单抗单面离型膜.pdf

1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201710829322.0 (22)申请日 2017.09.14 (71)申请人 浙江欧仁新材料有限公司 地址 314103 浙江省嘉兴市嘉善县姚庄镇 银河路17号 (72)发明人 夏厚君杨晓明 (51)Int.Cl. C09J 7/24(2018.01) C09J 7/25(2018.01) C09D 133/10(2006.01) C09D 7/63(2018.01) C08F 220/18(2006.01) C08F 220/28(2006.01) C08F 220/06

2、(2006.01) (54)发明名称 单抗单面离型膜 (57)摘要 本发明公开一种单抗单面离型膜， 离型剂层 由离型剂固化获得， 此离型剂由以下重量份的组 分获得： 由以下重量份的组分获得： 预聚树脂、 甲 基氢醌、 3-环氧丙烷、 十二烷基缩水甘油醚、 1-羟 基环己基苯甲酮， 预聚树脂由以下步骤获得： 将 甲基丙烯酸环己酯、 -羧乙基丙烯酸酯、 丙烯 酸， 投入搅拌桶， 低速搅拌均匀形成初级混合物； 将初级混合物、 二甲苯、 过氧化苯甲酰混合后加 入到反应釜中获得聚合物溶液； 将聚合物溶液、 2-羟乙基乙烯基醚高速搅拌后加热蒸馏去除二 甲苯， 从而获得预聚树脂。 本发明不会对电路板 的电性

3、造成不利的影响， 从而提高了电路板的可 靠性， 且实现了在低温下也能保持稳定的低剥离 力。 权利要求书1页 说明书5页 附图1页 CN 108690514 A 2018.10.23 CN 108690514 A 1.一种单抗单面离型膜， 其特征在于： 包括基膜层 （1） 、 涂覆于基膜层 （1） 上表面的离型 剂层 （2） 和涂覆于基膜层 （1） 下表面的抗静电涂层 （3） ， 所述离型剂层 （2） 的厚度为0.10.7 m， 所述离型剂层 （2） 由离型剂固化获得， 此离型剂由以下重量份的组分获得： 预聚树脂 100份， 甲基氢醌 0.81.2份， 3-环氧丙烷 2540份， 十二烷基缩水甘

4、油醚 1020份， 1-羟基环己基苯甲酮 35份； 所述预聚树脂由以下步骤获得： 步骤一、 将甲基丙烯酸环己酯3050份、 -羧乙基丙烯酸酯2030份、 丙烯酸812份， 投 入搅拌桶， 低速搅拌均匀形成初级混合物； 步骤二、 将步骤一的初级混合物、 100份二甲苯、 0.30.5份的过氧化苯甲酰混合后加 入到反应釜中， 中速搅拌反应半小时后静置12小时后获得聚合物溶液； 步骤三、 将步骤二的聚合物溶液、 512份2-羟乙基乙烯基醚高速搅拌后加热蒸馏去除 二甲苯， 从而获得预聚树脂。 2.根据权利要求1所述的单抗单面离型膜， 其特征在于： 所述步骤一的低速搅拌速率为 200-300转/分钟，

5、步骤二的中速搅拌速率为300-500转/分钟， 步骤三的高速搅拌速率为 600-800转/分钟。 3.根据权利要求1所述的单抗单面离型膜， 其特征在于： 所述步骤二中反应釜的温度为 7080。 4.根据权利要求1所述的单抗单面离型膜， 其特征在于： 所述基膜层厚度为2300微米。 5.根据权利要求1所述的单抗单面离型膜， 其特征在于： 所述基膜层为PET薄膜、 PE薄 膜、 PP薄膜、 PC薄膜、 PMMA薄膜或TAC薄膜。 权利要求书 1/1 页 2 CN 108690514 A 2 单抗单面离型膜 技术领域 0001 本发明涉及一种单抗单面离型膜， 属于离型材料技术领域。 背景技术 000

6、2 现有技术中， 离型膜都是在薄膜基材表面涂布反应型有机硅类材料， 然后制成传 统的离型膜。 而随着压敏胶领域不断地深入研究， 对压敏胶的要求限制变得越来越苛刻， 其 离型层是由离型剂经过加工涂覆在基材上经加热或辐射固化下形成交联结构的硬层而对 胶黏剂进行防粘作用， 现有离型剂在低温下其性能不稳定， 耐气候性较差， 如何克服上述技 术问题成为本领域技术人员努力的方向。 发明内容 0003 本发明目的是提供一种单抗单面离型膜， 该单抗单面离型膜克服了现有离型剂在 常温和高温下才能保持低的剥离力缺陷， 实现了在低温下也能保持稳定的低剥离力， 从而 提高了产品耐气候性， 且也不会对电路板的电性造成不

