发光元件,发光器件,照明器件和电子器件.pdf

1、(10)申请公布号 CN 102484922 A(43)申请公布日 2012.05.30CN102484922A*CN102484922A*(21)申请号 201080034689.X(22)申请日 2010.08.052009-206431 2009.09.07 JPH05B 33/12(2006.01)H01L 51/50(2006.01)(71)申请人株式会社半导体能源研究所地址日本神奈川县(72)发明人能渡広美 濑尾哲史(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司 31100代理人胡嘉倩(54) 发明名称发光元件,发光器件,照明器件和电子器件(57) 摘要提供一种发光元件，所述发光元

2、件的阳极和阴极之间设置有n层(n是大于或等于2的自然数)EL层。在第m层(m是自然数，1mn-1)EL层和第(m+1)层EL层之间，在所述阳极上依次设置有包含碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物和稀土金属化合物中的任一种的第一层，包含具有高电子传输性质的物质并且与所述第一层相接触的第二层，和包含具有高空穴传输性质的物质和受体物质并且与所述第二层相接触的电荷产生层。所述电荷产生层在可见光区域不具有吸收光谱峰。(30)优先权数据(85)PCT申请进入国家阶段日2012.01.30(86)PCT申请的申请数据PCT/JP2010/063671 2010.08.05(87)PCT申

3、请的公布数据WO2011/027657 EN 2011.03.10(51)Int.Cl.权利要求书2页 说明书36页 附图18页(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书 2 页 说明书 36 页 附图 18 页1/2页21.一种发光元件，其包括：位于阳极和阴极之间的n层(n是大于或等于2的自然数)EL层；设置在第m层(m是自然数，1mn-1)EL层和第(m+1)层EL层之间的第一层，其中第一层包含选自下组物质中的一种：碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物和稀土金属化合物；设置在所述第一层上并且位于第m层EL层和第(m+1)层EL层之间的第二层，其中

4、所述第二层包含具有高电子传输性质的物质；以及设置在所述第二层上并且位于第m层EL层和第(m+1)层EL层之间的电荷产生层，其中所述电荷产生层包含具有高空穴传输性质的物质和受体物质，其中所述电荷产生层在可见光区域不具有吸收光谱峰。2.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，向所述包含具有高空穴传输性质的物质和受体物质的层中添加所述受体物质，以使所述受体物质与所述具有高空穴传输性质的物质的质量比为0.11-4.01，包括端点。3.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述第二层中包含的具有高电子传输性质的物质的LUMO能级大于或等于-5.0eV。4.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述第

5、二层中包含的具有高电子传输性质的物质是衍生物或含氮稠合芳族化合物。5.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述受体物质是过渡金属氧化物或者周期表第4-8族的任意金属的氧化物。6.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述具有高空穴传输性质的物质是咔唑衍生物或芳烃。7.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述受体物质是氧化钼。8.一种使用权利要求1所述的发光元件制造的发光器件。9.一种包含权利要求8所述的发光器件的电子器件。10.一种包含权利要求8所述的发光器件的照明器件。11.一种发光元件，其包括：位于阳极和阴极之间的n层(n是大于或等于2的自然数)EL层；设置于第m层(m是自然数，

6、1mn-1)EL层和第(m+1)层EL层之间的第一层，其中所述第一层包含具有高电子传输性质的物质和供体物质；设置在所述第一层上并且位于第m层EL层和第(m+1)层EL层之间的第二层，其中所述第二层包含具有高电子传输性质的物质；以及设置在所述第二层上并且位于第m层EL层和第(m+1)层EL层之间的电荷产生层，其中所述电荷产生层包含具有高空穴传输性质的物质和受体物质，其中所述电荷产生层在可见光区域不具有吸收光谱峰。12.如权利要求11所述的发光元件，其特征在于，向所述第一层中加入供体物质，以使所述供体物质与所述具有高电子传输性质的物质的质量比为0.0011-0.11，包括端点。13.如权利要求11

