用于照射图案形成装置的照射系统和制造照射系统的方法.pdf

一种照射系统(IL)，包括外壳(2)和位于外壳(2)内的光学系统。光学系统包括至少一个光学元件(4、6)。光学元件被构造和布置以用从中间焦点(IF)发散的辐射束(B)照射图案形成装置(MA)。中间焦点(IF)位于与所述照射系统(IL)的底部(10)大致相同高度的水平的位置处或在所述照射系统(IL)的底部(10)下方的位置处。

1.  一种照射系统，包括：
外壳；和
光学系统，该光学系统设置在所述外壳内，所述光学系统包括至少一个光学元件，所述光学系统被构造和布置以用从中间焦点发散的辐射束照射图案形成装置，所述中间焦点位于与所述照射系统的底部大致相同的高度水平的位置处或位于所述照射系统的底部下方的位置处。

2.  根据权利要求1所述的照射系统，其中，所述光学系统被布置以将所述中间焦点成像在所述图案形成装置上。

3.  根据权利要求1所述的照射系统，其中，所述照射系统的底部设置有用于支撑所述外壳的一个或多个支撑构件。

4.  根据权利要求3所述的照射系统，其中，所述中间焦点位于与所述支撑构件中的至少一个大致相同的高度水平上。

5.  根据权利要求3所述的照射系统，其中，所述支撑构件中的至少一个具有可调整的高度，用于调整所述中间焦点相对于所述照射系统的底部所设置的位置。

6.  根据权利要求1所述的照射系统，其中，所述中间焦点位于所述照射系统的底部下方约0.10米和约2.00米之间的位置处。

7.  根据权利要求6所述的照射系统，其中，所述中间焦点位于所述照射系统的底部下方约0.20米和约1.50米之间的位置处。

8.  根据权利要求6所述的照射系统，其中，所述中间焦点位于所述照射系统的底部下方约0.10米的位置处。

9.  根据权利要求1所述的照射系统，进一步包括反射镜，从所述中间焦点发出的辐射束直接入射到所述反射镜上。

10.  根据权利要求9所述的照射系统，进一步包括另一反射镜，所述反射镜被构造和布置以将所述辐射束聚焦到所述图案形成装置上，其中，所述反射镜被布置以将所述辐射束直接反射至所述另一反射镜。

11.  根据权利要求1所述的照射系统，进一步包括反射镜，所述反射镜被构造和布置以将所述辐射束聚焦到所述图案形成装置上。

12.  根据权利要求1所述的照射系统，其中，所述中间焦点的位置位于所述外壳外面。

13.  一种组件，包括：
照射系统，所述照射系统包括：
外壳；和
光学系统，所述光学系统设置在所述外壳内，所述光学系统包括至少一个光学元件，所述光学系统被构造和布置以用从中间焦点发散的辐射束来照射图案形成装置，所述中间焦点位于与所述照射系统的底部大致相同的高度水平的位置处或位于所述照射系统的底部下方的位置处；和
源-收集器模块，所述源-收集器模块包括辐射源和用于将所述辐射源成像在所述中间焦点上的收集器。

14.  根据权利要求13所述的组件，其中，所述辐射源位于所述照射系统的底部下方的位置处。

15.  根据权利要求13所述的组件，其中，所述源-收集器模块位于所述照射系统的底部下方的位置处。

16.  一种光刻设备，包括：
照射系统，包括：
外壳；和
光学系统，所述光学系统设置在所述外壳内，所述光学系统包括至少一个光学元件，所述光学系统被构造和布置以用从中间焦点发散的辐射束来照射图案形成装置，所述中间焦点位于与所述照射系统的底部大致相同的高度水平或位于所述照射系统的底部下方的位置处；
源-收集器模块，包括辐射源和用于将所述辐射源成像在所述中间焦点上的收集器；
支撑结构，被构造用于支撑所述图案形成装置，所述图案形成装置被构造和布置以将图案在辐射束的横截面赋予给所述辐射束以形成图案化的辐射束；
衬底台，被构造用于保持衬底；和
投影系统，被配置以将所述图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上。

