非易失性存储装置、非易失性存储系统及存取装置.pdf

由存取装置对非易失性存储装置存取时，非易失性存储装置或存取装置测出或算出非易失性存储装置的温度(T)。非易失性存储装置的温度适应型控制部基于温度(T)来控制对非易失性存储器的存取速率。而且，不使非易失性存储装置的温度(T)超过极限温度(Trisk)。从而，非易失性存储装置取出时无烫伤之危险，且能够构成可高速读写的非易失性存储系统。

1.  一种根据来自外部的存取指示进行数据的读出与写入的非易失性存储装置，其特征在于，
具备：存储数据的非易失性存储器；以及
对所述非易失性存储器进行数据读写的存储器控制器，
所述存储器控制器具有根据所述数据的读出或写入时的所述非易失性存储装置的工作条件来控制数据的读出或写入的存取速率的存取速率控制部。

2.  权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，
所述工作条件是所述非易失性存储装置的温度，
所述存取速率控制部具备：
温度检测部，检测所述非易失性存储装置的温度；以及
温度适应型控制部，保存所述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度和低于所述第1阈值温度的安全温度即第2阈值温度，在所述温度检测部测出的温度高于所述第1阈值温度时停止存取，在所述温度检测部测出的温度低于所述第2阈值温度时重新开始存取。

3.  权利要求2所述的非易失性存储装置，其特征在于，
所述存取速率控制部的温度适应型控制部保存表示与所述非易失性存储装置使用上危险的温度临近之状态的第3阈值温度，在所述温度检测部测出的温度高于所述第3阈值温度时进行使存取速率降低的存取速率控制。

4.  权利要求2所述的非易失性存储装置，其特征在于，
所述温度检测部包含温度传感器。

5.  权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，
所述存取速率控制部具有状态信息生成部，该状态信息生成部生成表示所述非易失性存储装置之状态的状态信息，并将所述状态信息通知到外部。

6.  权利要求5所述的非易失性存储装置，其特征在于，
所述状态信息是表示所述非易失性存储装置的温度的信息。

7.  权利要求5所述的非易失性存储装置，其特征在于，
所述状态信息是警告信息，该警告信息表示所述非易失性存储装置的温度高于所述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度。

8.  权利要求5所述的非易失性存储装置，其特征在于，
所述状态信息是存取速率控制实施信息，该存取速率控制实施信息表示是否进行了所述存取速率控制。

9.  权利要求5所述的非易失性存储装置，其特征在于，
所述状态信息是读写许可时间，该读写许可时间表示所述非易失性存储装置的温度从存取开始至达到所述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度的时间。

10.  权利要求5所述的非易失性存储装置，其特征在于，
所述状态信息是读写许可量，该读写许可量表示直至所述非易失性存储装置的温度达到所述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度，可对所述非易失性存储装置读写的数据量。

11.  权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，
所述工作条件是所述非易失性存储装置的温度，
所述存取速率控制部具备：
温度计算部，以存取速率和用所述存取速率对所述非易失性装置进行数据读写的时间为变量计算所述非易失性存储装置的温度；以及
温度适应型控制部，保存所述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度和低于所述第1阈值温度的安全温度即第2阈值温度，在所述温度检测部测出的温度高于所述第1阈值温度时停止存取，在所述温度计算部算出的温度低于所述第2阈值温度时重新开始存取。

12.  权利要求11所述的非易失性存储装置，其特征在于，
所述存取速率控制部的温度适应型控制部保存表示与所述非易失性存储装置使用上危险的温度临近之状态的第3阈值温度，在所述温度计算部算出的温度高于所述第3阈值温度时进行使存取速率降低的存取速率控制。

13.  权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，
所述工作条件是对所述非易失性存储装置进行存取时的数据量，
所述存取速率控制部是数据量适应型的存取速率控制部，该存取速率控制部基于所述数据量来决定存取速率，以使所述非易失性存储装置不超过所述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度，并将所述存取速率通知到外部。

14.  权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，
所述工作条件是所述非易失性存储装置的温度，
所述存取速率控制部具备：
温度保存部，保存从外部提供的所述非易失性存储装置的温度；以及
温度适应型控制部，保存所述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度和低于所述第1阈值温度的安全温度即第2阈值温度，在所述温度保存部保存的温度高于所述第1阈值温度时停止存取，在所述温度保存部保存的温度低于所述第2阈值温度时重新开始存取。

15.  权利要求14所述的非易失性存储装置，其特征在于，
所述存取速率控制部的温度适应型控制部保存表示与所述非易失性存储装置使用上危险的温度临近之状态的第3阈值温度，并在所述温度保存部保存的温度高于所述第3阈值温度时执行使存取速率降低的存取速率控制。

16.  权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，
所述工作条件是所述非易失性存储装置的温度，
所述存取速率控制部具备：
温度计算部，将从外部提供的所述非易失性存储装置的温度作为存取开始时的环境温度，并基于该环境温度和存取时间算出非易失性存储装置的温度；以及
温度适应型控制部，保存所述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度和低于所述第1阈值温度的安全温度即第2阈值温度，在所述温度计算部算出的温度高于所述第1阈值温度时停止存取，在所述温度计算部算出的温度低于所述第2阈值温度时重新开始存取。

17.  权利要求16所述的非易失性存储装置，其特征在于，
所述存取速率控制部的温度适应型控制部保存表示与所述非易失性存储装置使用上危险的温度临近之状态的第3阈值温度，并在所述温度计算部算出的温度高于所述第3阈值温度时执行使存取速率降低的存取速率控制。

18.  一种具有存取装置和根据来自所述存取装置的存取指示进行数据的读出与写入的非易失性存储装置的非易失性存储系统，其特征在于，
所述非易失性存储装置具备：
存储数据的非易失性存储器；以及
对所述非易失性存储器进行数据读写的存储器控制器，
所述存储器控制器具有根据所述数据的读出或写入时所述非易失性存储装置的工作条件来控制数据读出或写入的存取速率的存取速率控制部。

19.  权利要求18所述的非易失性存储系统，其特征在于，
所述工作条件是所述非易失性存储装置的温度，
所述存取速率控制部具备：
温度检测部，检测所述非易失性存储装置的温度；以及
温度适应型控制部，保存所述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度和低于所述第1阈值温度的安全温度即第2阈值温度，在所述温度检测部测出的温度高于所述第1阈值温度时停止存取，在所述温度检测部测出的温度低于所述第2阈值温度时重新开始存取。

20.  权利要求19所述的非易失性存储系统，其特征在于，
所述存取速率控制部的温度适应型控制部保存表示与所述非易失性存储装置使用上危险的温度临近之状态的第3阈值温度，在所述温度检测部测出的温度高于所述第3阈值温度时执行使存取速率降低的存取速率控制。

21.  权利要求18所述的非易失性存储系统，其特征在于，
所述温度检测部包含温度传感器。

22.  权利要求18所述的非易失性存储系统，其特征在于，
所述存取速率控制部具有状态信息生成部，生成表示所述非易失性存储装置之状态的状态信息，并将所述状态信息通知所述存取装置。

23.  权利要求18所述的非易失性存储系统，其特征在于，
所述工作条件是所述非易失性存储装置的温度，
所述存取速率控制部具备：
温度计算部，以存取速率和用所述存取速率对所述非易失性装置进行数据读写的时间为变量算出所述非易失性存储装置的温度；以及
温度适应型控制部，保存所述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度和低于所述第1阈值温度的安全温度即第2阈值温度，在所述温度计算部算出的温度高于所述第1阈值温度时停止存取，在所述温度计算部算出的温度低于所述第2阈值温度时重新开始存取。

24.  权利要求23所述的非易失性存储系统，其特征在于，
所述存取速率控制部的温度适应型控制部保存表示与所述非易失性存储装置使用上危险的温度临近之状态的第3阈值温度，在所述温度计算部测出的温度高于所述阈值温度时执行使存取速率降低的存取速率控制。

25.  权利要求18所述的非易失性存储系统，其特征在于，
所述工作条件是对所述非易失性存储装置进行存取时的数据量，
所述存取速率控制部是数据量适应型的存取速率控制部，该存取速率控制部基于所述数据量来决定存取速率，以使所述非易失性存储装置不超过所述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度，并将所述存取速率通知到所述存取装置，
所述存取装置以从所述非易失性存储装置得到的存取速率对所述非易失性存储装置进行存取。

26.  权利要求18所述的非易失性存储系统，其特征在于，
所述工作条件是所述非易失性存储装置的温度，
所述存取速率控制部具备：
温度保存部，保存从所述存取装置提供的所述非易失性存储装置的温度；以及
温度适应型控制部，保存所述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度和低于所述第1阈值温度的安全温度即第2阈值温度，在所述温度保存部保存的温度高于所述第1阈值温度时停止存取，在所述温度保存部保存的温度低于所述第2阈值温度时重新开始存取。

27.  权利要求26所述的非易失性存储系统，其特征在于，
所述存取速率控制部的温度适应型控制部保存表示与所述非易失性存储装置使用上危险的温度临近之状态的第3阈值温度，并在所述温度保存部保存的温度高于所述第3阈值温度时执行使存取速率降低的存取速率控制。

28.  权利要求18所述的非易失性存储系统，其特征在于，
所述工作条件是所述非易失性存储装置的温度，
所述存取速率控制部具备：
温度计算部，将从所述存取装置提供的所述非易失性存储装置的温度作为存取开始时的环境温度，基于该环境温度和存取时间算出非易失性存储装置的温度；
温度适应型控制部，保存所述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度和低于所述第1阈值温度的安全温度即第2阈值温度，在所述温度计算部算出的温度高于所述第1阈值温度时停止存取，在所述温度计算部算出的温度低于所述第2阈值温度时重新开始存取。

29.  权利要求28所述的非易失性存储系统，其特征在于，
所述存取速率控制部的温度适应型控制部保存表示与所述非易失性存储装置使用上危险的温度临近之状态的第3阈值温度，在所述温度计算部算出的温度高于所述第3阈值温度时执行使存取速率降低的存取速率控制。

30.  权利要求18所述的非易失性存储系统，其特征在于，
所述存取装置具有温度信息输出部，该温度信息输出部读出所述存取装置内的温度传感器测出的温度值，并与表示所述存取装置具有温度传感器之情况的标志一起作为所述存取装置内的温度信息提供给所述非易失性存储装置。

31.  权利要求30所述的非易失性存储系统，其特征在于，
所述温度信息输出部将所述存取装置内的温度传感器测出的温度与表示是所述非易失性存储装置的温度和环境温度中任意一方的标志一起提供给所述非易失性存储装置。

32.  一种具有存取装置和与所述存取装置连接的、根据来自所述存取装置的存取指示进行数据的读出与写入的非易失性存储装置的非易失性存储系统，其特征在于，
所述非易失性存储装置具备：
存储数据的非易失性存储器；以及
对所述非易失性存储器进行数据读写的存储器控制器，
所述存储器控制器包含寄存器部，该寄存器部保存包含有所述非易失性存储装置的温度上升速度、所述非易失性存储装置的温度上升后收敛的温度即饱和温度的温度参数，并将该温度参数向所述存取装置输出，
所述存取装置具备：
温度检测部，检测所述非易失性存储装置的温度；以及
存取速率控制部，用从所述非易失性存储装置取得的温度参数和所述温度检测部测出的所述非易失性存储装置的温度，计算出按所述存取装置所设的每个存取速率进行数据传输时伴随的所述非易失性存储装置的温度变化，对于所述温度变化，利用所述非易失性存储装置的温度不超过所述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度的存取速率来对所述非易失性存储装置进行存取。

33.  一种具有存取装置和与所述存取装置连接的、根据来自所述存取装置的存取指示进行数据的读出与写入的非易失性存储装置的非易失性存储系统，其特征在于，
所述非易失性存储装置具备：
存储数据的非易失性存储器；以及
根据来自所述存取装置的指示对所述非易失性存储器进行数据读写的存储器控制器，
所述存取装置具备：
检测所述非易失性存储装置之温度的温度检测部；
保存包含所述非易失性存储装置的温度上升速度、所述非易失性存储装置的温度上升后收敛的温度即饱和温度的温度参数的温度参数保存部；以及
存取速率控制部，用所述温度参数保存部保存的温度参数和所述温度检测部测出的所述非易失性存储装置的温度，计算出按所述存取装置所设的每个存取速率进行数据传输时伴随的所述非易失性存储装置的温度变化，对于所述温度变化，利用所述非易失性存储装置的温度不超过所述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度的存取速率来对所述非易失性存储装置进行存取。

34.  权利要求32所述的非易失性存储系统，其特征在于，
所述寄存器部的温度参数中还包含不进行存取时的所述非易失性存储装置的温度下降速度，
所述存取速率控制部用所述温度信息和所述温度检测部测出的所述非易失性存储装置的温度，根据对于所述存取装置所设的存取速率，在所述非易失性存储装置的温度达到所述第1阈值温度就停止数据传输而所述非易失性存储装置的温度下降到成为重新开始数据传输用的基准的温度即第2阈值温度就重新开始数据传输时的所述非易失性存储装置的温度变化来决定所述连续可存取时间，并基于所决定的可存取时间对所述非易失性存储器进行存取。

35.  权利要求32所述的非易失性存储系统，其特征在于，
所述存取速率控制部通过改变用以进行所述数据的写入或读出的时钟频率来控制存取速率。

36.  权利要求32所述的非易失性存储系统，其特征在于，
所述存取速率控制部对于传输规定单位数据的期间，通过改变该期间与期间的间隔来控制存取速率。

37.  权利要求32所述的非易失性存储系统，其特征在于，
所述存取装置还具有用以生成动态图像数据的压缩数据的编解码部，
所述存取速率控制部通过改变由所述编解码部生成的压缩数据的数据传输速度来决定存取速率。