7、利的影响， 从而提高了电路板的可 靠性。 0004 为达到上述目的， 本发明采用的技术方案是： 一种单抗单面离型膜， 包括基膜层、 涂覆于基膜层上表面的离型剂层和涂覆于基膜层下表面的抗静电涂层， 所述离型剂层的厚 度为0.10.7 m， 所述离型剂层由离型剂固化获得， 此离型剂由以下重量份的组分获得： 预聚树脂 100份， 甲基氢醌 0.81.2份， 3-环氧丙烷 2540份， 十二烷基缩水甘油醚 1020份， 1-羟基环己基苯甲酮 35份； 所述预聚树脂由以下步骤获得： 步骤一、 将甲基丙烯酸环己酯3050份、 -羧乙基丙烯酸酯2030份、 丙烯酸812份， 投 入搅拌桶， 低速搅拌均匀形成

8、初级混合物； 步骤二、 将步骤一的初级混合物、 100份二甲苯、 0.30.5份的过氧化苯甲酰混合后加 入到反应釜中， 中速搅拌反应半小时后静置12小时后获得聚合物溶液； 步骤三、 将步骤二的聚合物溶液、 512份2-羟乙基乙烯基醚高速搅拌后加热蒸馏去除 二甲苯， 从而获得预聚树脂。 0005 上述技术方案中进一步改进的方案如下： 1. 上述方案中， 所述步骤一的低速搅拌速率为200-300转/分钟， 步骤二的中速搅拌速 率为300-500转/分钟， 步骤三的高速搅拌速率为600-800转/分钟。 0006 2. 上述方案中， 所述步骤二中反应釜的温度为7080。 0007 3. 上述方案中，

9、 所述基膜层为PET薄膜、 PE薄膜、 PP薄膜、 PC薄膜、 PMMA薄膜或TAC 薄膜。 说明书 1/5 页 3 CN 108690514 A 3 0008 4. 上述方案中， 所述基膜层厚度为2300微米。 0009 由于上述技术方案运用， 本发明与现有技术相比具有下列优点和效果： 1. 本发明单抗单面离型膜， 其离型剂层克服了现有离型剂在常温和高温下才能保持 低剥离力的缺陷， 实现了在低温下也能保持稳定的低剥离力， 从而提高了产品耐气候性； 其 次， 该离型剂既提高残余附着力， 极大的降低了离型剂转移率， 也避免了离子迁移， 且其为 绝缘体， 即使出现在胶面残留转移到了线路板上也不会对

10、电路板的电性造成不利的影响， 从而提高了电路板的可靠性。 0010 2. 本发明单抗单面离型膜， 其离型剂层配方中进一步添了甲基氢醌、 十二烷基缩 水甘油醚， 提高涂覆延展性和均匀性， 也低能量的UV光照射下实现了快速光固化。 附图说明 0011 附图1为本发明单抗单面离型膜结构示意图。 0012 以上附图中： 1、 基膜层； 2、 离型剂层； 3、 抗静电涂层。 具体实施方式 0013 下面结合实施例对本发明作进一步描述： 实施例1： 一种单抗单面离型膜， 包括基膜层1、 涂覆于基膜层1上表面的离型剂层2和涂 覆于基膜层1下表面的抗静电涂层3， 所述离型剂层2的厚度为0.3 m， 所述离型剂

11、层2由离型 剂固化获得， 此离型剂由以下重量份的组分获得： 预聚树脂 100份， 甲基氢醌 0.85份， 3-环氧丙烷 35份， 十二烷基缩水甘油醚 15份， 1-羟基环己基苯甲酮 3.2份。 0014 所述预聚树脂由以下步骤获得： 步骤一、 将甲基丙烯酸环己酯32份、 -羧乙基丙烯酸酯 25份、 丙烯酸9份， 投入搅拌桶， 低速搅拌均匀形成初级混合物； 步骤二、 将步骤一的初级混合物、 二甲苯100份、 过氧化苯甲酰0.35份混合后加入到反 应釜中， 中速搅拌反应半小时后静置12小时后获得聚合物溶液； 步骤三、 将步骤二的聚合物溶液、 6份2-羟乙基乙烯基醚高速搅拌后加热蒸馏去除二甲 苯，