7、所述的发光元件，其特征在于，所述供体物质是选自下组物质中的一种：碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物和稀土金属化合物。权 利 要 求 书CN 102484922 A2/2页314.如权利要求11所述的发光元件，其特征在于，向所述包含具有高空穴传输性质的物质和受体物质的层中添加所述受体物质，以使所述受体物质与所述具有高空穴传输性质的物质的质量比为0.11-4.01，包括端点。15.如权利要求11所述的发光元件，其特征在于，所述第二层中包含的具有高电子传输性质的物质的LUMO能级大于或等于-5.0eV。16.如权利要求11所述的发光元件，其特征在于，所述第二层中包含的具有高电子

8、传输性质的物质是衍生物或含氮稠合芳族化合物。17.如权利要求11所述的发光元件，其特征在于，所述受体物质是过渡金属氧化物或者周期表第4-8族的任意金属的氧化物。18.如权利要求11所述的发光元件，其特征在于，所述具有高空穴传输性质的物质是咔唑衍生物或芳烃。19.如权利要求11所述的发光元件，其特征在于，所述受体物质是氧化钼。20.一种使用权利要求11所述的发光元件制造的发光器件。21.一种包含权利要求20所述的发光器件的电子器件。22.一种包含权利要求20所述的发光器件的照明器件。权 利 要 求 书CN 102484922 A1/36页4发光元件， 发光器件， 照明器件和电子器件技术领域000

9、1 以下公开的本发明内容涉及一种发光元件，该发光元件包括位于一对电极之间的发光层。本发明还涉及使用所述发光元件的发光器件，和各自使用所述发光器件的照明器件和电子器件。背景技术0002 近年来，人们一直在积极开发其中使用发光有机化合物或发光无机化合物作为发光物质的发光元件。具体地，称为电致发光(以下称为EL)元件的发光元件具有简单结构，在该结构中包含发光物质的发光层设置在电极之间，该发光元件作为下一代平板显示器元件而吸引了人们的注意，这是因为这种发光元件具有以下特性：尺寸薄、重量轻、高响应速度、直流低压驱动。此外，使用这种发光元件的显示器具有如下特征：其对比质量和图形质量优异，并且具有宽的视角。

10、此外，这种发光元件是平面光源；因此，认为这种发光元件可以用作例如液晶显示器的背光和照明之类的光源。0003 向发光元件中一对电极之间设置的发光层施加电流，以激发包含在所述发光层中的发光物质，从而可以得到预定的发射色。向所述发光层施加大量电流以增加这种发光元件的发光亮度；但是，这种方法会阻碍降低功率消耗。此外，施加大量电流还导致所述发光元件的劣化加速。0004 因此，人们提出了一种发光元件，通过堆叠多个发光层和施加电流来增加所述发光元件的发光亮度，所述发光元件的电流密度与单层发光层的发光元件的情况下施加的电流相同(例如，专利文献1)。0005 参考文献0006 专利文献1日本公开专利申请第200

11、3-272860号发明内容0007 在专利文献1中，人们提出一种发光元件，其中设置有多个发光单元(在以下本说明书中，所述发光单元也称为“EL层”)，该发光元件由电荷产生层分隔。更具体地，公开了一种发光元件，其中由五氧化二钒形成的电荷产生层设置在金属掺杂层上，该金属掺杂层作为第一发光单元的电子注入层，此外第二发光单元堆叠在所述金属掺杂层上，所述第二发光单元和所述金属掺杂层之间设置有电荷产生层。但是，在具有这种结构的发光元件中，所述金属掺杂层和由氧化物形成的电荷产生层之间在其界面处发生相互作用，所述界面具有高电场；因此，不幸的是需要高电压来驱动所述发光元件。0008 如果在波长范围400nm-80