38.  权利要求37所述的非易失性存储系统，其特征在于，
所述存取速率控制部通过改变由所述编解码部生成的压缩数据的位速率来决定存取速率。

39.  权利要求37所述的非易失性存储系统，其特征在于，
所述存取速率控制部通过改变由所述编解码部生成的压缩数据的帧速率来决定存取速率。

40.  一种对非易失性存储装置写入数据并从所述非易失性存储装置读出数据的存取装置，具备：
显示关于所述存取装置的信息的显示部；以及
显示从所述非易失性存储装置通知的表示所述非易失性存储装置之状态的状态信息的控制部。

41.  一种对非易失性存储装置写入数据写入并从所述非易失性存储装置读出数据的存取装置，具备：
冷却所述非易失性存储装置的冷却部；以及
基于从所述非易失性存储装置通知的表示所述非易失性存储装置之状态的状态信息来驱动所述冷却部的控制部。

42.  权利要求41所述的存取装置，其特征在于，
所述控制部保存所述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度和低于所述第1阈值温度的安全温度即第2阈值温度，将从所述非易失性存储装置通知的所述状态信息即所述非易失性存储装置的温度与所述第1阈值温度及所述第2阈值温度比较，在该温度高于所述第1阈值温度时驱动所述冷却部，在该温度低于所述第2阈值温度时停止所述冷却部。

43.  权利要求41所述的存取装置，其特征在于，
所述控制部被通知到表示已超过所述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度的警告信息时，将所述冷却部驱动规定的时间。

44.  权利要求41所述的存取装置，其特征在于，
所述控制部被通知到作为状态信息的所述存取速率控制信息，且在所述存取速率控制信息表示存取速率低下时，将所述冷却部驱动规定的时间。

45.  权利要求41所述的存取装置，其特征在于，
所述控制部保存有与进行数据读写的时间有关的阈值时间，被通知到作为所述状态信息的读写许可时间，且被通知的读写许可时间短于所述阈值时间时，将所述冷却部驱动规定的时间。

46.  权利要求41所述的存取装置，其特征在于，
所述控制部保存有与读写的数据量有关的阈值量，被通知到作为所述状态信息的读写许可量，且被通知的读写许可量小于所述阈值量时，将所述冷却部驱动规定的时间。

47.  一种与非易失性存储装置连接的、对所述非易失性存储装置进行数据的读出与写入的存取装置，具备：
检测所述非易失性存储装置的温度的温度检测部；以及
存取速率控制部，用从所述非易失性存储装置取得的温度参数和所述温度检测部测出的所述非易失性存储装置的温度，计算出按所述存取装置所设的每个存取速率进行数据传输时伴随的所述非易失性存储装置的温度变化，对于所述温度变化，利用所述非易失性存储装置的温度不超过所述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度的存取速率来对所述非易失性存储装置进行存取。

48.  一种与非易失性存储装置连接的、对所述非易失性存储装置进行数据的读出与写入的存取装置，具备：
检测所述非易失性存储装置的温度的温度检测部；
保存包含所述非易失性存储装置的温度上升速度、所述非易失性存储装置的温度上升后收敛的温度即饱和温度的温度参数的温度参数保存部；以及
存取速率控制部，用所述温度参数保存部保存的温度参数和所述温度检测部测出的所述非易失性存储装置的温度，计算出按所述存取装置所设的每个存取速率进行数据传输时伴随的所述非易失性存储装置的温度变化，对于所述温度变化，利用所述非易失性存储装置的温度不超过所述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度的存取速率来对所述非易失性存储装置进行存取。

49.  权利要求47所述的存取装置，其特征在于，
从所述非易失性存储装置取得的温度参数还包含不进行存取时的所述非易失性存储装置的温度下降速度，
所述存取速率控制部用所述温度信息及所述温度检测部测出的所述非易失性存储装置的温度，根据对于所述存取装置所设的存取速率，在所述非易失性存储装置的温度达到所述第1阈值温度就停止数据传输而在所述非易失性存储装置的温度下降到成为重新开始数据传输用的基准的温度即第2阈值温度就重新开始数据传输时的所述非易失性存储装置的温度变化来决定所述连续可存取时间，并基于所决定的可存取时间对所述非易失性存储器进行存取。

50.  权利要求47所述的存取装置，其特征在于，
所述存取速率控制部通过改变用以进行所述数据的写入或读出的时钟频率来控制存取速率。

51.  权利要求47所述的存取装置，其特征在于，
所述存取速率控制部对于传输规定单位数据的期间，通过改变该期间与期间的间隔来控制存取速率。

52.  权利要求47所述的存取装置，其特征在于，
还具有生成动态图像数据的压缩数据的编解码部，
所述存取速率控制部通过改变由所述编解码部生成的压缩数据的数据传输速度来决定存取速率。

