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1、10申请公布号CN102318010A43申请公布日20120111CN102318010ACN102318010A21申请号201080007169X22申请日2010011161/152,58020090213USG21K1/06200601G03F7/0020060171申请人ASML荷兰有限公司地址荷兰维德霍温72发明人D克鲁什考沃V班尼恩L斯基曼恩奥克N萨拉斯科恩考N克哈罗74专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021代理人吴敬莲54发明名称多层反射镜和光刻设备57摘要一种多层反射镜7构造并布置成反射具有在28NM范围内的波长的辐射。多层反射镜具有交替的层4，6，所述交替的层。
2、包括第一层和第二层，第一层和第二层选自由下列项构成的组U和B4C层、TH和B4C层、LA和B9C层、LA和B4C层、U和B9C层、TH和B9C层、LA和B层、U和B层、C和B层、TH和B层、U化合物和B4C层、TH化合物和B4C层、LA化合物和B9C层、LA化合物和B4C层、U化合物和B9C层、TH化合物和B9C层、LA化合物和B层、U化合物和B层、以及TH化合物和B层，其中第一层中的至少一个第一层与第二层通过隔层7隔开，隔层设置在第一层中的所述至少一个第一层与第二层之间。30优先权数据85PCT申请进入国家阶段日2011081086PCT申请的申请数据PCT/EP2010/050195201。
3、0011187PCT申请的公布数据WO2010/091907EN2010081951INTCL19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书2页说明书8页附图7页CN102318017A1/2页21一种多层反射镜，构造并布置用以反射具有在约64NM至约72NM范围内的波长的辐射，所述多层反射镜具有交替的层，所述交替的层包括第一层和第二层，所述第一层和第二层选自由下列项构成的组U和B4C层、TH和B4C层、LA和B9C层、LA和B4C层、U和B9C层、TH和B9C层、LA和B层、U和B层、C和B层、TH和B层、U化合物和B4C层、TH化合物和B4C层、LA化合物和B9C层、LA化合物。
4、和B4C层、U化合物和B9C层、TH化合物和B9C层、LA化合物和B层、U化合物和B层、以及TH化合物和B层，其中所述第一层中的至少一个第一层与第二层通过隔层隔开，所述隔层设置在所述第一层中的所述至少一个第一层与所述第二层之间。2根据权利要求1所述的多层反射镜，其中，多个第一层中的每一个第一层通过隔层与第二层隔开。3根据权利要求1或2所述的多层反射镜，其中，所述隔层选自由下列项组成的组锡层、钼层、铬层、锡化合物层、钼化合物层以及铬化合物层。4根据权利要求3所述的多层反射镜，其中，所述隔层是锡化合物层，所述锡化合物层包括由下列项构成的组中的至少一个SNF2、SNF4、SNCL2、SNCL4、SN。
5、I2、SNI4、SNO、SNO2、SNSE、SNSE2和SNTE。5根据权利要求3所述的多层反射镜，其中，所述隔层是铬化合物层，所述铬化合物层包括由下列项构成的组中的至少一个CRF2、CRF3、CRF4、CRCL2、CRCL3、CRCL4、CRI2、CRI3、CRI4、CRO2、CRO3、CR2O3、CR3O4、CRN、CRSE和CR2TE3。6根据权利要求3所述的多层反射镜，其中，所述隔层是钼化合物层，所述钼化合物层包括由下列项构成的组中的至少一个MOF3、MOF4、MOCL2、MOCL3、MOCL4、MOI2、MOI3、MOI4、MOO、MOO2、MOO3、MOSE2、MOTE2和MON。。
6、7根据前述权利要求中任一项所述的多层反射镜，其中，所述第一层的厚度和所述第二层的厚度之和在约22NM至约35NM的范围内。8根据前述权利要求中任一项所述的多层反射镜，其中，所述隔层具有在约02NM至约10NM范围内的厚度。9根据前述权利要求中任一项所述的多层反射镜，其中，所述交替的层具有所述第一层或所述第二层的厚度的大约17至大约25倍之间的周期厚度。10根据前述权利要求中任一项所述的多层反射镜，其中，所述多层反射镜是图案形成装置，所述图案形成装置构造并布置用以将图案提供至辐射束的横截面中。11根据权利要求10所述的多层反射镜，其中，所述图案形成装置是掩模版或掩模。12根据权利要求11所述的多。
7、层反射镜，其中，所述掩模版或掩模设置有具有吸收材料的结构，所述吸收材料布置用以限定所述图案，该吸收材料是CR、TA、TI、SI、RU、MO、AL或其组合。13根据前述权利要求中任一项所述的多层反射镜，其中，所述多层反射镜具有设置有盖层的反射表面，该盖层包括RU、RH、TA、TI或其任何组合。14一种光刻投影设备，布置用以将图案形成装置的图案投影至衬底上，其中所述光刻设备包括根据权利要求113中任一项所述的多层反射镜。15根据权利要求14所述的光刻设备，还包括照射系统，配置成调节辐射束；权利要求书CN102318010ACN102318017A2/2页3支撑结构，构造用以保持图案形成装置，所述图。