12、0nm的可见光区域处具有吸收光谱峰的层存在于电子产生层中会出现问题，来自发光物质的光发射被吸收到所述层中，导致光提取效率降低。具体地，波长范围为420nm-720nm的吸收光谱峰导致效率明显降低。当多个发光单元堆叠时这一问题变得更加严重。0009 考虑到上述问题，本发明的一个目的是提供一种可以在低电压下驱动的发光元说 明 书CN 102484922 A2/36页5件。本发明的另一个目的是提供一种具有高发光效率的发光元件。本发明的另一个目的是提供一种发光器件，通过使用所述发光元件制造发光器件来降低其功率消耗。本发明的另一个目的是提供一种使用所述发光器件来降低其功率消耗的电子器件或照明器件。001

13、0 本说明书中公开的一个实施方式是一种具有以下结构的发光元件，其中，在阳极和阴极之间设置n个(n是大于或等于2的自然数)EL层，在第m层(m是自然数，1mn-1)EL层和第(m+1)层EL层之间，在所述阳极上依次设置有包含碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物和稀土金属化合物中任一种的第一层，包含具有高电子传输性质的物质并且与所述第一层相接触的第二层，和包含具有高空穴传输性质的物质和受体物质并且与所述第二层相接触的电荷产生层。所述电荷产生层在可见光区域不具有吸收光谱峰。0011 本说明书中公开的一个实施方式是一种具有以下结构的发光元件，其中，在阳极和阴极之间设置n个(n是大于

14、或等于2的自然数)EL层，在第m层(m是自然数，1mn-1)EL层和第(m+1)层EL层之间，在所述阳极上依次设置有包含具有高电子传输性质的物质和供体物质的第一层，包含具有高电子传输性质的物质并且与所述第一层相接触的第二层，和包含具有高空穴传输性质的物质和受体物质并且与所述第二层相接触的电荷产生层。所述电荷产生层在可见光区域不具有吸收光谱峰。0012 此外，在上述包含具有高电子传输性质的物质和供体物质的第一层中，可以添加所述供体物质以使所述供体物质与所述具有高电子传输性质的物质的质量比为0.0011-0.11。此外，所述供体物质优选碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、或稀

15、土金属化合物。0013 此外，在上述结构中，包含具有高空穴传输性质的物质和受体物质的层中可以添加所述受体物质以使所述受体物质与所述具有高空穴传输性质的物质的质量比为0.11-4.01。在所述层中产生的载流子中，空穴注入第(m+1)层EL层中，电子移动至第二层。优选所述具有高空穴传输性质的物质是咔唑衍生物或芳烃。此外，优选所述具有高空穴传输性质的物质不包含胺骨架。0014 此外，在上述结构中，由于具有高电子传输性质的物质包含在第二层中，优选使用其LUMO能级大于或等于-5.0eV的物质，更优选LUMO能级大于或等于-5.0eV且小于或等于-3.0eV的物质。0015 另外，使用具有上述结构的发光

16、元件，可以实现低驱动电压；因此，可以实现使用所述发光元件作为发光元件的发光器件(例如，显示器器件或发光器件)的低功率消耗。因此，各自使用具有上述结构的发光元件的发光器件和电子器件也包括在本发明的一个实施方式中。0016 采用上述结构实现至少一个上述发明目的。0017 应注意，本说明书中的发光器件以其分类包括各自使用发光元件的电子器件如显示器器件和照明器件。此外，所述发光器件的分类包括包含与连接器相连的发光元件的模块，如与各向异性导电膜、TAB(带式自动结合)带或TCP(卷带式封装)相连的模块；在其端部具有TAB带或者提供有印刷线路板的TCP的模块；或者具有采用COG(玻璃上芯片)法直接安装在发

17、光元件上的IC(集成电路)的模块等。0018 注意，在此说明书中，“第一”和“第二”之类的序数是出于方便的目的，并不是用来说 明 书CN 102484922 A3/36页6表示步骤的顺序以及层的叠置顺序。另外，在此说明书中的序数并不表示本发明所述的特定名称。0019 可提供具有多个发光层并且可以在低电压下驱动的发光元件。此外，可以降低由于吸收发射光导致的光提取效率损失；因此，可以提供具有高发光效率的发光元件。0020 此外，使用上述发光元件制造发光器件，可以提供低功率消耗的发光器件。此外，这种发光器件应用于照明器件和电子器件，从而可以提供低功率消耗的照明器件和低功率消耗的电子器件。0021 附