53.  权利要求52所述的存取装置，其特征在于，
所述存取速率控制部通过改变由所述编解码部生成的压缩数据的位速率来决定存取速率。

54.  权利要求52所述的存取装置，其特征在于，
所述存取速率控制部通过改变由所述编解码部生成的压缩数据的帧速率来决定存取速率。

非易失性存储装置、非易失性存储系统及存取装置
技术领域
[0001]本发明涉及具有非易失性存储器的半导体存储卡等的非易失性存储装置、存取非易失性存储装置的存取装置以及包含这些装置的非易失性存储系统。
背景技术
[0002]以半导体存储卡为重心，具有可擦写非易失性存储器的非易失性存储装置正在赢得广泛需求。与光盘或带式介质等相比，半导体存储卡价格相对较高。但是，半导体存储卡具有小型、轻量、耐震、易用等众多优点，作为数码相机或移动电话等便携式设备的记录介质被广泛使用，最近也作为家用摄录设备和广播台专业摄录设备的记录介质而被采用。此外，不仅在便携式设备上，在数字电视和DVD录像机等固定设备上也将半导体存储卡用插槽作为标准配置。因而，可在数字电视上观看数码相机拍摄的静止图像，民用摄录设备拍摄的动态图像也可转录到DVD录像机上。
[0003]这种半导体存储卡用快闪存储器作为非易失性主存储器，并具有对其进行控制的存储器控制器。存储器控制器是根据来自数码相机本体等存取装置的数据读写指示对快闪存储器进行数据读写控制的装置。
[0004]近年来，为了应对静止图像和动态图像等的AV内容高品质化，即每单位内容数据量的大容量化，对半导体存储卡的大容量化的需求日益提高。与此相称，要求具有在将半导体存储卡中记录的AV内容转录到硬盘录像机或个人电脑内置的硬盘、DVD录像机等的记录介质上时以更高的速度从半导体存储卡读出数据的性能。并要求具有在将硬盘等的记录介质中记录的AV内容转录到半导体存储卡中时以更高的速度将数据写入半导体存储卡的性能。也就是，通过将记录数据在记录介质之间高速转录来缩短让用户等待的时间，这在今后将变得很重要。
[0005]作为用以控制半导体存储卡中的数据高速读写的现有技术，有专利文献1揭示的快闪存储器的并行存取技术和专利文献2揭示的连接半导体存储卡与存取装置之间的总线高速化技术等。
[0006]一般来说，高速地进行数据读写时，主装置和半导体存储卡的表面温度会变得很高，结果，将半导体存储卡从主装置取出时，用户有被烫伤的危险。探测这种发热而进行控制的现有技术在专利文献3中有记载。该技术通过探测MPU的温度和连接器盖的开闭状况并转换MPU的工作时钟来防止温度上升。
专利文献1：日本特表2000-510634号公报
专利文献2：日本特开2003-223623号公报
专利文献3：日本特开平9-237129号公报
[0007]但是，若过份高速地进行数据读写，则会主要由于快闪存储器的发热而使半导体存储卡的表面温度非常高，结果，用户将半导体存储卡从存取装置取出时，会有烫伤的危险。
[0008]再有，上述专利文献3公开技术中，仅凭连接器盖的开闭状况来转换工作时钟。因而，如果将半导体存储卡等的非易失性存储装置插入无盖的连接器进行高速读写，就不能适当转换MPU的工作时钟来抑制发热。另外，由于没有考虑到非易失性存储装置的存取速率与温度变化的关系，不能设定最合适的存取速率。而且，一般来说，进行录像时不允许在途中停止摄录，专利文献3公开的技术中，不能考虑到与温度变化的关系而设定适当的存取速率，因此，存在因发热而停止摄录的可能性。
发明内容
[0009]鉴于上述课题，本发明旨在通过抑制发热来消除烫伤之危险，并提供能够高速读写数据的非易失性存储装置、主装置及非易失性存储系统。
[0010]为了解决上述课题，本发明的非易失性存储装置是根据来自外部的存取指示进行数据的读出与写入的非易失性存储装置，具备存储数据的非易失性存储器和对上述非易失性存储器读写数据的存储器控制器，上述存储器控制器具有根据上述数据的读出或写入时的上述非易失性存储装置的工作条件来控制数据读出或写入的存取速率的存取速率控制部。
[0011]这样亦可：上述工作条件是上述非易失性存储装置的温度，上述存取速率控制部具有温度检测部和温度适应型控制部，温度检测部检测上述非易失性存储装置的温度，温度适应型控制部保存在上述非易失性存储装置的使用上危险的温度之下限即第1阈值温度和比上述第1阈值温度低的安全温度即第2阈值温度，在上述温度检测部测出的温度成为高于上述第1阈值温度时停止存取，在上述温度检测部测出的温度成为低于上述第2阈值温度时重新开始存取。
[0012]这样亦可：上述存取速率控制部的温度适应型控制部保存表示与上述非易失性存储装置的使用上危险的温度邻近之状态的第3阈值温度，在上述温度检测部测出的温度成为高于上述第3阈值温度时执行存取速率控制，使存取速率降低。
[0013]这样亦可：上述温度检测部包含温度传感器。
[0014]这样亦可：上述存取速率控制部具有状态信息生成部，生成表示上述非易失性存储装置状态的状态信息并将上述状态信息通知到外部。
[0015]这样亦可：上述状态信息设为表示上述非易失性存储装置的温度的信息。
[0016]这样亦可：上述状态信息设为指示上述非易失性存储装置的温度高于上述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度之状态的警告信息。
[0017]这样亦可：上述状态信息设为表示是否在执行上述存取速率控制的存取速率控制实施信息。
[0018]这样亦可：上述状态信息设为表示从存取开始直至上述非易失性存储装置的温度达到上述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度的时间的读写许可时间。
[0019]这样亦可：上述状态信息设为表示在上述非易失性存储装置的温度达到上述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度为止可对上述非易失性存储装置读写的数据量的读写许可量。
[0020]这样亦可：上述工作条件是上述非易失性存储装置的温度，上述存取速率控制部具有温度计算部和温度适应型控制部，温度计算部以存取速率和用上述存取速率对上述非易失性装置进行数据读写的时间作为变量计算出上述非易失性装置的温度，温度适应型控制部保存上述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度和比上述第1阈值温度低的安全温度即第2阈值温度，在上述温度检测部测出的温度成为高于上述第1阈值温度时停止存取，在上述温度计算部算出的温度成为低于上述第2阈值温度时重新开始存取。
[0021]这样亦可：上述存取速率控制部的温度适应型控制部保存表示与上述非易失性存储装置使用上危险的温度临近之状态的第3阈值温度，并在上述温度计算部算出的温度高于上述第3阈值温度时执行使存取速率降低的存取速率控制。
[0022]这样亦可：上述工作条件是对上述非易失性存储装置存取时的数据量，上述存取速率控制部具有数据量适应型的存取速率控制部，基于上述数据量决定存取速率，使上述非易失性存储装置不超过上述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度，并将上述存取速率通知到外部。
[0023]这样亦可：上述工作条件是上述非易失性存储装置的温度，上述存取速率控制部具有温度保存部和温度适应型控制部，温度保存部保存从外部提供的上述非易失性存储装置的温度，温度适应型控制部保存上述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度和比上述第1阈值温度低的安全温度即第2阈值温度，并在上述温度保存部保存的温度成为高于上述第1阈值温度时停止存取，在上述温度保存部保存的温度成为低于上述第2阈值温度时重新开始存取。
[0024]这样亦可：上述存取速率控制部的温度适应型控制部，保存表示与上述非易失性存储装置使用上危险的温度临近之状态的第3阈值温度，并在上述温度保存部保存的温度成为高于上述第3阈值温度时执行使存取速率降低的存取速率控制。
[0025]这样亦可：上述工作条件是上述非易失性存储装置的温度，上述存取速率控制部具有温度计算部和温度适应型控制部，温度计算部将外部提供的上述非易失性存储装置的温度作为存取开始时的环境温度，并基于该环境温度和存取时间计算出非易失性存储装置的温度，温度适应型控制部保存上述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度和比上述第1阈值温度低的安全温度即第2阈值温度，并在上述温度计算部算出的温度成为高于上述第1阈值温度时停止存取，在上述温度计算部算出的温度成为低于上述第2阈值温度时重新开始存取。
[0026]这样亦可：上述存取速率控制部的温度适应型控制部保存表示与上述非易失性存储装置使用上危险温度临近之状态的第3阈值温度，并在上述温度计算部算出的温度成为高于上述第3阈值温度时执行使存取速率降低的存取速率控制。
[0027]为了解决上述问题，本发明的非易失性存储系统是具有存取装置和根据来自上述存取装置的存取指示进行数据的读出和写入的非易失性存储装置的非易失性存储系统，上述非易失性存储装置具有存储数据的非易失性存储器和对上述非易失性存储器读写数据的存储器控制器，上述存储器控制器具有根据上述数据的读出或写入时的上述非易失性存储装置的工作条件来控制数据的读出或写入的存取速率的存取速率控制部。
[0028]这样亦可：上述工作条件是上述非易失性存储装置的温度，上述存取速率控制部具有温度检测部和温度适应型控制部，温度检测部检测上述非易失性存储装置的温度，温度适应型控制部保存上述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度和低于上述第1阈值温度的安全温度即第2阈值温度，在上述温度检测部测出的温度成为高于上述第1阈值温度时停止存取，在上述温度检测部测出的温度成为低于上述第2阈值温度时重新开始存取。
[0029]这样亦可：上述存取速率控制部的温度适应型控制部保存表示与上述非易失性存储装置使用上危险的温度临近之状态的第3阈值温度，并在上述温度检测部测出的温度成为高于上述第3阈值温度时执行使存取速率降低的存取速率控制。
[0030]这样亦可：上述温度检测部包含温度传感器。
[0031]这样亦可：上述存取速率控制部具有状态信息生成部，生成表示上述非易失性存储装置之状态的状态信息，并将上述状态信息通知上述存取装置。
[0032]这样亦可：上述工作条件是指上述非易失性存储装置的温度，上述存取速率控制部具有温度计算部和温度适应型控制部，温度计算部以存取速率和用上述存取速率对上述非易失性装置进行数据的读写的时间作为变量计算出上述非易失性装置的温度，温度适应型控制部保存上述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度和比上述第1阈值温度低的安全温度即第2阈值温度，并在上述温度计算部算出的温度成为高于上述第1阈值温度时停止存取，在上述温度计算部算出的温度成为低于上述第2阈值温度时重新开始存取。
[0033]这样亦可：上述存取速率控制部的温度适应型控制部保存表示与上述非易失性存储装置使用上危险温度临近之状态的第3阈值温度，并在上述温度计算部检测的温度成为高于上述阈值温度时执行使存取速率降低的存取速率控制。
[0034]这样亦可：上述工作条件是对上述非易失性存储装置进行存取时的数据量，上述存取速率控制部基于上述数据量决定存取速率，以使上述非易失性存储装置不超过上述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度，并将上述存取速率通知上述存取装置的数据量适应型存取速率控制部，上述存取装置用由上述非易失性存储装置得到的存取速率对上述非易失性存储装置进行存取。
[0035]这样亦可：上述工作条件是上述非易失性存储装置的温度，上述存取速率控制部具有温度保存部和温度适应型控制部，温度保存部保存由上述存取装置提供的上述非易失性存储装置的温度，温度适应型控制部保存上述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度和比上述第1阈值温度低的安全温度即第2阈值温度，在上述温度保存部保存的温度成为高于上述第1阈值温度时停止存取，在上述温度保存部保存的温度成为低于上述第2阈值温度时重新开始存取。
[0036]这样亦可：上述存取速率控制部的温度适应型控制部保存表示与上述非易失性存储装置使用上危险温度临近之状态的第3阈值温度，在上述温度保存部保存的温度成为高于上述第3阈值温度时，执行使存取速率降低的存取速率控制。
[0037]这样亦可：上述工作条件是上述非易失性存储装置的温度，上述存取速率控制部具有温度计算部和温度适应型控制部，温度计算部将上述存取装置提供的上述非易失性存储装置的温度作为存取开始时的环境温度，并基于该环境温度和存取时间计算出非易失性存储装置的温度，温度适应型控制部保存上述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度和比上述第1阈值温度低的安全温度即第2阈值温度，在上述温度计算部算出的温度成为高于上述第1阈值温度时停止存取，在上述温度计算部算出的温度成为低于上述第2阈值温度时重新开始存取。
[0038]这样亦可：上述存取速率控制部的温度适应型控制部保存表示与上述非易失性存储装置使用上危险温度临近之状态的第3阈值温度，并在上述温度计算部算出的温度成为高于上述第3阈值温度时执行使存取速率降低的存取速率控制。
[0039]这样亦可：上述存取装置具有温度信息输出部，读出上述存取装置内的温度传感器检测的温度值，与指示上述存取装置具有温度传感器的标志一起作为上述存取装置内的温度信息提供给上述非易失性存储装置。
[0040]这样亦可：上述温度信息输出部将上述存取装置内的温度传感器检测的温度与指示上述非易失性存储装置的温度和环境温度这二者之一的标志一起提供给上述非易失性存储装置。
[0041]为了解决上述课题，本发明的非易失性存储系统具有存取装置和与上述存取装置连接的、根据上述存取装置的存取指示进行数据的读出与写入的非易失性存储装置，上述非易失性存储装置具有存储数据的非易失性存储器和对上述非易失性存储器读写数据的存储器控制器，上述存储器控制器包含寄存器部，保存包含上述非易失性存储装置的温升速度、上述非易失性存储装置的温度上升且收敛的温度即饱和温度的温度参数，并将该温度参数输出到上述存取装置，上述存取装置具有温度检测部和存取速率控制部，温度检测部检测上述非易失性存储装置的温度，存取速率控制部用上述非易失性存储装置取得的温度参数和上述温度检测部测出的上述非易失性存储装置的温度，算出按上述存取装置所设的存取速率进行数据传输时伴随的上述非易失性存储装置的温度变化，对于上述温度变化，利用上述非易失性存储装置的温度不超过上述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度的存取速率对上述非易失性存储装置进行存取。
[0042]为了解决上述课题，本发明的非易失性存储系统具有存取装置和与上述存取装置连接的、根据来自上述存取装置的存取指示进行数据的读出与写入的非易失性存储装置，上述非易失性存储装置具有存储数据的非易失性存储器和根据来自上述存取装置的指示对上述非易失性存储器读写数据的存储器控制器，上述存取装置具有检测上述非易失性存储装置之温度的温度检测部，并具有温度参数保存部和存取速率控制部，温度参数保存部保存包含上述非易失性存储装置的温升速度和上述非易失性存储装置的温度上升后收敛的温度即饱和温度的温度参数，存取速率控制部用上述温度参数保存部保存的温度参数和上述温度检测部测出的上述非易失性存储装置的温度，算出按上述存取装置所设的存取速率进行数据传输时伴随的上述非易失性存储装置的温度变化，对于上述温度变化，利用上述非易失性存储装置的温度不超过上述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度的存取速率对上述非易失性存储装置进行存取。
[0043]这样亦可：上述寄存器部的温度参数还包含不进行存取时的上述非易失性存储装置的温度下降速度，上述存取速率控制部用上述温度信息以及上述温度检测部测出的上述非易失性存储装置的温度，对于上述存取装置所设的存取速率，根据在上述非易失性存储装置的温度达到上述第1阈值温度就停止数据传输而在上述非易失性存储装置的温度下降到成为重新开始数据传输的基准的温度即第2阈值温度就重新开始数据传输的情况下、上述非易失性存储装置的温度变化来决定上述连续可存取时间，并基于所决定的可存取时间对上述非易失性存储器进行存取。
[0044]这样亦可：上述存取速率控制部通过改变进行上述数据的写入或读出的时钟频率来控制存取速率。
[0045]这样亦可：上述存取速率控制部对于传输规定单位数据的期间，通过改变该期间与期间的间隔来控制存取速率。
[0046]这样亦可：上述存取装置还具有用以生成动态图像数据的压缩数据的编解码部，上述存取速率控制部通过改变上述编解码部生成的压缩数据的数据传输速度来决定存取速率。
[0047]这样亦可：上述存取速率控制部通过改变上述编解码部生成的压缩数据的位速率来决定存取速率。
[0048]这样亦可：上述存取速率控制部通过改变上述编解码部生成的压缩数据的帧速率来决定存取速率。
[0049]为了解决上述课题，本发明的存取装置是对上述非易失性存储装置写入数据并从上述非易失性存储装置读出数据的存取装置，具有显示关于上述存取装置的信息的显示部和显示由上述非易失性存储装置通知的指示上述非易失性存储装置之状态的状态信息的控制部。
[0050]为了解决上述课题，本发明的存取装置是对上述非易失性存储装置写入数据并从上述非易失性存储装置读出数据的存取装置，具有冷却上述非易失性存储装置的冷却部和基于由上述非易失性存储装置通知的指示上述非易失性存储装置之状态的状态信息来驱动上述冷却部的控制部。
