有机金属配合物衍生物及使用该有机金属配合物衍生物的有机发光器件.pdf

1、(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 200880020007.2 (22)申请日 2008.06.12 10-2007-0057103 2007.06.12 KR C07F 5/06(2006.01) (73)专利权人 LG 化学株式会社 地址 韩国首尔 (72)发明人 李大雄 裴在顺 金公谦 李载澈 南玄 金性昭 (74)专利代理机构 北京金信知识产权代理有限 公司 11225 代理人 刘晔 朱梅 US 2003082406 A1,2003.05.01, 全文 . US 2004230061 A1,2004.11.18, 全文 . US 6844087 B1,2005.0

2、1.18, 全文 . US 2003040627 A1,2003.02.27, 全文 . (54) 发明名称 有机金属配合物衍生物及使用该有机金属配 合物衍生物的有机发光器件 (57) 摘要 本发明涉及一种新型有机金属配合物衍生物 及包含该有机金属配合物衍生物的有机发光器 件。 (30)优先权数据 (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2009.12.14 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/KR2008/003308 2008.06.12 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2008/153338 EN 2008.12.18 (51)Int.Cl. (56)对比文件 审查员 马进 (

3、19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 权利要求书2页 说明书29页 附图2页 (10)授权公告号 CN 101679459 B (45)授权公告日 2015.04.01 CN 101679459 B 1/2 页 2 1. 一种由下面式 1 表示的有机金属配合物衍生物 ： 式 1 其中 Y 为 8- 羟基 -2- 甲基喹啉， n 为 1 或 2， M 为铝， L 为 -OABC， 其中 l 为 1， O 为氧， A 为亚苯基或亚萘基， B 为由下面式 2 表示的化合物 , 式 2 其中 X 为 -S-， R1和 R2为氢， 以及 C 选自苯基和萘基。 2.根据权利要求1所述的有机

4、金属配合物衍生物， 其中， 由式1表示的有机金属配合物 衍生物选自以下式 1-38、 1-46、 1-47、 1-73、 1-81、 1-82、 1-143、 1-151 和 1-152 中 ： 表 1 权 利 要 求 书 CN 101679459 B 2 2/2 页 3 3. 一种有机电子器件， 其包括第一电极、 第二电极和设置于两者之间的一个或多个有 机材料层， 其中有机材料层中的至少一层包含权利要求 1 和 2 中任意一项所述的有机金属 配合物衍生物。 4. 根据权利要求 3 所述的有机电子器件， 其中， 有机电子器件选自有机光电池、 有机光 电导体 (OPC) 和有机晶体管中。 5.

5、一种有机发光器件， 其具有通过在基板上顺序沉积阳极、 一个或多个有机材料层和 阴极制备的正序结构， 或具有通过在基板上顺序沉积阴极、 一个或多个有机材料层和阳极 制备的反序结构， 其中有机材料层中的至少一层包含权利要求 1 至 5 中任意一项所述的有 机金属配合物衍生物。 权 利 要 求 书 CN 101679459 B 3 1/29 页 4 有机金属配合物衍生物及使用该有机金属配合物衍生物的 有机发光器件 技术领域 0001 本发明涉及一种新型的有机金属配合物衍生物及使用该有机金属配合物衍生物 的有机发光器件。 0002 本申请要求 2007 年 6 月 12 日提交的 No.10-2007

6、-0057103 韩国专利申请的优先 权， 其全部内容以引用的方式全部并入本文。 背景技术 0003 通常， 术语有机发光现象是指的通过有机材料将电能转变为光能的现象。使 用有机发光现象的有机发光器件具有一般包括阳极、 阴极和设置于两者之间的有机材料层 的结构。 其中， 为了改善有机发光器件的效率和稳定性， 有机材料层最有可能形成包括不同 材料层 ( 例如空穴注入层、 空穴传输层、 发光层、 电子传输层、 电子注入层等 ) 的多层结构。 在具有该结构的有机发光器件中， 当在两个电极之间施加电压时， 从阳极注入空穴并从阴 极注入电子到有机材料层中， 注入的空穴和电子结合在一起形成激子。进而当激子

