1、10申请公布号CN104046325A43申请公布日20140917CN104046325A21申请号201410292071322申请日20140626C09K3/1420060171申请人青岛宝泰新能源科技有限公司地址266000山东省青岛市李沧区郑佛路17号8室72发明人范向奎54发明名称一种半导体研磨剂57摘要本发明公开了一种半导体研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质硫氰酸盐2123份，二氧化硅13份，过氧化氢28份，硫酸锌68份，硫酸镁1116份，硫酸银49份，硫酸铜38份，异丙醇813份，苯甲酸57份，乙醇916份，三氟乙酸38份，聚丙烯酯59份。本发明的有益效果是腐蚀速度低
2、，研磨效果好，对半导体损伤小。51INTCL权利要求书1页说明书1页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书1页10申请公布号CN104046325ACN104046325A1/1页21一种半导体研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质硫氰酸盐2123份，二氧化硅13份，过氧化氢28份，硫酸锌68份，硫酸镁1116份，硫酸银49份，硫酸铜38份，异丙醇813份，苯甲酸57份，乙醇916份，三氟乙酸38份，聚丙烯酯59份。权利要求书CN104046325A1/1页3一种半导体研磨剂技术领域0001本发明涉及一种半导体研磨剂。背景技术0002近年来，伴随着半导体集成电
3、路以下记作LSI的高集成化，高性能化，开发了新型的细微加工技术，化学研磨法就是其中一种，特别是在多层布线形成工序中的层间绝缘膜的平坦化，金属栓塞形成、埋入布线形成中频繁地应用。发明内容0003本发明所要解决的技术问题是提供一种半导体研磨剂。0004为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是一种半导体研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质硫氰酸盐2123份，二氧化硅13份，过氧化氢28份，硫酸锌68份，硫酸镁1116份，硫酸银49份，硫酸铜38份，异丙醇813份，苯甲酸57份，乙醇916份，三氟乙酸38份，聚丙烯酯59份。0005本发明的有益效果是腐蚀速度低，研磨效果好，对半导体损伤小。具体实施方式0006实施例1一种半导体研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质硫氰酸盐2123份，二氧化硅13份，过氧化氢28份，硫酸锌68份，硫酸镁1116份，硫酸银49份，硫酸铜38份，异丙醇813份，苯甲酸57份，乙醇916份，三氟乙酸38份，聚丙烯酯59份。说明书CN104046325A