8、案形成装置能够在辐射束的横截面上将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束；衬底台，构造用以保持衬底；和投影系统，配置成将图案化的辐射束投影至衬底的目标部分上。权利要求书CN102318010ACN102318017A1/8页4多层反射镜和光刻设备技术领域0001本发明涉及一种多层反射镜和一种包括这种多层反射镜的光刻设备。背景技术0002光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用于集成电路ICS的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底例如，硅晶片上的目标部分例如。
9、，包括一部分管芯、一个或多个管芯上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料抗蚀剂层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。0003光刻技术被广泛地看作制造IC或其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着使用光刻技术形成的特征的尺寸不断变小，光刻技术变成对于实现将要制造的小型IC或其他器件和/或结构更为关键的因素。0004光刻设备通常包括照射系统，配置成调节辐射束；支撑结构，构造用以保持图案形成装置，大多数是掩模版或掩模，图案形成装置能够在辐射束的横截面上将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束；衬底台，构造用以保持衬底；和投影系统，配置成将图案化。
10、的辐射束投影至衬底的目标部分上。0005图案印刷的极限的理论估计可以由分辨率的瑞利准则给出，如下式1所示00060007其中是所使用的辐射的波长，NAPS是用于印刷图案的投影系统的数值孔径，K1是依赖工艺的调节因子，也称为瑞利常数，以及CD是印刷特征的特征尺寸或临界尺寸。由等式1可以知道，可以以三种方式获得特征的最小可印刷尺寸的减小减小曝光波长、增大数值孔径NAPS或减小K1的值。0008为了缩短曝光波长并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外EUV辐射源。EUV辐射源配置成输出大约135NM波长的辐射。因此，EUV辐射源可以朝向实现印刷小的特征迈出重要的一步。这种辐射被称为极紫外或软X射。
11、线，并且可能的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或由电子存储环产生的同步加速辐射。0009优选地，照射系统和投影系统都包括多个光学元件，以便分别将辐射聚焦在图案形成装置和衬底上的所需位置处。不幸的是，除了低密度的某些气体外，还不知道别的材料会对EUV辐射是透射的。因而，使用EUV辐射的光刻设备在其照射系统和投影系统中不采用透镜。相反，照射系统和投影系统优选包括反射镜。此外，图案形成装置优选是反射装置，即具有反射表面的反射镜，其中所述反射表面设置有由形成在反射表面上的吸收材料基于相同的原因形成的图案。0010为了反射具有大约69NM波长的EUV辐射，已经提出具有金属例如LA、U或TH。
12、和B或B的化合物例如B4C或B9C的交替层的多层反射镜。这种多层反射镜根据布拉格说明书CN102318010ACN102318017A2/8页5定律反射EUV辐射。然而，例如LA和B层或B的化合物层的化学反应导致层间扩散。发明内容0011根据本发明的一方面，提供一种反射镜，构造并布置成反射具有在大约64NM至大约72NM范围内的波长的辐射，该辐射优选具有在64NM至72NM范围内的波长。多层反射镜具有交替的层。交替的层包括第一层和第二层。第一层和第二层选自由下列项构成的组LA和B4C层、U和B4C层、TH和B4C层、LA和B9C层、U和B9C层、TH和B9C层、LA和B层、U和B层、C和B层、。
13、TH和B层、U化合物和B4C层、TH化合物和B4C层、LA化合物和B9C层、LA化合物和B4C层、U化合物和B9C层、TH化合物和B9C层、LA化合物和B层、U化合物和B层、以及TH化合物和B层，其中第一层中的至少一个第一层与第二层通过隔层隔开，隔层设置在第一层中的所述至少一个第一层与所述第二层之间。优选地，多个层中的每一层通过隔层与第二层中的每一层隔开。隔层可以选自由下列项组成的组锡层、钼层和铬层。0012第一层可以是U化合物层，其包括由下列项组成的组中的一个或多个；UF3、UF4、UF5、UCL3、UCL4、UCL5、UI3、UI4、UO、UO2、UO3、U3O8、U2O5、U3O7、U4。
