CMOS密码清除电路.pdf

1、(10)申请公布号 CN 103164008 A(43)申请公布日 2013.06.19CN103164008A*CN103164008A*(21)申请号 201110414474.7(22)申请日 2011.12.13G06F 1/24(2006.01)H03K 17/22(2006.01)(71)申请人鸿富锦精密工业（深圳）有限公司地址 518109 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号申请人鸿海精密工业股份有限公司(72)发明人周海清(54) 发明名称CMOS密码清除电路(57) 摘要一种CMOS电路，用于清除一南桥芯片内CMOS的密码，该CMOS电路包括一电源电路及至少一

2、按键电路，该电源电路为该南桥芯片提供工作，该按键电路连接于该南桥芯片，还与该电源电路相连，该按键电路包括一按键、一二极管、一电阻及一电子开关，该电子开关设置与一计算机的前板上，当该按键按下时，该电子开关导通，输出低电平的信号至该南桥芯片，以清除该南桥芯片内CMOS的密码。本发明CMOS电路可方便、快捷地清除CMOS密码。(51)Int.Cl.权利要求书2页 说明书3页 附图1页(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书2页 说明书3页 附图1页(10)申请公布号 CN 103164008 ACN 103164008 A1/2页21.一种CMOS密码清除电路，包括：一电源

3、电路，用于为该南桥芯片提供工作电压，计算机工作时由系统电源为南桥芯片供电，电脑系统关机后由电池为南桥芯片供电；以及一第一按键电路，包括一第一二极管、一第一电阻、一第一电子开关以及一第一按键，该第一按键的一端接地，另一端通过该第一电阻连接于该第一二极管的阴极，还连接于该第一电子开关的第一端，该第一二极管的阳极与该电池的正极相连，该第一电子开关的第二端接地，第三端与该南桥芯片相连，当该第一按键按下时，该第一电子开关的第一端为低电平，该第一电子开关的第二端与第三端导通，该第一电子开关的第三端输出低电平的密码清除信号至南桥芯片，以清除该南桥芯片内的CMOS密码。2.如权利要求1所述的CMOS密码清除电

4、路，其特征在于：该第一按键电路还包括一第二二极管及一第二电阻，该第二二极管的阴极通过该第二电阻连接于该第一电子开关的第一端，阳极连接于该系统电源。3.如权利要求1所述的CMOS密码清除电路，其特征在于：该第一电子开关为一P沟道场效应管或一PNP三极管，当该第一电子开关为P沟道场效应管时，该第一电子开关的第一端、第二端及第三端分别为P沟道场效应管的栅极、漏极及源极；当该第一电子开关为PNP三极管时，该第一电子开关的第一端、第二端及第三端分别为PNP三极管的基极、集电极及发射极。4.如权利要求1所述的CMOS密码清除电路，其特征在于：该第一按键为该计算机前板上的复位键。5.如权利要求1所述的CMO

5、S密码清除电路，其特征在于：该CMOS电路还包括一第二按键电路，该第二按键电路包括一第三二极管、一第三电阻、一第二电子开关及一第二按键；该第二按键的一端接地，另一端通过该第三电阻与该第三二极管的阴极相连，还连接于该第二电子开关的第一端，该第三二极管的阳极连接于该电池的正极，该第二电子开关的第二端连接于该第一电子开关的第三端，该第二电子开关的第三端与该南桥芯片相连，当该第一按键及第二按键均被按下时，该第一电子开关及第二电子开关的第一端均为低电平，该第一电子开关的第二端与第三端导通，如此使得该第二电子开关的第二端及第三端导通，该第二电子开关的第三端输出低电平的密码清除信号至南桥芯片，以清除该南桥芯