12、从而获得预聚树脂。 0015 上述单抗单面离型膜通过以下步骤获得： 步骤一、 位于容器中的步骤三的预聚树脂中添加甲基氢醌0.85份、 3-环氧丙烷35份、 十 二烷基缩水甘油醚15份搅拌混合均匀形成混合物， 再加入1-羟基环己基苯甲酮3.2份形成 所述离型剂； 步骤二、 将离型剂涂布于基膜层1上， 涂布量0.8g/m2， 在UV能量为80mj/cm2 条件下固 化， 固化后形成单抗单面离型膜。 0016 实施例2： 一种单抗单面离型膜， 包括基膜层1、 涂覆于基膜层1上表面的离型剂层2 和涂覆于基膜层1下表面的抗静电涂层3， 所述离型剂层2的厚度为0.10.7 m， 所述离型剂 说明书 2/5

13、 页 4 CN 108690514 A 4 层2由离型剂固化获得， 此离型剂由以下重量份的组分获得： 预聚树脂 100份， 甲基氢醌 0.9份， 3-环氧丙烷 30份， 十二烷基缩水甘油醚 18份， 1-羟基环己基苯甲酮 4.5份。 0017 所述预聚树脂由以下步骤获得： 步骤一、 将甲基丙烯酸环己酯45份、 -羧乙基丙烯酸酯28份、 丙烯酸11份， 投入搅拌桶， 低速搅拌均匀形成初级混合物； 步骤二、 将步骤一的初级混合物、 二甲苯100份、 过氧化苯甲酰0.45份混合后加入到反 应釜中， 中速搅拌反应半小时后静置12小时后获得聚合物溶液； 步骤三、 将步骤二的聚合物溶液、 2-羟乙基乙烯基

14、醚10份高速搅拌后加热蒸馏去除二 甲苯， 从而获得预聚树脂。 0018 上述单抗单面离型膜通过以下步骤获得： 步骤一、 位于容器中的步骤三的预聚树脂中添加甲基氢醌0.9份、 3-环氧丙烷30份、 十 二烷基缩水甘油醚18份搅拌混合均匀形成混合物， 再加入1-羟基环己基苯甲酮4.5份形成 所述离型剂； 步骤二、 将离型剂涂布于基膜层1上， 涂布量0.8g/m2， 在UV 能量为80mj/cm2 条件下固 化， 固化后形成单抗单面离型膜。 0019 实施例3： 一种单抗单面离型膜， ， 包括基膜层1、 涂覆于基膜层1上表面的离型剂层 2和涂覆于基膜层1下表面的抗静电涂层3， 所述离型剂层2的厚度为

15、0.3 m， 所述离型剂层2 由离型剂固化获得， 此离型剂由以下重量份的组分获得： 预聚树脂 100份， 甲基氢醌 1份， 3-环氧丙烷 28份， 十二烷基缩水甘油醚 12份， 1-羟基环己基苯甲酮 3.5份。 0020 所述预聚树脂由以下步骤获得： 步骤一、 将甲基丙烯酸环己酯38份、 -羧乙基丙烯酸酯22份、 丙烯酸10份， 投入搅拌桶， 低速搅拌均匀形成初级混合物； 步骤二、 将步骤一的初级混合物、 二甲苯100份、 过氧化苯甲酰0.38份混合后加入到反 应釜中， 中速搅拌反应半小时后静置12小时后获得聚合物溶液； 步骤三、 将步骤二的聚合物溶液、 2-羟乙基乙烯基醚8份高速搅拌后加热蒸

16、馏去除二甲 苯， 从而获得预聚树脂。 0021 上述单抗单面离型膜通过以下步骤获得： 步骤一、 位于容器中的步骤三的预聚树脂中添加甲基氢醌1份、 3-环氧丙烷28份、 十二 烷基缩水甘油醚12份搅拌混合均匀形成混合物， 再加入1-羟基环己基苯甲酮3.5份形成所 述离型剂； 步骤二、 将离型剂涂布于基膜层1上， 涂布量0.8g/m2， 在UV 能量为80mj/cm2 条件下固 说明书 3/5 页 5 CN 108690514 A 5 化， 固化后形成单抗单面离型膜。 0022 实施例4： 一种单抗单面离型膜， ， 包括基膜层1、 涂覆于基膜层1上表面的离型剂层 2和涂覆于基膜层1下表面的抗静电涂

