LED发光板及其制造方法.pdf

1、(10)申请公布号 CN 103090227 A(43)申请公布日 2013.05.08CN103090227A*CN103090227A*(21)申请号 201210592581.3(22)申请日 2012.12.29F21S 2/00(2006.01)F21V 13/02(2006.01)F21V 23/06(2006.01)F21Y 101/02(2006.01)(71)申请人瑞安市亿星新能源有限公司地址 325206 浙江省温州市瑞安市安阳镇上望街道九安西路120号(72)发明人潘贻波(74)专利代理机构浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100代理人汤时达(54) 发明名称LED发光

2、板及其制造方法(57) 摘要本发明属于LED照明领域，特别涉及一种LED发光板及其制备方法，LED发光板，包括铝基线路板，所述的铝基线路板上设有若干LED芯片安装位，所述的LED安装位上涂覆有导电银涂层，所述的LED安装位设有线路正极和线路负极；一LED芯片设置在导电银涂层上，所述的LED芯片的正极用第一纯金线与线路正极电连通，所述的LED芯片的正极用第二金线与线路负极电连通；所述LED芯片设有反射硅胶堤；所述的LED芯片上设有含荧光粉的荧光硅胶层；所述的荧光硅胶层上设有透明硅胶层。采用本发明技术所得到的LED发光板能够发出柔和白光，发光聚光效果好，生产工艺简便，生产效率大大提高，同时也极大的

3、降低的产品的生产成本。(51)Int.Cl.权利要求书1页 说明书3页 附图1页(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书1页 说明书3页 附图1页(10)申请公布号 CN 103090227 ACN 103090227 A1/1页21.LED发光板，其特征在于，包括铝基线路板，所述的铝基线路板上设有若干LED芯片安装位，所述的LED安装位上涂覆有导电银涂层，所述的LED安装位设有线路正极和线路负极；一LED芯片设置在导电银涂层上，所述的LED芯片的正极用第一纯金线与线路正极电连通，所述的LED芯片的正极用第二金线与线路负极电连通；所述LED芯片设有反射硅胶堤；所述的L

4、ED芯片上设有含荧光粉的荧光硅胶层；所述的荧光硅胶层上设有透明硅胶层。2.如权利要求1所述的LED发光板，其特征在于，所述的反射硅胶堤的厚度为0.5-1.0mm；所述的荧光硅胶层厚度为0.3-1.5mm；所述的透明硅胶层的厚度为0.5-1.0mm。3.如权利要求1所述的LED发光板，其特征在于，所述的荧光硅胶层厚度为0.3-0.5mm；所述的透明硅胶层的厚度为0.5-0.8mm。4.如权利要求1所述的LED发光板，其特征在于，所述的金线纯度为88.8%-99.99%，直径为0.01-0.02mm。5.如权利要求1所述的LED发光板制造方法，特征在于，包含以下步骤：1）铝基线路板的LED芯片安装

5、位上涂覆导电银浆形成导电银涂层，将一LED芯片贴在导电银涂层上，进行第一次烘干处理，得到第一次烘干半成品；2）在第一次烘干半成品的LED芯片的正极用第一金线与LED芯片安装位上正极焊接连通，LED芯片的负极用第二金线与LED芯片安装位上负极焊接连通，在LED芯片四周涂覆硅胶形成反射硅胶堤，进行第二次烘干处理，得到第二次烘干半成品；3)在第二次烘干半成品的LED芯片上涂覆含有荧光粉的荧光硅胶层，进行第三次烘干处理，得到第三次烘干半成品；4）得到第三次烘干半成品的荧光硅胶层上涂覆透明硅胶层，进行第四次烘干处理后即得LED发光板的成品。6.如权利要求5所述的LED发光板制造方法，其特征在于，所述的反

6、射硅胶堤的厚度为0.5-1.0mm；所述的荧光硅胶层厚度为0.3-1.5mm；所述的透明硅胶层的厚度为0.5-1.0mm。7.如权利要求5所述的LED发光板制造方法，其特征在于，所述的荧光硅胶层厚度为0.3-0.5mm；所述的透明硅胶层的厚度为0.5-0.8mm。8.如权利要求5所述的LED发光板制造方法，其特征在于，所述的金线纯度为88.8%-99.99%，直径为0.01-0.02mm。9.如权利要求5所述的LED发光板制造方法，其特征在于，所述的烘干处理时间为1-2h，温度为100-150。权 利 要 求 书CN 103090227 A1/3页3LED 发光板及其制造方法技术领域0001