6、片内的CMOS密码。6.如权利要求5所述的CMOS密码清除电路，其特征在于：该第二按键电路还包括一第四二极管及一第四电阻，该第四二极管的阴极通过该第四电阻连接于该第二电子开关的第一端，阳极与该系统电源相连。7.如权利要求5所述的CMOS密码清除电路，其特征在于：该第二电子开关的为一P沟道场效应管或一PNP三极管，当该第二电子开关为P沟道场效应管时，该第二电子开关的第一端、第二端及第三端分别为P沟道场效应管的栅极、漏极及源极；当该第二电子开关为PNP三极管时，该第二电子开关的第一端、第二端及第三端分别为PNP三极管的基极、集电极及发射极。8.如权利要求5所述的CMOS密码清除电路，其特征在于：该

7、第二电子开关为该计算机前板上的电源键。9.如权利要求1所述的CMOS密码清除电路，其特征在于：该电源电路包括一肖特基二权 利 要 求 书CN 103164008 A2/2页3极管、一电池、第一及第二电容、一第五电阻及一第六电阻，该电池的的负极接地，正极通过该第五电阻与该肖特基二极管的第一阳极相连，该肖特基二极管的第二阳极连接于该系统电源，阴极通过该第六电阻与该第二电容的一端相连，还与该第一电容的一端相连，该第一及第二电容的另一端接地，该第六电阻与第二电容的节点处连接于该南桥芯片。权 利 要 求 书CN 103164008 A1/3页4CMOS 密码清除电路技术领域0001 本发明涉及一种CMO

8、S密码清除电路。背景技术0002 通常使用一跳线来清除南桥芯片中CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体）数据。计算机主板上最常见的是一种键帽式跳线，键帽式跳线由底座和键帽组成。跳线的底座上设置有若干不连通的引脚，相连的两根引脚之间可通过跳线的键帽电性连接以实现特定的连接关系。当计算机的设置出现故障时，用户需打开计算机的机箱，之后，再将键帽从底座上取下并安装在另外两个引脚之间以清除南桥芯片中CMOS数据。然而，对于刚接触计算机的用户来说，其无法判知跳线位于计算机主板何处，用户还需拆开、组装机箱，如此给用户带来了极大的不便。发

9、明内容0003 鉴于以上内容，有必要提供一种可方便、快捷地清除CMOS密码的CMOS密码清除电路。0004 一种CMOS密码清除电路，包括：一电源电路，用于为该南桥芯片提供工作电压，计算机工作时由系统电源为南桥芯片供电，电脑系统关机后由电池为南桥芯片供电；以及一第一按键电路，包括一第一二极管、一第一电阻、一第一电子开关以及一第一按键，该第一按键的一端接地，另一端通过该第一电阻连接于该第一二极管的阴极，还连接于该第一电子开关的第一端，该第一二极管的阳极与该电池的正极相连，该第一电子开关的第二端接地，第三端与该南桥芯片相连，当该第一按键按下时，该第一电子开关的第一端为低电平，该第一电子开关的第二端

10、与第三端导通，该第一电子开关的第三端输出低电平的密码清除信号至南桥芯片，以清除该南桥芯片内的CMOS密码。0005 上述CMOS密码清除电路通过设置于计算机前板上的第一按键来清除南桥芯片内CMOS密码，避免了直接通过跳线的方式来清理CMOS密码而带来的不便。附图说明0006 图1是本发明CMOS密码清除电路的较佳实施方式的电路图。0007 主要元件符号说明电源电路10南桥芯片20第一按键电路30第二按键电路40电池100电源3V_DUAL肖特基二极管D1二极管D2-D5说 明 书CN 103164008 A2/3页5电容C1、C2电阻R1-R6场效应管Q1、Q2第一按键300第二按键400如下

11、具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。具体实施方式0008 请参考图1，本发明CMOS密码清除电路用于清除一南桥芯片20内的CMOS密码，该CMOS密码清除电路的较佳实施方式包括一用于为该南桥芯片20供电的电源电路10、一与该南桥芯片20相连的第一按键电路30及一连接于该第一按键电路30的第二按键电路40。0009 该电源电路10包括一肖特基二极管D1、两电容C1及C2、两电阻R1、R2及一电池100。该肖特基二极管D1的第一阳极A1连接于一电源3V_DUAL，第二阳极A2通过该电阻R1与该电池100的正极相连，阴极B通过该电阻R2连接于该电容C2的一端，该肖特基二极管D1的阴极还与电容