18、图简述0022 附图中：0023 图1A和1B分别显示发光元件的元件结构和其能带图的例子；0024 图2A和2B分别显示发光元件的元件结构和其能带图的例子；0025 图3A和3B分别显示发光元件的元件结构和其能带图的例子；0026 图4A-4C显示有源矩阵发光器件；0027 图5A和5B显示无源矩阵发光器件；0028 图6A-6E是显示电子器件的图；0029 图7是显示照明器件的图；0030 图8A和8B分别显示实施例中发光元件的元件结构和实施例中比较发光元件的元件结构；0031 图9显示实施例1的发光元件特征；0032 图10显示实施例1的发光元件特征；0033 图11显示实施例1的发光元件

19、的透光性；0034 图12A和12B分别显示发光元件的元件结构的例子和其发射光谱；0035 图13显示实施例2的发光元件特征；0036 图14显示实施例2的发光元件特征；0037 图15显示实施例2的发光元件的透光性；0038 图16显示实施例3的发光元件的特征；0039 图17显示实施例3的发光元件的特征；0040 图18显示实施例3的发光元件的特征；和0041 图19显示实施例3的发光元件的特征。0042 本发明最佳实施方式0043 下面将结合附图对本发明的实施方式和实施例进行描述。应注意，本领域技术人员容易理解本说明书中公开的本发明可以多种不同的方法进行实施，本文中公开的方法和具体内容可

20、以以多种方式进行变化，而不偏离本发明公开的精神和范围。因此，本发明不应被解释为限制于以下给出的实施方式和实施例的描述。在解释实施方式和实施例的附图中，同样的部件或具有相似功能的部件用同样的附图标记表示，省略对这类部件的描述。0044 (实施方式1)0045 在实施方式1中，将参照附图1A和1B描述发光元件的一个实施方式。0046 在图1A所示的元件结构中，在一对电极(即阳极101和阴极102)之间放置各自包括发光区域的第一EL层103和第二EL层107，在所述第一EL层103和第二EL层107之说 明 书CN 102484922 A4/36页7间，在阳极101上依次堆叠电子注入缓冲层104、电

21、子中继层105和电荷产生层106。0047 电荷产生层106包含具有高空穴传输性质的物质和受体物质，其中空穴和电子是所述发光元件产生的载流子。在电荷产生层106中产生的空穴移动至第二EL层107中，同时电子移动至电子中继层105。此外，由于电子中继层105具有高电子传输性质，能迅速将电子传输至电子注入缓冲层104中。此外，由于电子注入缓冲层104可以在电子注入至第一EL层103时降低注入能垒，可以增加向第一EL层103注入电子的效率。0048 可以用于电子注入缓冲层104的是具有高电子传输性质的物质：例如，碱金属、碱土金属、稀土金属、上述金属的化合物(例如碱金属化合物(氧化物，如氧化锂，卤化物

22、，或碳酸盐，如碳酸锂或碳酸铯)，碱土金属化合物(例如氧化物，卤化物或碳酸盐)，或稀土金属化合物(例如氧化物，卤化物或碳酸盐)。或者，电子注入缓冲层104可以包含具有高电子传输性质的物质和供体物质。0049 图1B是图1A所示的元件结构的能带图。在图1B中，附图标记111表示阳极101的费米能级；112表示阴极102的费米能级；113表示第一EL层103的最低未占分子轨道(LUMO)能级；114表示电子中继层105的LUMO能级；115表示电荷产生层106中受体的受体能级；116表示第二EL层107的LUMO能级。0050 在图1B中，空穴从阳极101注入第一EL层103中。相反，电荷产生层10

