1、(10)申请公布号 CN 102842476 A (43)申请公布日 2012.12.26 C N 1 0 2 8 4 2 4 7 6 A *CN102842476A* (21)申请号 201210306200.0 (22)申请日 2012.08.27 H01J 11/24(2012.01) H01J 11/32(2012.01) (71)申请人四川虹欧显示器件有限公司 地址 621000 四川省绵阳市经济开发区绵州 大道中段186号长虹工业园 (72)发明人赵海龙 王鹏年 (74)专利代理机构成都九鼎天元知识产权代理 有限公司 51214 代理人詹永斌 (54) 发明名称 一种用于等离子显示
2、屏的新型BUS电极结构 (57) 摘要 本发明公开了一种用于等离子显示屏的新型 BUS电极结构,涉及等离子显示技术领域,包括扫 描电极即Y电极、维持电极即X电极、黑条即BS、 维持电极端子和扫描电极端子,其中X电极由两 根电极组成,X电极的两根电极变更为一根整体 电极或者X电极的两根电极顶部连通。本发明的 有益效果在于:新型的BUS电极结构可在一定程 度上减少BUS断路造成黑线的比例,可有效提高 BUS电极的直通率和降低BUS电极的修复率,当受 异物或者其他因素导致COM端出现X电极断路,相 邻电极未断时可以不进行修复,从而达到减少电 极修复量,提高良品率的目的。 (51)Int.Cl. 权利
3、要求书1页 说明书3页 附图3页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 3 页 附图 3 页 1/1页 2 1.一种用于等离子显示屏的新型BUS电极结构,包括扫描电极即Y电极、维持电极即X 电极、黑条即BS、维持电极端子和扫描电极端子,其中X电极由两根电极组成,其特征在于: X电极的两根电极变更为一根整体电极或者X电极的两根电极顶部连通。 2.根据权利要求1所述的一种用于等离子显示屏的新型BUS电极结构,其特征在于: BUS电极的材质为感光性Ag电极浆料、感光性Al电极浆料或者感光性Cu电极浆料。 3.根据权利要求1所述的一种用于等离子显示屏的
4、新型BUS电极结构,其特征在于: BUS电极的材质为Cr-Cu-Cr薄膜。 4.根据权利要求1或2或3所述的一种用于等离子显示屏的新型BUS电极结构,其特 征在于:BUS电极线宽在50300um范围内。 5.根据权利要求1或2或3所述的一种用于等离子显示屏的新型BUS电极结构,其特 征在于:黑条宽度在50400um范围内。 权 利 要 求 书CN 102842476 A 1/3页 3 一种用于等离子显示屏的新型 BUS 电极结构 技术领域 0001 本发明涉及等离子显示技术领域,尤其涉及一种用于等离子显示屏的新型BUS电 极结构。 背景技术 0002 等离子显示屏(PDP)具有颜色逼真、色彩效
5、果好、视角宽、长寿命等优点,同时其响 应速度快、无拖尾、无有害辐射,更加有利于眼健康,是目前主流的平板显示技术之一。在等 离子显示屏中,汇流电极(简称:BUS电极)作为PDP核心部件之一,其主要作用为:与ITO 电极(透明电极)一起构成显示电极,实现PDP持续放电,同时减少ITO电极的电阻,降低PDP 功耗。BUS电极分为X电极和Y电极,为了避免单元格放电串扰,电极排布一般以YYXXYY方 式进行,因此分为维持电极端子(简称:COM端子)和扫描电极端子(简称:Scan端子) , COM端子部位全部短路,Scan端子分开显示,如图1和图2所示。 0003 BUS电极的制备方法一般包括:感光性电极
6、浆料印刷-干燥-曝光-显影-烧结 法、转印(Off-set)法以及磁控溅射法等;在制作工艺中,受纤维异物、漏印版堵孔、曝光公 共缺陷、过显影、异常放电等多种因素影响,一般大于BUS电极线宽1/3的缺陷均需要进行 修复,出现电极断路缺陷时,需进行修复处理。 0004 目前常采用的BUS电极结构如图1和图2所示,分别为宽黑条设计结构(Wide Black stripe Structure,简称WBS结构)和独立黑条设计结构(Split Black stripe structure,简称SBS结构)。 发明内容 0005 本发明的目的是提供一种用于等离子显示屏的新型BUS电极结构,其目的在于有 效提
7、高BUS电极的直通率和降低BUS电极的修复率,提高产品的良品率。 0006 为实现上述目的,本发明采取以下技术方案:一种用于等离子显示屏的新型BUS 电极结构,包括扫描电极即Y电极、维持电极即X电极、黑条即BS、维持电极端子和扫描电极 端子,其中X电极由两根电极组成,X电极的两根电极变更为一根整体电极或者X电极的两 根电极顶部连通。 0007 作为优选:BUS电极的材质为感光性Ag电极浆料、感光性Al电极浆料或者感光性 Cu电极浆料。 0008 作为优选:BUS电极的材质为Cr-Cu-Cr薄膜。 0009 作为优选:BUS电极线宽在50300um范围内。 0010 作为优选:黑条宽度在5040