7、本发明属于LED照明领域，特别涉及一种LED发光板及其制备方法。背景技术0002 当前全球能源短缺的忧虑再度升高的背景下，节约能源是我们未来面临的重要的问题，在照明领域，LED发光产品的应用正吸引着世人的目光，LED作为一种新型的绿色光源产品，必然是未来发展的趋势，二十一世纪将进入以LED为代表的新型照明光源时代。LED球泡灯具与白炽灯比较，其最大的发展动力就是节能环保的优势。目前，应用于灯具、广告牌内的LED发光板包括铝基线路板、带脚基座（或称带支架的基座），在该带脚基座内通过固晶处理而装有芯片及荧光粉，带脚基座的外围装有玻璃罩用于聚光，该带脚基座通过贴片机及回流焊机设备进行贴片、锡焊处理而

8、粘贴在铝基线路板的相应位置上。该带脚基座及其内外零部件装配的生产成本较高、结构复杂、工艺较繁琐，相应的带来生产成本高，效率低。且生产所得产品发光、聚光效果的不理想。发明内容0003 本发明的目的在于结构简单，发光聚光效果好的LED发光板，本发明的另一目的在于提供一种工艺简便生产成本较低，适于大批量生产LED发光板制造方法。0004 为达到本发明的目的，本发明所采用的技术方案为：0005 LED发光板，包括铝基线路板，所述的铝基线路板上设有若干LED芯片安装位，所述的LED安装位上涂覆有导电银涂层，所述的LED安装位设有线路正极和线路负极；一LED芯片设置在导电银涂层上，所述的LED芯片的正极用

9、第一纯金线与线路正极电连通，所述的LED芯片的正极用第二金线与线路负极电连通；所述LED芯片设有反射硅胶堤；所述的LED芯片上设有含荧光粉的荧光硅胶层；所述的荧光硅胶层上设有透明硅胶层。0006 所述的反射硅胶堤的厚度为0.5-1.0mm；所述的荧光硅胶层厚度为0.3-1.5mm，优选为0.3-0.5mm；所述的透明硅胶层的厚度为0.5-1.0mm，优选为0.5-0.8mm。0007 所述的金线纯度为88.8%-99.99%，直径为0.01-0.02mm。0008 LED发光板制造方法包含以下步骤：0009 1）铝基线路板的LED芯片安装位上涂覆导电银浆形成导电银涂层，将一LED芯片贴在导电银

10、涂层上，进行第一次烘干处理，得到第一次烘干半成品；0010 2）在第一次烘干半成品的LED芯片的正极用第一金线与LED芯片安装位上正极焊接连通，LED芯片的负极用第二金线与LED芯片安装位上负极焊接连通，在LED芯片四周涂覆硅胶形成反射硅胶堤，进行第二次烘干处理，得到第二次烘干半成品；0011 3)在第二次烘干半成品的LED芯片上涂覆含有荧光粉的荧光硅胶层，进行第三次烘干处理，得到第三次烘干半成品；0012 4）得到第三次烘干半成品的荧光硅胶层上涂覆透明硅胶层，进行第四次烘干处理后即得LED发光板的成品。说 明 书CN 103090227 A2/3页40013 所述的反射硅胶堤的厚度为0.5-

11、1.0mm；所述的荧光硅胶层厚度为0.3-1.5mm，优选为0.3-0.5mm；所述的透明硅胶层的厚度为0.5-1.0mm，优选为0.5-0.8mm；0014 所述的金线纯度为88.8%-99.99%，直径为0.01-0.02mm。0015 所述的烘干处理时间为1-2h，温度为100-150。0016 采用本发明技术所得到的LED发光板能够发出柔和白光，发光聚光效果好，生产工艺简便，生产效率大大提高，同时也极大的降低的产品的生产成本。附图说明0017 图1为本发明LED发光板的结构示意图具体实施方式0018 以下结合说明书附图对本发明做出进一步阐述：0019 实施例10020 如图1所示002

12、1 LED发光板，包括铝基线路板（1），所述的铝基线路板（1）上设有若干LED芯片安装位（101），所述的LED安装位（101）上涂覆有导电银涂层（3），所述的LED安装位（101）设有线路正极（102）和线路负极（103）；一LED芯片（2）设置在导电银涂层（3）上，所述的LED芯片（2）的正极（22）用纯度88.8%直径0.02mm的第一纯金线（51）与线路正极（102）电连通，所述的LED芯片（2）的正极用纯度88.8%直径0.02mm的第二金线（52）与线路负极（103）电连通；所述LED芯片（2）四周设有0.5mm厚度的反射硅胶堤（4）；所述的LED芯片（2）上设有含荧光粉的厚度为1