7、跃迁回 基态时， 发出光。已知这样的有机发光器件具有例如自发光、 高亮度、 高效率、 低驱动电压、 宽视角、 高对比度和高速响应的特点。 0004 用于有机发光器件的有机材料层的材料， 根据其功能， 可以分为发光材料和电荷 传输材料， 例如空穴注入材料、 空穴传输材料、 电子传输材料和电子注入材料。 发光材料， 根 据其分子量， 可以分为高分子量型和低分子量型， 并且根据其发光机理， 可以分为单激发态 的荧光材料和三重激发态的磷光材料。另外， 根据发光颜色， 发光材料可以分为蓝、 绿或红 色发光材料和为了呈现更自然颜色的黄或橙色发光材料。 0005 另一方面， 由于当仅使用一种材料作为发光材料

8、时， 由分子间的相互作用导致最 大发光波长移向更长波长、 色纯度的劣化和发光效率的降低， 因而造成器件的效率降低， 为 了通过能量转换提高色纯度和发光效率， 主体 / 掺杂剂体系可以用作发光材料。其基于以 下原理， 如果使用少量具有比形成发光层的主体材料更小的能带隙的掺杂剂， 在发光层中 产生的激子被转移到掺杂剂中， 从而以高效率发光。 在此， 由于主体材料的波长根据掺杂剂 的波长而移动， 所以可以根据掺杂剂的种类获得预期波长的光。 0006 为了使得有机发光器件充分展示上述极佳的特性， 在器件中构成有机材料层的材 料， 例如空穴注入材料、 空穴传输材料、 发光材料、 电子传输材料和电子注入材

9、料， 应基本上 由稳定且高效的材料构成。但是， 对有机发光器件的稳定且高效的有机材料层材料的发展 还未得到充分认识。因此， 仍需要开发新材料。此类材料的发展对上述其他有机电子器件 也是同样需要的。 发明内容 0007 技术问题 0008 本发明人合成了一种具有新型结构的有机金属配合物衍生物， 并且还发现该衍生 说 明 书 CN 101679459 B 4 2/29 页 5 物在有机发光器件中显示了降低电压的效果。 0009 因此， 本发明的一个目的是提供一种有机金属配合物衍生物及使用该有机金属配 合物衍生物的有机发光器件。 0010 技术方案 0011 本发明提供了一种由下面式 1 表示的有机

10、金属配合物衍生物。 0012 式 1 0013 0014 其中 Y 为具有未取代或取代的羟基芳基 -N- 杂环的配体， 并且选自含 8- 羟 基 -2- 甲基喹啉的配体、 席夫碱二齿配体和席夫碱四齿配体中的任意一种， 0015 n 为 1 至 3， 0016 M 为具有 +2、 +3 或 +4 氧化数的金属， 0017 L 为 -O-A-B1-C 0018 其中 1 为 1 至 4， 0019 O 为氧， 0020 A可以选自 ： 直接键 ； 由选自卤素、 氘、 氨基、 腈基、 硝基、 C1C40烷基、 C2C40链烯 基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40杂环烷基、

11、C6 C40芳基和 C5 C40杂芳基中 的一种或多种基团取代或未取代的C1C40亚烷基 ； 由选自卤素、 氘、 氨基、 腈基、 硝基、 C1 C40烷基、 C2 C40链烯基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳 基和 C5 C40杂芳基中的一种或多种基团取代或未取代的 C3 C40亚环烷基 ； 由选自卤素、 氘、 氨基、 腈基、 硝基、 C1 C40烷基、 C2 C40链烯基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳基和 C5 C40杂芳基中的一种或多种基团取代或未取代的 C3 C40 杂亚环烷基

12、； 由选自卤素、 氘、 氨基、 腈基、 硝基、 C1 C40烷基、 C2 C40链烯基、 C1 C40烷 氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳基和 C5 C40杂芳基中的一种或多种 基团取代或未取代的 C2 C40亚链烯基 (alkenylene) ； 由选自卤素、 氘、 氨基、 腈基、 硝基、 C1 C40烷基、 C2 C40链烯基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳基和 C5 C40杂芳基中的一种或多种基团取代或未取代的 C1 C40亚烷氧基 ； 由选自 卤素、 氘、 氨基、 腈基、 硝基、 C1 C40烷基

