照明设备.pdf

1、(10)申请公布号 CN 102650388 A(43)申请公布日 2012.08.29CN102650388A*CN102650388A*(21)申请号 201210048202.4(22)申请日 2012.02.28042630/2011 2011.02.28 JPF21S 2/00(2006.01)F21V 13/02(2006.01)F21V 23/00(2006.01)(71)申请人株式会社东芝地址日本东京都(72)发明人小松出 铃木大悟(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司 72002代理人舒雄文 蹇炜(54) 发明名称照明设备(57) 摘要照明设备包括底座单元；以及发光单元

2、。所述发光单元包括：基底、发光装置、以及反射层。所述基底围绕第一轴设置，所述第一轴沿从所述底座单元朝向所述发光单元的方向。所述基底包括具有从上向下开口的管状配置的部分。所述管状部分包括围绕所述第一轴与多个反射侧表面交替布置的多个光发射侧表面。所述发光装置设置在所述多个光发射侧表面中的每一个上。所述反射层设置在所述多个反射侧表面中的每一个上。所述反射层配置为反射从所述发光装置发射的光的至少部分。(30)优先权数据(51)Int.Cl.权利要求书2页 说明书11页 附图13页(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书 2 页 说明书 11 页 附图 13 页1/2页21.一

3、种照明设备，包括：底座单元；以及设置在所述底座单元上的发光单元，所述发光单元包括：基底，围绕第一轴设置，所述第一轴沿从所述底座单元朝向所述发光单元的方向，所述基底包括具有从上向下开口的管状配置的部分，所述管状部分包括围绕所述第一轴与多个反射侧表面交替布置的多个光发射侧表面；发光装置，设置在所述多个光发射侧表面中的每一个上；以及反射层，设置在所述多个反射侧表面中的每一个上，所述反射层配置为反射从所述发光装置发射的光的至少部分。2.根据权利要求1所述的设备，其中：所述多个光发射侧表面中的一个具有光发射侧表面上端宽度和光发射侧表面下端宽度，所述光发射侧表面上端宽度为所述多个光发射侧表面中的所述一个的

4、上端的宽度，所述光发射侧表面下端宽度为所述多个光发射侧表面中的所述一个的下端的宽度，所述光发射侧表面上端宽度和所述光发射侧表面下端宽度为沿垂直于所述第一轴的方向的光发射侧表面宽度；所述多个反射侧表面中的一个具有反射侧表面上端宽度和反射侧表面下端宽度，所述反射侧表面上端宽度为所述多个反射侧表面中的所述一个的上端的宽度，所述反射侧表面下端宽度为所述多个反射侧表面中的所述一个的下端的宽度，所述反射侧表面上端宽度和所述反射侧表面下端宽度为沿垂直于所述第一轴的方向的反射侧表面宽度；以及所述光发射侧表面上端宽度与所述光发射侧表面下端宽度的比大于所述反射侧表面上端宽度与所述反射侧表面下端宽度的比。3.根据权

5、利要求1所述的设备，其中，所述多个反射侧表面中的每一个是三角形。4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述多个发射侧表面中的每一个为矩形。5.根据权利要求1所述的设备，其中，所述反射层具有从所述反射侧表面延伸到所述光发射侧表面的外边缘部分的至少部分上的部分。6.根据权利要求1所述的设备，其中，所述反射层包括硅树脂和散布于所述硅树脂中的微细颗粒。7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述发光装置多重设置在所述多个光发射侧表面中的每一个中，第一组多重发光装置彼此串联连接，第二组多重发光装置彼此串联连接，并且包括在所述第一组中的所述发光装置的数量与包括在所述第二组中的所述发光装置的数量相同。8.根据权利

6、要求1所述的设备，还包括覆盖所述发光单元的外壳，其中：作为所述多个光发射侧表面的延伸部分的向上延伸的平面在由所述外壳限定的空间内彼此相交。9.根据权利要求1所述的设备，还包括覆盖所述发光单元的外壳，沿所述第一轴观察所述管状部分时外接所述基底的所述管状部分的圆的中心配置为与沿所述第一轴观察所述外壳的下端时外接所述外壳的所述下端的圆的中心匹配。10.根据权利要求1所述的设备，其中：权 利 要 求 书CN 102650388 A2/2页3所述发光单元还包括：导电层，设置在所述反射侧表面上，所述导电层的至少部分由所述反射层覆盖；以及散热层，设置在所述反射侧表面上，所述反射侧表面布置在所述散热层与所述反