[0051]这样亦可：上述控制部保存上述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度和低于上述第1阈值温度的安全温度即第2阈值温度，将上述非易失性存储装置通知的上述状态信息即上述非易失性存储装置的温度与上述第1阈值温度及上述第2阈值温度比较，在该温度高于上述第1阈值温度时驱动上述冷却部，在该温度低于上述第2阈值温度时停止上述冷却部。
[0052]这样亦可：上述控制部在被通知到指示超过上述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度之状态的警告信息时，将上述冷却部驱动规定的时间。
[0053]这样亦可：上述控制部在被通知到作为状态信息的上述存取速率控制信息，且上述存取速率控制信息指示存取速率已降低之情况时，将上述冷却部驱动规定的时间。
[0054]这样亦可：上述控制部保存对于进行数据读写的时间的阈值时间，并在被通知到作为上述状态信息的读写许可时间，且所通知的读写许可时间比上述阈值时间短时，将上述冷却部驱动规定的时间。
[0055]这样亦可：上述控制部保存对于读写的数据量的阈值量，在被通知到作为上述状态信息的读写许可量，且所通知的读写许可量小于上述阈值量时，将上述冷却部驱动规定的时间。
[0056]为了解决上述课题，本发明的存取装置是与非易失性存储装置连接的、进行上述非易失性存储装置数据的读出与写入的存取装置，具有温度检测部和存取速率控制部，温度检测部检测上述非易失性存储装置的温度，存取速率控制部用上述非易失性存储装置取得的温度参数和上述温度检测部测出的上述非易失性存储装置的温度，计算出按上述存取装置所设的存取速率进行数据传输时伴随的上述非易失性存储装置的温度变化，并用经过上述温度变化后上述非易失性存储装置的温度不超过上述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度的存取速率对上述非易失性存储装置进行存取。
[0057]为了解决上述课题，本发明的存取装置是与非易失性存储装置连接的、对上述非易失性存储装置进行数据的读出与写入的存取装置，具有检测上述非易失性存储装置之温度的温度检测部和保存包含上述非易失性存储装置的温升速度和上述非易失性存储装置的温度上升后收敛的温度即饱和温度的温度参数的温度参数保存部，并具有存取速率控制部，用上述温度参数保存部保存的温度参数和上述温度检测部测出的上述非易失性存储装置的温度来计算按上述存取装置所设的存取速率进行数据传输时伴随的上述非易失性存储装置的温度变化，并用经过上述温度变化后上述非易失性存储装置的温度不超过上述非易失性存储装置使用上危险的温度之下限即第1阈值温度的存取速率对上述非易失性存储装置进行存取。
[0058]这样亦可：上述非易失性存储装置取得的温度参数还包含不进行存取时的上述非易失性存储装置的温度下降速度，上述存取速率控制部用上述温度信息和上述温度检测部测出的上述非易失性存储装置的温度，对于上述存取装置所设的存取速率，根据在上述非易失性存储装置的温度达到上述第1阈值温度就停止数据传输而在上述非易失性存储装置的温度下降到成为重新开始数据传输的基准的温度即第2阈值温度就重新开始数据传输的情况下、上述非易失性存储装置的温度变化来决定上述连续可存取时间，并基于所决定的可存取时间对上述非易失性存储器进行存取。
[0059]这样亦可：上述存取速率控制部通过改变进行上述数据的写入或读出的时钟频率来控制存取速率。
[0060]这样亦可：上述存取速率控制部对于传输规定单位数据的期间，通过改变该期间与期间的间隔来控制存取速率。
[0061]这样亦可：还具有生成动态图像数据的压缩数据的编解码部，上述存取速率控制部通过改变上述编解码部生成的压缩数据的数据传输速度来决定存取速率。
[0062]这样亦可：上述存取速率控制部通过改变上述编解码部生成的压缩数据的位速率来决定存取速率。
[0063]这样亦可：上述存取速率控制部通过改变上述编解码部生成的压缩数据的帧速率来决定存取速率。
发明效果
[0064]本发明的非易失性存储装置及非易失性存储系统中，非易失性存储装置内的存取速率控制部，或者基于非易失性存储装置的温度或读写的全部数据量来控制存取速率，或者进行非易失性存储装置的冷却，从而抑制对非易失性存储器读写时的非易失性存储装置的温升，一方面消除对于用户的烫伤等危险，一方面使得高速数据读写成为可能。
[0065]本发明的存取装置中，通过存取速率控制，能够一方面抑制伴随对非易失性存储器的读写而发生的非易失性存储装置的温升而消除使用户烫伤等危险，一方面使高速数据读写成为可能。另外，由于在动态图像记录时转换位速率或帧速率来控制存取速率，能够防止因发热而使记录停止。
附图说明
[0066]
图1是表示本发明第1实施方式中的非易失性存储系统的框图。
图2是缓冲器102的存储器映射。
图3是表示非易失性存储器120的框图。
图4是非易失性存储器120的物理块的构成图。
图5是表示存取装置200A的数据写入动作的时序图。
图6表示存储器控制器110A的写入动作的流程图。
图7是表示在不控制存取速率的情况下对非易失性存储器120写入的高速存取时的时序图。
图8是表示非易失性存储装置100A的温度变化的曲线图。
图9是表示在不控制存取速率的情况下对非易失性存储器120写入的低速存取时的时序图。
图10是表示在控制存取速率的情况下对非易失性存储器120写入的时序图。
图11是表示非易失性存储装置100A的温度变化的曲线图。
图12是表示本发明第2实施方式中的非易失性存储系统的框图。
图13是表示存取装置200B的数据写入动作的时序图。
图14是表示存储器控制器110B的写入动作的流程图。
图15是表示本发明第3实施方式中的非易失性存储系统的框图。
图16是表示本发明第4实施方式中的非易失性存储系统的框图。
图17是表示存取装置200D的数据写入动作的时序图。
图18是表示存储器控制器110D的写入动作的流程图。
图19是表示本发明第5实施方式中的非易失性存储系统的框图。
图20是表示非易失性存储装置的温度变化的曲线图。
图21是表示本发明第6实施方式中的非易失性存储系统的框图。
图22是表示非易失性存储装置200E的存取速率控制时的温度变化的曲线图。
图23是表示非易失性存储装置200E的温度变化的曲线图。
图24是表示非易失性存储装置200E的存取速率控制时的温度变化的曲线图。
图25是表示本发明第7实施方式中的非易失性存储系统的框图。
图26A是本发明第7实施方式中的温度信息的构成图。
图26B是本发明第7实施方式中的温度信息的构成图。
图27表示本发明第7实施方式中的标志状态。
图28是表示本发明第8实施方式的非易失性存储系统的框图。
图29是表示非易失性存储装置100H保存的温度参数的图。
图30是表示存取装置200H的存取速率控制的时序图。
图31是表示存取装置200H的存取速率控制的时序图。
图32是表示非易失性存储装置100H的温度变化的时序图。
图33是表示存取装置200H对非易失性存储装置100H的存取动作的流程图。
图34是表示本发明第9实施方式的非易失性存储系统的框图。
图35是表示存取装置200I对非易失性存储装置100I的存取动作的流程图。
图36是表示非易失性存储装置100I的温度变化的时序图。
图37是表示本发明第10实施方式的非易失性存储装置的框图。
图38A是表示编解码部217所设的动态图像记录模式的图。
图38B是表示编解码部217所设的动态图像记录模式的图。
附图标记说明
[0067]
100A、100B、100C、100D、100E、100F、100G、100H  非易失性存储装置
110A、110B、110C、110D、110E、110F、110G、110H  存储器控制器
101  主接口
102  缓冲器
103  读写控制部
104  CPU
105  地址管理部
106A、106B、106C、106E、106F、106G、117  存取速率控制部
111、117  温度检测部
112  温度适应型控制部
113  状态信息生成部
114、116  温度计算部
115  温度保存部
120  非易失性存储器
130  模式转换开关
200A、200B、200D、200E、200F、200G、200H、200I、200J  存取装置
201  显示部
202、203、205、209  控制部
204  冷却部
206  温度输出部
207A、207B  环境温度输出部
208  温度信息输出部
211  系统控制部
212、217  编解码部
213  ROM及RAM
214  显示部
215  显示控制部
216H、216I、216J  非易失性存储装置控制部
221  存储装置存取部
222  温度检测部
223、225  存取速率控制部
224  温度参数保存部
300～315  快闪存储器
320～323  存储器总线
具体实施方式
[0068](第1实施方式)
图1是表示本发明第1实施方式中的非易失性存储系统的框图。如图1所示，本实施方式的非易失性存储系统包含非易失性存储装置100A和装有非易失性存储装置100A的存取装置200A而构成。
[0069]首先，存取装置200A包含用以显示关于非易失性存储系统的信息的显示部201以及控制部202。控制部202执行控制，以对非易失性存储装置100A进行存取而写入或读出数据，同时在显示部201上显示从非易失性存储装置100A接收的信息中的必要信息。
[0070]接着，就非易失性存储装置100A进行说明。如图1所示，非易失性存储装置100A包含存储器控制器110A、作为快闪存储器群的非易失性存储器120和模式转换开关130。如后所述，模式转换开关130是在存取速率控制模式和非存取速率控制模式之间转换的转换部。
[0071]存储器控制器110A包含与存取装置200A进行通信的主接口(主IF)101、缓冲器102、读写控制部103、CPU104、地址管理部105和存取速率控制部106A。
[0072]缓冲器102由具有例如16k字节容量的RAM构成，暂时保存来自存取装置200A的数据或从非易失性存储器120读出的数据。图2是表示该缓冲器102的存储器映射。缓冲器102由区域0～7等8个区域构成，各区域具有2k字节的容量。写指针WP指示从存取装置200A传输的数据的写入位置。另外，读指针RP指示从缓冲器102读出数据时的读出位置。
[0073]读写控制部103基于地址管理部105指定的物理地址，将缓冲器102中暂时保存的数据写入非易失性存储器120。读写控制部103还从非易失性存储器120读出数据，并将该数据在缓冲器102中暂时保存。
[0074]CPU104内部包含程序用ROM和操作用的RAM等，控制整个存储器控制器110A。
[0075]地址管理部105是将伴随存取装置200A的存取而传送的逻辑地址变换成非易失性存储器120的物理地址，对非易失性存储器120的记录状态等进行管理的模块。再有，地址管理方法用一般的技术实现，因此其说明省略。
[0076]存取速率控制部106A包含温度检测部111和温度适应型控制部112。温度检测部111包含热敏电阻等的温度传感器，用来检测非易失性存储装置100A的温度(以下称为温度T)。
[0077]温度适应型的温度适应型控制部112内部的ROM等中，存储第1、第2阈值温度。第1阈值温度是指示非易失性存储装置使用上有烫伤等危险的温度之下限的极限温度(以下称为极限温度Trisk)。第2阈值温度是可判断为比第1阈值温度低的、无烫伤之危险的充分安全的安全温度(以下称为安全温度Tsafe)。温度适应型控制部112以存取速率控制模式或非存取速率控制模式中的任一模式工作。所谓存取速率控制模式，是将温度传感器测定的温度T与极限温度Trisk或安全温度Tsafe比较，并基于比较结果进行数据读写的中断或存取速率的变更等的模式。所谓非存取速率控制模式，是与温度T无关地按存取装置200A的存取速率写入数据，不进行数据读写的中断或存取速率的变更等的模式。
[0078]接着，就非易失性存储器120进行说明。图3是表示非易失性存储装置100A的非易失性存储器120的框图。非易失性存储器120包含有16个快闪存储器(FM)300～315，用存储器总线320～323与读写控制部103连接。
[0079]图4是各快闪存储器300～315所包含的物理块的构成图。1个快闪存储器包含多个物理块，1个物理块具有128个作为写入单位的页面。各页面具有2048字节的数据区和64字节的管理区。物理块的数据区存储存取装置200A传送的数据，在斜线所示的最前页面的管理区中，记录基于存取装置200A传送的逻辑地址由地址管理部105生成的逻辑块编号和物理管理信息。
[0080]按时间序列就该结构的非易失性存储系统中从存取装置200A向非易失性存储装置100A的数据写入进行说明。图5是表示数据写入动作时存取装置200A的数据发送和接收的时序图。存取装置200A首先对非易失性存储装置100A发送写入指令。接着，存取装置200A以16k字节(簇单位)为单位，依次对非易失性存储装置100A传送数据。但是，在接收到来自非易失性存储装置100A的忙碌信息期间，存取装置200A中断数据的传送。若在经过这样的处理后文件数据的传输结束，存取装置200A就向非易失性存储装置100A发送传输结束指令。
[0081]接着，分别就非存取速率控制模式和存取速率控制模式下的数据写入的流程进行说明。再有，为简明起见，本实施方式中仅就数据写入进行说明，省略对于数据读出的说明。图6是表示存储器控制器110A进行的数据写入控制的流程图。另外，为简明起见，省略了与本发明无直接关系的内容和一般技术就能实现的内容、例如非易失性存储器120中存储的系统信息和地址管理部105的详细操作等的说明。再有，数据写入中，存取装置200A从逻辑地址0开始以16k字节为单位连续地写入数据。
[0082][非存取速率控制模式中的数据写入动作]
首先，就不进行存取速率控制的非存取速率控制模式中数据写入的处理进行说明。图6中，电源接通时的初始化动作与传统的存储器控制器相同。首先，基于快闪存储器300～315的各物理块的管理区中记录的逻辑块编号和物理管理信息，地址管理部105在地址管理部105内构成逻辑/物理变换表等(S100)。在以下进行的存取装置200A的数据写入中，存储器控制器110A用该逻辑/物理变换表等确定物理地址。然后，存储器控制器110A将缓冲器102中暂时保存的数据经由读写控制部103写入快闪存储器300～315。
[0083]S100中的初始化处理后，存储器控制器110A等待来自存取装置200A的指示写入的写入指令(S101)。存储器控制器110A一旦从存取装置200A接收到写入指令，CPU104就将作为写入指令的自变量(argument)传送的逻辑地址转交给地址管理部105。地址管理部105基于该逻辑地址确定物理块。并且，CPU104将在写入指令后传送的数据根据写指针WP从区域0按升序暂时保存在缓冲器102中(S102)。
[0084]在缓冲器102中保存2k字节的数据的时刻，读写控制部103将缓冲器102中暂时保存的数据根据读指针RP从缓冲器102读出，并写入非易失性存储器120(S103)。反复进行这样的S102和S103的处理，直至存取装置200A传输了16k字节的数据(S104)。再有，关于S102及S103中进行的存取装置200A、缓冲器102及非易失性存储器120的数据传输与写入的定时以及非易失性存储器120的温升，将在后面描述。
[0085]S104后，CPU104根据模式转换开关130的状态，判别是存取速率控制模式还是非存取速率控制模式(S105)。如果是这里说明的非存取速率控制模式，则处理转入S109。
[0086]接着，CPU104判别是否从存取装置200A接收到传输结束指令(S109)。若接收到传输结束指令，就转入步骤S101，等待下一指令。另一方面，若未接收到传输结束指令，就转入步骤S102，继续进行缓冲器102中暂时保存的数据对非易失性存储器120的写入处理。以上是关于非存取速率控制模式的数据写入处理的说明。
[0087]以下，说明S102及S103中的数据传输及写入的定时和非易失性存储器120的温升。图7是表示在进行高速存取的情况下不进行存取速率控制时对非易失性存储器120的数据写入的时序图。图7按时间序列表示从存取装置200A的数据传送、从缓冲器102的数据读出以及对各快闪存储器300～315的数据写入。本图中从0开始附加的编号，以2k字节为单位附加在从存取装置200A传送的数据上。以下，例如设附加编号0的数据为数据0。另外，8个单位、例如从数据0到数据7，表示16k字节的数据。
[0088]首先，从存取装置200A依次从数据0传送数据到缓冲器102。对缓冲器102的数据0的传送一结束，存取装置200A就开始数据1的传送，但是，此时读写控制部103已开始从缓冲器102读出数据0。就是说，图7示出数据1从存取装置200A向缓冲器102的传输和数据0从缓冲器102的读出同时进行。并且，如图7所示，读写控制部103将从缓冲器102读出的数据0传送给快闪存储器300，将数据1传送给快闪存储器301。这样，写入数据就从数据0开始依次传输给快闪存储器300～315。
[0089]在表示对快闪存储器300～315的写入的时间序列中，未加斜线的传输期间Pt(约67μS)表示读写控制部103经由存储器总线将写入数据传送给非易失性存储器120内的I/O寄存器(未图示)的期间。另外，加有斜线的写入期间Pp(约200μS)表示快闪存储器将传送给I/O寄存器的数据写入物理块的页面的期间。此时，如图7所示，每2k字节，依次从快闪存储器300写入数据到快闪存储器315，重复进行循环写入。并且，图7表示全部快闪存储器300～315无休止地连续进行数据写入。
[0090]这样若从存取装置200A以67μS传输8k字节的数据，由下式(1)求出存取速率约为120M字节/S。