13、、 C2 C40链烯基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳基和 C5 C40杂芳基中的一种或多种基团取代或未取代的氨 基 ； 由选自卤素、 氘、 氨基、 腈基、 硝基、 C1 C40烷基、 C2 C40链烯基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳基和 C5 C40杂芳基中的一种或多种基团取代或 未取代的 C6 C40亚芳基 ； 和由选自卤素、 氘、 氨基、 腈基、 硝基、 C1 C40烷基、 C2 C40链烯 基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳

14、基和 C5 C40杂芳基中 的一种或多种基团取代或未取代的 C5 C40杂亚芳基之中， 或者 A 可以与相邻基团形成脂 肪族、 芳香族、 杂脂肪族或杂芳香族稠环或螺环键， 0021 B 为由下面式 2 表示的化合物， 0022 式 2 0023 说 明 书 CN 101679459 B 5 3/29 页 6 0024 其中 X 为选自 -O-、 -NH-、 -NR-、 -S- 和 -SiRR - 中的任意一种， 0025 R 和 R为二价基团， 与下面 R1和 R2的定义相同， 并且可以优选选自 ： 氢 ； 氘 ； 由选 自卤素、 氘、 氨基、 腈基、 硝基、 C1 C40烷基、 C2 C40

15、链烯基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷 基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳基和 C5 C40杂芳基中的一种或多种基团取代或未取代 的 C1 C40烷基 ； 和由选自卤素、 氘、 氨基、 腈基、 硝基、 C1 C40烷基、 C2 C40链烯基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳基和 C5 C40杂芳基中的一种或 多种基团取代或未取代的 C6 C40芳基之中。 0026 R1和 R2可以彼此相同或不同， 并且与下面 C 的定义相同， 以及 0027 C 可以选自 ： 氢 ； 氘 ； 由选自卤素、 氘、 氨基、 腈基、 硝基、 C

16、1 C40烷基、 C2 C40链烯 基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳基和 C5 C40杂芳基中 的一种或多种基团取代或未取代的 C1 C40烷基 ； 由选自卤素、 氘、 氨基、 腈基、 硝基、 C1 C40烷基、 C2 C40链烯基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳 基和C5C40杂芳基中的一种或多种基团取代或未取代的C3C40环烷基 ； 由选自卤素、 氘、 氨基、 腈基、 硝基、 C1 C40烷基、 C2 C40链烯基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40 杂环烷

17、基、 C6 C40芳基和 C5 C40杂芳基中的一种或多种基团取代或未取代的 C2 C40杂 环烷基 ； 由选自卤素、 氘、 氨基、 腈基、 硝基、 C1 C40烷基、 C2 C40链烯基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳基和 C5 C40杂芳基中的一种或多种基团 取代或未取代的 C2 C40链烯基 ； 由选自卤素、 氘、 氨基、 腈基、 硝基、 C1 C40烷基、 C2 C40 链烯基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳基和 C5 C40杂芳 基中的一种或多种基团取代或未取代的C1C40烷氧

18、基 ； 由选自卤素、 氘、 氨基、 腈基、 硝基、 C1 C40烷基、 C2 C40链烯基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳基和C5C40杂芳基中的一种或多种基团取代或未取代的氨基 ； 由选自卤素、 氘、 氨基、 腈基、 硝基、 C1 C40烷基、 C2 C40链烯基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40杂环 烷基、 C6 C40芳基和 C5 C40杂芳基中的一种或多种基团取代或未取代的 C6 C40芳基 ； 和由选自卤素、 氘、 氨基、 腈基、 硝基、 C1 C40烷基、 C2 C40链烯基、 C1 C40烷氧基、 C

19、3 C40环烷基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳基和 C5 C40杂芳基中的一种或多种基团取代或 未取代的 C5 C40杂芳基之中， 并且 C 可以与相邻基团形成脂肪族、 芳香族、 杂脂肪族或杂 芳香族稠环或螺环键。 0028 此外， 本发明还提供了一种有机电子器件， 其包括第一电极、 第二电极和设置于两 者之间的一个或多个有机材料层， 其中有机材料层中的至少一层包含上述有机金属配合物 衍生物。 0029 另外， 本发明还提供了一种有机发光器件， 其具有通过在基板上顺序沉积阳极、 一 个或多个有机材料层和阴极制备的正序结构或反序结构， 其中有机材料层中的至少一层包 含上述有机金属配合