7、射层之间；并且所述散热层的表面积大于所述导电层的表面积。11.根据权利要求10所述的设备，其中，所述导电层的厚度不小于12m，并且不大于70m。12.根据权利要求1所述的设备，其中：所述反射层包括设置在所述光发射侧表面上的部分。13.根据权利要求1所述的设备，其中，所述发光单元还包括：外边缘层，沿所述多个光发射侧表面中的每一个的外边缘设置；以及波长转换层，填充到针对所述多个光发射侧表面中的每一个的所述外边缘层的内侧中以覆盖所述发光装置，所述波长转换层配置为吸收从所述发光装置发射的光的至少部分，以发射波长与从所述发光装置发射的光的波长不同的光。14.根据权利要求13所述的设备，其中，所述波长转换

8、层的厚度比所述反射层的厚度厚。15.根据权利要求1所述的设备，其中，所述反射层的厚度不小于20m，并且不大于50m。16.根据权利要求1所述的设备，其中，所述基底的厚度不小于12m，并且不大于38m。17.根据权利要求2所述的设备，其中，所述光发射侧表面上端宽度与所述光发射侧表面下端宽度的所述比不小于0.8，并且不大于1。18.根据权利要求2所述的设备，其中，所述反射侧表面上端宽度与所述反射侧表面下端宽度的所述比不小于0，并且不大于0.5。权 利 要 求 书CN 102650388 A1/11页4照明设备0001 相关申请的交叉引用0002 此申请基于2011年2月28日提交的在先的日本专利申

9、请No.2011-042630并要求该申请的优先权益；于此通过引用并入了该申请的全部内容。技术领域0003 于此描述的实施例总体涉及照明设备。背景技术0004 使用诸如发光二极管(LED)等的半导体发光装置的照明设备引起了注意。因为从半导体发光装置辐射的光具有高的以直线传播的趋势，所以使用半导体发光装置的照明设备的光分布角窄。具有宽的光分布角的实用的照明设备是期望的。发明内容0005 本发明的一方面的优点是提供具有宽光分布角的照明设备。0006 根据一个实施例，照明设备包括底座单元以及发光单元。所述发光单元包括：基底、发光装置、以及反射层。所述基底围绕第一轴设置，所述第一轴沿从所述底座单元朝向

10、所述发光单元的方向。所述基底包括具有从上向下开口的管状配置的部分。所述管状部分包括围绕所述第一轴与多个反射侧表面交替布置的多个光发射侧表面。所述发光装置设置在所述多个光发射侧表面中的每一个上。所述反射层设置在所述多个反射侧表面中的每一个上。所述反射层配置为反射从所述发光装置发射的光的至少部分。0007 根据以上配置，能够提供具有宽光分布角的照明设备。附图说明0008 图1A和图1B是示例根据实施例的照明设备的配置的示意性视图；0009 图2A和图2B是示例根据实施例的照明设备的配置的示意性视图；0010 图3A和3B是示例根据实施例的照明设备的配置的示意性视图；0011 图4A和4B是示例根据

11、实施例的照明设备的配置的示意性横截面视图；0012 图5是示例根据实施例的照明设备的配置的示意性平面视图；0013 图6A至6C是示例根据实施例的照明设备的操作的示意性视图；0014 图7A至7C是示例第一参考范例的照明设备的配置的示意性视图；0015 图8A和8B是示例第二参考范例的照明设备的配置的示意性视图；0016 图9A至9C是示例根据实施例的照明设备的配置的示意性视图；0017 图10A至10D是示例根据实施例的照明设备的配置的示意性视图；以及0018 图11A和图11B是示例根据实施例的照明设备的配置的示意性视图。具体实施方式说 明 书CN 102650388 A2/11页5001