[0091]现在说明在这样的状态下非易失性存储装置100A的温升。非易失性存储装置100A的功耗中的主要部分，是在对快闪存储器300～315的写入动作的传输期间Pt及写入期间Pp中消耗的功率。如图7所示，在16个快闪存储器300～315稳定地同时工作的情况下，设快闪存储器300～315的电源电压为3.3V，Pt及Pp的消耗电流为10mA，则非易失性存储装置100A的稳定功耗Q由下式(2)求出为约528mW。
3.3V×10mA×16＝528mW...(2)
再有，通常用集成电路实现的存储器控制器110A的功耗充分小于快闪存储器300～315的功耗，因此为了简明而忽略。
[0092]在对非易失性存储器300～315的写入中，非易失性存储装置100A的平均温升ΔT，可用引自「電子機器的小型化·高速化に対応した熱対策と熱シミユレ一シヨン技術(1991)著者：石塜勝ほか」(应对电子设备的小型化、高速化的热对策与热模拟技术)的公式即式(3)近似地求出。式中，Q为用式(2)求出的功耗值0.528W。S表示非易失性存储装置100A的表面积。
ΔT＝{Q/(1.78×S)}^0.8...(3)
这里，如果非易失性存储装置100A是SD存储卡，则其表面积S由下式求出。

+(0.024×.0021)}×2]]>
=1.77×10-3m2]]>
若采用该值S，则由(3)得到ΔT为约60℃。
[0093]这里可知，假设非易失性存储装置100A周围的温度(以下，称为环境温度TE)为25℃，非易失性存储装置100A的温度T是环境温度TE与温升ΔT之和，亦即温度上升至T＝85℃。再有，在非易失性存储装置100A装于存取装置200A内部使用的情况下，环境温度TE成为存取装置200A内的非易失性存储装置100A周围的温度，因此，环境温度TE未必一定是25℃。即，环境温度TE因存取装置200A的种类而异，这里采用非易失性存储装置100A制造时的质量标准。
[0094]这里，图8是表示非易失性存储装置100A的温度变化的曲线图，与上述的高速存取时的写入处理对应的温度T的时间特性是图8中实线A示出的曲线图。写入开始时刻的温度T是环境温度TE即25℃。然后，温度T因数据的写入而逐渐地接近环境温度TE加式(3)算出的温升ΔT的饱和温度，这里为85℃。温度上升至饱和温度的约63％比例的时间即热时间常数因非易失性存储装置100A的存取方法、材质等而各不相同，但如果是例如对某存储卡连续写入数据，则大概约为2～3分钟。
[0095]接着，用图9说明低速存取时的情况。图9是表示不进行存取速率控制的情况下对非易失性存储器120的数据写入的时序图，表示进行低速存取时的状况。
[0096]图9中，存取装置200A传送的数据的存取速率设为高速存取时的一半约60M字节/S。与高速存取时相比，图9中从存取装置200A传输及从缓冲器102读出的速率大约为其一半。但是，例如在快闪存储器300中的数据0的传输期间Pt，与高速存取时相同约为67μS，在数据0的写入期间约为200μS。图9所示的情况是，这样存取速率被设为一半时，各快闪存储器300～315中写入休止期间以与写入期间大致相同的比例发生。再有，所谓写入休止期间，是数据的传输和写入均不进行的时间。与高速存取时的功耗相比，非易失性存储器120的功耗值Q为264mW，约成为一半。假设非易失性存储装置是SD卡，其温升ΔT为下式(4)所示的约35℃。