20、物衍生物。 0030 有益效果 说 明 书 CN 101679459 B 6 4/29 页 7 0031 本发明的化合物为新型有机金属配合物衍生物， 并可以用作有机电子器件和有机 发光器件中的有机材料层。 附图说明 0032 图 1 为根据本发明的式 1-38 的 1H-NMR 图， 和 0033 图 2 至 6 为表示根据本发明的有机发光器件结构的剖面图。 0034 附图标记 ： 0035 1 ： 基板 2 ： 阳极 0036 3 ： 空穴注入层 4 ： 空穴传输层 0037 5 ： 发光层 6 ： 电子传输层 7 ： 阴极 具体实施方式 0038 以下， 将更详细地描述本发明。 0039

21、在式 1 的 Y 中， 羟基芳基 -N- 杂环包括含有至少一个氮的杂环和含有至少一个羟 基的芳基， 其中羟基中的氧和杂环中的氮可以五边形或七边形的形式与金属配合。 0040 另外， 对于羟基芳基 -N- 杂环， 含有至少一个氮的杂环和含有至少一个羟基的芳 基可以通过直接键连接， 或与相邻基团形成脂肪族、 芳香族、 杂脂肪族或杂芳香族稠环或螺 环键。 0041 取代的羟基芳基 -N- 杂环可以由选自以下基团中的一种或多种基团取代 ： 氢 ； 氘 ； 由选自卤素、 氘、 氨基、 腈基、 硝基、 C1 C40烷基、 C2 C40链烯基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40 环烷基、 C2 C40杂环

22、烷基、 C6 C40芳基和 C5 C40杂芳基中的一种或多种基团取代或未取 代的 C1 C40烷基 ； 由选自卤素、 氘、 氨基、 腈基、 硝基、 C1 C40烷基、 C2 C40链烯基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳基和 C5 C40杂芳基中的一种或 多种基团取代或未取代的C3C40环烷基 ； 由选自卤素、 氘、 氨基、 腈基、 硝基、 C1C40烷基、 C2 C40链烯基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳基和 C5 C40杂芳基中的一种或多种基团取代或未取代的C2C40杂环烷基 ； 由

23、选自卤素、 氘、 氨基、 腈 基、 硝基、 C1 C40烷基、 C2 C40链烯基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40杂环烷 基、 C6 C40芳基和 C5 C40杂芳基中的一种或多种基团取代或未取代的 C2 C40链烯基 ； 由选自卤素、 氘、 氨基、 腈基、 硝基、 C1 C40烷基、 C2 C40链烯基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40 环烷基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳基和 C5 C40杂芳基中的一种或多种基团取代或未 取代的 C1 C40烷氧基 ； 由选自卤素、 氘、 氨基、 腈基、 硝基、 C1 C40烷基、 C2 C40链烯基、 C1 C

24、40烷氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳基和 C5 C40杂芳基中的一 种或多种基团取代或未取代的氨基 ； 由选自卤素、 氘、 氨基、 腈基、 硝基、 C1 C40烷基、 C2 C40链烯基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳基和 C5 C40 杂芳基中的一种或多种基团取代或未取代的 C6 C40芳基 ； 和由选自卤素、 氘、 氨基、 腈基、 硝基、 C1 C40烷基、 C2 C40链烯基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳基和 C5 C40杂芳基中的一种或多种

25、基团取代或未取代的 C5 C40杂芳基， 或者 取代的羟基芳基 -N- 杂环可以与相邻基团形成脂肪族、 芳香族、 杂脂肪族或杂芳香族稠环 或螺环键。 说 明 书 CN 101679459 B 7 5/29 页 8 0042 在式 1 的 Y 中， 席夫碱二齿配体优选包括由下面式 3 表示的化合物。 0043 式 3 0044 0045 其中 R3至 R6可以彼此相同或不同， 并且可以选自 ： 由选自卤素、 氘、 氨基、 腈基、 硝 基、 C1 C40烷基、 C2 C40链烯基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳基和C5C40杂芳基中的一种或多种

26、基团取代或未取代的C1C40烷基 ； 由选自卤素、 氘、 氨基、 腈基、 硝基、 C1 C40烷基、 C2 C40链烯基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳基和 C5 C40杂芳基中的一种或多种基团取代或未取代的 C3 C40 环烷基 ； 由选自卤素、 氘、 氨基、 腈基、 硝基、 C1 C40烷基、 C2 C40链烯基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳基和 C5 C40杂芳基中的一种或多种基团取 代或未取代的 C2 C40杂环烷基 ； 由选自卤素、 氘、 氨基、 腈基、 硝基、 C1 C40

