的确的简单了很多，而且提高了产品良率，但是仍旧采用的是双层ITO的布线结构，ITO本身成本就较高，再加上双层的结构，使由此形成触摸屏的厚度也就增加了。如果能够克服双层ITO布图结构带来的局限性，所以无论是从成本上还是触摸屏的结构上考虑，单层ITO均具有更多优势。0004。
6、因此需要为广大用户提供一种更加简便的ITO的布线结构来解决以上问题。发明内容0005本发明实际所要解决的技术问题是如何提供一种工艺简单，成本低廉的单层ITO的布线结构。0006为了实现本发明的上述目的，本发明提供了一种单层ITO的布线结构，由若干个依次顺序排列的触控电极组构成，所述触控电极组包括正触控电极和负触控电极，所述每组中的正触控电极与负触控电极相对排列，且两电极的相对处呈S形曲线。0007本发明所述的单层ITO的布线结构，相对双层ITO的布线而言，制造工艺更加简单，所以成本低廉，再者，由单层ITO组成的触摸屏厚度较薄，易于处理侦测的数据。附图说明0008图1是根据本发明所述单层ITO布。
7、线的第一种实施例。0009图2是根据本发明所述单层ITO布线的第二种实施例。具体实施方式0010下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。0011请参考图1所示，本发明涉及单层ITO的布线结构，所述ITO层1由多个触控电极说明书CN102339182ACN102339195A2/2页410组成，所述触控电极10具有两个触控电极11和12，依次交错排列。其中，所述两个触控电极11和12一个是正极，一个是负极，组成一个触控电极组，而由若干个依次顺序排列的触控电极组就构成了单层ITO。0012所述触控电极组中的所述触控电极11与所述触控电极12相对排列，且相对处呈S形曲线。所述触控电极组中，一个方。
8、向上的电极分别布设于另一个方向电极之间的空隙区域。所述正、负触控电极11和12的面积呈递变趋势，若一个触控电极呈递增趋势，那么另一个触控电极则呈递减趋势。所述每组触控电极中的正触控电极11和每组触控电极中的负触控电极12经导线分别连接到触控芯片2的相应引脚上。0013所述图1中单层ITO1中触控电极10由类三角形组成，其中，三角形的斜边是曲线，呈S形。所述每组触控电极组中的正、负触控电极面积相等，且所述每组触控电极的间距相等，即所述任意两电极组的间距相等。如此以来，可以保证更加精确的侦测出触控对象的具体位置。所述正触控电极11和负触控电极12交错排列，且各个触控电极最终通过导线连接到触控芯片2。
9、的相应引脚上。0014所述图2中单层ITO1中触控电极10由类梯形组成，其中，梯形的斜边是曲线，呈S形。所述每组触控电极组中的正、负触控电极面积相等，且所述每组触控电极的间距相等，即所述任意两电极组的间距相等。如此以来，功能匹配性好，且易于处理侦测的数据。0015上述详细论述了由两种形状形成的触控电极组成的单层ITO的布图结构，利于侦测出触控对象的具体位置，所以不限于上述两种形式，只要两电极的相对处呈S形曲线，即使其它形状一样可以设计成上述布局结构，由于原理相同，不一一论述，但均应列入本发明的保护范围之中。说明书CN102339182ACN102339195A1/2页5图1说明书附图CN102339182ACN102339195A2/2页6图2说明书附图CN102339182A。