12、9 现在将参照附图描述实施例。0020 附图是示意性的或概念上的，并且部分的厚度和宽度之间的关系、部分间的尺寸比例等不必与其真实值相同。此外，甚至对于相同的部分，也可以在附图中不同地示例大小和比例。0021 附图中，相同参考数字分别表示相同或类似的部分。0022 实施例0023 图1A和图1B是示例根据实施例的照明设备的配置的示意性视图。0024 图1A是透视图；且图1B是平面视图。0025 如图1A中示例的，根据实施例的照明设备110包括底座(base)单元20和发光单元10E。发光单元10E设置在底座单元20上。图1B中省略了底座单元20。0026 将从底座单元20朝向发光单元10E的方向

13、视为Z轴方向。将垂直于Z轴的一个轴视为X轴。将垂直于Z轴和X轴的轴视为Y轴。例如，将垂直于Z轴并且沿Z轴观看时通过外接发光单元10E的圆的中心的轴视为中心轴Z0。0027 如图1A和1B中示例的，发光单元10E包括基底10、发光装置11a、以及反射层12a。0028 基底10包括具有管状配置的部分。管状部分围绕沿Z轴方向的一个轴(第一轴)设置。第一轴是例如中心轴Z0。管状部分从上方向下开口。换句话说，基底10的上部的直径(X-Y平面中的宽度)小于基底10的下部的直径(X-Y平面中的宽度)。0029 管状部分包括多个光发射侧表面11和多个反射侧表面12。多个光发射侧表面11和多个反射侧表面12围

14、绕第一轴(例如中心轴Z0)交替布置。0030 多个光发射侧表面11中的每一个基本是例如平面。多个反射侧包面12中的每一个基本是例如平面。0031 发光装置11a设置在多个发光侧表面11中的每一个上。如以下描述的，一个或多个发光装置11a设置在一个光发射侧表面11上。0032 反射层12a设置在多个反射侧表面12中的每一个上。反射层12a反射至少部分从发光装置11a发射的光。0033 因为管状部分从上向下开口，所以多个光发射侧表面11中的每一个相对于中心轴Z0倾斜。还有，多个反射侧表面12中的每一个相对于中心轴Z0倾斜。0034 图2A和图2B是示例根据实施例的照明设备的配置的示意性视图。003

15、5 图2A是侧视图；图2B是沿图1A和图2A的线A1-A2的横截面视图。0036 如图2A中示例的，作为光发射侧表面11的延伸部分的向上延伸的平面与中心轴Z0在例如交点P1处相交。光发射侧表面11和中心轴Z0之间的角度视为倾斜角。倾斜角例如不小于10度并且不大于40度。在此范例中，倾斜角为11.3度。0037 基底10可以包括例如柔性基底。多个光发射侧表面11和多个反射侧表面12安置于柔性基底中。其上设置发光装置11a的侧表面是光发射侧表面11。其上主要设置反射层12a的侧表面是反射侧表面12。柔性基底在光发射侧表面11和反射侧表面12之间的边界处弯曲。由此，形成了基底10的管状部分。0038

16、 换句话说，如图2B中示例的，围绕中心轴Z0设置基底10的管状部分(多个光发射侧表面11和多个反射侧表面12).0039 发光装置11a可以包括例如半导体发光装置。具体地，发光装置11a包括LED。例说 明 书CN 102650388 A3/11页6如，发光装置11a包括LED芯片。还有，可以使用包括多个LED芯片的LED封装(包括LED模块等)。0040 反射层12a包括例如白树脂层。反射层12a包括例如树脂和散布于树脂中的微细颗粒(例如，对可见光具有散射性质的颗粒)。例如，多个微细颗粒散布于树脂中。树脂包括例如硅树脂。微细颗粒包括例如选自以下材料构成的组中的至少之一：氧化铝、氧化钛、钛酸钙

17、、硫化锌、钛酸钡、钛酸钙、以及硫酸钡。0041 图3A和图3B是示例根据实施例的照明设备的配置的示意性视图。0042 图3A是示例根据实施例的照明设备的总体配置的范例的侧视图。图3B是示例根据实施例的照明设备的部分的部件的配置的侧视图。0043 如图3A中示例的，照明设备110还可以包括主体30、底帽(base cap)50、以及外壳60。0044 底座单元20布置于主体30上。例如，配置为驱动发光装置11a的电源单元(未示例)包含于主体30的内部。底帽50安装至主体30的下部。为供应至发光单元10E的电流的起源的电流经由底帽50供应至照明设备110。底帽50还用于将照明设备110固定至其它器