23、6中产生的电子移动至电子中继层105，再通过电子注入缓冲层104注入第一EL层103中，并与空穴重组，从而发射光。此外，电荷产生层106中产生的空穴移动至第二EL层107中，并与从阳极102注入到第二EL层107中的电子重组，从而发射光。0051 在本实施方式中描述的发光元件中，由于电子中继层105起到足以将电荷产生层106中产生的电子注入第一EL层103中的作用，电子中继层105优选使用LUMO能级处于电荷产生层106中受体的受体能级和第一EL层103的LUMO能级113之间的材料来形成。具体地，优选使用LUMO能级大于或等于约-5.0eV的材料，更优选使用LUMO能级大于或等于-5.0eV

24、且小于或等于-3.0eV的材料。0052 电荷产生层106中包含的受体物质具有强受体性质，电子注入缓冲层104中包含的具有高电子注入性质的物质或供体物质具有强供体性质；因此，当电荷产生层106和电子注入缓冲层104彼此接触时，电子在电荷产生层106和电子注入缓冲层104之间的界面上给出和接受，这导致所述发光元件的驱动电压增加。此外，当电荷产生层106和电子注入缓冲层104之间的界面处形成PN结时，所述发光元件的驱动电压可能增加。但是，在本实施方式所述的发光元件中，可以通过电子中继层105防止电荷产生层106和电子注入缓冲层104彼此接触；因此，可以通过电子中继层105防止电荷产生层106中包含

25、的受体物质和电子注入缓冲层104中包含的具有高电子注入性质的物质或供体物质发生相互作用。此外，使用LUMO能级落入上述范围的材料形成电子中继层105，从而防止在电子中继层105和电子注入缓冲层104之间的界面处形成高电场，电荷产生层106中产生的电子可以有效地注入第一EL层103中。0053 此外，如图1B的能带图所示，由于电子注入缓冲层104使得注入势垒降低，从电荷产生层106移动到电子中继层105的电子能容易地注入第一EL层103的LUMO能级113中。应注意电荷产生层106中产生的空穴移动至第二EL层107中。0054 接着，将具体描述可用于上述发光元件的材料。说 明 书CN 10248

26、4922 A5/36页80055 阳极101优选使用具有高功函(具体地，功函大于或等于4.0eV)的金属、合金、导电化合物或它们的混合物等形成。具体来说，可以使用例如氧化铟锡(ITO)，包含硅或者氧化硅的氧化铟锡，氧化铟锌(IZO)，包含氧化钨和氧化锌的氧化铟(IWZO)等。0056 这些导电金属氧化物的膜通常由溅射法形成。或者，可以通过溶胶-凝胶法等方法形成膜。例如，氧化铟锌(IZO)膜可采用溅射法，使用在氧化铟中加入1-20重量氧化锌的靶形成。可以使用其中氧化钨和氧化锌分别以0.5-5重量和0.1-1重量的量加入氧化铟的靶，通过溅射法形成包含氧化钨和氧化锌的氧化铟。0057 此外，可以使用

27、以下物质：金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、钨(W)、铬(Cr)、钼(Mo)、铁(Fe)、钴(Co)、铜(Cu)、钯(Pd)、钛(Ti)、金属材料的氮化物(例如氮化钛)、氧化钼、氧化钒、氧化钌、氧化钨、氧化锰、氧化钛等。或者，可以使用导电聚合物，例如，聚(3，4-亚乙基二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)或聚苯胺/聚(苯乙烯磺酸)(PAni/PSS)。注意，当与阳极101接触的电荷产生层设置为第一EL层103的一部分时，可以将很多种导电材料，例如Al和Ag用于阳极101，而不考虑它们的功函大小。0058 阴极102可以使用具有低功函(具体地，功函小于或等于3.8eV)的金属、合

28、金、导电化合物或它们的混合物等形成。作为这种阴极材料的具体例子，给出以下物质：属于元素周期表第1和第2族的元素，即碱金属，如锂(Li)或铯(Cs)，碱土金属，如镁(Mg)、钙(Ca)或锶(Sr)，包含它们的合金(例如，MgAg合金或AlLi合金)，稀土金属，如铕(Eu)或镱(Yb)，包含它们的合金等。可以通过真空蒸发法形成包含碱金属、碱土金属或其合金的膜。或者，可以通过溅射法形成包含碱金属或碱土金属的合金。另外，或者还可以使用喷墨法等方法，使用银糊料等材料形成膜。0059 或者，所述阴极102可以使用如铝之类的金属膜与碱金属化合物、碱土金属化合物、或稀土金属化合物(例如氟化锂(LiF)，氧化锂

