一种晶振盖板单槽法镀多层镍工艺及其应用.pdf

1、10申请公布号CN104047039A43申请公布日20140917CN104047039A21申请号201410296419622申请日20140627C25D5/14200601C25D5/1820060171申请人杨海蓉地址225400江苏省泰州市高港区永安洲镇迎宾大道1号72发明人杨海蓉54发明名称一种晶振盖板单槽法镀多层镍工艺及其应用57摘要本发明公开了一种晶振盖板单槽法镀多层镍工艺，采用多波形电镀电源，通过调整多波形电镀电源的电流波形、电流密度，将不同电流波形、电流密度的电源输送至电镀槽，在同一电镀槽内使同一镀镍液按不同晶粒结晶度、不同镀层厚度完成多层镀镍。其工艺简单、节约成本、电

2、镀质量受控且质量好。均匀性、耐蚀性、硬度、可焊性、磁性、装饰性上具有很大的优越性。51INTCL权利要求书1页说明书2页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书2页10申请公布号CN104047039ACN104047039A1/1页21一种晶振盖板单槽法镀多层镍工艺，其特征在于采用多波形电镀电源，通过调整多波形电镀电源的电流波形、电流密度，将不同电流波形、电流密度的电源输送至电镀槽，在同一电镀槽内使同一镀镍液按不同晶粒结晶度、不同镀层厚度完成多层镀镍。2根据权利要求1所述的一种晶振盖板单槽法镀多层镍工艺，其特征在于所述电流波形包括直流、脉冲电流和换向脉冲电流。3根

3、据权利要求1所述的一种晶振盖板单槽法镀多层镍工艺，其特征在于所述电流密度为0110A/DM2。4根据权利要求3所述的一种晶振盖板单槽法镀多层镍工艺，其特征在于所述电流密度优选为051A/DM2。5根据权利要求1所述的一种晶振盖板单槽法镀多层镍工艺，其特征在于所述直流电镀时间为1S30MIN；所述脉冲电流工作比为0110055,工作时间为50703050MS，电镀时间为1S30MIN；所述换向脉冲电流工作比为0110053，换向时间为140800MS，电镀时间为1S20MIN。6根据权利要求5所述的一种晶振盖板单槽法镀多层镍工艺，其特征在于所述直流电镀时间优选5S10MIN；所述脉冲电流工作比优

4、选0105052,工作时间为50703050MS，电镀时间优选2S10MIN；所述换向脉冲电流工作比优选0104061，换向时间为140800MS，电镀时间优选2S10MIN。7根据权利要求6所述的一种晶振盖板单槽法镀多层镍工艺，其特征在于所述直流电镀时间优选10S5MIN；所述脉冲电流工作比优选01020809,工作时间为50703050MS，电镀时间优选6S3MIN；所述换向脉冲电流工作比优选0104061，换向时间为140800MS，电镀时间优选4S2MIN。8根据权利要求1所述的一种晶振盖板单槽法镀多层镍工艺，其特征在于所述镀镍液为瓦特镀镍液、半光亮镀镍液或光亮镀镍液。9根据权利要求1

5、所述的一种晶振盖板单槽法镀多层镍工艺，其特征在于所述每升镀镍液含硫酸镍09114MOL,氯化镍015021MOL,硼酸0608MOL,光亮剂00012MOL,表面活性剂1050PPM；PH值为3541,温度4045。10一种晶振盖板单槽法镀多层镍工艺的应用，在微电子、半导体器件和电子元件及金属零件的镀镍中应用。权利要求书CN104047039A1/2页3一种晶振盖板单槽法镀多层镍工艺及其应用技术领域0001本发明涉及一种镀镍工艺，具体说是一种晶振盖板单槽法镀多层镍工艺，具体是电子电镀与防腐电镀的多层镍应用。背景技术0002电子元器件和一般工业金属零部件镀镍时，为了提高其防腐能力，国内外一般采用

6、三槽法配以三种不同的镀镍液和不同的电流密度来获得三层含硫量不同的镀镍层，利用其含硫量不同，则腐蚀电极电位不同的原理来提高金属件的防腐能力。多设备、多镀镍液工艺复杂、电镀成本高，且电镀工艺不易控制，电镀质量差。发明内容0003针对现有技术中多设备、多镀镍液的镀镍工艺的不组，本发明提供了一种工艺简单、节约成本、电镀质量受控且质量好的晶振盖板单槽法镀多层镍工艺及其应用。0004本发明采用的技术方案是一种晶振盖板单槽法镀多层镍工艺，其特征在于采用多波形电镀电源，通过调整多波形电镀电源的电流波形、电流密度，将不同电流波形、电流密度的电源输送至电镀槽，在同一电镀槽内使同一镀镍液按不同晶粒结晶度、不同镀层厚