14、O9、UTE2、UTE3、UN、U2N3以及U3N2。可选地或附加地，第一层可以是TH化合物层，其包括由下列项组成的组中的一个或多个THF3、THF4、THCL4、THI2、THI3、THI4、THH2、THO2、THSE2以及THN。还有的可能是，第一层是LA化合物层，其包括由下列项组成的组中的一个或多个LAH2、LAH3、LAF3、LACL3、LAI3、LA2O3、LASE以及LATE。0013通常，反射镜可以包含在配置成将图案化辐射束投影到衬底的目标部分上的投影系统中，或者反射镜可以包含在配置成调节辐射束的照射系统中。0014根据本发明的另一方面，光刻设备包括投影系统和/或照射系统，光刻。
15、设备还包括构造用以保持图案形成装置的支撑结构，图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束以形成图案化的辐射束；以及衬底台，构造用以保持衬底。0015根据本发明的一方面，提供一种投影系统，配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。投影系统包括多层反射镜，所述多层反射镜构造并布置成反射具有在6272NM范围内的波长的辐射。多层反射镜具有交替的层。交替的层包括第一层和第二层。第一层和第二层选自由下列项构成的组U和B4C层、TH和B4C层、LA和B9C层、U和B9C层、TH和B9C层、LA和B层、U和B层、TH和B层、U化合物和B4C层、TH化合物和B4C层、LA化合物和B9C层、LA化合。
16、物和B4C层、U化合物和B9C层、TH化合物和B9C层、LA化合物和B层、U化合物和B层、以及TH化合物和B层，其中第一层中的至少一个第一层与第二层通过隔层隔开，隔层设置在第一层中的所述至少一个第一层与第二层之间。优选地，多个层中的每一层通过隔层与第二层中的每一层隔开。0016根据本发明的一方面，提供一种投影系统，配置成将图案化辐射束投影到衬底的目标部分上。投影系统包括多层反射镜，所述多层反射镜构造并布置成反射具有在大约6472NM范围内的波长的辐射。多层反射镜具有设置有盖层的反射表面，该盖层包括RU、RH、TA、TI或其任何组合。0017根据本发明的一方面，提供一种照射系统，配置成调节辐射束。
17、。照射系统包括多层反射镜，所述多层反射镜构造并布置成反射具有在大约64NM至大约72NM范围内的波长的辐射。多层反射镜具有交替的层。交替的层包括第一层和第二层。第一层和第二层选自说明书CN102318010ACN102318017A3/8页6由下列项构成的组U和B4C层、TH和B4C层、LA和B9C层、U和B9C层、TH和B9C层、LA和B层、U和B层、TH和B层、U化合物和B4C层、TH化合物和B4C层、LA化合物和B9C层、LA化合物和B4C层、U化合物和B9C层、TH化合物和B9C层、LA化合物和B层、U化合物和B层、以及TH化合物和B层，其中第一层中的至少一个第一层与第二层通过隔层隔开。
18、，隔层设置在第一层中的所述至少一个第一层与第二层之间。优选地，多个层中的每一层通过隔层与第二层中的每一层隔开。0018根据本发明的一方面，提供一种照射系统，配置成调节辐射束。照射系统包括多层反射镜，所述多层反射镜构造并布置成反射具有在大约6472NM范围内的波长的辐射。多层反射镜具有设置有盖层的反射表面，该盖层包括RU、RH、TA、TI或其任何组合。0019根据本发明的一方面，提供一种光刻投影设备，布置用以将图案形成装置的图案投影至衬底上。光刻设备包括多层反射镜，所述多层反射镜构造并布置成反射具有在大约64NM至大约72NM范围内的波长的辐射。多层反射镜具有交替的层。交替的层包括第一层和第二层。
19、。第一层和第二层选自由下列项构成的组U和B4C层、TH和B4C层、LA和B9C层、U和B9C层、TH和B9C层、LA和B层、U和B层、TH和B层、U化合物和B4C层、TH化合物和B4C层、LA化合物和B9C层、LA化合物和B4C层、U化合物和B9C层、TH化合物和B9C层、LA化合物和B层、U化合物和B层、以及TH化合物和B层，其中第一层中的至少一个第一层与第二层通过隔层隔开，隔层设置在第一层中的至少一个第一层与第二层之间。优选地，多个层中的每一层通过隔层与第二层中的每一层隔开。0020根据本发明的一方面，提供一种光刻投影设备，布置用以将图案形成装置的图案投影至衬底上。光刻设备包括多层反射镜，。
20、所述多层反射镜构造并布置成反射具有在大约6472NM范围内的波长的辐射。多层反射镜具有设置有盖层的反射表面，该盖层包括RU、RH、TA、TI或其任何组合。0021根据本发明的一方面，提供一种光刻设备，包括照射系统，配置成调节辐射束；和支撑结构，构造用以保持图案形成装置。图案形成装置能够在辐射束的横截面上将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束。所述设备还包括衬底台，构造用以保持衬底；和投影系统，配置成将图案化的辐射束投影至衬底的目标部分上。照射系统和/或投影系统包括多层反射镜，所述多层反射镜构造并布置成反射具有在大约6472NM范围内的波长的辐射。多层反射镜具有交替的层。多层反射镜具有交替的层。交。