18、具。0045 外壳60示例如球体。外壳60覆盖发光单元10E的上部和侧部。换句话说，外壳60覆盖发光单元10E的除连接至底座单元20的部分以外的部分。0046 底座单元20通过底座单元固定构件28固定至例如主体30。底座单元固定构件28包括例如螺钉等。图1A和图1B省略了底座单元固定构件28。0047 发光单元10E安装在例如设置在底座单元20上的支架(pedestal)25上。图1A和1B省略了支架25。0048 图3B示例支架25的配置。如图3B中示例的，支架25的上部的宽度小于下部的宽度。支架25的侧表面设计为接触基底10的背侧表面。基底10的背侧表面是与光发射侧表面11相对的表面和与反

19、射侧表面12相对的侧表面。在例如基底10和支架25之间设置具有高热传导率的粘性片。由此，基底10和支架25彼此热耦合。0049 在此范例中，基底10通过例如诸如螺钉等的固定构件固定至支架25。例如，基底固定单元27(例如螺钉孔等)设置在支架25的下部中；并且基底10通过图2A中示例的基底固定构件26(例如螺钉等)固定至支架25。图1A和图1B省略了基底固定构件26。0050 例如，在基底10上的发光装置11a处生成的热经由支架25散掉。支架25包括例如尽速。支架25包括例如铝。由此，能够改善散热。0051 虽然在这些附图中示例的照明设备110中存在四个光发射侧表面11和四个反射侧表面12，但是

20、光发射侧表面11的数量和反射侧表面12的数量是任意的。0052 在此范例中，光发射侧表面11是矩形；并且反射侧表面12是三角形。然而，实施例不限于以下描述的。0053 图4A和图4B是示例根据实施例的照明设备的配置的示意性横截面视图。0054 即，图4A示例沿图2A的线A1-A2的横截面的部分。图4B示例沿图2A的线A3-A4的横截面的部分。0055 如图4A和图4B中示例的，基底10被弯曲。基底10包括例如诸如聚酰亚胺树脂等的柔性基底。说 明 书CN 102650388 A4/11页70056 基底10的设置有光发射侧表面11的发光装置11a的侧上的表面和基底10的设置有反射侧表面12的反射

21、层12a的侧上的表面称作外表面。与外表面相对的侧上的表面称作内表面。0057 导电层14设置在基底10的外表面的部分上。例如，导电层14的部分用作光发射侧表面11上的电极层14a。电极层14a电连接至发光装置11a。电极层14a与发光装置11a之间的电连接可以是直接连接，可以借助于连接构件(例如，接合线等)连接，并且可以是任何配置的连接。例如，导电层14的另一部分用作反射侧表面12上的互连层14b。互连层14b连接至例如电极层14a。从而，发光单元10E可以还包括设置在反射侧表面12上的互连层14b。互连层14b电连接至发光装置11a。多个光发射侧表面11的电极层14a可以通过反射侧表面12的

22、互连层14b彼此连接。0058 导电层14包括例如设置在基底10上的铝层。铝层由例如箔形成。导电层14可以具有设置在基底10上的铜层、设置在铜层上的镍层以及设置在镍层上的铝层构成的叠层结构。或，导电层14可以具有例如设置在基底10上的铜层、设置在铜层上的镍层、设置在镍层上的钯层、以及设置在钯层上的铝层构成的叠层结构。在铝层设置在镍层或钯层上的情况下，使用例如溅射等形成铝层。然而，实施例不限于此。导电层14的配置和导电层14的材料是任意的。0059 通过使用银层作为导电层14的上层获得了高反射率。该银层可以设置在例如整个导电层14上。可以从例如导电层14的布置发光装置11a(以及连接至发光装置1