27、烷基、 C2 C40 链烯基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳基和 C5 C40杂芳 基中的一种或多种基团取代或未取代的C2C40链烯基 ； 由选自卤素、 氘、 氨基、 腈基、 硝基、 C1 C40烷基、 C2 C40链烯基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳基和 C5 C40杂芳基中的一种或多种基团取代或未取代的 C1 C40烷氧基 ； 由选自卤 素、 氘、 氨基、 腈基、 硝基、 C1 C40烷基、 C2 C40链烯基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40杂环烷基、

28、C6 C40芳基和 C5 C40杂芳基中的一种或多种基团取代或未取代的氨 基 ； 由选自卤素、 氘、 氨基、 腈基、 硝基、 C1 C40烷基、 C2 C40链烯基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳基和 C5 C40杂芳基中的一种或多种基团取代或 未取代的 C6 C40芳基 ； 和由选自卤素、 氘、 氨基、 腈基、 硝基、 C1 C40烷基、 C2 C40链烯 基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳基和 C5 C40杂芳基中 的一种或多种基团取代或未取代的 C5 C40杂芳基之中， 或者可以与

29、相邻基团形成脂肪族、 芳香族、 杂脂肪族或杂芳香族稠环或螺环键。 0046 在式 1 的 Y 中， 席夫碱四齿配体优选包括由下面式 4 表示的化合物。 0047 式 4 0048 0049 其中 R4至 R6以及 R4至 R6与式 3 中 R4至 R6的定义相同， 0050 E可以选自 ： 由选自卤素、 氘、 腈基、 硝基、 C1C40烷基、 C2C40链烯基、 C1C40烷 氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳基和 C5 C40杂芳基中的一种或多种 基团取代或未取代的C1C40亚烷基 ； 由选自卤素、 氘、 腈基、 硝基、 C1C40烷基、 C2C40链 说

30、明 书 CN 101679459 B 8 6/29 页 9 烯基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳基和 C5 C40杂芳基 中的一种或多种基团取代或未取代的 C3 C40亚环烷基 ； 由选自卤素、 氘、 腈基、 硝基、 C1 C40烷基、 C2 C40链烯基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳基 和 C5 C40杂芳基中的一种或多种基团取代或未取代的 C2 C40杂亚环烷基 ； 由选自卤素、 氘、 腈基、 硝基、 C1 C40烷基、 C2 C40链烯基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷

31、基、 C2 C40杂 环烷基、 C6 C40芳基和 C5 C40杂芳基中的一种或多种基团取代或未取代的 C2 C40亚链 烯基 ； 由选自卤素、 氘、 腈基、 硝基、 C1 C40烷基、 C2 C40链烯基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40 环烷基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳基和 C5 C40杂芳基中的一种或多种基团取代或未 取代的 C6 C40亚芳基 ； 和由选自卤素、 氘、 腈基、 硝基、 C1 C40烷基、 C2 C40链烯基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳基和 C5 C40杂芳基中的一种或 多种基团取代或未取代的

32、C5 C40杂亚芳基之中， 或者 E 可以与相邻基团形成脂肪族、 芳香 族、 杂脂肪族或杂芳香族稠环或螺环键。 0051 在式 1 中， M 为具有 2 至 4 氧化数的金属， 并且可以优选包括铝、 锌、 锆、 铱、 镓、 钼 等。 0052 根据本发明的由式 1 表示的有机金属配合物衍生物优选为由 Y2-M-O-A-B1-C 表示的化合物， 其中 M 为铝 ； A 为由选自卤素、 氘、 腈基、 硝基、 C1 C40烷基、 C2 C40链烯基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳基和 C5 C40杂芳基中的一 种或多种基团取代或未取代的 C6 C