12、C1的一端，该电容C1及C2的另一端均接地。该电池100的负极接地，其正极还引出一电源V_BAT接口。该电阻R2与电容C2的节点处还与该南桥芯片20相连。0010 当有外部电源接入时，该电源3V_DUAL通过该肖特基二极管D1及电阻R2给该南桥芯片20供电；当外部电源断开时，该电池100则依次通过该电阻R1、肖特基二极管D1及电阻R2给该南桥芯片20供电。0011 该第一按键电路30包括两二极管D2及D3、两电阻R3及R4、一场效应管Q1及一第一按键300。本实施方式中，该第一按键300为一计算机前板上的复位（Reset）键。其他实施方式中，该第一按键300可为一单独设置于计算机前板上的开关。

13、该第一按键300的一端接地，另一端通过电阻R3与该二极管D2的阴极相连，还通过电阻R4连接于该二极管D3的阴极，还连接于该场效应管Q1的栅极，该二极管D2的阳极与电源V_BAT相连，该二极管D3的阳极与电源3V_DUAL相连。该场效应管Q1的源极连接于该南桥芯片20相连。该场效应管Q1为一P沟道场效应管。0012 该第二按键电路40包括两二极管D4及D5、两电阻R5及R6、一场效应管Q2及一第二按键400。本实施方式中，该第二按键400为一计算机前板上的电源（Power）键。其他实施方式中，该第二按键400可为一单独设置于计算机前板上的开关。该第二按键400的一端接地，另一端通过电阻R5与该二

14、极管D4的阴极相连，还通过电阻R6连接于该二极管D5的阴极，还连接于该场效应管Q2的栅极，该二极管D4的阳极与电源V_BAT相连，该二极管D5的阳极与电源3V_DUAL相连。该场效应管Q2的漏极接地，源极连接于该场效应管Q1的漏极。该场效应管Q2为一P沟道场效应管。0013 根据南桥芯片中CMOS的工作原理可知，当南桥芯片20中的该信号引脚为低电平时，存储于CMOS内的密码则会被清除。0014 当需要清除该南桥芯片20内的CMOS密码时，用户需同时按下该第一按键300及第二按键400，该场效应管Q1及Q2的栅极均为低电平，此时，该场效应管Q2导通，使得该场效应管Q1的漏极也变为低电平，从而使得

15、该场效应管Q1亦导通。该场效应管Q1导通后，输出低电平信号至南桥芯片20。当该南桥芯片20接收到低电平信号时，存储于CMOS内的说 明 书CN 103164008 A3/3页6密码被清除。0015 当然，在其他实施方式中，可将该第二按键电路40直接连接至该南桥芯片20，即只需按下该第二按键400就可清除该南桥芯片20中CMOS的密码。0016 由上述的描述可知，该场效应管Q1及Q2在电路中均起到电子开关的作用。因此，其它实施方式中，该场效应管Q1及Q2可采用其他类型的晶体管来代替。甚至其它的具有电子开关功能的电子组件均可。比如，使用应PNP型的三极管来代替该场效应管Q1及Q2，该PNP型三极管

16、基极、发射极、集电极分别相当于该场效应管Q1及Q2的栅极、源极、漏极。当该PNP型三极管的基极为低电平时，其集电极与发射极则导通。0017 上述CMOS电路通过按下连接于该南桥芯片20的第二按键电路40中的第二按键400来方便快捷地清除该南桥芯片20中CMOS的密码。当然，设置第一及第二按键电路30及40亦可达到清除该南桥芯片20中CMOS的密码目的，此种情况下，用户需同时按下该第一按键300及400，如此避免了可能由于误操作而导致错误的清除该南桥芯片20中CMOS的密码目的。再者，将计算机前板上原有的复位键及电源键分别设为该第一按键300及第二按键400，如此亦可减少该CMOS电路的成本。说 明 书CN 103164008 A1/1页7图1说 明 书 附 图CN 103164008 A