7、度完成多层镀镍。0005本发明的优选方案为所述电流波形包括直流、脉冲电流和换向脉冲电流。0006本发明的优选方案为所述电流密度为0110A/DM2。0007本发明的优选方案为所述电流密度优选为051A/DM2。0008本发明的优选方案为所述直流电镀时间为1S30MIN；所述脉冲电流工作比为0110055,工作时间为50703050MS，电镀时间为1S30MIN；所述换向脉冲电流工作比为0110053，换向时间为140800MS，电镀时间为1S20MIN。0009本发明的优选方案为所述直流电镀时间优选5S10MIN；所述脉冲电流工作比优选0105052,工作时间为50703050MS，电镀时间优

8、选2S10MIN；所述换向脉冲电流工作比优选0104061，换向时间为140800MS，电镀时间优选2S10MIN。0010本发明的优选方案为所述直流电镀时间优选10S5MIN；所述脉冲电流工作比优选01020809,工作时间为50703050MS，电镀时间优选6S3MIN；所述换向脉冲电流工作比优选0104061，换向时间为140800MS，电镀时间优选4S2MIN。0011本发明的优选方案为所述镀镍液为瓦特镀镍液、半光亮镀镍液或光亮镀镍液。0012本发明的优选方案为所述每升镀镍液含硫酸镍09114MOL,氯化镍015021MOL,硼酸0608MOL,光亮剂00012MOL,表面活性剂105

9、0PPM；PH值为3541,温度4045。0013一种晶振盖板单槽法镀多层镍工艺的应用，在微电子、半导体器件和电子元件及金属零件的镀镍中应用。均匀性、耐蚀性、硬度、可焊性、磁性、装饰性上具有很大的优越性。0014本发明采用一台电流波形可自动转换、电流密度可跟踪调整的多波形电镀电源，说明书CN104047039A2/2页4将多波形电镀电源设置三种以上不同波形的组合和相应的工作时间、适应平均的电流密度，使晶粒结晶取向不同，镀镍层厚度不同完成多层结构的镍层电镀，其工艺简单，节约成本，各镀层相应的腐蚀电极电位不同，层间电位差大于40MV，组合电位差大于140MV，抗腐蚀能力强，可应用于在微电子、半导体

10、器件和电子元件及金属零件的镀镍中。0015具体实施方式0016以下结合实施例对本发明作进一步说明。0017一种晶振盖板单槽法镀多层镍工艺，采用多波形电镀电源，通过调整多波形电镀电源的电流波形、电流密度，将不同电流波形、电流密度的电源输送至电镀槽，在同一电镀槽内使同一镀镍液按不同晶粒结晶度、不同镀层厚度完成多层镀镍。所述电流波形包括直流、脉冲电流和换向脉冲电流；所述电流密度为0110A/DM2；所述电流密度优选为051A/DM2；所述直流电镀时间为1S30MIN；所述脉冲电流工作比为0110055,工作时间为50703050MS，电镀时间为1S30MIN；所述换向脉冲电流工作比为0110053，

11、换向时间为140800MS，电镀时间为1S20MIN；所述直流电镀时间优选5S10MIN；所述脉冲电流工作比优选0105052,工作时间为50703050MS，电镀时间优选2S10MIN；所述换向脉冲电流工作比优选0104061，换向时间为140800MS，电镀时间优选2S10MIN；所述直流电镀时间优选10S5MIN；所述脉冲电流工作比优选01020809,工作时间为50703050MS，电镀时间优选6S3MIN；所述换向脉冲电流工作比优选0104061，换向时间为140800MS，电镀时间优选4S2MIN；所述镀镍液为瓦特镀镍液、半光亮镀镍液或光亮镀镍液，镀镍液每升含硫酸镍09114MOL

12、,氯化镍015021MOL,硼酸0608MOL,光亮剂00012MOL,表面活性剂1050PPM。0018本发明晶振盖板单槽法镀多层镍工艺的应用，在微电子、半导体器件和电子元件及金属零件的镀镍中应用。0019首先通直流电，电镀5分钟，切换脉冲电流，脉冲电流工作比0208，工作时间为60MS40MS，电镀3分钟后，切换成换向脉冲电流，工作比为0109,换向时间为140MS40MS，电镀2分钟后，重新切换直流点、脉冲电流和换向脉冲电流循环完成多层镍层电镀，整个循环周期内电流的平均电流密度为02A/DM2，电镀时间为120分钟。0020取厚度01MM，面积为20X27MM2的可伐材料表面化学清洗后，镀镍，镀镍液为硫酸镍250克/升、氯化镍35克/升、硼酸40克/升和十二烷基硫酸钠001克/升，镀镍液的PH值38，温度为40，平均电流密度为02A/DM2，电镀时间为120分钟，镀层厚度为5微米。0021盖板镀镍后进行盐雾实验，用053的氯化钠中性溶液在35条件下喷雾8小时，密封16小时为一周期，防腐锈蚀面积不大于5为合格，通常电子元器件至少24小时盐雾实验要求。0022以上结合实施例对本发明作了进一步说明，本领域技术人员在本发明的实施方案下做的各种改变，均在本发明保护范围内。说明书CN104047039A