8、0um范围内。 0011 综上所述,由于采用了上述技术方案,本发明的有益效果是:新型的BUS电极结构 可在一定程度上减少BUS电极断路造成黑线的比例,可有效提高BUS电极的直通率和降低 BUS电极的修复率,当受异物或者其他因素导致COM端出现X电极断路,相邻电极未断时可 以不进行修复,从而达到减少电极修复量,提高良品率的目的。 说 明 书CN 102842476 A 2/3页 4 附图说明 0012 本发明将通过例子并参照附图的方式说明,其中: 图1是现有的WBS结构示意图; 图2是现有的SBS结构示意图; 图3是新型的WBS结构示意图; 图4是新型的SBS结构示意图; 图5是另一种新型的WB
9、S结构示意图; 图6是另一种新型的SBS结构示意图; 各部分分别表示:前玻璃基板(1)、ITO透明电极(2)、BS(3)、X电极(4)、Y电极(5)、 Scan端子(6)、COM端子(7)、前介质保护层(8)、相关功能层(9)。 具体实施方式 0013 本说明书中公开的所有特征,或公开的所有方法或过程中的步骤,除了互相排斥 的特征和/或步骤以外,均可以以任何方式组合。 0014 本说明书(包括任何附加权利要求、摘要和附图)中公开的任一特征,除非特别叙 述,均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即,除非特别叙述,每个特征只 是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。 0015 一种用于等
10、离子显示屏的新型BUS电极结构,包括扫描电极即Y电极(5)、维持电 极即X电极(4)、黑条即BS(3)、维持电极端子(7)和扫描电极端子(6),其中X电极(4)由 两根电极组成,X电极(4)的两根电极变更为一根整体电极或者X电极(4)的两根电极顶部 连通。 0016 实施例一: 如图3所示,将WBS结构的BUS电极COM端子(7)对应的X电极(4)设计为一整条电 极结构,Y电极(5)结构维持不变;当X电极(4)断开线宽1/2以下时,均可以不进行修复; Scan端子(6)对应的Y电极(5)独立显示,出现断路或者短路缺陷时需进行修复。 0017 实施例二: 如图4所示,将WBS结构的BUS电极CO
11、M端子(7)对应的X电极(4)顶部连通,与COM 端子(7)构成一个导通的循环,Y电极(5)结构维持不变;当X电极(4)两侧相邻电极出现 一根断路或者两根其他位置短路时,可以不进行修复,Scan端子(6)对应的Y电极(5)独立 显示,出现断路或者短路缺陷时需进行修复。 0018 实施例三: 如图5所示,将SBS结构的BUS电极COM端子(7)对应的X电极(4)设计为一整条电 极结构,Y电极(5)结构维持不变;当X电极(4)断开线宽1/2以下时,均可以不进行修复; Scan端子(6)对应的Y电极(5)独立显示,出现断路或者短路缺陷时需进行修复。 0019 实施例四: 如图6所示,将SBS结构的B
12、US电极COM端子(7)对应的X电极(4)顶部连通,与COM 端子(7)构成一个导通的循环,Scan端子(6)对应的Y电极(5)独立显示,Y电极(5)结构 维持不变。当X电极(4)两侧相邻电极出现一根断路或者两根其他位置短路时,可以不进 说 明 书CN 102842476 A 3/3页 5 行修复,Scan端子(6)对应的Y电极(5)独立显示,出现断路缺陷时需进行修复。 0020 BUS电极(X电极(4)和Y电极(5)通过将丝印法(即:通过将感光性电极浆料 进行印刷、干燥、曝光、显影和烧结形成BUS电极图形);或者磁控溅射-光刻法(磁控溅射 Cr-Cu-Cr薄膜、光刻胶涂覆、干燥、曝光、显影、
13、刻蚀、剥膜形成该BUS电极图形;或者通过 转印法(off-set法)直接将前玻璃极板(1)上ITO透明电极(2)表面形成BUS电极图形。 BUS电极完成后,制作前介质保护层(8)用于保护电极免受放电离子轰击同时有存储电荷 作用,最后制作MgO层或二次氧化镁等相关功能层(9)。 0021 本发明并不局限于前述的具体实施方式。本发明扩展到任何在本说明书中披露的 新特征或任何新的组合,以及披露的任一新的方法或过程的步骤或任何新的组合。 说 明 书CN 102842476 A 1/3页 6 图1 图2 说 明 书 附 图CN 102842476 A 2/3页 7 图3 图4 说 明 书 附 图CN 102842476 A 3/3页 8 图5 图6 说 明 书 附 图CN 102842476 A
copyright@ 2017-2020 zhuanlichaxun.net网站版权所有
经营许可证编号:粤ICP备2021068784号-1