17.  一种光刻设备，包括：
照射系统，所述照射系统包括：
外壳；和
光学系统，所述光学系统设置在所述外壳内，所述光学系统包括至少一个光学元件，所述光学系统被构造和布置以用从中间焦点发散的辐射束照射图案形成装置，
源-收集器模块，包括辐射源和用于将所述辐射源成像在所述中间焦点上的收集器；
支撑结构，被构造用于支撑所述图案形成装置，所述图案形成装置被构造和布置以将图案在辐射束的横截面赋予给所述辐射束以形成图案化的辐射束；
衬底台，被构造用于保持衬底；和
投影系统，被配置以将所述图案化的辐射束投影到所述投影系统的成像平面上，所述成形平面位于所述衬底的目标部分上，
其中，所述中间焦点位于与所述成像平面大致相同的高度水平或所述成像平面下方的位置处。

18.  根据权利要求16或17所述的光刻设备，其中，所述光学系统被布置以将所述中间焦点成像在所述图案形成装置上。

19.  一种用于制造照射系统的方法，所述方法包括步骤：
提供具有光学系统的外壳，所述光学系统包括至少一个光学元件，用于将中间焦点成像在图案形成装置上；和
布置所述光学系统，以通过使用从所述中间焦点发散的辐射束来照射所述图案形成装置，所述中间焦点位于与所述照射系统的底部大致相同的高度水平的位置处或所述照射系统的底部下方的位置处。

20.  一种用于制造照射系统的方法，所述方法包括以下步骤：
提供具有光学系统的外壳，所述光学系统包括至少一个光学元件，用于将中间焦点成像在图案形成装置上；和
布置所述光学系统，以通过使用从所述中间焦点发散的辐射束照射所述图案形成装置，
将由所述图案形成装置赋予的图案成像在成像平面上，
其中，所述中间焦点位于大致与所述成像平面相同的高度水平的位置处或所述成像平面下方的位置处。

21.  根据权利要求19或20所述的方法，其中，所述光学系统被布置以将所述中间焦点成像到所述图案形成装置上。

22.  根据权利要求19或20所述的方法，其中，所述中间焦点的位置被确定在地板的开口中，所述组件将在所述地板上操作。

23.  根据权利要求22所述的方法，其中，所述中间焦点的位置大约穿过所述地板的一半。

24.  根据权利要求19或20所述的方法，其中，所述中间焦点被确定成位于在所述照射系统的底部下方约0.10米和约2.00米之间的位置处。

25.  根据权利要求24所述的方法，其中，所述中间焦点位于所述照射系统的底部下方约0.50米和约1.50米之间的位置处。

26.  根据权利要求21所述的方法，其中，所述中间焦点被确定位于所述照射系统的底部下方约0.10米的位置处。

27.  根据权利要求19或20所述的方法，进一步包括提供源-收集器模块的步骤，所述源-收集器模块包括辐射源和收集器，所述源-收集器模块被布置以将所述辐射源成像在所述中间焦点上。