29、(LiOx)，氟化铯(CsF)，氟化钙(CaF2)或氟化铒(ErF3)的膜叠层形成。注意，当与阴极102接触的电荷产生层设置为第二EL层107的一部分时，可以将很多种导电材料，例如Al、Ag、ITO和包含硅或氧化硅的氧化铟锡用于阴极102，而不考虑它们的功函大小。0060 注意在本实施方式所述的发光元件中，阳极和阴极中的至少一种可以具有光传输性质。可以通过使用ITO之类的透明电极，或者通过减小电极的厚度，确保光传输性质。0061 第一EL层103和第二EL层107可各自包括至少一层发光层，并且还可以具有发光层和除发光层之外的层堆叠的结构。应注意第一EL层103中包括的发光层可以与第二EL层10

30、7中包括的发光层不同。或者，第一EL层103和第二EL层107可以独立地具有发光层和除发光层之外的层堆叠的结构。具有高空穴注入性质的物质、具有高空穴传输性质的物质、具有高电子传输性质的物质、具有高电子注入性质的物质、具有双极性的物质(具有高电子传输和空穴传输性质的物质)等形成的层作为除发光层之外的层。具体地，假使是空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等，它们可以根据适当的情况组合并堆叠在阳极上。此外，电荷产生层可以设置为第一EL层103的一部分，位于第一EL层103与阳极101相接触的一侧。0062 以下将具体描述用于分别形成EL层中包括的上述各层的材料。0063

31、 空穴注入层是包含具有高空穴注入性质的物质的层。可以使用以下物质作为具有空穴注入性质的物质：例如氧化钼、氧化钒、氧化钌、氧化钨或氧化锰等。此外，基于酞菁的说 明 书CN 102484922 A6/36页9化合物如酞菁(缩写：H2Pc)或铜酞菁(缩写：CuPc)，高分子化合物如聚(3，4-亚乙基二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)等也可以用于形成所述空穴注入层。0064 空穴传输层是包含具有高空穴传输性质的物质的层。以下给出具有高空穴传输性质的物质，例如：芳族胺化合物如4，4-二N-(-1-萘基)-N-苯基氨基-联苯(缩写：NPB或-NPD)、N，N-二(3-甲基苯基)-N，N-二

32、苯基-1，1-联苯基-4，4-二胺(缩写：TPD)、4，4，4”-三(咔唑-9-基)三苯基胺(缩写：TCTA)、4，4，4”-三(N，N-二苯基氨基)三苯基胺(缩写：TDATA)、4，4，4”-三N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基三苯基胺(缩写：MTDATA)和4，4-二N-(螺-9，9-二芴-2-基)-N-苯基氨基联苯(缩写：BSPB)；3-N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基-9-苯基咔唑(缩写：PCzPCA1)；3，6-二N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基-9-苯基咔唑(缩写：PCzPCA2)、3-N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨基-9-苯基咔唑(缩写：PC

33、zPCN1)等。或者，可以使用以下咔唑衍生物：4，4-二(N-咔唑基)联苯(缩写：CBP)、1，3，5-三4-(N-咔唑基)苯基苯(缩写：TCPB)和9-4-(10-苯基-9-蒽基)苯基-9H-咔唑(缩写：CzPA)。在此列出的物质主要是空穴迁移率大于或等于10-6cm2/V的材料。但也可以使用除此之外的物质，只要其空穴传输性质高于电子传输性质即可。含高空穴传输性质的物质的层不限于单层，可以是含上述物质的两层或更多个层的叠层。0065 除上述物质之外，可以使用高分子化合物，例如聚(N-乙烯基咔唑)(缩写：PVK)、聚(4-乙烯基三苯基胺)(缩写：PVTPA)、聚N-(4-N-4-(4-二苯基氨