33、40芳基 ； B 为由式 2 表示的化合物， 其中 X 为 -S- ； C 为 由选自卤素、 氘、 腈基、 硝基、 C1 C40烷基、 C2 C40链烯基、 C1 C40烷氧基、 C3 C40环烷 基、 C2 C40杂环烷基、 C6 C40芳基和 C5 C40杂芳基中的一种或多种基团取代或未取代 的 C6 C40芳基。 0053 特别是， 根据本发明的由式 1 表示的有机金属配合物衍生物选自以下式 1-1 至 1-210 中。就此而言， Y 为羟基芳基 -N- 杂环。 0054 表 1 0055 说 明 书 CN 101679459 B 9 7/29 页 10 0056 说 明 书 CN 10

34、1679459 B 10 8/29 页 11 0057 说 明 书 CN 101679459 B 11 9/29 页 12 0058 说 明 书 CN 101679459 B 12 10/29 页 13 0059 说 明 书 CN 101679459 B 13 11/29 页 14 0060 说 明 书 CN 101679459 B 14 12/29 页 15 0061 说 明 书 CN 101679459 B 15 13/29 页 16 0062 说 明 书 CN 101679459 B 16 14/29 页 17 0063 说 明 书 CN 101679459 B 17 15/29 页 1

35、8 0064 说 明 书 CN 101679459 B 18 16/29 页 19 0065 说 明 书 CN 101679459 B 19 17/29 页 20 0066 说 明 书 CN 101679459 B 20 18/29 页 21 0067 说 明 书 CN 101679459 B 21 19/29 页 22 0068 说 明 书 CN 101679459 B 22 20/29 页 23 0069 说 明 书 CN 101679459 B 23 21/29 页 24 0070 说 明 书 CN 101679459 B 24 22/29 页 25 0071 说 明 书 CN 1016

36、79459 B 25 23/29 页 26 0072 根据其结构性质， 本发明的由式 1 表示的有机金属配合物衍生物可用作有机电子 器件和有机发光器件中的有机材料层。 0073 通过典型的有机发光器件的制备方法， 根据本发明的有机金属配合物衍生物可以 用于有机发光器件。 0074 在本发明的一个实施方式中， 有机发光器件具有包括第一电极、 第二电极和设置 于两者之间的有机材料层的结构， 并且除了使用根据本发明的有机金属配合物衍生物作为 有机发光器件中的有机材料层以外， 有机发光器件可以通过采用典型的方法和材料制备。 根据本发明的有机发光器件的结构如图 2 至 6 所示。 0075 例如， 根据

37、本发明的有机发光器件可以以下方式制备 ： 通过 PVD( 物理气相沉积 ) 法， 例如溅射法和电子束蒸发法， 在基板上沉积金属、 导电性的金属氧化物或其合金以形成 阳极 ； 在阳极上形成包括空穴注入层、 空穴传输层、 发光层和电子传输层的有机材料层 ； 和 说 明 书 CN 101679459 B 26 24/29 页 27 在其上沉积可用作阴极的材料。可选择地， 有机发光器件可以通过在基板上顺序沉积阴极 材料、 有机材料层和阳极材料而制备。 0076 有机材料层可以为包括空穴注入层、 空穴传输层、 发光层、 电子传输层等的多层结 构， 但不仅限于此， 并且可以为单层结构。 进而， 通过使用各

38、种聚合物材料， 以溶剂方法而非 沉积方法， 例如， 旋涂法、 浸涂法、 刮涂法、 丝网印刷法、 喷墨印刷法和热转移法， 有机材料层 可以被制成具有更少量的层。 0077 阳极材料优选为具有大的功函数以通常有利于空穴注入有机材料层中的材料。 可 用于本发明的阳极材料的具体例子包括 ： 例如钒、 铬、 铜、 锌和金， 或其合金的金属 ； 例如氧 化锌、 氧化铟、 氧化铟锡 (ITO) 和氧化铟锌 (IZO) 的金属氧化物 ； 例如 ZnO:Al 和 SnO2:Sb 的 金属和氧化物的组合 ； 例如聚 (3- 甲基噻吩 )、 聚 3， 4-( 乙撑 -1， 2- 二氧 ) 噻吩 (PEDT)、 聚吡