21、替的层包括第一层和第二层。第一层和第二层选自由下列项构成的组U和B4C层、TH和B4C层、LA和B9C层、U和B9C层、TH和B9C层、LA和B层、U和B层、TH和B层、U化合物和B4C层、TH化合物和B4C层、LA化合物和B9C层、LA化合物和B4C层、U化合物和B9C层、TH化合物和B9C层、LA化合物和B层、U化合物和B层、以及TH化合物和B层，其中第一层中的至少一个第一层与第二层通过隔层隔开，隔层设置在第一层中的所述至少一个第一层与第二层之间。优选地，多个层中的每一层通过隔层与第二层中的每一层隔开。0022多个第一层中的每个第一层可以通过隔层与第二层隔开。隔层可以选自由下列项组成的组锡。
22、层、钼层、铬层、锡化合物层、钼化合物层以及铬化合物层。0023隔层可以选自由下列项构成的组锡层、钼层、铬层、锡化合物层、钼化合物层以及铬化合物层。如果隔层是锡化合物，锡化合物可以包括由下列项构成的组中的至少一个SNF2、SNF4、SNCL2、SNCL4、SNI2、SNI4、SNO、SNO2、SNSE、SNSE2和SNTE。如果隔层是铬化合物说明书CN102318010ACN102318017A4/8页7层，则铬化合物可以包括由下列项构成的组中的至少一个CRF2、CRF3、CRF4、CRCL2、CRCL3、CRCL4、CRI2、CRI3、CRI4、CRO2、CRO3、CR2O3、CR3O4、CR。
23、N、CRSE和CR2TE3。如果隔层是钼化合物层，则钼化合物可以包括由下列项构成的组中的至少一个MOF3、MOF4、MOCL2、MOCL3、MOCL4、MOI2、MOI3、MOI4、MOO、MOO2、MOO3、MOSE2、MOTE2和MON。0024在多层反射镜的一个实施例中，第一层可以是TH化合物层，其中TH化合物层包括由下列项组成的组中的一个或多个THF3、THF4、THCL4、THI2、THI3、THI4、THH2、THO2、THSE2以及THN。在多层反射镜的另一实施例中，第一层可以是U化合物层，其中U化合物层包括由下列项组成的组中的一个或多个UF3、UF4、UF5、UCL3、UCL4。
24、、UCL5、UI3、UI4、UO、UO2、UO3、U3O8、U2O5、U3O7、U4O9、UTE2、UTE3、UN、U2N3以及U3N2。在多层反射镜的还一实施例中，第一层可以是LA化合物层，其中LA化合物层包括由下列项组成的组中的一个或多个LAH2、LAH3、LAF3、LACL3、LAI3、LA2O3、LASE以及LATE。0025根据本发明的一方面，提供一种光刻设备，包括照射系统，配置成调节辐射束；和支撑结构，构造成保持图案形成装置。图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束以形成图案化的辐射束。所述设备还包括衬底台，构造用以保持衬底；和投影系统，配置成将图案化的辐射束投影至衬底的。
25、目标部分上。照射系统和/或投影系统包括多层反射镜，所述多层反射镜构造并布置成反射具有在28NM范围内的波长的辐射。多层反射镜具有设置有盖层的反射表面，该盖层包括RU、RH、TA、TI或其任何组合。附图说明0026下面仅通过示例的方式，参考附图对本发明的实施例进行描述，其中示意性附图中相应的标记表示相应的部件，其中0027图1示意地示出根据本发明的一个实施例的光刻设备；0028图2示意地示出图1中的光刻投影设备的EUV照射系统和投影系统的侧视图；0029图3示意地示出根据本发明一个实施例的图1中的光刻设备的多层反射镜；0030图4A、4B以及4C示出作为波长的函数的图3中的多层反射镜的实施例的反。
26、射率；0031图5示出图1中的光刻设备的多层反射镜的一个实施例；0032图6示出图1中的光刻设备的多层反射镜的一个实施例；和0033图7示出图1中的光刻设备的多层反射镜的一个实施例。具体实施例0034图1示意地示出了根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述设备包括照射系统照射器IL，其配置用于调节辐射束B例如，极紫外EUV辐射；图案形成装置支撑件或支撑结构例如，掩模台MT，构造用于支撑图案形成装置MA例如，掩模或掩模版，并与配置成精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；衬底台WT例如晶片台，构造用于保持衬底W例如涂覆有抗蚀剂的晶片，并与配置成精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和投影系统。