23、1a的互连部)的部分(光被遮蔽的部分)省略该银层。0060 发光装置11a设置在光发射侧表面11上。在此范例中，发光装置11a设置在电极层14a上。0061 例如，在LED芯片用作发光装置11a的情况下，LED芯片的电极(或电连接至LED芯片的电极的连接构件)连接至电极层14a的部分。例如，在LED封装用作发光装置11a的情况下，LED封装的电极连接至电极层14a。0062 发光单元10E还可以包括波长转换层11b。波长转换层11b设置在多个光发射侧表面11上并覆盖发光装置11a的发光层。波长转换层11b吸收从发光装置11a的发光层发射的光的至少部分并发射波长与发射的光的波长的不同的光。波长转

24、换层11b可以包括例如荧光剂层。在LED芯片用作发光装置11a的情况下，发光装置11a的发光层对应于包括在LED芯片中的层(半导体叠层体)。0063 例如，发光装置11a的发光层发射相对短的波长的光。波长转换层11b吸收发射的光的部分并将发射的光转换为长波长的光。由此，照明设备110发射例如白光。白光包括带紫色的白光、带蓝色的白光、带绿色的白光、带黄色的白光、以及带红色的白光。0064 在LED封装用作发光装置11a的情况下，存在发光装置11a的发光层(LED芯片的半导体发光层)和覆盖发光层的荧光层(对应于波长转换层)设置在LED封装内部的许多情况。0065 发光单元10E还包括外边缘层11c

25、。外边缘层11c沿多个光发射侧表面11中的每一个的外边缘设置。波长转换层11b填充到多个光发射侧表面11中的每一个的外边缘层11c的内侧中。例如，首先，外边缘层11c形成于光发射侧表面11上；并且通过将波长转换层11b填充到周围设置外边缘层11c的区域中，随后形成波长转换层11b。由此，能够以高说 明 书CN 102650388 A5/11页8精度和生产率形成波长转换层11b。0066 外边缘层11c包括例如透射可见光等的树脂。例如，由于波长转换层11b，从发光装置11a发射的光变为白光。该光(白光)从波长转换层11b的上表面发射到外部并通过外边缘层11c发射到外部。0067 可以通过与用于波

26、长转换层11b的材料相同的材料形成外边缘层11c。外边缘层11c可以不包括波长转换层。可以在形成外边缘层11c后填充波长转换层11b。此外，可以通过成批处理形成波长转换层11b和外边缘层11c。0068 反射层12a设置在反射侧表面12上。反射层12a覆盖互连层14b的至少部分。0069 如图4A和图4B中示例的，反射层12a可以不仅设置在反射侧表面12上，而且设置在光发射侧表面11的部分中。例如，反射层12a可以包括从反射侧表面12延伸到光发射侧表面11的外边缘部分的至少部分上的部分。由此，能够更有效地反射光。0070 散热层13设置在基底10的内表面上。反射侧表面12布置在散热层13与反射

27、层12a之间。散热层13包括例如金属。散热层13包括例如诸如铜、铝等的材料。散热层13将在发光装置11a处生成的热朝向其上布置发光单元10E的支架25传导。通过设置散热层13改善了散热。0071 图5是示例根据实施例的照明设备的配置的示意性平面视图。0072 图5示例基底10被形成为管状配置之前的状态。换句话说，此图示例基底10未折叠的状态。0073 如图5中示例的，基底10作为整体具有基本扇状的配置。例如，矩形光发射侧表面11与三角形反射侧表面12围绕一个中心点交替并置。通过使用该配置，通过歪曲基底10来形成管状部分。从而，连续地设置基底10的光发射侧表面11和反射侧表面12。由此，通过互连

28、层14b将光发射侧表面11的电极层14a彼此连接，无需使用其它互连部。0074 如图5中示例的，在光发射侧表面11的外边缘部分上设置外边缘层11c。波长转换层11b设置在周围设置有外边缘层11c的区域的内部。0075 如图5中示例的，例如，上孔10u设置在光发射侧表面11的上侧中；并且为通孔的下孔101设置在光发射侧表面11的下侧中。在此范例中，下孔101设置在反射侧表面12的下部中。在此范例中，反射层12a延伸到光发射侧表面11的下部上(例如，反射侧表面12的设置下孔101的高度处的部分)。使用上孔10u和下孔101通过例如基底固定构件26(螺钉等)将基底10固定至支架25。从而，发光单元1