17、层3， 所述离型剂层2的厚度为0.3 m， 所述离型剂层2 由离型剂固化获得， 此离型剂由以下重量份的组分获得： 预聚树脂 100份， 甲基氢醌 1.1份， 3-环氧丙烷 38份， 十二烷基缩水甘油醚 16份， 1-羟基环己基苯甲酮 4.5份。 0023 所述预聚树脂由以下步骤获得： 步骤一、 将甲基丙烯酸环己酯48份、 -羧乙基丙烯酸酯20份、 丙烯酸9份， 投入搅拌桶， 低速搅拌均匀形成初级混合物； 步骤二、 将步骤一的初级混合物、 二甲苯100份、 过氧化苯甲酰0.35份混合后加入到反 应釜中， 中速搅拌反应半小时后静置12小时后获得聚合物溶液； 步骤三、 将步骤二的聚合物溶液、 2-羟

18、乙基乙烯基醚11份高速搅拌后加热蒸馏去除二 甲苯， 从而获得预聚树脂。 0024 上述单抗单面离型膜通过以下步骤获得： 步骤一、 位于容器中的100份预聚树脂中添加甲基氢醌1.1份、 3-环氧丙烷38份、 十二烷 基缩水甘油醚16份搅拌混合均匀形成混合物， 再加入1-羟基环己基苯甲酮4.5份形成所述 离型剂； 步骤二、 将离型剂涂布于基膜层1上， 涂布量0.8g/m2， 在UV 能量为80mj/cm2 条件下固 化， 固化后形成单抗单面离型膜。 0025 实施例5： 一种单抗单面离型膜， 包括基膜层1、 涂覆于基膜层1上表面的离型剂层2 和涂覆于基膜层1下表面的抗静电涂层3， 所述离型剂层2的

19、厚度为0.3 m， 所述离型剂层2由 离型剂固化获得， 此离型剂由以下重量份的组分获得： 预聚树脂 100份， 甲基氢醌 0.9份， 3-环氧丙烷 30份， 十二烷基缩水甘油醚 12份， 1-羟基环己基苯甲酮 3份。 0026 所述预聚树脂由以下步骤获得： 步骤一、 将甲基丙烯酸环己酯35份、 -羧乙基丙烯酸酯26份、 丙烯酸10份， 投入搅拌桶， 低速搅拌均匀形成初级混合物； 步骤二、 将步骤一的初级混合物、 二甲苯100份、 过氧化苯甲酰0.4份混合后加入到反应 釜中， 中速搅拌反应半小时后静置12小时后获得聚合物溶液； 步骤三、 将步骤二的聚合物溶液、 2-羟乙基乙烯基醚7份高速搅拌后加

20、热蒸馏去除二甲 苯， 从而获得预聚树脂。 0027 上述单抗单面离型膜通过以下步骤获得： 步骤一、 位于容器中的100份预聚树脂中添加甲基氢醌0.9份、 3-环氧丙烷30份、 十二烷 说明书 4/5 页 6 CN 108690514 A 6 基缩水甘油醚12份搅拌混合均匀形成混合物， 再加入1-羟基环己基苯甲酮3份形成所述离 型剂； 步骤二、 将离型剂涂布于基膜层1上， 涂布量0.8g/m2， 在UV 能量为80mj/cm2 条件下固 化， 固化后形成单抗单面离型膜。 0028 上述基膜层厚度为2300微米； 上述基膜层为PET薄膜、 PE薄膜、 PP薄膜、 PC薄膜、 PMMA薄膜或TAC薄

21、膜。 0029 将实施例15获得的单抗单面离型膜， 测试如表1所示： 表1 通过表1可知， 采用上述单抗单面离型膜时， 其离型剂层克服了现有离型剂在常温和高 温下才能保持低剥离力的缺陷， 实现了在低温下也能保持稳定的低剥离力， 从而提高了产 品耐气候性； 其次， 该离型剂既提高残余附着力， 极大的降低了离型剂转移率， 也避免了离 子迁移， 且其为绝缘体， 即使出现在胶面残留转移到了线路板上也不会对电路板的电性造 成不利的影响， 从而提高了电路板的可靠性； 再次， 其离型剂层配方中进一步添了甲基氢 醌、 十二烷基缩水甘油醚， 提高涂覆延展性和均匀性， 也低能量的UV 光照射下实现了快速 光固化。 0030 上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点， 其目的在于让熟悉此项技术的人 士能够了解本发明的内容并据以实施， 并不能以此限制本发明的保护范围。 凡根据本发明 精神实质所作的等效变化或修饰， 都应涵盖在本发明的保护范围之内。 说明书 5/5 页 7 CN 108690514 A 7 图1 说明书附图 1/1 页 8 CN 108690514 A 8