27、例如反射式投影透镜系统PS，配置成将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C例如包括一根或多根管芯上。0035照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。然而，配置成调节说明书CN102318010ACN102318017A5/8页8辐射束B的光学部件优选是反射型部件。0036支撑结构以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置。支撑结构可以。
28、是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上例如相对于投影系统。0037术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。0038图案形成装置可以是透射式，但优选是反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示LCD面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射。
29、镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。0039术语“投影系统”可以包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于尤其使用真空等其他因素所适合的。期望地，针对EUV或电子束辐射使用真空，因为其他气体会吸收太多的辐射或电子。因此借助真空壁和真空泵提供真空环境至整个束路径。0040如这里所示的，设备是反射型的例如，采用反射式掩模。替代地，设备可以是透射型的例如，采用透射式掩模。0041所述光。
30、刻设备可以是具有两个双台或更多衬底台和/或两个或更多的掩模台的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。0042参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源和所述光刻设备可以是分立的实体例如当该源为准分子激光器时。在这种情况下，不会将该源考虑成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源可以是所述光刻设备的组成部分例如当所述源是汞灯时。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述。
31、束传递系统一起称作辐射系统。0043所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围一般分别称为外部和内部进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如积分器和聚光器。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。0044所述辐射束B入射到保持在支撑结构例如，掩模台MT上的所述图案形成装置例如，掩模MA上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经被图案形成装置例如掩模MA反射之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统将辐射束聚焦到所述衬说明书CN102318。
32、010ACN102318017A6/8页9底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF2例如，干涉仪器件、线性编码器、或电容传感器的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器IF1用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置例如掩模MA。可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2对准图案形成装置例如掩模MA和衬底W。0045可以将所示的设备用于以下模式中的至少一种中00461在步进模式中，在将支撑结构例如掩模台MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述。
33、辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上即，单一的静态曝光。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。00472在扫描模式中，在对支撑结构例如掩模台MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上即，单一的动态曝光。衬底台WT相对于支撑结构例如掩模台MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的缩小放大率和图像反转特征来确定。00483在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构例如掩模台MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且。