29、0E通过通孔(在此范例中，下孔101)固定至底座单元20。0076 图6A至图6C是示例根据实施例的照明设备的操作的示意性视图。在如图6A和图6B中示例的照明设备110中，第一光L1从光发射侧表面11的主表面(例如，从波长转换层11b的主表面)发射。第二光L2从光发射侧表面11(例如，从外边缘层11c)在侧表面的方向发射。第二光L2主要沿平行于光发射侧表面11的方向(侧表面方向)发射。0077 如图6C示例的，第二光L2的部分朝向反射侧表面12传播，并且被反射层12a反射成为第三光L3。0078 从而，在根据实施例的照明设备110中，由于发射第一至第三光L1至L3，所以光分布角宽。换句话说，在

30、宽的范围上辐射均匀的光。0079 如上所述，照明设备10包括设置有发光装置11a的光发射侧表面11和设置有发说 明 书CN 102650388 A6/11页9光装置11a的反射侧表面12。由此，设计的灵活性增大。还有，制造工艺的各种约束更少，并且制造更容易。0080 例如，连接至发光装置11a的电极(电极层14a)的电连接端子能够设置在反射侧表面12的末端上而不是光发射侧表面11上。由此，例如，能够释放(enlarge)光发射侧表面11上其中布置发光装置11a的区域。换句话说，通过分开的光发射侧表面11和反射侧表面12增大了光发射侧表面11内部的设计的自由度。0081 用于固定的区域(例如，设

31、置图5中示例的下孔101等的区域)设置在基底10中，用于将基底10安装至支架25(或底座单元20)。在该情况下，在实施例中，用于固定的此区域能够设置在反射侧表面12上，而不是在光发射侧表面11上。因为诸如发光装置11a等的功能装置未设置在反射侧表面12上，所以放松了与基底固定的以避免对功能装置的负作用相关的约束。0082 还有，例如，当在将基底单元20固定至主体30的工艺中联接用于固定的螺钉(基底单元固定构件28)时，通过将螺钉的安装部分设定为对应于反射侧表面12的部分，减小了在安装操作期间刮擦光发射侧表面11的发光装置11a的风险。还有，减小了在此工艺中刮擦波长转换层11b、外边缘层11c等

32、的风险。换句话说，降低了对制造工艺的约束。0083 从而，在实施例中，增大了光发射侧表面11的设计、电连接的设计、用于固定基底10的设计等的灵活性。于是，能够增大基底10的固定工艺和底座单元20的固定工艺的容限。结果，能够减小照明设备110的尺寸。从而，实施例的实用可用性高。0084 图7A至图7C是示例第一参考范例的照明设备的配置的示意性视图。0085 图7A示例第一参考范例的照明设备119a的发光单元10E。这些附图中省略了基底单元20。图7B示例基底10未折叠的状态。图7C示例整个照明设备119a的配置。0086 虽然发光单元10E的基底10在如图7A至7C中示例的照明设备119a中具有

33、管状配置，但是上部的直径(宽度)等于下部的直径(宽度)。仅设置光发射侧表面11；并且不设置反射侧表面。光发射侧表面11平行于中心轴Z0并且不倾斜。0087 如图7A中示例的，在该情况下，第一光L1从光发射侧表面11发射；并且第二光L2从侧表面发射。第一光L1主要沿X-Y平面传播。第二光L2沿Z轴传播。因此，例如，在发光单元10E的中心以上存在第一光L1和第二光L1不进入(或光的强度弱)的区域。因此，照明设备119a的亮度不均匀。0088 在如图7B中示例的照明设备119a中，多个光发射侧表面11以径向配置布置在基底10未折叠的状态(即将基底10形成为管状配置之前的状态)。在多个光发射侧表面11

34、之间存在围绕径向配置的中心布置的空间。在连续设置基底10的情况下，此空间是从用于形成基底10的板去除的部分。换句话说，材料使用效率低。在通过组合用于形成光发射侧表面11的多个板来形成基底10的情况下，形成基底10的工艺是必须的；工艺是复杂的；并且生产率低。0089 从而，在第一参考范例的照明设备119a中，亮度不均匀。还有，材料使用效率低；或工艺复杂并且生产率低。因为四个侧表面中的每一个是光发射侧表面11，所以设计的灵活性低；并且制造工艺的容限也低。换句话说，实用可用性低。0090 相反地，在根据实施例的照明设备110中，光发射侧表面11和反射侧表面12相对于Z轴倾斜；并且，例如从第二光L2和