28.  根据权利要求27所述的方法，进一步包括将所述辐射源放置在所述照射系统的底部下方的位置处。

29.  根据权利要求19或20所述的方法，其中，所述中间焦点被确定位于所述外壳的外面。

用于照射图案形成装置的照射系统和制造照射系统的方法
技术领域
本发明涉及用于照射图案形成装置的照射系统和用于制造照射系统的方法。
背景技术
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也能够以通过将图案压印(imprinting)到衬底的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。
通常，从辐射源发出的电磁辐射被收集器聚焦，以在所述辐射进入用于照射图案形成装置时会聚所述辐射。典型地，照射系统包括多个光学元件(例如反射镜)，通过使用由照射系统调节的辐射束来照射图案形成装置。
为了限制由于照射系统的反射镜产生的反射而损失的辐射束的照射功率的量，已经提出限制在照射系统中出现的反射镜的数量。
限制反射镜的数量可能会降低预先确定从辐射源发出的辐射束从何方向进入照射系统的能力。
对于显著的大量的照射系统的可能设计，不希望具有从照射系统下面入射的辐射束。因此，已经提出通过支撑照射系统的地板来透射辐射束，但是为了能够使辐射束穿过所述地板，所述地板将需要进行很大程度的修改。
发明内容
根据本发明的一个方面，提供了一种用于照射图案形成装置的照射系统。该照射系统包括外壳和设置在所述外壳内的光学系统。该光学系统包括至少一个光学元件。该光学系统被构造和布置以用从中间焦点发散的辐射束照射图案形成装置。所述中间焦点位于与所述照射系统的底部大致相同的高度水平的位置处或位于所述照射系统的底部下方的位置处。
根据一个方面，提供了一种组件，该组件包括照射系统和源-收集器模块。该照射系统包括外壳和设置在所述外壳内的光学系统。该光学系统包括至少一个光学元件。该光学系统被构造和布置以用从中间焦点发散的辐射束照射图案形成装置。所述中间焦点位于与所述照射系统的底部大致相同的高度水平的位置处或位于所述照射系统的底部下方的位置处。所述源-收集器模块包括辐射源和用于将所述辐射源成像在所述中间焦点上的收集器。
根据一个方面，提供一种照射系统，该照射系统包括外壳和位于外壳内的光学系统。该光学系统包括至少一个光学元件。该光学系统被构造和布置以用从中间焦点发散的辐射束照射图案形成装置。中间焦点位于与照射系统的底部大致相同的高度水平的位置处或位于照射系统的底部下方的位置处。所述设备还包括所述源-收集器模块和被构造用于支撑图案形成装置的支撑结构，所述源-收集器模块包括辐射源和用于将所述辐射源成像在所述中间焦点上的收集器。所述图案形成装置被构造和布置以将图案在辐射束的横截面赋予给所述辐射束以形成图案化的辐射束。所述设备还包括衬底台，被构造用于保持衬底；和投影系统，被配置以将所述图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上。
根据另一方面，提供一种用于制造照射系统的方法。该方法包括提供具有光学系统的外壳的步骤，该光学系统包括至少一个光学元件，用于将中间焦点成像在图案形成装置上。该方法还包括步骤：布置所述光学系统，以通过使用从所述中间焦点发散的辐射束照射所述图案形成装置。所述中间焦点位于与所述照射系统的底部大致相同的高度水平的位置处或位于所述照射系统的底部下方的位置处。
更具体地，中间焦点的位置可被确定在地板的开口中，所述照射系统将在所述地板上操作。这样的开口可以是通孔，通常用于转移空气。中间焦点的适合的位置可以穿过大约地板的一半。
这样的地板可具有各种厚度。典型地，这样的地板可具有约0.10米至约2.00米的厚度。因此，中间焦点可位于在所述照射系统的底部下方约0.10米和约2.00米之间的位置处。地板可分割成两层：上层和下层。上层可具有任何位置在约0.10米至0.75米的范围内的厚度。下层通常由混凝土制成和具有任何位置在约0.50米和1.00米之间的厚度。然而，其它范围和层配置也可出现。
照射系统在其上操作的地板的另一变形可具有约0.20米厚度的相对薄的地板层，所述薄的地板层由柱子和置于柱子上的水平地取向的梁构成的结构来支撑，其中，薄的地板层由梁支撑。因此，中间焦点可位于照射系统的底部下方约0.10米的位置处。柱子和梁可典型地由混凝土制成。
附图说明
下面仅通过示例的方式，参考示意性附图对本发明的实施例进行描述，其中示意性附图中相应的参考标记表示相应的部件，在附图中：
图1示出本发明实施例可在其中应用的光刻设备；
图2a和2b示出根据本发明的照射系统的实施例；和
图3a和3b示出根据本发明的照射系统的另一实施例。
具体实施方式
图1示意地示出了本发明的一个实施例可在其中应用的光刻设备。所述光刻设备包括：照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或极紫外(EUV)辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；衬底台(例如晶片台)WT，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，其配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。
照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。