34、在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列的无掩模光刻术中。0049也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或采用完全不同的使用模式。0050图2更详细地示出图1中的光刻设备，包括辐射系统42、照射光学系统单元44以及投影系统PS。辐射系统42包括可以由放电等离子形成的辐射源SO。EUV辐射可以由气体或蒸汽形成，例如氙气、锂蒸汽或锡蒸汽，其中产生极高温等离子体以发射波长在电磁光谱的EUV范围内的辐射。通过例如放电引起至少部分电离的等离子体，由此产生所述极。
35、高温等离子体。为了充分产生辐射，需要例如10PA分压的氙、锂、锡蒸汽或任何其他合适的气体或蒸汽。由辐射源SO发射的辐射由源腔47经由定位在源腔47中的开口内或开口后面的气体阻挡件或污染物阱49而传递进入收集器腔48。气体阻挡件49可以包括通道结构CHANNELSTRUCTURE。0051收集器腔48包括辐射收集器50，其可以由掠入射收集器形成。辐射收集器50具有上游辐射收集器侧50A和下游辐射收集器侧50B。通过收集器50的辐射可以由光栅光谱滤光器51反射离开，以在位于收集器腔48中的孔处的虚源点52内聚焦。离开收集器腔48，辐射束56在照射光学系统单元44内经由正入射反射器53、54反射到定。
36、位在掩模版或掩模台MT上的掩模版或掩模MA上。形成图案化的束57，其在投影系统PS内经由反射元件58、59成像到晶片台或衬底台WT上。照射光学系统单元44和投影系统PS中可以包括比图示出的元件更多的元件。光栅光谱滤光器51可以是可选的，这依赖于光刻设备的类型。此外，可以存在比图中示出的反射镜更多的反射镜，例如可以存在比反射元件58、59多14个的更多的反射元件。辐射收集器50可由现有技术知道。收集器50可以是嵌套的收集器，具有反射器142、143以及146。间距180设置在两个反射器之间，例如反射器142和143之说明书CN102318010ACN102318017A7/8页10间。0052图。
37、3示出多层反射镜1的一个实施例。多层反射镜1构造并布置成反射具有在大约64NM至大约72NM范围内的波长的辐射。多层反射镜包括分层的结构2，所述分层的结构2具有由衬底8支撑的交替的层4、6。在本发明的实施例中，多层反射镜可以位于光刻设备的不同部分内，例如投影系统和照射系统内。0053交替的层4、6可以选自由下列项构成的组LA和B4C层、U和B4C层、TH和B4C层、LA和B9C层、U和B9C层、TH和B9C层、LA和B层、U和B层以及TH和B层。0054在一个实施例中，交替的层4、6可以选自下列项构成的组U和B4C层、TH和B4C层、U和B9C层、TH和B9C层、U和B层、TH和B层、U化合物。
38、和B4C层、TH化合物和B4C层、LA化合物和B9C层、LA化合物和B4C层、U化合物和B9C层、TH化合物和B9C层、LA化合物和B层、U化合物和B层、以及TH化合物和B层。U化合物的合适的示例为UF3、UF4、UF5、UCL3、UCL4、UCL5、UI3、UI4、UO、UO2、UO3、U3O8、U2O5、U3O7、U4O9、UTE2、UTE3、UN、U2N3以及U3N2。合适的TH化合物的示例为THF3、THF4、THCL4、THI2、THI3、THI4、THH2、THO2、THSE2以及THN。LA化合物的合适的示例为LAH2、LAH3、LAF3、LACL3、LAI3、LA2O3、LAS。
39、E以及LATE。0055这种交替的层的潜在优点在于，代替LA层的U层或TH层在角度和波长两个方面提供宽的带宽。宽的角度带宽将允许良好的设计自由度，由此使得多层反射镜对66NM波长处的EUV光刻技术中的光学部件是有利的。此外，允许包括多层反射镜的光学系统的光瞳在强度方面被均匀地填充，并且实现较大的数值孔径NA。0056在图3、5、6以及7中可以看到，在第一层4例如LA层和第二层例如B4C层之间设置隔层7，所述隔层7配置用以阻止第一层4和第二层6之间的扩散。这种隔层厚度可以在大约02NM和大约1NM之间。优选地，每个第一层4与每个第二层6通过这种隔层7隔开。0057隔层7可以是锡层、钼层或铬层。可。
40、选地，隔层可以是锡化合物，例如SNF2、SNF4、SNCL2、SNCL4、SNI2、SNI4、SNO、SNO2、SNSE、SNSE2ORSNTE，CR化合物，例如CRF2、CRF3、CRF4、CRCL2、CRCL3、CRCL4、CRI2、CRI3、CRI4、CRO2、CRO3、CR2O3、CR3O4、CRN、CRSE或CR2TE3，或者MO化合物，例如MOF3、MOF4、MOCL2、MOCL3、MOCL4、MOI2、MOI3、MOI4、MOO、MOO2、MOO3、MOSE2、MOTE2或MON。0058本领域技术人员容易认识到，图3、5、6以及7中的交替的层4、6以及隔层7的多层反射镜1可以通。