35、第一光L1中选择的至少之一进入发光单元10E的中说 明 书CN 102650388 A7/11页10心以上的区域。此外，通过使用在反射层12a处反射的第三光L3，有效地反射了光；并且光进一步传开。从而，在实施例中，光分布角能够宽。0091 如图5中示例的，在基底10未折叠的状态，基底10作为整体具有基本扇状的配置；并且光发射侧表面11和反射侧表面12是连续的并且成整体。因此，材料使用效率高；处理容易；并且生产率高。于是，设计的灵活性高；并且制造工艺的容限也宽。0092 从而，根据实施例，能够提供具有宽光分布角的实用照明设备。0093 图8A和图8B是示例第二参考范例的照明设备的配置的示意性视图

36、。0094 图8A是示意性透视视图；以及图8B是示意性平面视图。0095 在如图8A和8B中示例的第二参考范例的照明设备119b中，基底10的管状部分从上向下开口。即，管状部分具有截平的八边形棱锥配置(截平的多边形棱锥配置)。仅设置光发射侧表面11；并且不设置光反射侧表面。每个光发射侧表面11是梯形。在这些梯形中，上侧的长度比下侧的长度显著短。光发射侧表面11相对于Z轴倾斜。0096 在照明设备119b中，因为光发射侧表面11倾斜，所以存在可以获得宽光分布角的可能性。然而，照明设备119b的实用可用性不足。即照明设备119b的每个侧表面是光发射侧表面11。因此，设计的灵活性低；并且制造工艺的容

37、限也低。0097 已经作为常规LED电灯泡提出了如第一参考范例中那样的光发射侧表面11平行于中心轴的配置。为了增大该配置的光的均匀性，存在其中光发射侧表面11如第二参考范例中那样倾斜的配置。在该常规配置中，基底10的每个侧表面是光发射侧表面11。0098 然而，根据发明人的研究，获悉以上记载的配置的实用可用性不足。换句话说，为了使LED电灯泡更实用，获悉必须增大光发射侧表面、电连接、以及基底固定的设计的灵活性并增大制造工艺的容限。关于这些点，常规配置是不足的。通过集中于该实用可用性，发明人发现了新问题。实施例的配置解决了这些问题。换句话说，根据实施例，能够设置照明设备，其中，照明设备具有宽光分

38、布角、生产率高、设计的灵活性高、并且工艺的容限宽。0099 在实施例中，通过光发射侧表面11为矩形(接近矩形的梯形)照明设备11a能够更合适地布置在光发射侧表面11的内部。换句话说，在多个发光装置11a设置在一个光发射侧表面11上的情况下，期望以例如均匀间隔布置多个发光装置11a。由此，提高了安装发光装置11a(包括，例如LED芯片的安装、引线接合以及LED封装的安装等)的效率。0100 在其中管状部分具有截平的多边形棱锥配置并且光发射侧表面为梯形的照明设备119b中，在发光装置11a的间隔恒定的情况下，在光发射侧表面11的内部的竖直方向上并置的发光装置11a的数量必须改变。例如，在在竖直方向

39、上并置的发光装置11a串联连接的情况下，亮度不期望地按列不同，因为串联连接的发光装置11a的数量不同。因此，亮度不均匀。0101 相反，在如图8A和8B示例的照明设备119b中，在光发射侧表面11的上部的发光装置11a的间隔比下部的发光装置11a的间隔小的情况下，安装发光装置11a的效率降低。于是，因为发光装置11a的间隔在上部处小，所以存在温度在光发射侧表面11的上部处过度升高的情况。0102 相反，在根据实施例的照明设备110中，在光发射侧表面11为矩形或接近矩形的梯形的情况下，能够以均匀间隔布置多个发光装置11a。由此，安装发光装置11a的效率高。因为不存在发光装置11a的间隔过度小的部分，所以抑制了过度的温度升高。说 明 书CN 102650388 A10