39、咯和聚苯胺的导电聚合物， 但不限于此。 0078 阴极材料优选为具有小的功函数以通常有利于电子注入有机材料层的材料。阴 极材料的具体例子包括 ： 例如镁、 钙、 钠、 钾、 钛、 铟、 钇、 锂、 钆、 铝、 银、 锡和铅， 或其合金的金 属 ； 例如 LiF/Al 和 LiO2/Al 的多层结构材料， 但不限于此。 0079 通常， 下面的材料可以用作空穴注入材料、 空穴传输材料、 发光材料和电子传输材 料。 0080 空穴注入材料为有利于空穴在低电压下从阳极注入的材料。空穴注入材料的 HOMO(最高占有分子轨道)能级优选位于阳极的功函数和其临近有机材料层的HOMO能级之 间。空穴注入材料的

40、具体例子包括 ； 金属卟啉、 低聚噻吩和芳基胺系列的有机材料 ； 六腈六 氮杂苯并菲 (hexanitrilehexaazatriphenylene) 和喹吖啶系列的有机材料 ； 二萘嵌苯系 列的有机材料 ； 和蒽醌、 聚苯胺和聚噻吩系列的导电聚合物， 但不限于此。 0081 空穴传输材料优选为具有高空穴迁移率的材料， 其可以从阳极或空穴注入层向发 光层转移空穴。 其具体的例子包括 ： 芳基胺系列、 导电聚合物和含有共轭部分和非共轭部分 的嵌段共聚物的有机材料， 但不限于此。 0082 发光材料为能够通过接收并复合来自空穴传输层的空穴和来自电子传输层的电 子而发射可见光的材料， 优选为对荧光和

41、磷光具有高量子效率的材料。其具体例子包括 ： 8- 羟基喹啉铝配合物 (Alq3) ； 咔唑系列化合物 ； 二聚苯乙烯基化合物 ； BAlq ； 10- 羟基苯 并喹啉金属化合物 ； 苯并噁唑、 苯并噻唑和苯并咪唑系列的化合物 ； 聚 ( 对 - 苯撑乙烯撑 ) (PPV) 系列的聚合物 ； 螺环化合物 ； 和聚芴和红荧烯系列的化合物， 但不限于此。 0083 合适的电子传输材料是具有高电子迁移率的材料， 其能够从阴极向发光层转移电 子。其具体的例子包括 8- 羟基喹啉铝配合物 (Alq3) ； 包括 Alq3的配合物 ； 有机基化合物 ； 和羟基黄酮金属配合物， 但不限于此。 0084 按照

42、所使用的材料， 根据本发明的有机发光器件可以为前侧、 后侧或双侧发光。 0085 根据与应用于有机发光器件的相同原理， 根据本发明的化合物可以在包括有机太 阳能电池、 有机光导体和有机晶体管的有机电子器件中发挥作用。 0086 下面， 将参考实施例详述本发明。 本发明可以以许多方式体现， 但不应理解为限于 此处的实施例。而且， 提供这些实施例是为了本公开全面完整从而使本领域技术人员充分 地理解本发明的实质。 0087 配体 1 的合成 说 明 书 CN 101679459 B 27 25/29 页 28 0088 0089 1) 化合物 A 的合成 0090 将 2- 溴噻吩 (1.7g， 1

43、0.3mmol) 和苯基硼酸 (1.4g， 11.4mmol) 溶于四氢呋喃 (20mL) 中， 然后将 2M K2CO3(20mL) 加入其中。将温度升至 50， 然后向其中加入四双三苯 基膦钯 (Pd(PPh3)4)(120mg， 0.1mmol)， 并且将温度升至 65， 然后搅拌 4 小时。将温度降 至室温， 然后除去水层。 用无水硫酸镁干燥有机层以除去剩余的水， 然后过滤除去无水硫酸 镁。 减压下通过蒸馏从有机层中完全除去溶剂， 然后在室温下向其中加入己烷， 随后搅拌10 分钟。过滤出制得的沉淀物， 将滤液冷却至 -10， 然后缓慢搅拌 1 小时。过滤出制得的沉 淀物， 然后室温下真

44、空干燥滤液以获得化合物 A(1.5g)， 收率 94。 0091 2) 化合物 B 的合成 0092 将化合物 A(1.5g， 9.4mmol) 完全溶解于氯仿 (100mL)， 然后向其中缓慢加入 N- 溴 丁二酰亚胺 (1.7g， 9.4mmol)， 随后室温下搅拌 30 分钟。减压下通过蒸馏完全除去溶剂， 然 后在0下向其中加入乙醇， 随后搅拌20分钟。 过滤出制得的沉淀物， 然后室温下真空干燥 滤液以获得化合物 B(2.2g)， 收率 100。 0093 3) 配体 1 的合成 0094 将化合物 B(2.2g， 9.4mmol) 和 4- 羟基苯基硼酸 (1.3g， 9.4mmol)