34、基)苯基苯基-N-苯基氨基苯基)甲基丙烯酰胺(缩写：PTPDMA)或聚N，N-二(4-丁基苯基)-N，N-二(苯基)联苯胺(缩写：聚-TPD)用于空穴传输层。0066 发光层是包含发光物质的层。可以使用以下荧光化合物作为发光物质，例如N，N-二4-(9H-咔唑-9-基)苯基-N，N-二苯基-4，4-二胺(缩写：YGA2S)，4-(9H-咔唑-9-基)-4-(10-苯基-9-蒽基)三苯基胺(缩写：YGAPA)，4-(9H-咔唑-9-基)-4-(9，10-二苯基-2-蒽基)三苯基胺(缩写：2YGAPPA)，N，9-二苯基-N-4-(10-苯基-9-蒽基)苯基-9H-咔唑-3-胺(缩写：PCAPA)

35、，2，5，8，11-四叔丁基(缩写：TBP)，4-(10-苯基-9-蒽基)-4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯基胺(缩写：PCBAPA)，N，N”-(2-叔丁基蒽-9，10-二基二-4，1-亚苯基)二N，N，N-三苯基-1，4-苯二胺(缩写：DPABPA)，N，9-二苯基-N-4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基-9H-咔唑-3-胺(缩写：2PCAPPA)，N-4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基-N，N，N-三苯基-1，4-苯二胺(缩写：2DPAPPA)，N，N，N，N，N”，N”，N”，N”-八苯基二苯并g，p-2，7，10，15-四胺(缩写：DBC1)，香豆素30，N-(9，1

36、0-二苯基-2-蒽基)-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(缩写：2PCAPA)，N-9，10-二(1.1-联苯-2-基)-2-蒽基-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(缩写：2PCABPhA)，N-(9，10-二苯基-2-蒽基)-N，N，N”-三苯基-1，4-苯二胺(缩写：2DPAPA)，N-9，10-二(1，1-联苯-2-基)-2-蒽基-N，N，N-三苯基-1，4-苯二胺(缩写：2DPABPhA)，9，10-二(1，1-联苯-2-基)-N-4-(9H-咔唑-9-基)苯基-N-苯基蒽-2-胺(缩写：2YGABPhA)，N，N，9-三苯基蒽-9-胺(缩写：DPhAPhA)，香豆素545T，N，

37、N-二苯基喹吖酮(缩写：DPQd)，红荧烯，5，12-二(1，1-联苯-4-基)-6，11-二苯基并四苯(缩写：BPT)，2-(2-2-4-(二甲基氨基)苯基乙烯基-6-甲基-4H-吡喃-4-亚基)丙烷二腈(缩写：DCM1)，2-2-甲基-6-2-(2，3，6，7-四氢-1H，5H-苯并ij喹啉(quinolizin)-9-基)乙说 明 书CN 102484922 A7/36页10烯基-4H-吡喃-4-亚基丙烷二腈(缩写：DCM2)，N，N，N，N-四(4-甲基苯基)并四苯-5，11-二胺(缩写：p-mPhTD)，7，14-二苯基-N，N，N，N-四(4-甲基苯基)苊并1，2-a荧蒽-3，10

38、-二胺(缩写：p-mPhAFD)，2-2-异丙基-6-2-(1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1H，5H-苯并ij喹啉(quinolizin)-9-基)乙烯基-4H-吡喃-4-亚基丙烷二腈(缩写：DCJTI)，2-2-叔丁基-6-2-(1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1H，5H-苯并ij喹啉(quinolizin)-9-基)乙烯基-4H-吡喃-4-亚基丙烷二腈(缩写：DCJTB)，2-(2，6-二2-4-(二甲基氨基)苯基乙烯基-4H-吡喃-4-亚基)丙烷二腈(缩写：BisDCM)，2-2，6-二2-(8-甲氧基-1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1H，5