13、.0mm的荧光硅胶层；所述的荧光硅胶层上设有厚度为0.8mm透明硅胶层。0022 实施例20023 LED发光板，包括铝基线路板（1），所述的铝基线路板（1）上设有若干LED芯片安装位（101），所述的LED安装位（101）上涂覆有导电银涂层（3），所述的LED安装位（101）设有线路正极（102）和线路负极（103）；一LED芯片（2）设置在导电银涂层（3）上，所述的LED芯片（2）的正极（22）用纯度99.99%直径0.01mm的第一纯金线（51）与线路正极（102）电连通，所述的LED芯片（2）的正极用纯度99.99%直径0.01mm的第二金线（52）与线路负极（103）电连通；所述LE

14、D芯片（2）四周设有1.0mm厚度的反射硅胶堤（4）；所述的LED芯片（2）上设有含荧光粉的厚度为1.5mm的荧光硅胶层；所述的荧光硅胶层上设有厚度为1.0mm透明硅胶层。0024 实施例30025 LED发光板，包括铝基线路板（1），所述的铝基线路板（1）上设有若干LED芯片安装位（101），所述的LED安装位（101）上涂覆有导电银涂层（3），所述的LED安装位（101）设有线路正极（102）和线路负极（103）；一LED芯片（2）设置在导电银涂层（3）上，所述的LED芯片（2）的正极（22）用纯度99.99%直径0.01mm的第一纯金线（51）与线路正极（102）电连通，所述的LED芯片

15、（2）的正极用纯度99.99%直径0.01mm的第二金线（52）与线路负极（103）电连通；所述LED芯片（2）四周设有0.5mm厚度的反射硅胶堤（4）；所述的LED芯片（2）上设有含荧光粉的厚度为0.3mm的荧光硅胶层；所述的荧光硅胶层上设有厚度为0.5mm说 明 书CN 103090227 A3/3页5透明硅胶层。0026 实施例40027 LED发光板，包括铝基线路板（1），所述的铝基线路板（1）上设有若干LED芯片安装位（101），所述的LED安装位（101）上涂覆有导电银涂层（3），所述的LED安装位（101）设有线路正极（102）和线路负极（103）；一LED芯片（2）设置在导电银

16、涂层（3）上，所述的LED芯片（2）的正极（22）用纯度99.99%直径0.01mm的第一纯金线（51）与线路正极（102）电连通，所述的LED芯片（2）的正极用纯度99.99%直径0.01mm的第二金线（52）与线路负极（103）电连通；所述LED芯片（2）四周设有1.0mm厚度的反射硅胶堤（4）；所述的LED芯片（2）上设有含荧光粉的厚度为0.5mm的荧光硅胶层；所述的荧光硅胶层上设有厚度为0.8mm透明硅胶层。0028 制造方法：0029 实施例50030 1）铝基线路板的LED芯片安装位上涂覆导电银浆形成导电银涂层，将一LED芯片贴在导电银涂层上，进行第一次烘干处理，得到第一次烘干半成

17、品；0031 2）在第一次烘干半成品的LED芯片的正极用第一金线与LED芯片安装位上正极焊接连通，LED芯片的负极用第二金线与LED芯片安装位上负极焊接连通，在LED芯片四周涂覆硅胶形成反射硅胶堤，进行第二次烘干处理，得到第二次烘干半成品；0032 3)在第二次烘干半成品的LED芯片上涂覆含有荧光粉的荧光硅胶层，进行第三次烘干处理，得到第三次烘干半成品；0033 4）得到第三次烘干半成品的荧光硅胶层上涂覆透明硅胶层，进行第四次烘干处理后即得LED发光板的成品。0034 所述的反射硅胶堤的厚度为0.5-1.0mm；所述的荧光硅胶层厚度为0.3-1.5mm，优选为0.3-0.5mm；所述的透明硅胶层的厚度为0.5-1.0mm，优选为0.5-0.8mm。0035 所述的金线纯度为88.8%-99.99%，直径为0.01-0.02mm。0036 所述的烘干处理时间为1-2h，温度为100-150。说 明 书CN 103090227 A1/1页6图1说 明 书 附 图CN 103090227 A