可知，如果在上述的温升ΔT上增加环境温度TE的25℃，饱和温度T就成为60℃。
[0097]这里，假设极限温度Trisk为60℃，与低速存取时的写入处理对应的温度T的时间特性成为图8中虚线B所示的曲线。写入开始时的温度T是环境温度TE即25℃，然后，温度T由于因写入处理耗用电功率而逐渐接近饱和温度即60℃。根据上述可知，低速存取时即使持续地写入数据，也不会超过极限温度Trisk，结果消除了烫伤的危险。
[0098]再有，为了便于图示，图7中从存取装置200A及缓冲器102传输8k字节数据的期间和期间Pt表示为大致相同的时间，但是这些期间不必一定为相同时间。同样地，图9中从存取装置200A及缓冲器102传输4k字节数据的期间和期间Pt表示为大致相同时间，但这些期间也不必一定为相同时间。
[0099]另外，存取装置200A可以设置成选择高速存取和低速存取。例如，可决定将数码相机的高速连续拍摄模式等设为高速存取，将通常的拍摄模式设为低速存取。
[0100][存取速率控制模式中的数据写入动作]
接着，用图6说明存取速率控制模式中的数据写入动作。再有，图6中的S100～S104与上述的非存取速率控制模式中的数据写入动作相同，因此其说明省略。
[0101]S104之后，CPU104根据模式转换开关130的状态判断存取速率控制模式已被选择(S105)。接着，温度适应型控制部112将温度检测部111测出的非易失性存储装置100A的温度T与极限温度Trisk比较(S106)。
[0102]在S106中，如判断为温度T比极限温度Trisk大，则温度适应型控制部112使读写控制部103的数据写入中断，并对存取装置200A发送忙碌信息(S107)。温度适应型控制部112一边发送忙碌信息，一边判断温度T是否低于安全温度Tsafe(S108)。在S108中，如无法判断为温度T低于安全温度Tsafe则返回到步骤S107，因此发送忙碌信息，直到在S108中温度T低于安全温度Tsafe。
[0103]在S108中，如判断为温度T低于安全温度Tsafe，CPU104就判别存储器控制器110A是否接收到来自存取装置200A的传输结束指令(S109)。若接收到传输结束指令，则转入步骤S101，等待下一读写指示。另一方面，若未接收到传输结束指令，则转入步骤S102，继续将缓冲器102中暂时保存的数据向非易失性存储器120写入。
[0104]接着，用图10及图11说明存取速率控制模式中的非易失性存储装置100A的温升。图10是表示上述的存取速率控制模式中高速存取时的数据写入的时序图。图10中，在时刻tr中断数据传输，在时刻ts重新开始数据传输。另外，图11是表示与图10的写入处理对应的温度T的时间特性的曲线图。图11中，写入开始时刻t0的温度T等于环境温度TE即25℃，然后，温度T由于因数据写入而消耗的电功率而逐渐接近于饱和温度即85℃。但是，在温度T超过极限温度Trisk的时刻tr，通过图6中的S107的处理，存取装置200A的数据传输及读写控制部130的数据写入被中断，因此温度T开始降低。在温度T低于安全温度Tsafe的时刻ts，存取装置200A的数据传输及读写控制部130的写入重新开始，温度T重新开始上升。
[0105]如上，本实施方式所示的非易失性存储系统，在温度检测部111测出的非易失性存储装置100A的温度T超过极限温度Trisk时，温度适应型控制部112中断读写控制部103的写入动作，同时将忙碌信息发送给存取装置200A并使存取装置200A的数据传输中断。并且，在温度T成为低于安全温度Tsafe时重新开始数据写入和数据传输。从而，能够控制存取速率，即使在高速数据写入中，也能避免因非易失性存储装置100A的温升而使用户烫伤。
[0106]再有，温度适应型控制部112也可保存作为第3阈值温度的比极限温度Trisk低的极限温度Trisk2的数据。该温度Trisk2是指示与非易失性存储装置使用上危险的温度临近之状态的温度，设为比安全温度Tsafe高的温度。温度适应型控制部112在温度T超过该极限温度Trisk2时将读写控制部103的数据写入从高速存取转换到低速存取。与此同时，温度适应型控制部112可向存取装置200A发送向低速存取转换的指示，将存取装置200A的数据传输从高速存取转换成低速存取。另外，在温度T低于极限温度Trisk2时将数据写入从低速存取转换到速高存取。然后，温度适应型控制部112向存取装置200A发送转换到高速存取的指示，将存取装置200A的数据传输从低速存取转换到高速存取。
[0107]再有，本实施方式中就数据写入进行说明，但是在读出动作中也可通过与以上说明相同的处理进行存取速率控制。再有，极限温度Trisk及安全温度Tsafe由非易失性存储装置100A制造中的质量标准决定，可以设置成各种值。另外，将温度检测部111设置在存储器控制器110A的外部，也能取得与上述的本实施方式相同的效果。
[0108](第2实施方式)
图12是表示本发明第2实施方式中的非易失性存储系统的框图。本实施方式的非易失性存储系统如图12所示，包含非易失性存储装置100B和装有非易失性存储装置100B的存取装置200B而构成。
[0109]非易失性存储装置100B的存储器控制器110B包含有存取速率控制部106B。并且，存取速率控制部106B包含有状态信息生成部113。除了状态信息生成部113之外，本实施方式与第1实施方式相同，采用与第1实施方式相同的附图标记表示。
[0110]另一方面，存取装置200B在显示部201之外还具有控制部203及冷却部204。控制部203基于非易失性存储装置100B提供的状态信息控制对非易失性存储装置100B的存取，同时驱动冷却部204。冷却部204是例如风扇等空冷装置或珀尔帖元件等电气冷却部等，对非易失性存储装置100B进行冷却。
[0111]接着，就非易失性存储装置100B的存取速率控制部106B内的状态信息生成部113进行说明。状态信息生成部113生成表示非易失性存储装置之状态的状态信息，并将生成的信息发送给存取装置200B。状态信息是指温度T、警告信息、存取速率控制实施信息、读写许可时间tx、读写许可量Sx等，后文将详细说明。状态信息生成部113的内部具有包含执行后述的式(5-1)～式(5-4)的程序的ROM和运算器，用来计算读写许可时间tx。状态信息生成部113的内部具有与式(5-1)～式(5-4)对应的表，也可通过参照该表求出读写许可时间tx。状态信息生成部113的内部还具有包含执行后述的式(6-1)及式(6-2)的程序的ROM和运算器，可用来计算读写许可量Sx。状态信息生成部113的内部具有与式(6-1)及式(6-2)对应的表，也可通过参照该表求出读写许可量Sx。
[0112]接着，就状态信息进行说明。状态信息中的温度T是温度检测部111测出的非易失性存储装置100B的温度。
[0113]警告信息用例如1比特的标志构成。该标志表示非易失性存储装置100B的温度T是否成为高于极限温度Trisk的高温。
[0114]存取速率控制实施信息用例如1比特的标志构成。该标志表示温度适应型控制部112当前是否在执行存取速率控制。
[0115]读写许可时间tx是直至温度T达到极限温度Trisk的数据读写许可时间。读写许可时间tx通过如下各式(5-1)～(5-4)求出。式中，T是非易失性存储装置100B的温度，Rw是写入时的存取速率，Rr是读出时的存取速率，t是进行存取的时间。TE是非易失性存储装置100B的环境温度，在本实施方式中为固定值设于25℃。
写入时
T＝Fw(Rw，t)+TE...(5-1)
tx＝Gw(Rw，T，Trisk)...(5-2)
读出时
T＝Fr(Rr，t)+TE...(5-3)
tx＝Gr(Rr，T，Trisk)...(5-4)
再有，存取速率Rw和Rr均为用计数器等对缓冲器102的写指针WP或读指针RP的时间增量计数，并用该计数值(时间)除以2k字节而求出。Fw和Fr是以存取速率Rw或Rr和时间t为变量，唯一地求出非易失性存储装置100B的平均温升ΔT的函数。这些函数可在非易失性存储措置110B制造时通过温度实验或模拟作为近似算式导出，形成第1实施方式的图8所示的积分特性。Gw和Gr是用以唯一地求出温度T达到极限温度Trisk的时间即读写许可时间tx的函数，可分别基于Fw和Fr求出。
[0116]读写许可量Sx是温度T达到极限温度Trisk为止的数据读写许可量。读写许可量Sx通过下式(6-1)及式(6-2)求出。式中，tx是用式(5-2)或式(5-4)求出的读写许可时间。
写入时
Sx＝tx×Rw...(6-1)
读出时
Sx＝tx×Rr...(6-2)
[0117]以下，按时间序列就如上构成的非易失性存储系统中从存取装置200B向非易失性存储装置100B的数据写入进行说明。图13是表示数据写入动作时存取装置200B的数据发送和接收的时序图。存取装置200B首先向非易失性存储装置100B发送写入指令。接着，存取装置200B接收来自非易失性存储装置100B的状态信息ST。接收到状态信息的存取装置200B向非易失性存储装置100B传送16k字节(簇单位)的数据。数据的传送一结束，就接收来自非易失性存储装置100B的状态信息。如此，存取装置200B交互地进行16kB数据的发送和状态信息的接收，将文件数据传送给非易失性存储装置100B。存取装置200B在接收来自非易失性存储装置100B的忙碌信息的期间，中断数据的传送。经过这样的处理，文件数据的传送一结束，存取装置200B就对非易失性存储装置100B发送传输结束指令。
[0118]接着，说明数据写入的流程。图14的步骤S100～S109的非存取速率控制模式及存取速率控制模式的动作与第1实施方式相同，其说明省略。以下，就本图新增加的步骤S120进行说明。
[0119]在图14的步骤S104后，状态信息生成部113生成状态信息后将该状态信息通知到存取装置200B(S120)。存取装置200B的控制部203使显示部201显示所通知的状态信息，另外，使冷却部204按照状态信息工作，对非易失性存储装置100B进行冷却。以下就该处理作详细说明。
[0120]上述状态信息中的至少1个被通知到存取装置200B时，存取装置200B基于被通知的状态信息，执行以下(1)～(5)所示的动作。
[0121](1)状态信息生成部113将温度T作为状态信息通知到存取装置200B，存取装置的控制部203使显示部201显示温度T。控制部203在其内部具有存储了极限温度Trisk及Tsafe的ROM。
然后，将所通知的温度T与温度Trisk和Tsafe比较，在该温度高于Trisk时驱动冷却部，低于Tsafe时停止冷却部。
[0122](2)状态信息生成部113将警告信息作为状态信息通知到存取装置200B，存取装置的控制部203在显示部201上显示警告信息。另外，控制部203在接收到警告信息后，将冷却部204驱动一定时间。
[0123](3)状态信息生成部113将存取速率控制实施信息作为状态信息通知到存取装置200B，存取装置的控制部203在显示部201上显示存取速率控制的实施状态。另外，控制部203在接收到存取速率控制实施信息后，在当前存取速率在降低时，将冷却部204驱动一定时间。
[0124](4)状态信息生成部113作为状态信息生成读写许可时间tx，并通知存取装置200B。这时，存取装置的控制部203将读写许可时间tx在显示部201上显示。另外，控制部203具有预先存有成为阈值的时间(阈值时间)的ROM，因此，读写许可时间tx比该成为阈值的时间短时，就将冷却部204驱动一定时间。例如若阈值时间设为1分钟，则在每次1个簇的数据传输中所给予的读写许可时间tx成为1分钟以下时，就驱动冷却部204。该阈值时间是为了不使非易失性存储装置100B的温度超过Trisk而让存取装置200B开始驱动冷却部204的时间。
[0125](5)状态信息生成部113作为状态信息生成读写许可量Sx，并通知存取装置200B。这时，存取装置的控制部203将读写许可量Sx在显示部201上显示。另外，控制部203具有预先存有作为阈值的数据量(阈值量)的ROM，因此，读写许可量Sx比成为该阈值的数据量小时，就驱动冷却部204一定时间。例如若阈值量设为32kB，则在每次1个簇的数据传输中所给予的读写许可时间Sx成为32kB以下时，就驱动冷却部204。该阈值量是为了使非易失性存储装置100B的温度不超过Trisk而让存取装置200B开始冷却部204的驱动而设的数据量。
[0126]如上述那样使用各状态信息，但状态信息生成部113可以生成上述5种状态信息中的1种并通知存取装置200B，也可以生成多种状态信息并通知存取装置200B。至于在显示部201显示何种状态信息，或者根据何种状态信息来确定冷却部204的驱动，取决于存取装置200B的设计或设定，可以有各种各样的变更。
[0127](第3实施方式)
图15是表示本发明第3实施方式中的非易失性存储系统的框图。本实施方式的非易失性存储系统包含非易失性存储装置100C和存取装置200A而构成。非易失性存储装置100C的存储器控制器110C的存取速率控制部106C中包含有温度计算部114。温度计算部114不是采用热敏电阻等的传感器，而是通过基于第2实施方式中说明的式(5-1)及式(5-3)的近似计算求出非易失性存储装置100C的温度T。除了温度计算部114之外，本实施方式中的存取装置200A及非易失性存储装置100C与第1实施方式的相同，采用与第1实施方式相同的附图标记。再有，在该近似计算中，将存取开始时的环境温度TE设为固定值，例如25℃。
[0128]本实施方式中的非易失性存储系统中，第1实施方式的温度检测部111被置换成温度计算部114。因而，能够用温度计算部114算出的温度T进行与第1实施方式中说明的非易失性存储系统同样的动作。
[0129]本实施方式中，温度适应型控制部112也可保存作为第3阈值温度的比极限温度Trisk低的极限温度Trisk2的数据。该温度Trisk2是指示与非易失性存储装置使用上危险的温度临近之状态的温度，设为比安全温度Tsafe高的温度。温度适应型控制部112在温度T超过该极限温度Trisk2时将读写控制部103的数据写入从高速存取转换到低速存取。与此同时，温度适应型控制部112可以对存取装置200A发送向低速存取转换的指示，使存取装置200A的数据传输从高速存取转换到低速存取。
[0130]本实施方式中，温度计算部114通过近似计算求出温度T，非易失性存储装置100C中不需要安装热敏电阻等的温度传感器。因此，在非易失性存储装置100C的小型化或成本上具有优势。
[0131](第4实施方式)
图16是表示本发明第4实施方式中的非易失性存储系统的框图。本实施方式的非易失性存储系统包含非易失性存储装置100D和存取装置200D而构成。非易失性存储装置100D的存储器控制器110D包含有数据量适应型的存取速率控制部107。存取装置200D包含显示部201和控制部205而构成。
[0132]本实施方式的非易失性存储系统中，仅存取速率控制部107和控制部205与第1实施方式的非易失性存储系统不同。除了这些控制部，其他与第1实施方式相同，采用与第1实施方式相同的附图标记。
[0133]存取速率控制部107基于存取装置200D指定的数据量来计算出存取时非易失性存储装置100D不超过第1阈值温度Trisk的存取速率，并将算出的存取速率作为存取速率信息(AR)通知到存取装置200D。
[0134]存取装置200D的控制部205控制包含显示部201的存取装置200D。并且，控制部205向非易失性存储装置100D发送传输的数据量，并从非易失性存储装置100D接收数据传输的存取速率。然后，存取装置200D根据该存取速率存取非易失性存储装置100D，按16k字节(簇单位)传输文件数据。
[0135]对上述结构的本实施方式中的非易失性存储系统进行说明。另外，本实施方式中，为了简明仅就数据写入动作进行说明，省略对于读出动作的说明。
[0136]图17是表示存取装置200D的数据写入动作的时序图。图17中，存取装置200D对非易失性存储装置100D写入数据时，首先存取装置200D将写入指令和写入数据的总量(以下称数据量)传送给非易失性存储装置100D。
[0137]图17中，存取装置200D将16k字节单位的数据间隔着传输休止期间依次传输。存取装置200D传输16k字节的数据的周期表示为传输周期Pa，传输16k字节的数据的时间表示为传输所需时间Pd。再有，传输所需时间Pd由存取装置200D的性能决定。存取装置200D根据非易失性存储装置100D通知的存取速率信息来确定传输周期Pa与传输所需时间Pd的比率。
[0138]接着，说明传输所需时间Pd与传输周期Pa的比率跟存取速率的关系。设连接存取装置200D和主接口101的外部总线的位宽为4比特，存取装置200D的传输时钟频率为240MHz，则由下式(7)求得传输所需时间Pd为约133μS。