39、H-苯并ij喹啉-9-基)乙烯基-4H-吡喃-4-亚基丙烷二腈(缩写：BisDCJTM)等。0067 或者，可以使用以下磷光化合物作为发光物质，例如：二2-(4，6-二氟苯基)吡啶合(pyridinato)-N，C2铱(III)四(1-吡唑基)硼酸盐(缩写：FIr6)，二2-(4，6-二氟苯基)吡啶合-N，C2铱(III)皮考啉酸盐(缩写：FIrpic)，二2-(3，5-二三氟甲基苯基)吡啶合-N，C2铱(III)皮考啉酸盐(缩写：Ir(CF3ppy)2(pic)，二2-(4，6-二氟苯基)吡啶合-N，C2铱(III)乙酰丙酮酸盐(缩写：FIr(acac)，三(2-苯基吡啶合)铱(III)(缩

40、写：Ir(ppy)3)，二(2-苯基吡啶合)铱(III)乙酰丙酮酸盐(缩写：Ir(ppy)2(acac)，二(苯并h喹啉合(quinolinato)铱(III)乙酰丙酮酸盐(缩写：Ir(bzq)2(acac)，二(2，4-二苯基-1，3-噁唑合-N，C2)铱(III)乙酰丙酮酸盐(缩写：Ir(dpo)2(acac)，二2-(4-全氟苯基苯基)吡啶合铱(III)乙酰丙酮酸盐(缩写：Ir(p-PF-ph)2(acac)，二(2-苯基苯并噻唑合-N，C2)铱(III)乙酰丙酮酸盐(缩写：Ir(bt)2(acac)，二2-(2-苯并4，5-噻吩基)吡啶合-N，C3铱(III)乙酰丙酮酸盐(缩写：Ir(

41、btp)2(acac)，二(1-苯基异喹啉合-N，C2)铱(III)乙酰丙酮酸盐(缩写：Ir(piq)2(acac)，(乙酰丙酮酸根合)二2，3-二(4-氟苯基)喹喔啉合铱(III)(缩写：Ir(Fdpq)2(acac)，(乙酰丙酮酸根合)二(2，3，5-三苯基吡嗪合)铱(III)(缩写：Ir(tppr)2(acac)，2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21H，23H-卟啉铂(II)(缩写：PtOEP)，三(乙酰丙酮酸根合)(单菲咯啉)铽(III)(缩写：Tb(acac)3(Phen)，三(1，3-二苯基-1，3-丙烷二根合(propanedionato)(单菲咯啉)铒(III)

42、(缩写：Eu(DBM)3(Phen)，三1-(2-噻吩甲酰基)-3，3，3-三氟乙酰丙酮酸根合(单菲咯啉)铒(III)(缩写：Eu(TTA)3(Phen)等。0068 应注意这些发光物质优选分散在使用的主体材料中。可以使用以下物质作为主体材料，例如：芳族胺化合物，如NPB(缩写)、TPD(缩写)、TCTA(缩写)、TDATA(缩写)、MTDATA(缩写)或BSPB(缩写)；咔唑衍生物，如PCzPCA1(缩写)、PCzPCA2(缩写)、PCzPCN1(缩写)、CBP(缩写)、TCPB(缩写)、CzPA(缩写)或4-(1-萘基)-4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-三苯基胺(缩写：PCBANB)

43、；具有高空穴传输性质的物质，其包含高分子化合物如PVK(缩写)、PVTPA(缩写)、PTPDMA(缩写)或聚-TPD(缩写)；具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金属络合物，如三(8-羟基喹啉)铝(缩写：Alq)、三(4-甲基-8-羟基喹啉)铝(缩写：Almq3)、二(10-羟基苯并h喹啉)铍(缩写：BeBq2)或二(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基酚酸)铝(缩写：BAlq)；具有噁唑基配体或噻唑基配体的金属络合物，如二2-(2-羟基苯基)苯并噁唑合锌(缩写：Zn(BOX)2)或二2-(2-羟基苯基)苯并噻唑合锌(缩写：Zn(BTZ)2)；或具有高电子传输性质的材料，如2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基说 明 书CN 102484922 A10