45、 溶于四氢呋喃 (90mL) 中， 然后 2M K2CO3(90mL) 加入其中。将温度升至 50， 然后向其中加入四双三苯基 膦钯 (Pd(PPh3)4)(108mg， 9.410-2mmol)， 并且将温度升至 65， 然后搅拌 1 小时。将温度 降至室温， 然后除去水层。用无水硫酸镁干燥有机层以完全除去剩余的水， 然后过滤。减压 下通过蒸馏从滤液中完全除去溶剂， 然后将产物加入到氯仿(100mL)中， 并加热下搅拌1小 时。将温度降至室温并过滤， 干燥以获得配体 1(1.8g)， 收率 76。 0095 MS ： M+H+ 252 0096 配体 2 的合成 0097 说 明 书 CN

46、101679459 B 28 26/29 页 29 0098 1) 化合物 C 的合成 0099 除了使用2-萘基硼酸代替苯基硼酸以外， 以与在化合物A的制备方法中相同的方 式获得化合物 C。 0100 2) 化合物 D 的合成 0101 除了使用化合物 C 代替化合物 A 以外， 以与在化合物 B 的制备方法中相同的方式 获得化合物 D。 0102 3) 配体 2 的合成 0103 除了使用化合物 D 代替化合物 B 以外， 以与在配体 1 的制备方法中相同的方式获 得配体 2。 0104 MS ： M+H+ 303 0105 配体 3 的合成 0106 0107 1) 化合物 E 的合成

47、0108 将 2- 溴 -6- 萘酚 (2g， 9.0mmol)， 双戊酰二硼 (2.5g， 9.9mmol) 和乙酸钾 (1.8g， 17.9mmol) 加入到 1， 4- 二氧杂环己烷 (50mL) 中， 并且将温度升至 50。然后向其中加入 ( 二苯基膦二茂铁 ) 氯化钯 (73mg， 9.010-2mmol)， 然后在加热下搅拌该混合物 5 小时。将 温度降至室温， 并用水(50mL)稀释该混合物， 用二氯甲烷(350mL)萃取。 用无水硫酸镁干 燥有机萃取物， 然后真空下浓缩。用乙醇洗涤产物并在真空下干燥以获得化合物 E(1.2g)， 收率 79。 0109 2) 配体 3 的合成

48、0110 除了使用化合物 E 代替化合物 B 以外， 以与在配体 1 的制备方法中相同的方式获 得配体 3。 说 明 书 CN 101679459 B 29 27/29 页 30 0111 MS ： M+H+ 303 0112 式 1-38 的合成 0113 0114 向无水甲苯中加入 1.9M 的三乙基铝 (1 当量 )( 甲苯中 )， 然后向其中缓慢加入 8- 羟基喹哪啶 (2 当量 )( 无水甲苯中 )。然后， 加热下搅拌该混合物至颜色变为透明黄色。 将在制备实施例 1 中制备的配体 1(1 当量 ) 溶解于无水甲苯或无水四氢呋喃中， 然后缓慢 加入上述反应中， 随后加热下搅拌 1 至

49、4 小时。然后， 将温度降至室温以产生沉淀物。向其 中加入乙醇， 然后过滤沉淀物。 用二氯甲烷或甲苯和乙醇重结晶过滤的固体， 然后在真空下 干燥获得铝配合物。由式 1-38 表示的铝配合物经 NMR 和 MS 分析检测。 0115 MS ： M-H- 593， M-L-H- 341， L-H- 251 ； Tm ： 109.4， Tg ： 247.36 0116 式 1-46 的合成 0117 0118 除了使用在制备实施例 2 中制备的配体 2 代替实施例 1 的配体 1 以外， 以与实施 例 1 中相同的方式获得式 1-46 的铝配合物化合物。由式 1-46 表示的铝配合物经 NMR 和 MS 分析检测。 0119 MS ： M-H- 645， M-L-H- 341， L-H- 302 0120 式 1-143 的合成 0121 0122 除了使用在制备实施例