[0139]再有，在传输周期Pa与传输所需时间Pd相等即无传输休止期间的情况下，由下式(8)求得存取速率Rw为120MB/S。
Rw＝16kB/Pa＝16kB/Pd＝120MB/S...(8)
[0140]设非易失性存储装置100D通知的存取速率为Rw，Pa＝Pd时的存取装置200D的写入处理中的存取速率为Rmax，下式(9)成立。此时Rmax为120M字节/S。
Pd/Pa＝Rw/Rmax...(9)
[0141]根据该式(9)，设Rw为60M字节/S，则有Pd＝Pa/2。这时，传输周期Pa成为传输所需时间Pd的2倍。
[0142]再有，控制部205根据基于式(9)和Rw确定的传输周期Pa与传输所需时间Pd的比率，用计数器等管理传输所需时间Pd和传输周期Pa所需时间，同时控制每16k字节的数据的传送开始时刻。
[0143]接着，用图18说明存储器控制器110D的写入控制。在电源接通时的初始化动作中，地址管理部105基于快闪存储器300～315内的物理块的管理区中记录的逻辑块编号和物理管理信息在地址管理部105内构成逻辑/物理变换表等(S200)。在以下的来自存取装置200D的数据的写入中，存储器控制器110D用该逻辑/物理变换表等确定物理地址。然后，存储器控制器110D将缓冲器102中暂时保存的数据通过读写控制部103写入快闪存储器300～315。
[0144]在S200的初始化处理后，存储器控制器110D等待来自存取装置200D的指示数据写入的写入指令(S201)。存储器控制器110D一从存取装置200D接收到写入指令，CPU104就将作为写入指令的自变量传送的逻辑地址传递给地址管理部105。地址管理部105基于该逻辑地址来确定物理块。
[0145]CPU104还在写入指令之后将传输的数据量传送给存取速率控制部107。存取速率控制部107基于传输的数据量和式(10-1)及式(10-2)决定存取速率(S202)。式中，Rw为写入时的存取速率，Rr为读出时的存取速率，Ds为数据量。
写入时
Rw＝Hw(Ds)...(10-1)
读出时
Rr＝Hr(Ds)...(10-2)
再有，Hw和Hr是以数据量Ds为变量，在非易失性存储装置100D的温度T不超过第1阈值温度即极限温度Trisk的范围内唯一地导出存取速率Rw和Rr成为最高速的值的函数。该函数可在非易失性存储装置100D制造时，通过温度实验或模拟作为近似算式导出。再有，存取速率控制部107内预先具有与式(10-1)及式(10-2)对应的表，也可以通过参照该表来求出存取速率Rw或Rr。
[0146]存取速率控制部107将这样算出的存取速率Rw通知到存取装置200D(S203)。
[0147]存取装置200D基于被通知的存取速率确定传输周期Pa与传输所需时间Pd的比率。存取装置200D根据该比率将数据按16k字节单位传输到非易失性存储装置100D。该数据从写指针WP指示的区域暂时保存在缓冲器102中(S204)。数据在缓冲器102中保存2k字节之时，读写控制部103将缓冲器102中保存的数据根据读指针RP从缓冲器102读出，并写入非易失性存储器120(S205)。反复进行这样的S204与S205的处理，直到从存取装置200D传输出16k字节的数据(S206)。再有，S204、S205中进行的数据传输或写入的定时与第1实施方式相同。
[0148]然后，CPU104判别是否从存取装置200D接收到传输结束指令(S207)。若接收到传输结束指令，则转入S201，等待下一读写指示。另一方面，若CPU104未从存取装置200D接收到传输结束指令，则转入S204，依次将数据暂时保存到缓冲器102。
[0149]如上所述，第4实施方式所示的非易失性存储系统中，存取速率控制部107基于存取装置200D指定的数据量决定存取速率。存取速率控制部107将该存取速率通知存取装置200D，存取装置200D根据该存取速率写入数据。从而，能够在温度T不超过极限温度Trisk的范围内以最高的存取速率写入数据。即，可避免因非易失性存储装置100D的温升造成用户的烫伤，同时能够高速地写入数据。
[0150]再有，本实施方式中，通过控制传输周期Pa与传输所需时间Pd的比率来控制存取速率，但也可通过控制传输所需时间Pd来控制存取速率。另外，数据传输单位可任意设定，并不限于以16kB进行传输。
[0151](第5实施方式)
图19是表示本发明第5实施方式中的非易失性存储系统的框图。本实施方式的非易失性存储系统包含图19所示的非易失性存储装置100E和装有非易失性存储装置100E的存取装置200E而构成。本实施方式的非易失性存储系统中，存取装置200E新具有包含温度传感器的温度输出部206。温度输出部206在与非易失性存储装置100E临近处设置温度传感器，将温度传感器检测的非易失性存储装置100E的温度信息经由控制部202及外部总线提供给非易失性存储装置100E。在读指令及写指令的执行中定期地输出温度信息。
[0152]另一方面，非易失性存储装置100E的存储器控制器110E的存取速率控制部106E中包含有温度保存部115。温度保存部115不采用热敏电阻等的传感器，而是从存取装置200E接收温度信息，作为非易失性存储装置100A的温度T保存。除了温度保存部115和设于存取装置200E的温度输出部206以外，本实施方式与第1实施方式相同，采用与第1实施方式相同的附图标记表示。非易失性存储装置100E经由主接口101接收存取装置200E提供的温度信息。
[0153]如上所述，本实施方式中的非易失性存储系统中，温度检测部111被置换成温度保存部115，温度保存部115从存取装置200E接收的温度信息被作为非易失性存储装置100E的温度T处理，从而能够进行与第1实施方式中说明的非易失性存储系统同样的动作。
[0154]即，在非易失性存储装置100E的温度T超过极限温度Trisk时，温度适应型控制部112使读写控制部103的写入动作中断，同时将忙碌信息发送给存取装置200E，并使存取装置200E的数据传输中断。并且，在温度T比安全温度Tsafe低时重新开始数据写入和数据传输。从而，能够控制存取速率，也可在高速的数据写入中避免因非易失性存储装置100E的温升而造成用户的烫伤。
[0155]从例如小型的用充电电池或干电池工作的音频播放器那样功耗小的装置开始，具有大容量充电电池来记录动态图像和声音的电影(便携式摄像机)那样功耗大的装置，还有用交流电源工作的家用录像机或电视、个人电脑等各种各样的装置，均可被认为是存取装置200E。其中功率大、装置内温度会升高的装置，往往在该装置内具有温度传感器。在存取装置200E内的热敏电阻等的温度传感器被装在非易失性存储装置的安装位置，例如设在存储卡的插槽或其周边的情况下，将从存取装置200E向非易失性存储装置100E供给的温度信息作为非易失性存储装置100E的温度T也无妨。在这种情况下，可将预先设置的温度传感器用作温度输出部206的温度传感器。如此，就没有必要在非易失性存储装置100E中安装热敏电阻等的温度传感器，这样在非易失性存储装置100E的小型化及成本上具有优势。
[0156]再有，温度适应型控制部112可保存低于极限温度Trisk的第3阈值温度即极限温度Trisk2的数据。在温度T超过该极限温度Trisk2时，温度适应型控制部112将读写控制部103的数据写入从高速存取转换到低速存取。与此同时，温度适应型控制部112可对存取装置200E发送向低速存取转换的指示，将存取装置200E的数据传输从高速存取转换到低速存取。
[0157]再有，极限温度Trisk及安全温度Tsafe由非易失性存储装置100E制造中的质量标准决定，可以取各种各样的值。
[0158](第6实施方式)
上述的第1、第3实施方式中，非易失性存储装置100A、100C的环境温度TE设为固定值，但是，实际上被认为有多种多样与非易失性存储装置对应的装置。因此，非易失性存储装置的环境温度因存取装置而会有大的差别。
[0159]如小型的用充电电池或干电池工作的音频播放器那样功耗小的存取装置中，装置本身的温升非常小。如果存取装置的功耗小，有时只比外部气温上升约几℃左右。就这样的存取装置而言，如第1实施方式中说明的那样，将非易失性存储装置的环境温度TE固定在25℃，实际使用中不会有任何问题。
[0160]另一方面，存取装置包括具有大容量的充电电池的、记录动态图像和声音的电影(便携式摄像机)那样功耗大的装置，还有用交流电源工作的家用录像机或电视、个人电脑等。这样的存取装置中，也有自身发生30℃到40℃的热、内部温度上升到60℃左右的装置。因而，如果将非易失性存储装置的环境温度TE设置为25℃的固定值来计算非易失性存储装置的温度T，则与实际的非易失性存储装置的温度之间有非常大的偏离，结果不能进行所希望的存取速率控制，非易失性存储装置成为高温，可能会发生烫伤之危险。
[0161]在写入开始时刻中的温度T设于如第1实施方式中说明的25℃的情况下，如图8所示，之后温度T随着数据的写入而逐步接近饱和温度即85℃。但是，在写入开始时刻的温度T实际上成为40℃的情况下，如果在第1实施方式中说明的条件下以高速存取进行写入，则如图20所示，温度T会随着数据的写入而逐步接近饱和温度即约100℃。
[0162]如上所述，在功耗大、存取装置本身的发热量大的情况下，将环境温度TE设为固定值而算出的非易失性存储装置100A的温度T与实际使用环境下的非易失性存储装置100A的温度T之间产生偏离。
[0163]图21是表示本发明第6实施方式中的非易失性存储系统的框图。本实施方式的非易失性存储系统包含图12所示的非易失性存储装置100F和装有非易失性存储装置100F的存取装置200F而构成。本实施方式中，除了非易失性存储装置100F的温度计算部116和装于存取装置200F的环境温度输出部207A以外，与第1实施方式的装置相同，采用与第1实施方式相同的附图标记表示。环境温度输出部207A包含有热敏电阻等的温度传感器，测定非易失性存储装置100F的环境温度TE并将其输出。非易失性存储装置100F的存储器控制器110F的存取速率控制部106F中包含温度计算部116。温度计算部116不使用热敏电阻等的传感器，而是通过第2实施方式中说明的基于式(5-1)及式(5-3)的近似计算来求出非易失性存储装置100F的温度T。
T＝Fw(Rw，t)+TE...(5-1)
T＝Fr(Rr，t)+TE...(5-3)
这里，T是非易失性存储装置100F的温度，Rw是写入时的存取速率，Rr是读出时的存取速率，t是进行存取的时间。
[0164]存取速率Rw和Rr均通过用计数器等计数缓冲器102的写指针WP或读指针RP的时间增量，并用该计数值(时间)除以2k字节而求得。Fw和Fr是以存取速率Rw或Rr和时间t作为变量而唯一地求出非易失性存储装置100F的温升ΔT的函数。这些函数可在非易失性存储装置100F制造时通过温度实验或模拟作为近似计算式导出，具有图8和图20所示的积分特性。
[0165]本实施方式中，存取装置200F通过环境温度输出部207A检测非易失性存储装置100F的环境温度TE，并经由控制部202及外部总线提供给非易失性存储装置100F。
[0166]非易失性存储装置100F将存取装置200F供给的温度信息通过主接口101接收。存取速率控制部106F的温度计算部116在式(5-1)、(5-3)的计算时采用非易失性存储装置100F的环境温度TE。
[0167]图22是表示在如图10所示的存取速率控制模式中，高速存取时在时刻tr中断数据传输、在时刻ts重新开始数据传输而进行写入处理时的温度T的时间特性的曲线图。图22中，写入开始时刻的温度T是存取装置200F的环境温度输出部207A提供的环境温度TE的值。
[0168]然后，温度T随着因数据写入消耗的电功率而逐渐接近于饱和温度。但是，在温度T超过极限温度Trisk的时刻tr存取装置200F中断数据传输，非易失性存储装置100F中断受控于读写控制部103的数据写入。因而，温度T开始降低，在温度T低于安全温度Tsafe的时刻ts，重新开始存取装置200F的数据传输和读写控制部103的写入，温度T重新开始上升。
[0169]再有，以上的说明是关于存取装置200F内的温度达到稳定状态后的说明。但是，动作开始时，非易失性存储装置的环境温度TE并不是恒定温度，而是温度随着存取装置200F的动作上升。因此，如图23所示，高速存取时的非易失性存储装置100F的温度变化是将双点划线表示的环境温度TE即存取装置内的温度和非易失性存储装置100F的温升ΔT相加而成的曲线，能够求得非易失性存储装置100F的更正确的温度。因此，例如高速存取时进行存取速率控制时，同样，如图24的实线所示，非易失性存储装置100F的温度变化是图22的双点划线表示的环境温度即存取装置内的温度和非易失性存储装置100F的温升ΔT相加而成的曲线，能够更正确地控制非易失性存储装置100F的温度。
[0170]如上所述，依据第6实施方式，非易失性存储装置100F的环境温度不是例如25℃的固定值，而是将各个存取装置200F动作时的装置内部温度提供给非易失性存储装置100F，并将该温度设置为非易失性存储装置100F的环境温度TE来计算出非易失性存储装置100F的温度T，能够更正确地计算出温度T。
[0171](变形例)
接着，就第6实施方式的变形例进行说明。该变形例中取代图21中环境温度输出部207A而具有环境温度输出部207B。环境温度输出部207B预先保存有关于存取装置200F内的温升的信息，例如在出厂时预先保存，提供给非易失性存储装置100F。
[0172]存取装置200F的功耗、壳体的体积不同，由于这些原因内部的温升会不一样。因而，环境温度输出部207B将表示存取装置200F在实际工作时温度上升到何种程度的温度TE的饱和值保存在例如(按机种)用ROM(只读存储器)或快闪存储器等的非易失性存储器或硬接线逻辑保存。而且，在存取时提供这样保存的温度信息。非易失性存储装置100F将所提供的温度TE直接代入式(5-1)、(5-3)来进行存取控制。这时，存取装置中可不使用温度传感器而进行同样的处理。
[0173](第7实施方式)
接着，就第7实施方式进行说明。图25是表示本发明第7实施方式中的非易失性存储系统的框图。本实施方式的非易失性存储系统包含图25所示的非易失性存储装置100G和装有非易失性存储装置100G的存取装置200G而构成。本实施方式中，存取装置200G根据热敏电阻等的温度传感器安装在存取装置200G内的哪个位置来指示非易失性存储装置100G：是作为非易失性存储装置100G的温度T处理，还是作为非易失性存储装置100G的环境温度TE处理。
[0174]在存取装置200G内的热敏电阻等的温度传感器安装在非易失性存储装置的安装位置(例如存储卡的插槽)或其周围的情况下，温度信息输出部208将指示把从存取装置200G提供给非易失性存储装置100G的温度信息作为非易失性存储装置100G的温度T处理的标志置位后，与温度信息一起输出。另一方面，在温度传感器离开非易失性存储装置的安装位置而安装的情况下，温度信息输出部208将指示把从存取装置200G提供给非易失性存储装置100G的温度信息作为非易失性存储装置100G的环境温度TE处理的标志置位后，与温度信息一起输出。
[0175]图26A是表示从存取装置200G提供给非易失性存储装置100G的温度信息，图26B表示标志的一例数据结构。这里，1个字节的数据区分配给温度信息。再有，为了节省电路(寄存器等)温度信息也可用不足1个字节来表示，相反地为了处理宽的温度范围，也可分配超过1个字节的比特来表示。另外，标志由用1比特构成的R标志和用2比特构成的S标志组成。
[0176]接着，就图27中的各标志的状态及其动作进行说明。首先在状态A即S标志的S0、S1为0，R标志为0时，表示没有存储关于存取装置200G工作时温度上升到何种程度的信息。
[0177]另外，图27的状态B即R标志为1时，表示存取装置200G内存储有表示存取装置200G工作时温度上升到何种程度的温度TE的饱和值。这种情况下，如上述的变形例那样，将TE的饱和值发送给非易失性存储装置100G，将该温度作为TE来计算出温度。
[0178]接着，图27的状态C即S标志的S0位为1，R标志为0时，表示存取装置200A内设置有热敏电阻等的温度传感器，而且，由于该温度传感器安装在离开非易失性存储装置的安装位置的地方，指示将所供给的温度信息作为非易失性存储装置100G的环境温度TE处理。
[0179]在这种情况下，如上述的第6实施方式说明的那样，非易失性存储装置100G通过主接口101接收由存取装置200G供给的温度信息。而且，存取速率控制部106G的温度检测部117将该温度用作非易失性存储装置100G的环境温度TE。通过第2实施方式中说明的基于式(5-1)及式(5-3)的近似计算，求出非易失性存储装置100G的温度T。之后的动作与第6实施方式相同。
[0180]图27的状态D即S标志的S1的比特为1，R标志为0时，表示存取装置200G内内置有热敏电阻等的温度传感器，而且，由于该温度传感器装在非易失性存储装置的安装位置或其周围，给出将所提供的温度信息作为非易失性存储装置100G的温度T处理的指示。
[0181]在这种情况下，如第5实施方式中说明的那样，非易失性存储装置100G通过主接口101接收由存取装置200G供给的温度信息。存取速率控制部106G的温度检测部117将该温度用作非易失性存储装置100G的温度T。之后的动作与第5实施方式相同。
[0182]再有，为了节省电路(寄存器等)，标志可以用不足3比特来表示，相反地，为了与其他信息一起传送，或者为了将关于温度传感器的信息分开表示，也可分配超过3比特来表示。
[0183](第8实施方式)
图28是表示本发明第8实施方式的非易失性存储系统的框图。本实施方式的非易失性存储系统包含图28所示的存取装置200H和非易失性存储装置100H而构成。
[0184][存取装置]
存取装置200H包含有系统控制部211、编解码部212、ROM/RAM213、显示部214、显示控制部215及非易失性存储装置控制部216。
[0185]系统控制部211控制整个存取装置200H，编解码部212生成动态图像的压缩数据。ROM/RAM213存储用于系统控制部211工作的程序，还作为工作区使用。显示部214显示关于本非易失性存储系统的信息，显示控制部215控制提供给显示部214的显示。非易失性存储装置控制部216H对非易失性存储装置100H进行存取，包含有存储装置存取部221、温度检测部222、存取速率控制部223及温度参数保存部224。
[0186]存储装置存取部221与非易失性存储装置100H之间经由外部总线进行数据的读出和写入。温度检测部222具有温度传感器，检测非易失性存储装置100H的温度T。存取速率控制部223基于温度参数控制对非易失性存储装置100H写入及读出数据时的存取速率。温度参数保存部224存有取代后面说明的非易失性存储装置100H的温度参数而使用的温度参数。
[0187]图28中省略了其他图像、声音等的外部输入输出端子、各种连接器等本发明的存取装置200H不需要的构成要素。