所述支撑结构支撑图案形成装置，即承受图案形成装置的重量。支撑结构以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其它条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。
这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型和衰减型相移掩模类型以及各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。
这里使用的术语“投影系统”应该广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其它因素所适合的。这里使用的术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。
如这里所示的，所述设备可以是反射型的(例如，采用反射式掩模)。替代地，所述设备可以是透射型的(例如，采用透射式掩模)。
所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。
参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源SO考虑成形成光刻设备的一部分，并且通过包括一个或更多个光学元件(例如合适的定向反射镜和/或扩束器)的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递系统BD一起称作辐射系统。
所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如积分器和聚光器。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。
所述辐射束PB入射到保持在支撑结构(例如，掩模台MT)上的所述图案形成装置(例如，掩模MA)上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经穿过掩模MA之后，所述辐射束PB通过投影系统PL，所述投影系统PL将所述束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束PB的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器IF1用于相对于所述辐射束PB的路径精确地定位掩模MA。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现掩模台MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，掩模台MT可以仅与短行程致动器相连，或者可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准掩模MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对齐标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在掩模MA上的情况下，所述掩模对准标记可以位于所述管芯之间。
所示的设备可以用于以下模式中的至少一种中：
1.在步进模式中，在将掩模台MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后，将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。
2.在扫描模式中，在对掩模台MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于掩模台MT的速度和方向可以通过所述投影系统PL的(缩小)放大率和图像反转特性来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一动态曝光中所述目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分的高度(沿所述扫描方向)。
3.在另一个模式中，将保持可编程图案形成装置的掩模台MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。
图2a显示照射系统IL的一个实施例。照射系统IL包括外壳2，外壳2包括包含光学元件4、6的光学系统。在这个实施例中，光学元件4、6是第一反射镜4和第二反射镜6。第一反射镜4和第二反射镜6都位于外壳2的内部，如在图2中所示。
图2a还显示源-收集器模块SCM，其包括辐射源SO和收集器8。在这个实施例中，收集器8位于照射系统IL和所述源SO之间。可替代地，所述源SO位于收集器8和照射系统IL之间。在收集器是垂直入射反射镜(未在附图中示出)时，这种替代可能是适合的。
如在图2a中所看到的，本实施例的照射系统IL的底部10设置有用于支撑照射系统IL的外壳2的多个支撑结构12。这种支撑结构12可直接固定至外壳2。可替代地，它们可邻接外壳2而不固定地连接至外壳2，或邻接固定至外壳2的部件。在一个实施例中，支撑结构12在外壳下约70厘米处形成自由空间。停靠在地板F上的支撑结构2典型地设置有通孔TH，该通孔TH通常用于转移空气。所述源-收集器模块SCM进一步包括碎片削减器14(例如翼片阱)，其位于所述源SO和收集器8之间。