41、过沉积技术制造，例如磁控溅射或电子束溅射。0059图4A示出对于交替层LA和B4C层的、作为波长的函数的反射率R。所示出的峰的所谓的半高宽FWHM，极大值一半处的全宽度为006NM。图4B示出对于交替层TH和B4C层TH/B4C层的、作为波长的函数的反射率R。其中，FWHM为009NM。图4C示出对于交替层U和B4C层U/B4C层的、作为波长的函数的反射率R。其中，FWHM为015NM。0060在一个实施例中，可以分别代替TH/B4C层和U/B4C层，使用TH/B9C和U/B9C层或甚至TH/B层和U/B层。B纯度增加可以实现较好的反射性，由此潜在地减小由于辐射吸收带来的功率损失。0061在一。
42、个实施例中，交替的层可以是C和B4C层，C和B9C层或C和B层。C的活性不如LA，因此在那些交替的层中隔层扩散不如在LA/B4C层中发生的多。说明书CN102318010ACN102318017A8/8页110062作为第一层4的厚度和第二层6的厚度以及两个扩散阻挡层7的和的周期可以在335NM范围内。交替的层可以具有是第一层或第二层厚度的大约17到大约25倍之间的周期厚度。0063图5示出多层反射镜1的一个实施例。该实施例是反射型掩模版。除了图3中的多层反射镜的特征以外，图5中的实施例设置有一结构，该结构具有吸收材料，其布置用以限制位于其表面上的图案。可以用作吸收材料的合适的材料可以是CR、。
43、TI、SI、RU、MO、TA、AL或其任何组合。0064多层反射镜1的多层结构2可以由衬底8支撑，以便减小机械易损性。此外，注意到，图3和5中的虚线表示非特定数量的重复交替层4、6。通常，反射镜1的多层结构2由30至200个周期的交替层形成，即总数在60至400个之间的层。此外，应该注意到，这些图是示意的，仅用作示意，并且它们不是按比例的图。0065多层反射镜1的另外实施例在图6和7中示出。图6中的实施例与图3中的实施例类似。然而，在图6的实施例中，分层的结构2设置有盖层12。盖层12可以包括RU、TA、TI、RH或其任何组合。这种盖层可以适当地布置以防止多层反射镜1的分层结构受到化学侵蚀。盖。
44、层的适当的厚度可以是05到10NM范围内的任何值。0066图7中示出另一实施例。图7的实施例与图4中的实施例类似。然而，在图7中的实施例中，分层结构2设置有盖层12。与参照图6提到的相同，盖层12可以包括RU，和/或RH，并且可以适当地布置以防止多层反射镜1的分层结构受到化学侵蚀。0067虽然在本文中详述了光刻设备用在制造ICS，但是应该理解到，根据本发明的多层反射镜的实施例可以具有隔层，其中隔层是锡层，并且另一隔层是钼层，或者其中隔层是铬隔层且另一隔层是包含其他合适材料的隔层。在还一实施例中，可以设置锡隔层、另一钼隔层以及还一铬隔层。此外，多层反射镜可以设置成具有一个或多个隔层，所述隔层包括。
45、锡合金、钼合金或铬合金。0068这里所述的光刻设备可以具有其他应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器LCDS、薄膜磁头等。0069虽然上面详述了本发明的实施例在光学光刻中的应用，应该注意到，本发明可以用在其它的应用中，例如压印光刻，并且只要情况允许，不局限于光学光刻。0070这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括紫外UV辐射例如具有约365、355、248、193、157或126NM的波长和极紫外EUV辐射例如具有520NM范围的波长，以及粒子束，例如离子束或电子束。0071尽管以上已经描述了本发明的具体实施例，但应该认识到，本发明可。
46、以以与上述不同的方式来实现。例如，本发明可以采用包含用于描述一种如上面公开的方法的一个或更多个机器可读指令序列的计算机程序的形式，或具有存储其中的所述计算机程序的数据存储介质例如半导体存储器、磁盘或光盘的形式。0072以上的描述是说明性的，而不是限制性的。因此，本领域的技术人员应当理解，在不背离所附的权利要求的保护范围的条件下，可以对本发明进行修改。说明书CN102318010ACN102318017A1/7页12图1图2说明书附图CN102318010ACN102318017A2/7页13图3说明书附图CN102318010ACN102318017A3/7页14图4A图4B说明书附图CN102318010ACN102318017A4/7页15图4C说明书附图CN102318010ACN102318017A5/7页16图5说明书附图CN102318010ACN102318017A6/7页17图6说明书附图CN102318010ACN102318017A7/7页18图7说明书附图CN102318010A。