[0188][非易失性存储装置]
非易失性存储装置100H包含有至少1个非易失性存储器120及存储器控制器110H。
[0189]与第1实施方式相同，非易失性存储器120保存用户的数据，例如用快闪存储器。另外，存储器控制器110H基于来自存取装置200H的数据的读出或写入要求，对非易失性存储器120进行数据的读出或写入。
[0190]存储器控制器110H包含有CPU104、寄存器部108、主IF101、缓冲器102及读写控制部103。
[0191]CPU104控制整个存储器控制器110H。寄存器部108保存后述的温度参数等的非易失性存储装置100H的控制信息。主接口IF101经由外部总线进行与存取装置200H之间的数据的收发。再有，外部总线包含时钟用总线和指令及数据用总线而构成。缓冲器102暂时保存与存取装置200H之间的收发数据。读写控制部103经由存储器总线对非易失性存储器120进行数据的读出及写入。
[0192]地址管理部105将伴随存取装置200A的存取而传送的逻辑地址变换成非易失性存储器120的物理地址，它是管理非易失性存储器120的记录状态等的模块。再有，地址管理方法可用一般的技术实现，因此其说明省略。
[0193]图29表示存储器控制器110H的寄存器部108保存的温度参数。图29所示的温度参数中包含最高可工作温度Tmax、温升速度Tu、饱和温度Ts及温度下降速度Td。
[0194]最高可工作温度Tmax是在向非易失性存储装置100H存取中所容许的最高温度。温升速度Tu是以某个存取速率进行存取时的非易失性存储装置100H的温度上升速度，饱和温度Ts是该上升温度的收敛温度。温度下降速度Td是不进行数据传输时非易失性存储装置100H的温度下降速度。
[0195]温度参数中保存有与多个存取速率对应的温升速度Tu及饱和温度Ts，图29中，对应于N种存取速率，保存有N种温升速度Tu1～Tun及N种饱和温度Ts1～Tsn。
[0196]再有，存取装置200H的温度参数保存部224按非易失性存储装置的类型而预存上述的温度参数。从而，如果非易失性存储装置未保存温度参数，可用该温度参数取代非易失性存储装置的温度参数。
[0197][存取速率控制方法]
用图30及图31说明存取装置200H控制存取速率的方法。与时钟的上升沿同步且以规定的单位传送指令及数据。例如指令以4字节(Bytes)为单位，数据以512字节为单位传送。在这些指令和数据上，也可以附加开始标志、结束标志或用以检测错误的CRC码等。
[0198]首先，说明第1存取速率控制方法。该方法通过存取装置200H改变时钟的频率来控制存取速率。图30表示该方法中的时钟用总线的波形与所传送的指令及数据之间的3种不同的关系。在图30的3种情况(A)～(C)中，(A)的时钟周期为最短，因此(A)的时钟频率最高。(B)、(C)的时钟周期依次变长，因此(B)、(C)的时钟频率也依次降低。如该图所示，由于时钟频率不同，与时钟同步传输的指令或数据的传输时间也不相同。时钟频率越高，与时钟同步传输的指令、数据的传输时间变短，因此，(A)表示以比(B)及(C)高的存取速率进行更高速存取的情况。这样，就能够通过改变时钟的频率来控制存取速率。
[0199]接着，说明第2存取速率控制方法。该方法中，存取装置200H通过改变规定单位的指令或数据的传输间隔来控制存取速率。图31表示使用该方法时的时钟用总线的波形与被传输的指令及数据之间的关系。(A)～(C)中的时钟频率相同，但具有512字节的数据传输间隔差异。(A)的传输间隔最短，(B)、(C)的传输间隔依次变长。传输间隔越短，就能以越短的时间传输规定单位的数据，因此，(A)的存取速率最高，能够进行最高速的存取。另一方面，在(B)及(C)的情况下，由于空开一定间隔进行规定单位的指令及数据的传输，成为速率低于(A)的存取。如此，可通过改变数据传输的间隔来控制存取速率。
[0200]再有，可以将图30及图31中说明的2种存取速率控制方法中的任一种用于存取装置200H，但是也可将这2种方法组合使用。将这2种控制方法组合，在改变时钟频率的同时改变指令及数据的传输间隔时，能够比仅用任一种控制方法更多样地改变存取速率。
[0201][存取速率的设定]
接着，说明第1存取速率的设定方法。图32是按存取速率表示本实施方式的存取装置200H对非易失性存储装置100H存取时非易失性存储装置100H的温度与时间的关系的曲线图。图32中，初始温度Tini是写入开始时存取装置200H检测的非易失性存储装置100H的温度T。最高温度Tmax是非易失性存储装置100H可工作的最高温度，包含在从非易失性存储装置100H的寄存器部108读出的温度参数中。另外，极限温度Trisk是用户使用非易失性存储装置100H时不发生烫伤的温度之上限。该温度按照存取装置200H的规格确定。图中的曲线(1)、(2)及(3)各自表示不同的存取速率下的温度上升状况，曲线(1)表示存取速率最高时的情况。另外，在各个存取速率的饱和温度分别用Ts1、Ts2、Ts3表示。
[0202]非易失性存储装置100H保存的温度参数是在与存取装置200H具备的固有条件不同的其他条件下的温度参数，存取装置200H根据寄存器部108的温度参数和存取装置200H的固有条件，用函数算出数据的读写时间与温度的相关关系曲线(1)～(3)。该存取装置200H中的固有条件，包括例如存取装置200H的壳体的尺寸和材质、连接非易失性存储装置100H的连接器部的形状等与非易失性存储装置100H的温升有关的条件。另外，求出各曲线(1)～(3)的函数在存取装置200H的制造时通过温度实验或模拟预先求得。并且，图32还举例示出了与3种存取速率对应的曲线(1)～(3)，但是，存取装置200H所导出的曲线不限于这3种。存取装置200H按存取装置200H具有的存取速率中与温度参数对应的全部参数来导出表示温度上升的曲线。或者，也可以从具有的存取速率中的低速率开始导出，在算出的饱和温度超过Trisk的时刻结束导出。
[0203]从这样得到的曲线中，选择饱和温度不超过极限温度Trisk且与极限温度Trisk最接近的曲线。然后，将与做成该曲线时用的温度参数对应的存取速率确定为对非易失性存储装置100H的存取速率。例如在图32所示的情况下，若选择曲线(3)，饱和温度Ts3就不会超出极限温度Trisk。从而，存取装置200H选择与曲线(3)对应的存取速率进行存取。
[0204]接着，说明第2存取速率的确定方法。若存取装置200H的数据传输在短时间结束，则也可选择饱和温度超过极限温度Trisk的存取速率。即，尽管以饱和温度超过极限温度Trisk的存取速率进行数据传输，只要在非易失性存储装置100H的环境温度达到极限温度Trisk前结束数据传输就行。
[0205]例如，图32中，尽管选择与曲线(1)对应的存取速率，数据传输所需的时间，只要非易失性存储装置100H连续存取的时间在时间ta以下，非易失性存储装置100H的环境温度就不会超过极限温度Trisk。因而，存取装置200H选择与曲线(1)对应的存取速率。同样地，若连续存取时间为tb以下，则存取装置20QH选择曲线(2)所示的存取速率。数据传输所需的时间根据传输的数据量和存取速率算出。如此，如果考虑连续地存取非易失性存储装置100H的时间而在非易失性存储装置100H的环境温度不超过极限温度Trisk的范围内选择尽可能高的存取速率，就可在短时间结束数据的传输。另外，由于存取装置200H具有显示部214，能够显示所选择的存取速率和温度参数。
[0206][存取顺序]
图33是表示本实施方式的存取装置200H对非易失性存储装置100H存取时的控制的流程图。图33中存取装置200H，首先进行非易失性存储装置100H的初始化(S300)，使非易失性存储装置100H成为读写可能的状态。一旦发生对非易失性存储装置100H的数据读写请求(S301)，温度检测部222就通过温度传感器检测非易失性存储装置100H的温度T(S302)。接着，存取装置200H判断非易失性存储装置100H是否保存有温度参数(S303)。如果非易失性存储装置100H保存有温度参数，就取得该温度参数，并根据该参数算出非易失性存储装置100H的饱和温度(S304)。假设非易失性存储装置100H未保存温度参数，则存取装置200H就用温度参数保存部224保存的温度参数计算出非易失性存储装置100H的饱和温度(S305)。S304或S305之后，存取装置200H的存取速率控制部223根据这些算出的结果按上述方式决定存取速率，作为数据读写的存取速率设定(S306)。
[0207]然后，存储装置存取部221用所设定的存取速率对非易失性存储装置100H进行数据的读出或写入(S307)。S307的处理一旦开始，温度检测部222就检测非易失性存储装置100H的温度T，存储装置存取部221将该温度T与第1阈值温度即极限温度Trisk比较(S308)。若S306中温度T比极限温度Trisk低，就确认数据的读出及写入是否已结束(S309)。若读出及写入还未结束，处理流程就返回S307，继续数据的读写。若读出及写入结束，处理流程就返回S301，等待下一读写请求。在S308的处理中，如果温度T高于极限温度Trisk，就停止数据的读出及写入，等待温度T成为低于Trisk的状态。若温度T低于极限温度Trisk，则重新开始数据的读出及写入，处理进入S309。再有，本实施方式中，由于存取速率确定成使温度T在极限温度Trisk以下，通常步骤S308中温度T不会超过Trisk。按如上方式，进行对非易失性存储装置100H的存取。
[0208]如以上说明的那样，本实施方式的非易失性存储系统中，存取装置200H用非易失性存储装置100H的温度参数来选择存取速率，进行数据的读出及写入。从而，用户在非易失性存储装置100H使用上无烫伤之危险，并且能够提供可高速读写数据的非易失性存储装置、存取装置及非易失性存储系统。
[0209](第9实施方式)
图34是表示本发明第9实施方式的非易失性存储系统的框图。如图34所示，本实施方式的非易失性存储系统包含存取装置200I和非易失性存储装置100H而构成。存取装置200I具有非易失性存储装置控制部216I。存取速率控制部225用来控制在与非易失性存储装置100H之间进行数据的读出及写入时的存取速率。再有，图34中，与第8实施方式相同的构成要素均采用与图28相同的附图标记。
[0210]图35是表示第9实施方式中存取装置200I对非易失性存储装置100H存取时的控制流程的流程图。图35中S300～S305及S309进行与第8实施方式的图32中的S300～S305及S309同样的处理，因此其说明省略。
[0211]图35中，S304或S305之后，存取速率控制部225将与存取装置200I的存取速率一致的或存取装置200I可存取的最大存取速率作为对非易失性存储装置100H的存取速率设定(S400)。接着，存取速率控制部225用S302中得到的温度T、S304中得到的饱和温度及S400中设定的存取速率，设定后述的可传输时间trw(S401)。之后，存储装置存取部221以设定存取速率在可传输时间trw的期间，从非易失性存储装置100H进行数据的读出或数据的写入(S402)。温度检测部222测出非易失性存储装置100H的温度T并与极限温度Trisk比较，或者测量对非易失性存储装置100H连续存取的时间即传输时间t，并将传输时间t与可对非易失性存储装置100H连续存取的时间即可传输时间trw比较(S403)。若非易失性存储装置100H的温度T比规定的极限温度Trisk低，或传输时间t比可传输时间trw短，则进入S309，判别是否有传输结束指令。若非易失性存储装置100H的温度T为规定的极限温度Trisk以上，或传输时间t为可传输时间trw以上，则中断数据的读出及写入，等待温度成为第2阈值温度即安全温度Tsafe以下(S404)。若温度成为规定的安全温度Tsafe以下，则重新开始数据的读出或写入，处理进入S309。在S309中，如果读出或写入没有结束，则处理流程返回到S402，继续指令的发送及数据的读写。如果读出或写入结束，则处理流程返回到S301，等待下一读写请求。
[0212]图36按存取速率表示本实施方式的存取装置200I对非易失性存储装置100H存取时非易失性存储装置100H的环境温度T与时间的关系。图36中，初始温度Tini及极限温度Trisk与第8实施方式中说明的相同。安全温度Tsafe低于极限温度Trisk，是基于存取装置200H的规格确定的第2阈值温度。该安全温度Tsafe在非易失性存储装置100H的环境温度一旦上升到极限温度Trisk而数据传输被中断后，成为判别是否重新开始数据传输的基准。
[0213]图36中所示的表示数据的读写时间与温度的相关关系的波型的曲线(1)、(2)及(3)表示各不相同的存取速率的情况。各曲线所示的温度上升幅度与第8实施方式相同，根据与图29中的各存取速率对应的温升速度Tu和存取装置200I的固有条件，用通过温度实验或模拟推导的函数算出。另外，传输停止时的温度下降幅度根据图29的温度下降速度Td和存取装置200I的固有条件算出。首先，使用温升速度Tu做成从初始温度Tini到极限温度Trisk的曲线，接着使用温度下降速度Td做成从极限温度Trisk到安全温度Tsafe的曲线。接着，做成从安全温度Tsafe到极限温度Trisk的曲线，重复前述的方法做成从极限温度Trisk到安全温度Tsafe的曲线。重复该极限温度Trisk和安全温度Tsafe之间的上升和下降的曲线，描画波型的曲线。
[0214]该曲线(1)～(3)中，从安全温度Tsafe到极限温度Trisk的环境温度T上升的期间是可对非易失性存储装置100H连续存取的时间，表示为可传输时间trw。本图中，曲线(1)～(3)的可传输时间trw分别表示为可传输时间trw1～trw3。再有，这里如图36所示，例示了与3个存取速率对应的曲线(1)～(3)，但存取装置200I实际上选择与自身的存取速率一致，或不超过自身的存取速率的最高的1个存取速率，并导出与该选择的存取速率对应的曲线。
[0215]另外，在图35的S403的判断中作了温度T与极限温度Trisk的比较或传输时间t与可传输时间trw的比较。但是，例如根据图36的曲线(1)，由于在连续地存取非易失性存储装置100H的时间超过可传输时间trw的情况下，同时温度T也超过极限温度Trisk，因此，如果控制数据的写入及读出以使连续存取的时间不超过可传输时间trw，则非易失性存储装置100H的温度T也不会超过极限温度Trisk。
[0216]存取装置200I在图35的S400的存取速率设定中设定存取速率后，根据图36所示的曲线计算出可传输时间trw。例如，如果与存取装置200I的存取速率对应的曲线是曲线(1)，则该可传输时间trw是从安全温度Tsafe到极限温度Trisk的trw1所示的时间。如果是曲线(2)或(3)，则可传输时间trw分别成为trw2或trw3。另外，存取装置200I具有显示部214，可显示选择的存取速率或温度参数、可传输时间。
[0217]再有，对图36的3种曲线作为表示在3种不同的存取速率下的温度变化的曲线进行了说明，但是，关于对应于同一存取速率的3种不同的非易失性存储装置，有时与图36同样可得到3种曲线。这是由于温度上升幅度会因非易失性存储装置不同而有差异，因而，即使为同一存取速率可传输时间trw也可不同。
[0218]另外，该实施方式中，由于存取速率确定为使温度T成为极限温度Trisk以下，通常步骤S403、S404中温度T不会超过Trisk。如以上那样，对非易失性存储装置100H进行存取。
[0219]如以上说明的那样，基于存取速率和可传输时间间歇地对非易失性存储装置100H进行数据的读出及写入，将非易失性存储装置100H的温度维持在极限温度Trisk以下。如果这样，则无烫伤之危险，且可提供能够高速读写数据的非易失性存储装置、主装置及非易失性存储系统。
[0220](第10实施方式)
图37是表示本发明第10实施方式的非易失性存储系统的框图。本实施方式的非易失性存储系统包含存取装置200J和非易失性存储装置100J而构成。图37中，与第8实施方式同样的构成要素采用与图28相同的附图标记。
[0221]图38A、图38B表示具有存取装置200I的动态图像记录模式。如图38A所示，存取装置200J的编解码部217具有位速率为8Mbps～24Mbps的M种模式，或图38B所示帧速率为15fps～60fps的M种模式。
[0222]本实施方式中，在与第8或第9实施方式一样设定了存取速率后，编解码部217根据图28A或图38B选择满足所确定的存取速率的表示为位速率或帧速率的模式。然后，基于所选择模式，将编解码部217生成的压缩数据写入非易失性存储装置100J。除此以外的动作与第8或第9实施方式相同。
[0223]这里，编解码部217用例如MPEG2或MPEG4等的算法生成压缩数据。位速率的变更或帧速率的变更例如通过改变数据的量化比特数或I帧的间隔、P帧或B帧的插入枚数而成为可能。
[0224]如以上说明的那样，基于存取速率确定动态图像的位速率或帧速率进行对非易失性存储装置100I的写入，从而能够将非易失性存储装置100J的温度T维持在极限温度Trisk以下。因而，无烫伤之危险，且能够提供能够不会因发热而停止记录的、记录动态图像的非易失性存储装置、主装置及非易失性存储系统。
[0225]再有，在非易失性存储装置100J的存取速率与温度变化的关系按非易失性存储装置的种类而大致一定的情况下，如果按存取装置200H、200I及200J使用的非易失性存储装置的种类来保存非易失性存储装置的温度参数，则基于该温度参数值进行存取速率控制，也能取得本发明的效果。
[0226]不言而喻，在第1～第10实施方式中使用温度传感器时在其种类并无限定，可以使用接触的、非接触的、热敏电阻或热电偶等各种各样的传感器。
[0227]而且，上述的第4实施方式的非易失性存储系统的特征在于，如果预先知道读写的数据量，在基于该量决定不使温度T超过极限温度Trisk的存取速率之后进行数据的读写。因而，第4实施方式的非易失性存储系统适合于转录其他记录介质上已录有的数据之用途，即适用于记录预先已知的数据量。其他实施方式的非易失性存储系统适合于实时记录动态图像等的用途，即适合于不知道预先记录数据量之用途。
[0228]再有，在第2实施方式中，存取装置200B包含有冷却部204，但其他实施方式中也可以包含冷却部。再有，即便存取装置不包含显示部201，也能够取得本发明的效果。即使不包含冷却部204，用户也能根据显示部201显示的状态信息得知非易失性存储装置的状态。从而，用户能够不使温度上升过高地使用非易失性存储装置。
产业上的利用可能性
[0229]本发明的非易失性存储系统中，采用了应对起因于高速数据读写的非易失性存储器的发热而不至于对用户造成危险的方法。本发明不仅适用于半导体存储卡，在使用半导体存储卡等的非易失性存储装置的静止图像记录再生装置、动态图像记录重放装置或移动电话中均可加以有效利用。