在操作中，所述源SO发射辐射束B，辐射束B由收集器8聚焦成中间焦点IF。在图2a的实施例中，中间焦点IF已经被确定成位于靠近照射系统IL的底部10的位置处。中间焦点IF可大致位于与照射系统IL的底部10相同的高度水平或低于其位置处。在这个实施例中，中间焦点IF的位置已经确定在外壳2的外部和在约地板F的一半位置处的通孔TH中。反射镜4、6可被布置以将中间焦点成像在安装在支撑结构MT上的图案形成装置MA上。中间焦点IF的位置可位于在照射系统IL的底部10下方约0.10米和约2.00米之间的位置上。在一个实施例中，中间焦点IF的位置可位于照射系统IL的底部10下方约0.50米和1.50米之间的位置上。在一个实施例中，中间焦点IF可位于底部10下方约0.20米和约0.80米之间的位置上。在一个实施例中，中间焦点IF可位于照射系统IL的底部10下面约0.10米的位置处。对于约1.00米厚的车间地板，中间焦点IF可位于底部10下面约0.50米的位置处，因为在底部10下面约0.50米的位置大约穿过车间地板的一半。支撑构件12可被布置以具有可调整的高度，用于调整中间焦点相对于照射系统的底部而设置的位置。这种照射系统可被制造，而不需具有关于被使用的地板厚度的现有知识。
第一反射镜4可直接反射辐射束到第二反射镜6。反射镜4、6可以是场分段反射镜。场分段反射镜在本领域是已知的，例如已经在美国专利No.6,195,201中进行讨论。第一反射镜4包括多个反射镜元件，所述多个反射镜元件用于在第二反射镜6的对应的反射镜元件附近形成多个图像。反射镜4、6形成光学系统，其在使用中将中间焦点成像在图案形成装置MA上。虽然在图2a中示出两个反射镜4、6，但是照射系统可具有另一数量的光学元件。这种光学元件可以是场分段反射镜或其它元件。
图2a所示的实施例可在如图2b所显示的光刻设备中实施。除了源-收集器模块SCM和照射系统IL之外，这个实施例还包括投影系统PL，该投影系统PL被配置以将由图案形成装置MA图案化的辐射投影到投影系统PL的成像平面IP上。在使用中，成像平面位于衬底的目标部分上。图2b显示投影系统包括两个反射镜18、20，其用于将辐射投影到成像平面IP上。然而，本领域技术人员应当理解，其它数量的反射镜可被使用，以便将辐射投影到成像平面IP上。例如，数量为6个的反射镜可用于替代在图2b中显示的两个反射镜18、20。如图2b所示，中间焦点IF位于成像平面IP下面的位置处。然而，中间焦点IF可以可替代地位于大致与成像平面IP相同高度水平的位置处。
将中间焦点IF设置在与成像平面IP相同的高度水平上或设置在成像平面IP下面，有助于适应光学路径，使得它可以轻易地穿过车间地板而不被它阻挡。如之前所示的，中间焦点可位于与车间地板相同的高度上。
照射系统的另一实施例在图3中显示。如图3所示，在收集器8和第一反射镜4之间的辐射束B的一部分P在第二反射镜6和支撑结构MT之间传播。这导致了辐射束B的部分P能够沿大致垂直于地板F的方向传播，从而限制了地板F的横截面的尺寸并最大化了可透射通过地板F束的横截面。
图3a所示的实施例可在如图3b所显示的光刻设备中实施。除了源-收集器模块SCM和照射系统IL之外，这个实施例还包括投影系统PL，该投影系统PL被配置以将由图案形成装置MA图案化的辐射投影到投影系统PL的成像平面IP上。在使用中，成像平面位于衬底的目标部分上。图3b显示投影系统包括两个反射镜18、20，其用于将辐射投影到成像平面IP上。然而，本领域技术人员应当理解，其它数量的反射镜可被使用，以便将辐射投影到成像平面IP上。例如，数量为6个的反射镜可用于替代在图3b中显示的两个反射镜18、20。如图3b所示，中间焦点IF位于成像平面IP下面的位置处。然而，中间焦点IF可以可替代地位于与成像平面IP大致相同的高度水平的位置处。
虽然在本文中详述了光刻设备用在制造IC(集成电路)，但是应该理解到这里所述的光刻设备可以有其它的应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该认识到，在这种替代应用的情况中，可以将此处使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其它衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外(UV)辐射(例如具有约365、355、248、193、157或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如，具有在5-20nm范围内的波长)以及粒子束(例如离子束或电子束)。
在允许的情况下，术语“透镜”可以指的是不同类型的光学部件中的任何一个或其组合，包括折射式的、反射式、磁性式、电磁式和静电式的光学部件。
尽管以上已经描述了本发明的特定的实施例，但是应该理解的是本发明可以以与上述不同的形式实现。例如，本发明可以采取包含用于描述上述公开的方法的一个或更多个机器可读指令序列的计算机程序的形式，或者采取具有在其中存储的这种计算机程序的数据存储介质的形式(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)。
以上描述旨在进行解释，而不是限制性的。因而，本领域普通技术人员可以理解，在不偏离下述权利要求的保护范围的前提下可以对所描述的发明进行修改。